Gann effekti — Nsimon hajmiy volt-amper harakteristikali yarimoʻtkazgichlarda elektr tokining yuqori chastotali tebranishlarini generatsiyalash. G.e.ni amerikalik fizik J. Gann (J. Gunn) elektron oʻtkazuvchanlikli GaAs va JnP namunalarida kuzatgan (1963). G.e. doimiy kuchlanish maromida namunalarda doimiy ravishda paydo boʻladigan, koʻchadigan va yoʻqoladigan kuchli elektr maydon sohasining mavjudligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. G.e.da tebranish chastotasi namuna uzunligiga teskari mutanosib boʻladi. Uz. 30—50 mkm li GaAs kristallda tebranish chastotasi -0,3—2 GGs.