I transistôrs si dividin in dôs grandis categoriis: i BJT (bipolar junction transistors) e i FET (dal inglês field effect transistor), che a son une creazion plui gnove e stan deventant simpri plui doprâts intes variis aplicazions derivadis. I transistôrs a son caraterizâts di trê terminâi e a forin scuvierts par câs tal 1939 di Russel Ohl, che al stave esaminant la conducibilitât di un cristal di silici cuntune sfrese tal mieç (cheste e jere in pratiche une rudimentâl junzion P-N, che e je la base di dute la fisiche dai semicondutôrs).