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半夜鬼上床4：幽冥鬼手

《**幽冥鬼手**》（英語：_A Nightmare on Elm Street 4: The Dream Master_）是 1988 年在美國上映的一部超自然恐怖電影，由雷尼・哈林導演。這部電影是《半夜鬼上床》系列電影的第四部，在美國收穫了 5000 萬美元的票房。

## 劇情

在《半夜鬼上床 3》中，克里斯汀和《半夜鬼上床》主角南希一起努力封印了佛萊迪。可是佛萊迪怨念極深，克里斯汀再次陷入佛萊迪精心編織的夢境，無奈向在第三部中因一同對抗佛萊迪而結交的夥伴金凱和托尼尋求幫助。

金凱和托尼認為佛萊迪已經成為歷史，卻在晚上的睡夢中接連死於佛萊迪之手。第二天，克里斯汀面對金凱和托尼空蕩的座位暈厥了過去，又一次看到了佛萊迪。克里斯汀的母親認為女兒需要好好的睡一覺，在她的水裡放了大量的安眠藥，此舉正中佛萊迪的下懷，克里斯汀最終葬身於夢境中的大火，臨死前把好友愛麗絲拉入自己的夢境，佛萊迪又把目標轉移到了愛麗絲和她的好友身上。

愛麗絲的哥哥因為女友克里斯汀之死難過不已，在上廁所途中睡了過去，最終被隱身佛萊迪偷襲殺害。愛麗絲的兩個好友，一個被佛萊迪在夢境中的教室里吸乾了血，另一個被佛萊迪變成螳螂用手捏爆。

身邊的人接連被佛萊迪殺害，愛麗絲決定和男友共同消滅佛萊迪，不巧男友遇到了車禍，在手術中暈了過去，碰到了佛萊迪。愛麗絲進入到男友的夢境，在一個廢棄的教堂里與佛萊迪展開最終決戰。一番激戰後，愛麗絲成功消滅佛萊迪，遇難者的靈魂從佛萊迪殘破的體內飛出感謝拯救他們的愛麗絲並上了天堂。故事最後，愛麗絲和男友在泉水邊拋擲硬幣許願，卻在泉水泛起的漣漪中又一次看到了佛萊迪模糊的身影。

## 評論

截止到 2021 年 8 月份，《幽冥鬼手》在豆瓣上得到了 6.6 的評分，大部分人給的是三星。一些評論認為該電影比起前三部劇情顯得生硬，但是經典的血腥場面和壓抑的畫麵塑造使其仍不失為一部優秀的恐怖片。

## 參考資料

## 外部連結

* 豆瓣上的幽冥鬼手信息頁 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半夜鬼上床：夢殺

《**半夜鬼上床：夢殺**》（英語：_A Nightmare on Elm Street_）是一部 2010 年美國砍殺電影，由山繆・拜爾執導。該片翻拍自 1984 年電影《半夜鬼上床》，同時也是《半夜鬼上床》系列電影的重啟之作。主演包括傑基・厄爾・哈利、凱爾・加納、魯妮・瑪拉、凱蒂・卡西迪、托馬斯・德克和凱蘭・魯茲。該片於 2010 年 4 月 30 日在美國上映，由新線影業發行。

## 演員

* 傑基・厄爾・哈利 飾 弗萊迪・克魯格
* 凱爾・加納 飾 昆汀・史密斯
* 魯妮・瑪拉 飾 南希・霍爾布魯克
* 凱蒂・卡西迪 飾 克莉絲・福爾斯
* 托馬斯・德克 飾 傑西・勃勞恩
* 凱蘭・魯茲 飾 狄恩・羅素

## 參考資料

## 外部連結

* 官方網站
* 網際網路電影資料庫（IMDb）上《半夜鬼上床：夢殺》的資料（英文）
* 豆瓣電影上《半夜鬼上床：夢殺》的資料 （簡體中文）
* AllMovie 上《半夜鬼上床：夢殺 》的資料（英文）
* Box Office Mojo 上《半夜鬼上床：夢殺》的資料（英文）
半夜鸡叫

《**半夜雞叫**》是中國上海美術電影製片廠製作的木偶動畫短片，根據高玉寶所著小說《高玉寶》中情節改編。

## 劇情簡介

有位叫周扒皮的地主，他雇用的長工即將完工，但他不願付給長工薪水，於是他便在半夜躲在雞棚學雞打鳴，迫使長工早起幹活，設計著長工們會因禁不起折騰在發薪之日就提早離開，然而他半夜學雞打鳴之事很快就被發現，自己反而被長工們所算計。

## 動畫資料

* 上海美術電影製片廠
* 一力大一年 出品
* "半夜雞叫"
* 原著：高玉寶
* 編劇：張松林、虞和靜
* 導演：尤磊
* 造型設計：謝洪賓
* 背景設計：程中嶽
* 攝影：鍾立人
* 作曲：陳仲駒
* 木偶操作：尤磊、郭琰、蔡淵瀾
* 演奏：上影樂團
* 指揮：龔萬里

## 參看

* 周春富

## 參考

* 中國網絡電視台 - 《半夜雞叫》
* http://movie.douban.com/subject/2157295/（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半夢半醒之間

**譚詠麟音樂專輯**主要介紹譚詠麟歷年發行的各類音樂專輯。

## 專輯列表

### 1970 年代

### 1980 年代

### 1990 年代

### 2000 年代

### 2010 年代

### 2020 年代

## 參見

* 譚詠麟單曲列表
* 譚詠麟演唱會
* 譚詠麟派台歌曲成績列表

## 註釋

## 參考資料
半大翼甲螨属

**半大翼甲蟎屬**（學名：_Dimidiogalumna_）為大翼甲蟎科的一個屬。

## 下級分類

本屬包括以下物種：

* 東氏半大翼甲蟎 _Dimidiogalumna azumai_ Aoki, 1996
* _Dimidiogalumna comoroensis_ Mahunka, 1994
* _Dimidiogalumna villiersensis_ Engelbrecht, 1972

## 參考文獻
半天岩

**半天岩紫雲寺**，或稱**半天巖紫雲寺**，是臺灣嘉義縣番路鄉的佛寺，為嘉義縣文化資產、縣定古蹟，建築採五開間二進二廊帶左右護龍、座西北朝東南。

## 供奉聖真

正殿之內殿主祀：黑面觀世音菩薩（觀音佛祖），並分為：大媽、二媽、三媽。

另三座觀音後方，又安奉三寶佛（釋迦牟尼佛、藥師琉璃光佛、阿彌陀佛）。

山門殿安奉準提佛母菩薩，被視為：佛母總廟、五母聖地之一。

右護龍廂房安奉文殊菩薩，左護龍廂房安奉普賢菩薩。

## 歷史

對於創寺的傳說在當地有數種版本。有版本是以前有三位比丘各揹著一尊觀音菩薩像一同來台，各尋一地立寺，大媽落腳在赤山巖（台南六甲赤山龍湖巖）、二媽安居在火山岩（白河關子嶺火山大仙寺），三媽結茅在半天岩。另一種版本是前中國佛教會理事長白聖長老根據能元和尚所寫之沿革，說有一名七十餘歲的僧侶在清康熙二十一年（1682 年）來此，嘆曰：「此勝地也，宜為蘭若。」於是斬荊棘闢草萊，結茅其間，再由南海普陀山迎請觀音聖像而供奉之。因僧從遠望此境，高接雲天，遂名為半天岩；又以山間之雲常現紫色，取寺為紫雲寺。

自創建以來，可查的興修紀錄共八次。乾隆三十年（1765 年）的阿里山通事陳密武告示的〈嚴禁謀奪佛祖香燈碑記〉可知此為紫雲寺擴展的第一階段。〈半天岩重建碑記〉記載在道光十九年（1839 年）嘉義發生地震，導致寺傾倒十餘年，直至牛斗山首事郭濯海接手重建，歷時四年方在咸豐五年（1855 年）完成。1904 年的斗六地震、1906 年的梅山地震，再度使紫雲寺傾倒十餘年，於 1920 年由第二任管理人林猛與曾任通事及公田莊區長的劉闊主持重修，在 1923 年完成。但 1941 年的中埔地震，使甫修完畢的紫雲寺夷為平地。1947 年，劉闊之子劉再生與林猛之子林橘完成第四次重修，之後紫雲寺建築一直保留到至今，期間雖翻修屋頂，不影響建築本體。

戰後，本寺本為天乙法師等比丘尼所主持。1985 年由內政部公告為第三級古蹟，受《文化資產保存法》 保護，其後修繕都以修復為主，本體依舊維持 1947 年的形貌。1989 年，地方收回管理權，比丘尼僧團退出。

## 參考資料

## 外部連結

* 官方網站（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
* 半天岩紫雲寺的 Facebook 專頁
* 半天巖紫雲寺 —— 文化部文化資產局（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半天岩紫雲寺

**半天岩紫雲寺**，或稱**半天巖紫雲寺**，是臺灣嘉義縣番路鄉的佛寺，為嘉義縣文化資產、縣定古蹟，建築採五開間二進二廊帶左右護龍、座西北朝東南。

## 供奉聖真

正殿之內殿主祀：黑面觀世音菩薩（觀音佛祖），並分為：大媽、二媽、三媽。

另三座觀音後方，又安奉三寶佛（釋迦牟尼佛、藥師琉璃光佛、阿彌陀佛）。

山門殿安奉準提佛母菩薩，被視為：佛母總廟、五母聖地之一。

右護龍廂房安奉文殊菩薩，左護龍廂房安奉普賢菩薩。

## 歷史

對於創寺的傳說在當地有數種版本。有版本是以前有三位比丘各揹著一尊觀音菩薩像一同來台，各尋一地立寺，大媽落腳在赤山巖（台南六甲赤山龍湖巖）、二媽安居在火山岩（白河關子嶺火山大仙寺），三媽結茅在半天岩。另一種版本是前中國佛教會理事長白聖長老根據能元和尚所寫之沿革，說有一名七十餘歲的僧侶在清康熙二十一年（1682 年）來此，嘆曰：「此勝地也，宜為蘭若。」於是斬荊棘闢草萊，結茅其間，再由南海普陀山迎請觀音聖像而供奉之。因僧從遠望此境，高接雲天，遂名為半天岩；又以山間之雲常現紫色，取寺為紫雲寺。

自創建以來，可查的興修紀錄共八次。乾隆三十年（1765 年）的阿里山通事陳密武告示的〈嚴禁謀奪佛祖香燈碑記〉可知此為紫雲寺擴展的第一階段。〈半天岩重建碑記〉記載在道光十九年（1839 年）嘉義發生地震，導致寺傾倒十餘年，直至牛斗山首事郭濯海接手重建，歷時四年方在咸豐五年（1855 年）完成。1904 年的斗六地震、1906 年的梅山地震，再度使紫雲寺傾倒十餘年，於 1920 年由第二任管理人林猛與曾任通事及公田莊區長的劉闊主持重修，在 1923 年完成。但 1941 年的中埔地震，使甫修完畢的紫雲寺夷為平地。1947 年，劉闊之子劉再生與林猛之子林橘完成第四次重修，之後紫雲寺建築一直保留到至今，期間雖翻修屋頂，不影響建築本體。

戰後，本寺本為天乙法師等比丘尼所主持。1985 年由內政部公告為第三級古蹟，受《文化資產保存法》 保護，其後修繕都以修復為主，本體依舊維持 1947 年的形貌。1989 年，地方收回管理權，比丘尼僧團退出。

## 參考資料

## 外部連結

* 官方網站（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
* 半天岩紫雲寺的 Facebook 專頁
* 半天巖紫雲寺 —— 文化部文化資產局（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半女神

**半女神** （梵文: अर्धनारीश्वर, 拉丁字母轉寫: Ardha-nārīśvara, 直譯「半女神」），印度教神祗，是兼具男性氣質和女性氣質的雙性神，其身體是濕婆（右半身）和他的妻子帕爾瓦蒂（左半身）的結合體。他被視為印度教性力（Shakti）信仰的象徵。
半妖

**半妖**（日語：半妖、はんよう）是指人類與妖怪的混血兒。「半妖」不是民俗的語言，是漫畫、動畫、輕小說等中創造的名詞。

## 概要

半妖主要出現在漫畫・動畫作品中『犬夜叉』（原作：高橋留美子・1996 年 - 2008 年）出現，而且是高橋首創，在此之前沒有出現過。再者就是鬼太郎（原作：水木茂・1954 年？-）中的鼠男和貓女，被稱為「半妖怪」，鬼太郎自己則是「半靈半妖（阿岩的半靈和眼珠老爹的半妖）」。被人們稱為「既不是人類，也不是妖怪，是不完整的個體」而存在著。東方 Project 中出現過更怪異的「半靈」，即一半人一半鬼。

## 半妖的譯名

最初的譯名是羅馬拼音「Hanyō」，用於稱呼日本動漫出現的半妖。其他翻譯有「half-demon」。

## 半妖登場的作品

* 註：未在刮號說明者均為半妖。
* 聊齋志異－〈綠衣女〉－謝鰲
* 犬夜叉－犬夜叉、奈落、地念兒、紫織、牛王（出雲）、娑蘿姬
  * 半妖的夜叉姬－日暮永遠、剎那、諸葉 (1/4 妖)、逆叉
* 鬼太郎－鼠男、貓女、第三作的鬼太郎
* 夜櫻四重奏－五十音 言葉
* 機動新撰組 萌之劍－沖田薰
* 藍蘭島漂流記－小滿
* BLOOD+－音無小夜
* 我的狐仙女友－長長部 澪
* 大劍－克蕾雅
* 新 SD 戰國傳 傳說之大將軍篇－刃流刃狼
* 月神樂－飛天丸
* 東京★純愛奇緣－半藏
* 東方 Project－森近 霖之助
* 仙劍奇俠傳一－趙靈兒 (1/4 妖)、姜婉兒、林青兒、李憶如 (1/8 妖)
  * 仙劍奇俠傳二－李憶如 (1/8 妖)
  * 仙劍奇俠傳三－羅如烈 (妖魔化)、林青兒
  * 仙劍奇俠傳三外傳・問情篇－南宮煌、星璇
  * 仙劍奇俠傳五－小蠻 (1/16 妖)
* 怪物王女－麗莎・瓦德曼
* 最遊記－沙悟淨
* 妖怪少爺－奴良陸雄 (1/4 妖)、奴良鯉伴、安倍晴明
* 魔法老師－櫻咲剎那
* 少女妖怪 石榴－西王母桃（石榴）、鬼燈、雪洞、薄螢
* 血黑犬－黑戌牙、楚御梵、月狼、鬥犬
* 結界師－妖混
* 復活邪神：邪神領域－Asellus
* 九尾狐：狐狸小妹傳－丘山宅
* 女媧傳說之靈珠－問天
* 九家之書－崔江置
* 境界的彼方－神原秋人
* 境界的輪迴－六道輪迴 (半死神)
* 幽遊白書－浦飯幽助（魔族大隔世）、飛影
* 探險活寶－艾薇爾（半惡魔）、艾爾（於冰霸王所著故事中性轉版，亦為半惡魔）
  * 探險活寶：遙遠的秘境－艾薇爾
* 妖怪人間貝姆－貝姆、貝拉、貝羅
* 東郭小節－東郭小節
* 吸血鬼獵人 D－混血兒 D
* 半妖傾城－聶傾城、幽瞳、傅興邦、應蝶、應龍

## 參看

* 亞人
* 半吸血鬼
* 半精靈
* 異類婚姻譚
半妖倾城

**《半妖傾城》**（英語：_**Demon Girl**_），是一部共 2 季的中國大陸民國玄幻愛情劇，由快樂陽光出品、歡娛影視承制，任海曜和劉鎮明聯合執導，于正編劇及製片。該劇由張哲瀚、李一桐、米熱、何瑞賢、成梓寧、西蒙子、安以軒、張馨予、陳紫函、李修慶、侯岩松、汪東城（第一季）以及洪堯、戴向宇、張逸杰、馬浚偉、許曉諾、宋威龍、南笙（第二季）等聯袂主演。

本劇於 2016 年 6 月 30 日在芒果 TV 和樂視視頻聯合播出。台灣於 2016 年 9 月 20 日，由 LiTV 首播。第二季同年 12 月 30 日首播。

## 演員

### 主要人物

### 其他人物

## 音樂原聲

## 衍生作品

其後在 2016 年推出同名漫畫和小說。

## 參考

## 外部連結

* 半妖傾城的新浪微博（簡體中文）
半妖皇帝

《**半妖皇帝**》（英語：_**Monster Emperor**_），2018 年中國大陸玄幻古裝劇。由陳禹銘、安晨芯領銜主演，愛奇藝於 2018 年 2 月 23 日首播。

## 播出時間

## 演員列表

### 主要演員

### 其他演員

## 參考資料

## 外部連結

* 半妖皇帝的新浪微博
半子囊菌綱

**酵母亞門**是子囊菌門中最低級的菌種，只有單細胞，通常單生，有明顯的細胞壁和細胞核，有時數個細胞連成串，形成擬菌絲，以出芽的方式繁殖，芽脫落後就形成新個體，沒有子囊果。 

酵母亞門只包括唯一的酵母綱

釀酒酵母（_Saccharomyces cerevisiae_）是啤酒釀造中必不可少的，此外有的菌種還應用於麵包發酵、石油脫蠟、生產甘油和有機酸等工業中，但假絲酵母屬（_Candida_）的一些菌種也可以使人致病。

## 參考文獻

## 外部連結

* （英文）Tree of Life: 酵母亞門 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半子音

**半元音**（又稱**滑音**、**半母音**，亦罕有作**半輔音**）指與成音節的元音一起構成複元音的不成音節元音。與之相似的輔音稱作近音，但是近音的口腔閉合度比元音和半元音大，因而歸入輔音。用國際音標標註半元音的正規方式為在元音符號下方添加不成音節附加符號[  ̯ ]，但也經常只簡寫為一個元音符號。

## 特徵

舉個例子，英語單詞 wow 可以標註為 [waʊ̯]（或簡寫作 [waʊ]）。雖然 [w] 和 [ʊ̯] 都跟元音 [u] 十分相似，但既然寫成 [waʊ̯]，就表示開頭的音段是一個輔音，而末尾的音段與前面的元音構成了一個複元音。近音 [w] 比半元音 [ʊ̯] 發音更緊因而也更像個輔音。

由於音質上的相似，「半元音」和「近音」這兩個概念往往混用，但實際上兩者並不相同，兩者的差異可以利用 "子音 + 子音 (近音)" 與 "子音 + 母音 (半元音)" 的發音空檔之有無做比較：

由於通常情況下，多個輔音構成輔音叢時，各輔音預設不會同時發音而是先後依序間隔發音；輔音後直接接母音時，兩者中則沒有時差：

俄語 "е" /je/ 中的 /j/ 為近音 (輔音)，與後接之元音 /e/ 無時差，此 /je/ 聽感與普通話「耶」 /i̯e/ 相似。

但在兩者前加上另一輔音，半元音與近音的關鍵差異就出現了：

取俄語 "отъехать" /ɐtjexətʲ/ 中的 "тъе" /tje/ 與普通話「爹」/ti̯e/ 做對比，由於俄語 "тъе" /tje/ 中輔音 /t/ 與近音 /j/ (近音歸類為輔音) 為 "輔音 + 輔音" 組合，兩者間有時差，為分開發音之發音型態，"t" 與 "je" 為兩音步；而普通話「爹」/ti̯e/ 中的輔音 /t/ 與半元音 /i̯/ (半元音歸類為元音) 為 "輔音 + 元音" 組合，兩者間無時差，為同時發音之發音型態，"ti̯e" 為一單獨音步。以上原因導致了 "тъе" 與「爹」之發音聽感不同。

通常半元音的口腔位置都對應著一個閉元音，但在尼泊爾語、羅馬尼亞語和薩摩亞語里還有對應中元音的 [e̯] 音和 [o̯] 音，既非不成音節音，也完全不像輔音。

## 舉例

### 閉元音

* 英語 _eye_ [ɑɪ̯]
* 英語 _cow_ [kaʊ̯]
* 荷蘭語 _ui_ （洋蔥） [œʏ̯]

### 閉元音對照半元音

* 薩摩亞語 _ai_ （或許） [ʔai̯]
* 薩摩亞語 _ae_ （但是） [ʔae̯]
* 薩摩亞語 _auro_ （金子） [ʔau̯ɾo]
* 薩摩亞語 _ao_ （一朵雲） [ao̯]

## 參見

* 波浪號
* 語音學條目列表
* 不成音節元音
* 雙元音
* 鼻化元音

## 參考文獻

## 延伸閱讀
半孔魚

**半孔魚**（學名：_Hemitremia flammea_）為條鰭魚綱鯉形目雅羅魚科半孔魚屬的其中一種，被 IUCN 列為近危保育類動物，分布於北美洲美國阿拉巴馬州、田納西州及喬治亞州，本魚體延長，頭短，吻部極短； 口小，眼睛圓，背鰭起點稍晚於腹鰭起點； 側線不完整，不到一半的鱗片有孔，體上半部橄欖色，背面有深色條紋，上側有深色條紋，然後是淺色條紋，，下方白色至紅色，身體底部 1/3 為鮮猩紅色，銀色腹膜有黑色斑點，體長可達 7.8 公分，棲息在河川上游，屬肉食性，以蝸牛及蠕蟲等為食。

## 參考文獻

* Froese, R. & Pauly, D. (eds.) (2012). _Hemigrammocapoeta flammea_. _FishBase_. Version 2012-01.
半季

**半季**（英語：split season）是多種運動聯盟中採用的一種賽季實施方式。該制度將一整個賽季拆成兩個部分，通常為上下半季；兩個半季的冠軍將會進行比賽來決定總冠軍。

半季制度通常出現於賽季較長的運動，例如棒球、籃球與足球。在美國，半季通常出現於學院運動聯盟當中，尤其是大學籃球聯盟。有一部分的美國職棒小聯盟球隊也實施半季制度。

## 棒球

### 美國職棒大聯盟

美國職棒大聯盟曾經兩次實施過半季制度。第 1 次是在 1892 年，由國家聯盟實施；第 2 次則是在 1981 年，由於大聯盟球員罷工，因此決定將該賽季拆成上下半季，各分區（當時美國聯盟與國家聯盟各有 2 個分區）的上下半季冠軍先進行分區系列賽，獲勝者再進行聯盟冠軍賽；該年度的分區系列賽獲勝球隊為洋基、運動家、博覽會及道奇。

### 美國職棒小聯盟

美國職棒小聯盟當中，2A、高階 1A 及 1A 的附屬聯盟實施半季制度；如果某個球隊獲得上下半季冠軍，大多數附屬聯盟會將該球隊與全季第二名球隊進行總決賽。在過去，部分附屬聯盟會將獲得上下半季冠軍的球隊直接宣告為該球季總冠軍，或是直接進入下一輪季後賽。這些小聯盟附屬聯盟實施半季制度的一個原因，是因為小聯盟的主要目的是培養與發展球員；而這些球員在賽季當中可能會逐步升級或降級。球季初期各隊擁有許多出色的球員，然而隨著球員的晉升，到球季末尾時球員人數與素質則會變低；上下半季的實施，就是讓表現不盡理想的球員在下半季能夠繼續參與有意義的賽事。

### 其他地區

目前中華職棒實施半季制度，而日本職棒曾實施過半季制度。

## 參考文獻
半完全数

在數論中，**半完全數**（或稱**半完美數**、**偽完全數**、**偽完美數**）是完全數的推廣。如果一個正整數自身的全部或一部分真因數的和等於此數自身，則稱其為半完全數。顯然，所有完全數都是半完全數，半完全數不可能是虧數。一部分過剩數也是半完全數。不是半完全數的過剩數稱為奇異數。

前幾個半完全數是：

　
: 6、12、18、20、24、28、30、36、40、42…… A005835

## 特點

* 半完全數的倍數還是半完全數。若半完全數不能被所有更小的半完全數整除，稱為本原半完全數。
* 若 _m_ 為自然數，_p_ 是奇數的質數，使得 _p_ < 2m + 1，則 2m_p_ 也是半完全數。
  * 特別是每一個符合 2m(2m + 1− 1) 的整數也是半完全數，若 2m + 1− 1 為梅森質數，2m(2m + 1− 1) 會是完全數。
* 最小的奇數半完全數是 945（由 Friedman 在 1993 年發現）
* 半完全數會是完全數或是豐數。不是半完全數的豐數會稱為奇異數。
* 除了 2 以外，每一個本原偽完全數都是半完全數。
* 每一個不是 2 次冪的實際數都是半完全數。
* 半完全數集合的自然密度存在

## 腳註

## 參考資料

* Friedman, Charles N. Sums of divisors and Egyptian fractions. Journal of Number Theory. 1993, **44** (3): 328–339 [2020-12-31]. MR 1233293. Zbl 0781.11015. doi:10.1006/jnth.1993.1057. （原始內容存檔於 2012-02-10）.
* Guy, Richard K. Unsolved Problems in Number Theory. Springer-Verlag. 2004. ISBN 0-387-20860-7. OCLC 54611248. Zbl 1058.11001.  Section B2.
* Sierpiński, Wacław. Sur les nombres pseudoparfaits. Mat. Vesn., N. Ser. 2. 1965, **17**: 212–213. MR 0199147. Zbl 0161.04402 （法語）.
* Zachariou, Andreas; Zachariou, Eleni. Perfect, semiperfect and Ore numbers. Bull. Soc. Math. Grèce, n. Ser. 1972, **13**: 12–22. MR 0360455. Zbl 0266.10012.

## 參見

* Hemiperfect 數
* Erdős–Nicolas 數
半官方機構

**半官方機構**（英語：Quango）是指由政府創立的機構、委員會、法團或組織，其編制雖與政府相似，但並不屬於政府部門。一般而言，這些機構會被視會獨立機構，但財政上常依賴政府支援，而部份主要領導亦由政府以借調形式派遣擔任。政府對此等機構的管理委員會或主要領導的委任通常具最終（甚或獨一）的決定權。

半官方機構在英國、澳洲、愛爾蘭、香港甚為通行。如英國非政府部門公共機構、香港公營機構。

## 亞洲

### 中華人民共和國－事業單位法人

按照中華人民共和國國家事業單位登記管理局《事業單位登記管理暫行條例實施細則》的規定，「事業單位」是指國家為了社會公益目的，由國家機關舉辦或者其他組織利用國有資產舉辦的，從事教育、科研、文化、衛生、體育、新聞出版、廣播電視、社會福利、救助減災、統計調查、技術推廣與實驗、公用設施管理、物資倉儲、監測、勘探與勘察、測繪、檢驗檢測與鑑定、法律服務、資源管理事務、品質技術監督事務、經濟監督事務、智慧財產權事務、公證與認證、資訊與諮詢、人才交流、就業服務、機關後勤服務等活動的社會服務組織。

### 中華民國－行政法人

### 韓國－行政法人

韓國政府利用許多行政法人來進行大規模的舉債，以支應民間或企業的需求，比如出錢幫企業研發、開發專利、買專利、做基礎建設，然後授權移轉給企業，幫助企業降低成本。這樣的做法一方面可以迴避國際貿易反貼補的企業補貼問題而達到實質補貼的效果，一方面可以幫助企業快速建立競爭優勢。而部分行政法人的經營狀況已經瀕臨破產，例如韓國電力公社、住宅土地公社。行政法人的債務高達 4150 億美金，佔南韓政府 GDP 比例的 37%。

### 日本－獨立行政法人

日本在 1990 年代的橋本龍太郎內閣執政時，為提升部分公共事業機構的行政效率，仿效英國匯入獨立行政法人制度。區分「國立研究開発法人」（National Research and Development Agency）及「行政執行法人」（Agency Engaged in Administrative Execution）兩類，目前有宇宙航空研究開發機構、日本國際協力機構、國立印刷局等超過 100 個獨立行政法人組織。

## 歐洲

### 法國－公施設法人

法國自 1902 年就有第一所公法人化的組織 — 莫侯美術館（Gustave Moreau），此後有 1918 年羅丹美術館、1923 年亨納美術館；1992 年 12 月 22 日法國政府更是透過法令將公法人制度化，1993 年 1 月 1 日生效。羅浮宮成為制度化後第一個改制的政府組織（全名從羅浮宮博物館改為羅浮宮博物館公共機構 l'Etablissement Public du Musée du Louvre），此後陸續改制的有凡爾賽宮殿和博物館、奧塞美術館和橘園美術館（前者 2004 年改制，2010 年兩館合併）、居美博物館、布杭利碼頭博物館、畢卡索美術館、楓丹白露宮殿和博物館以及塞佛爾國立陶瓷博物館。

### 英國

1979 年，柴契爾夫人開始組閣後，面對經濟不景氣及赤字預算升高，進行一連串重大經濟及政府組織改革。柴契爾政府之改革目標是將過去政府大小通包之治理模式，轉變為儘量由民間承攬，策略上採取民營化及組織精簡之作法，希望提高行政效率與服務品質，建立企業政府。其保守黨政府先推動國營事業民營化，大幅減少文官總數，接著政府效率小組在 1988 年之「續階計畫」推動下，將部份原先由中央主管部會負責之業務改由另外嶄新之組織型態 —— 政署執行。政署在組織編制、人員進用及預算運用上，擁有更大自主。然而，政署亦屬於行政機關，反倒是「非政府部門公共機構」更符合公法人制度的精神。如：大英博物館、英國國民保健署。

## 參考文獻
半定量雪原

**半定量雪原**（英語：Half-ration Névé），是南極洲的雪原，位於維多利亞地的博克格雷溫克海岸，處於飛行員冰川源頭，由紐西蘭探險隊命名，現時由南極條約體系管理。

## 參考資料

* Half-ration Névé. 美國地質局地理名稱信息系統. [2012-05-16].
* 本條目引用的公有領域材料來自美國地質調查局的文檔《Half-ration Névé》 （資料來自地名信息系統）。
半实衣属

**半實衣屬**（學名：_Hemithecium_）是文字衣科下的一個屬。

## 下屬物種

本屬包括以下物種：

* 灰白半實衣 _Hemithecium alboglauca_ (Vain.) A.W.Archer
* _Hemithecium amboliense_ Makhija & Dube
* _Hemithecium andamanicum_ (Makhija, Adaw. & Patw.) B.O.Sharma & Khadilkar
* _Hemithecium argopholis_ (C.Knight ex Müll.Arg.) A.W.Archer
* 巴氏半實衣 _Hemithecium balbisii_
* 半實衣 _Hemithecium canlaonense_ (Vain.) A.W.Archer
* 雙磚孢半實衣 _Hemithecium duomurisporum_ Z.F.Jia
* _Hemithecium endofusca_ (M.Nakan.) M.Nakan. & Kashiw.
* _Hemithecium flavoalbum_ (Makhija, Adaw. & Patw.) B.O.Sharma & Khadilkar
* _Hemithecium flexile_ (Makhija, Adaw. & Patw.) B.O.Sharma & Khadilkar
* _Hemithecium himalayanum_ Jagad.Ram & G.P.Sinha
* 交織半實衣 _Hemithecium implicatum_ (Fée) Staiger
* _Hemithecium kodayarense_B.O.Sharma & Khadilkar
* _Hemithecium nagalandicum_ (Kr.P.Singh & G.P.Sinha) Adaw. & Makhija
* _Hemithecium nakanishianum_ (Patw. & C.R.Kulk.) Makhija & Dube
* 歐氏半實衣 _Hemithecium oshioi_ (M.Nakan.) M.Nakan. & Kashiw.
* _Hemithecium pulchellum_ Makhija & Adaw.
* _Hemithecium radicicola_ (A.W.Archer) A.W.Archer
* _Hemithecium rimulosum_ (Müll.Arg.) Mangold, Lumbsch & Kalb
* _Hemithecium scariosum_ Makhija & Adaw.
* _Hemithecium staigerae_ Adaw. & Makhija
* _Hemithecium verrucosum_ B.O.Sharma & Khadilkar

## 參考文獻
半实轴

**半長軸**是幾何學中的名詞，用來描述橢圓和雙曲線的維度。與之對應的就是**長軸**，半長軸為長軸的一半，一般描述橢圓的最長的直徑。

## 橢圓

一個橢圓的長軸是內部最長的直徑，會通過中心和兩個焦點，末端結束於橢圓曲線最寬處。半長軸是長軸的一半，始於中心點經過一個焦點並終結於橢圓的邊界。在特殊狀況 a=b 中，半長軸就是半徑。

半長軸的長度 $a\!$ 與半短軸 $b\,\!$ 的關係可以經由離心率 $e\,\!$ 和半正焦弦 $\ell \,\!$ 推導如下：

　
: $b=a{\sqrt {1-e^{2}}}\,\!$

　
: $\ell =a(1-e^{2})\,\!$ .

　
: $a\ell =b^{2}\,\!$ .

拋物線可以被視為是橢圓的極限，將一個焦點固定，而另一個焦點被隨意的移至無窮遠處的方向上，但 $\ell \,\!$ 仍保持不變。因此 $a\,\!$ 和 $b\,\!$ 趨於無限大， $a\,\!$ 仍比 $b\,\!$ 長。

半長軸是橢圓的一個焦點至邊界的最大距離和最小距離的平均值。現在考慮在極座標中的方程式式，其中一個焦點位於原點，另一個焦點在 _x_ 軸上，

　
: $r(1-e\cos \theta )=l\,\!$ .

均值由 $r={\ell  \over {1+e}}\,\!$ 和 $r={\ell  \over {1-e}}\,\!$ ，是 $a={\ell  \over {1-e^{2}}}\,\!$ .

## 雙曲線（又稱半貫軸）

雙曲線的半長軸是兩個分支之間距離的一半。如果 _a_ 是在 X - 軸的方向上，則方程式式可以表示為：

$$
{\frac {\left(x-h\right)^{2}}{a^{2}}}-{\frac {\left(y-k\right)^{2}}{b^{2}}}=1
$$

在這個項目中的半正焦弦和離心率如下：

$$
a={\ell  \over e^{2}-1}
$$

雙曲線的**橫軸**延伸方向與半長軸的方向一致。

## 天文學

### 軌道週期

在太空動力學，以圓或橢圓軌道環繞中心天體運轉的小天體的軌道週期 $T$ ，是：

　
: $T=2\pi {\sqrt {a^{3}/\mu }}$

此處：

　
: $a$ ，是軌道的半長軸

　
: $\mu $ 是標準重力參數

無論離心率是如何，半長軸相同的橢圓都有相同的軌道週期。

在天文學，是軌道的軌道元素中最重要的，他決定了軌道週期。對太陽系內的天體，半長軸與軌道週期的關係由克卜勒第三定律（原本只是經驗公式）來描述：

　
: $T^{2}\propto a^{3}$ ，

此處 **T** 是週期，單位為年；**a** 是半長軸，單位為 AU。這個形式就是牛頓的二體問題簡化後的形式：

　
: $T^{2}={\frac {4\pi ^{2}}{G(M+m)}}a^{3}$ ，

此處 **G** 是重力常數，**M** 是中心天體的質量，而 **m** 是軌道上天體的質量。通常，當中心天體的值量遠大於環繞的天體時，**m** 的質量可以忽略不計。座著這樣的假設和簡化之後，克卜勒發現的以天文單位簡化的形式就出現了。

值得注意的是，在軌道上的天體和主要的天體環繞著質心運動的路徑都是橢圓形。在天文學上的半長徑總是主、伴兩星之間的距離，因此行星的軌道參數都是以太陽為中心的項目。在 "主體為中心" 和 "絕對" 軌道之間的差別通過對地月系統的認是說明可以有更清楚的認識。質量的比是 81.30059，地心的月球軌道半長軸是 384,400 公里；另一方面，"質心" 的月球軌道半長軸是 379,700 公里，兩著的差別是 4,700 公里。月球相對於質心的平均軌道速度是 1.010 公里 / 秒，地球是 0.012 公里 / 秒，兩者之和是 1.022 公里 / 秒；同樣的，以地心的半長軸得到的月球軌道速度也是 1.022 公里 / 秒。

### 平均距離

經常會說半長軸是主伴兩天體的平均距離，其實這樣說是不夠精確的，這與如何取得平均值有關。

* 對偏近點角（q.v.）的平均距離的確就是半長軸。
* 對真近點角（從焦點上測量的真實軌道角度）的結果，說也奇怪，是軌道半短軸： $b=a{\sqrt {1-e^{2}}}\,\!$ 。
* 最後，是對平近點角（以角度表示，經過近心點之後所經歷軌道週期的分數），是對時間的平均數（通常是對門外漢所謂的 "平均"）： $a(1+{\frac {e^{2}}{2}})\,\!$ 。

橢圓的平均半徑，是以幾何上的中心來測量的，其值為 ${\sqrt {ab}}=a{\sqrt[{4}]{1-e^{2}}}\,\!$ 。

時間的平均值與半徑成反比， $r^{-1}\,\!$ ，是 $a^{-1}\,\!$ 。

### 能量：由狀態向量的半長軸計算

在太空動力學**半長軸** $a$ ，可以從軌道狀態向量得到：

 $a={-\mu  \over {2\epsilon }}$ ，（橢圓軌道）

 $a={\mu  \over {2\epsilon }}$ ，（雙曲線彈道）

 $\epsilon ={v^{2} \over {2}}-{\mu  \over \left|\mathbf {r} \right|}$ (特殊軌道能量）

 $\mu =GM$ ，（標準重力參數），

此處：

 * $v$ ，是從速度向量得到的軌道上物體的軌道速度，
* $\mathbf {r} $ ，是在迪卡兒的參考座標系上相對於位置向量用於計算的軌道元素（即，對環繞地球的物體是以地球中心和赤道為基準，或對環繞太陽的天體是以太陽中心和黃道為基準)，
* $G$ ，是重力常數，
* $M$ ，是中心天體的質量。

對特定的中心天體和總比能，無論離心率是多少，半長軸是一個定值。換言之，對特定的一個中心天體和半長軸，具有的總比能是一個定值。

## 例子

國際太空站（ International Space Station，ISS）的軌道週期是 91.74 分，它的軌道半長軸是 6,738 公里。

## 外部連結

* Semi-major and semi-minor axes of an ellipse（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） With interactive animation

## 參考資料
半家

**半家**，日本公家家格的一種，是最下位的堂上家。屬於廣義的日本公卿，通常是以特殊技藝、才能在朝廷之中位列公卿的貴族，如神道、儒學（文章、明經博士）、醫道、陰陽道、弓道等朝廷侍奉的職務。官位方面，部分家族可以像羽林家、名家一樣擔任近衛中將、左右大弁，乃至官至大納言、中納言等朝廷重臣，但主要還是以非參議的公卿居多。

半家之中也包含了源平藤橘這日本四大姓氏的貴族後代。到了江戶幕府末期，半家還存在 **26 家**（幕末共 137 家公家）。

明治時代，在 1884 年的華族令頒布後，進入近代日本的公家們都被封為華族貴族，而半家的各家當主多是被封為華族子爵。只有其中的澤家經過其當主父子在明治維新當中立下功勞而被升任為華族伯爵，得以與大臣家公卿相當。

## 分布氏族

* 源氏：4 家（15.4%）
  * 清和源氏：1 家（竹內家）
  * 宇多源氏：2 家（五辻家、慈光寺家）
  * 花山源氏：1 家（白川家）
* 平氏：2 家（7.7%）
  * 桓武平氏：2 家（西洞院家、石井家）
* 藤原氏：2 家（7.7%）
  * 藤原北家：2 家（高倉家、富小路家）
* 菅原氏：6 家（23.1%）
  * 高辻家、唐橋家、五條家、清岡家、東坊城家、桒原家
* 卜部氏：4 家（15.4%）
  * 吉田家、萩原家、錦織家、藤井家
* 清原氏：3 家（11.5%）
  * 舟橋家、伏原家、澤家
* 阿倍氏（安倍氏）：2 家（7.7%）
  * 土御門家、倉橋家
* 大中臣氏：1 家（3.8%）
  * 藤波家
* 大江氏：1 家（3.8%）
  * 北小路家
* 丹波氏：1 家（3.8%）
  * 錦小路家

## 半家列表

## 參考文獻
半家站

**半家車站**（日語：半家駅／はげえき _Hage eki_ \*/?）是一位於日本高知縣四萬十市西土佐半家、隸屬於四國旅客鐵道（JR 四國）的鐵路車站。車站編號為 **G33**。於日語中本站屬於難讀站名。

「半家」一名，據說是生活在這裏的祖先，是平家落人，為免逃避源氏家族的人，因此將姓氏中的「**平**」改為「**半**」。而讀音亦有所改變，由正常的「Hēte」（へいけ）變為「Hante」（はんけ）再改成現時的「Hage」（はげ）。

現時車站仍有少量民居，是典型的小鄉村形地區，但由於位處山中且旁邊為國道 381 號，使用量並不算多。

## 車站結構

本站為簡易車站，並不設有站舍，再加上月台位處較高的山坡，由路面前往需經過較長的通道和樓梯前往。由出入口橫過國道對面，設有單車停泊場。另設有簡易洗手間，但是要從月台直行至向江川崎站方向的末端，再離開月台範圍才到達。

只設側式月台 1 個，列車不能在此站交換。月台上設置有蓋候車亭，有效長度達 4 輛，而向窪川站方向曾經加長過。當列車停靠時，往江川崎站方向為左側開門，往窪川站方向則為右側開門。

### 月台配置

## 歷史

* 1974 年 3 月 1 日：路線伸延至若井站時開業。
* 1987 年 4 月 1 日：日本國鐵分割民營化，車站的營運由 JR 四國繼承。

## 相鄰車站

**四國旅客鐵道**
: ■予土線

　
: 十川（G32）－**半家（G33）** －江川崎（G34）

## 參考資料
半宽

**全形**和**半形**是文字的兩種顯示形式，「全形」指文字字身長寬比為一比一的正方形，而「半形」為寬度為全形一半的文字。現在這兩個詞通常用來指代電腦中顯示的文字。

## 意義和用法

在傳統的字型排印學中，文字字身長寬比為 1 比 1 的正方形金屬鉛字原本稱作「全身」，而寬度只有一半的稱為「半身」。另外對於小於一個「全身」的各種鉛空稱為「分空」，通常稱為「二分空」（注意不是「半身」）「三分空」「四分空」「六分空」等等。

「半角 / 全角」源於日文，其中「角」是「方塊」的意思，「全角 / 半角」在日文里即是原本「正方形 / 半個正方形大小文字」的本意，與西文字型排印學中 Em 和 En 單位含義相同。

而中文裡的「角」雖然有「角度」「角落」等含義，卻沒有「方塊」的意思，中文在字型排印時不說「全角 / 半角」而說「全身 / 半身」。中文裡說「半角 / 全角」是電腦文字編碼技術引入時直接借用了日文的做法。

而目前對於電腦上的文字稱作「全形字」「全形字」和「半形字」「半形字」的指代非常混亂。

「全形字」「全形字」可能是指：

1. 用兩個位元組儲存的字元
2. ASCII（所謂半形拉丁字母、符號及阿拉伯數字）以外所有的字元
3. 顯示上字身寬度與字型高度相等（即字形外框為正方形）的字形

「半形字」「半形字」時可能指：

1. 用單位元組儲存的字元（可能包括片假名）
2. ASCII 字元即拉丁字母、數字和常見符號
3. 顯示上字身寬度為字型高度一半的字形

為了避免混亂，在使用「字寬」的本意時，可以使用從英文倒翻譯回中文的「全寬／半寬」（fullwidth /halfwidth）。

## 歷史

在早期的電腦中，英語或拉丁字母語言使用的系統，每一個字母或符號，都是使用一位元組的空間（一位元組由 8 位元組成，共 256 個編碼空間）來儲存；而漢語、日語及韓語文字，由於數量大大超過 256 個，故慣常使用兩位元組來儲存一個字元。所以這原本是編碼層面的「單位元組」「雙位元組」的問題。

當時使用等寬字型（如 DOS、部份文字編輯器等）時，字型也就順應這種編碼形式，將中日韓文字的寬度繪製成拉丁字母和數字的兩倍，這樣字元的編碼儲存和顯示寬度可以一一對應起來，「單位元組」文字顯示成「半寬」，「雙位元組」文字顯示成「全寬」。因此當時的使用者就開始習慣稱中、日、韓等文字為「全形字元」，而稱拉丁字母或數字為「半形字元」。

但是，後來電腦的文字編碼技術已經發生很大變化，儲存一個字元可能用一個、兩個、三個或者四個位元組（如 UTF-8）。一個英文字元即使顯示為半寬，依照不同的編碼方式，並不一定是用一個位元組儲存；而日文的片假名也不一定是雙位元組，也可能用一個位元組儲存（即「半形片假名」）。因此，現在字元編碼儲存和字元顯示寬度的已經沒有一一對應關係。但是由於字元編碼和字形寬度曾經的對應關係，很多使用者一直習慣性地使用「全形／半形」詞彙。

## Unicode 裏的 East\_Asian\_Width 特性

Unicode 標準的附件 11 (UAX#11) 中以資訊性附件 (informative) 的形式，定義了東亞文字的字寬 East\_Asian\_Width 特性。

## 半形字元與全形字元的比較

### ASCII 字元

### 日文字元

### 韓文字元

### 其他字元

## OpenType

OpenType 字型格式里定義了 `fwid`、`halt`、`hwid` 和 `vhal` 等 `GSUB` 特性，可以為同樣一個編碼（碼位）的字元供替換成不同的字形（顯示形式）。

## 參見

* CJK
* 半形及全形字元 (Unicode 區段)
* 半形假名
* 等寬字型
* Em 尺寸 —— 全形的實現形式

## 註釋

## 參考資料

## 外部連結

* East Asian Width（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） Unicode Standard Annex #11
半宿萼茶

**半宿萼茶**（學名：_Camellia szechuanensis_）是山茶科山茶屬的植物，為中國的特有植物。分布在中國大陸的四川等地，生長於海拔 1,350 米的地區，常生於林中，目前尚未由人工引種栽培。

其種加詞「_szechuanensis_」意為「四川的」。

## 參考文獻
半寶石

**寶石**是被切割、打磨、拋光的礦物、石料、土化物體，為收集品、收藏品或穿著裝飾之用。而作為寶石的礦物，一般顏色鮮艷柔和，光澤和花紋美觀，結構均勻，折光率強，硬度較大，化學成分穩定。

人類從自古以來就將寶石加工作為飾物。寶石最重要的珍貴之處是其完美的外表，所以被擦傷後可能會喪失其價值。

也有些脆弱或軟的寶石只能收集，不能穿戴，像許多博物館徵求的菱錳礦。

## 極稀有寶石

* 紅矽硼鋁鈣石
* 黑鋁鈣鈦石
* 紅綠柱石
* 硼鋁石
* 錳方硼石
* 塔菲石
* 鈹鋁鎂鋅石
* 矽硼鎂鋁石
* 矽硼鉀鈉石
* 藍矽硼鈣石
* 矽鋯鈉鋰石

## 礦物寶石

目前世界上 3000 多種礦物中，有 230 種以上可以作為寶石，但應用最廣的一般只有 20-30 種。世界寶石資源主要分布在亞洲南部、非洲南部、美洲、澳洲以及俄羅斯。

商人分寶石為寶石（貴重寶石）和半寶石（次貴重寶石）。只有五種貴重寶石，1968 年法國定義前四種為貴重寶石，餘稱精緻寶石：

## 有機寶石

* 琥珀
* 煤玉
* 珍珠
* 珊瑚
* 象牙

## 特徵分類

在寶石學中，寶石是由以下特徵分類：

* 構造；例如，鑽石是完全碳；紅寶石是氧化鋁。（參見元素）
* 結晶系統：例如，立方晶系、三方晶系、單斜晶系。
* 晶體習性：例如，八面體結晶。

同一種寶石有不同變化，例如：

* 紅寶石和不同顏色的藍寶石都是剛玉，成分和結晶完全一樣，但為什麼藍寶石是透明還是未解之謎
* 金綠玉有金綠玉貓眼石，亞歷山大變色石

此外，在中國傳統非常重視玉，通常分為軟玉（崑崙山是主要產地）和硬玉（翡翠，主要產於緬甸），所謂「黃金有價玉無價」。

## 決定寶石價格的因素

對於寶石的評鑑會以 4C 作為標準。

* 克拉（carat）
* 淨度（clarity）
* 顏色（color）
* 車工（cut）

而影響寶石行情的外來因素也包含：產地因素、國際經濟局勢、新式處理或合成寶的問世共三項。

## 人工合成寶石

人工合成寶石，可簡稱為人工寶石，是指人們運用現代科學技術的基本原理和方法，選用適宜的原材料，通過合理的工藝、技術流程，在實驗室或工廠里製造出來的用作首飾及裝飾品的材料。一般指的是氧化鋯和合成剛玉的原材料。

有些人工合成寶石被用來仿冒或偽裝為其他的較珍貴寶石，例如二氧化鋯石是一種合成的鑽石仿冒品。這些仿冒品外表和反光和真正的寶石看起來一樣，但是沒有它們的化學和物理特色。有的人工寶石是和自然界的寶石成分相同，例如人工合成的鑽石、紅寶石、藍寶石、綠寶石。人工合成寶石中剛玉（包括紅寶石和藍寶石）較常見，比天然的便宜。

合成方法有水熱法、焰熔法、助熔劑法、熔體法、區域熔煉法、冷坩堝熔殼法、高溫超高壓法、化學沉澱法，其他方法。

### 分類

* 合成寶石：是模擬在自然界中形成時的物理化學條件，採用人工結晶或重複結晶方法生成的人工材料，進行切割的人工合成裸石。合成人工寶石的晶體結構、物理化學屬性與相應的天然寶石基本一致。
* 人造寶石：一般指人工合成的材料切割而形成的人造寶石，大多指鋯石、合成剛玉、樹脂膠、水晶類等都稱為人造寶石。不過有區別的。目前，一般使用鋯石鑲嵌五金。
* 拼合寶石：由兩塊或兩塊以上材料經人工拼合而成，且給人以整體印象的珠寶玉石稱拼合寶石，簡稱「拼合石」。
* 再造寶石：通過人工手段將天然珠寶玉石的碎塊或碎屑熔接或壓結成具整體外觀的珠寶玉石。 如：再造琥珀、再造綠松石。

### 價值

合成品的價值和價格通常都取決於以下幾個因素：

* 品種
* 質素，包括以下各項：
  * 顏色（colour）一般是指黃，藍，白，黑，紫等顏色
  * 淨度（clarity）9.9%
* 大小為毫米為計量單位
* 切工一般所指是橢圓、圓形切割等
* 社會因素（時尚、國家、地區、職業、民族、文化層次、個人愛好……）
* 生產能力（生產過程、生產率……）

## 相關條目

* 寶石種類列表
  * 著名寶石列表
* 克拉

## 參考資料

## 外部連結

* 《皇家寶石書籍》 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）從 1554 年，是一個阿拉伯語手稿眾多寶石中大篇幅談
* 寶石鑑賞專著 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）從 17 世紀開始，在阿拉伯語中被稱為「最詳細，最完整的論文在石頭上的中世紀和它們的屬性是一本書。」

## 延伸閱讀

[編]

　
: 《欽定古今圖書集成・經濟彙編・食貨典・寶石部》，出自陳夢雷《古今圖書集成》
半导体IP核

**矽智財**，全稱**智慧財產權核**（英語：**Semiconductor intellectual property core**），是在積體電路的可重用設計方法學中，指某一方提供的、形式為邏輯單元、晶片設計的可重用模組。

矽智財通常已經通過了設計驗證，設計人員以矽智財為基礎進行設計，可以縮短設計所需的周期。矽智財可以通過協定由一方提供給另一方，或由一方獨自占有。矽智財的概念源於產品設計的專利憑證和原始碼的著作權等。設計人員能夠以矽智財為基礎進行特殊應用積體電路或現場可程式化邏輯閘陣列的邏輯設計，以減少設計周期。

矽智財分為軟核、硬核和固核。軟核通常是與製程無關、具有暫存器傳輸級硬體描述語言描述的設計代碼，可以進行後續設計；硬核是前者通過邏輯綜合、布局、布線之後的一系列表徵檔案，具有特定的製程形式、物理實現方式；固核則通常介於上面兩者之間，它已經通過功能驗證、時序分析等過程，設計人員可以以邏輯閘級網表的形式取得。

## 相關條目

* 積體電路設計
* 系統晶片（SoC）
* 電子設計自動化

## 參考文獻

## 外部連結

* Open cores "design and publish core" (under LGPL Licence)
* Altera cores Free reference IP cores for FPGAs
* Open Source Semiconductor Core Licensing, 25 Harvard Journal of Law & Technology 131 (2011)（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） Article analyzing the law, technology and business of open source semiconductor cores
半导体中的隧道效应

半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。

## 描述

半導體中的穿隧效應，一般發生於半導體元件因散熱不佳而過熱時，電荷帶有過多的動能，越過量子能障，產生非預定的電流。半導體中的電荷包括電子與電洞，基於等效質量的差異，電子比電洞發生穿隧的機率更高。穿隧效應對 MOSFET 的影響包括：穿隧過絕緣氧化層，或穿隧過通道。除特殊用途（見應用條目）外，這兩種穿隧都會使半導體元件失靈。

### 閘極破壞

一方面由於半導體元件整體的尺度不斷縮小，一方面為加強閘極對通道的控制，閘極絕緣氧化層的厚度也愈來愈薄，使得電荷的穿隧效應變得更加明顯，也更加嚴重。電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。近來，業界嘗試以高介電係數（high-k）材料取代以往的二氧化矽絕緣氧化層，以提高等效電容厚度（equivalent oxide thickness, EOT）。

### 漏電流

電荷穿隧過通道，會導致漏電流的產生，我們可以由閾值電壓（又稱為門檻電壓或臨界電壓，threshold voltage）的下降來衡量它的嚴重性。

## 應用

穿隧效應不單具有破壞性。某些快閃記憶體（Flash）反過來利用了穿隧效應來儲存電荷，這些快閃記憶體在控制閘極（controlling gate）與絕緣氧化層間設有懸浮閘極（floating gate），當於控制閘極施加高電壓時，電子被強烈電壓吸引而穿過絕緣氧化層到達懸浮閘極，此後電子受困於其中，就使該電晶體儲存有電荷資訊。

## 參考文獻
半导体产业

**半導體產業**（英語：semiconductor industry）是從事半導體以及半導體器件設計製造的產業。該產業濫觴於 1960 年左右，由於科技的發展，半導體器件的製造在當時已經成為來一項可行的業務。截至 2018 年，半導體行業的年度銷售收入已經增長到 4810 億美元以上。半導體行業是電子工業背後的驅動力，截至 2011 年，全球電子產品的年銷售額為 1350 億英鎊（2180 億美元），消費性電子產品的年銷售額預計到 2020 年將達到 2.9 兆美元，科技行業的銷售額預計在 2019 年達到 5 兆美元，而電子商務的交易總額將於 2017 年超過 29 兆美元。

最廣泛使用的半導體器件是金氧半導體場效應管，它是 1959 年由貝爾實驗室的穆罕默德・M・阿塔拉和姜大元發明的。自 20 世紀 60 年代以來，金氧半導體場效應管的規模和小型化一直是半導體技術快速指數增長背後的主要因素。占電晶體總數 99.9% 的金氧半導體場效應管是半導體工業背後的驅動力，也是歷史上製造最廣泛的器件，據估計，在 1960 年至 2018 年期間全球共製造了 13 千兆（1.3×1022）個金氧半導體場效應管。

## 產業結構

全球半導體行業由來自美國、台灣、韓國和歐盟的公司主導。

該行業的獨特特點是持續增長，但具有高波動性的週期性模式。雖然半導體行業目前 20 年的年平均增長率約為 13%，但這也伴隨著同樣高於平均水準的市場波動，這可能導致顯著的週期性波動。這就需要高度的靈活性和創新，以不斷適應市場快速變化的步伐，因為許多嵌入半導體器件的產品往往有非常短的生命週期。

與此同時，半導體行業持續的 CP 值提升速度令人震驚。因此，半導體市場的變化不僅發生得非常快，而且預計行業的變化將以較慢的速度發展。半導體行業被廣泛認為是整個電子價值鏈的關鍵驅動力和技術推動者。

## 半導體銷售

### 銷售收入

### 市場份額

## 大型企業

注釋：

* 晶圓代工：它們專門從事製造服務，也可能向第三方提供設計服務，亦可能不向第三方提供光罩製造、半導體封裝和測試服務，這些服務也可以外包給其他公司。例如，提供設計、測試和封裝服務的台積電、只提供光掩模製造服務的 TCE phtomask 和只提供封裝和測試服務的南茂科技、日月光等公司。
* 整合元件製造廠：它們主要自己研發、設計與製造晶片，但也可能提供其他公司晶圓代工製造的服務。
* 無廠的供應商：它們僅研發、設計晶片，而將製造委託給晶圓代工廠或整合元件製造廠進行。它們也可能向第三方提供晶片設計服務。

## 產品發貨

### 積體電路

### 分立器件

## 地區

### 銷售

總部位於以下地區的製造商是行業內晶圓代工、IDM (整合裝置製造)、無生產線製造和 OSAT (外包半導體組裝和測試) 領域的銷售領導者。

請注意，總部設在美國的製造商在世界各地都有製造工廠，其中超過 50% 在美洲，39% 在亞太地區 (包括日本的 9%)，還有 9% 在歐洲。

### 專利

截至 2005 年，下列國家或地區的專利持有者每年在世界範圍內創造了最多的半導體專利。

## 另見

* 電子設計自動化
* 晶圓代工
* 半導體器件製造
* 半導體製造廠
* 電晶體數量

## 注釋

## 參考文獻
半导体制冷片

**熱電堆**是一種能把溫差和電能相互轉化的元件。當熱電堆的兩邊出現溫差時，會產生電流，可用於測量溫度。反之，通以電流，其兩面會產生溫差，也有專門利用其冷端的器件，稱「半導體製冷片」，可在汽車冰箱，雷射冷卻系統，以及飲水機裡邊見到。結構上，它由多個熱電偶組成。使用熱電堆測量溫度時，可以克服單個熱電偶產生的電勢差太小而難以測量的缺點，避免使用昂貴的高精度運算放大器。

熱電堆廣泛用於溫度測量，例如 紅外線溫度計在醫療上廣泛地用於測量人體溫度。也被用於製造熱流傳感器 (如莫爾熱電偶 、 日溫計) 相對於熱電偶，熱電堆的輸出電壓通常在 10 - 幾百毫伏的數量級。

熱電堆還可利用溫差發電，比如地熱能，以及其他難以利用的低溫廢熱。和太陽能發電類似，這種發電方法對環境無任何污染，是一種綠色能源。

## 參見

* 珀耳帖效應
* 熱電效應
* 熱電材料
* 放射性同位素熱電發電機

 

## 外部連結

* The Museum of Retro Technology: Thermo-Electric Generators
* TPA81 Thermopile detector Array Technical Specification （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）

## 參考
半导体制造技术联盟

**半導體製造技術聯盟**（英語：Semiconductor Manufacturing Technology, SEMATECH）是一個美國主導的半導體行業技術聯盟。

## 歷史

1980 年代中期日本半導體技術超過美國，為此 1987 年美國政府和 14 家美國半導體企業（其中包括 IBM 和英特爾等公司）在德克薩斯州奧斯汀建立一個合作機制的技術開發聯盟，旨在使美國企業重獲競爭力來抵抗日本的衝擊，美國國防部提供了價值 5 億美元的財政補貼，1990 年代中期以來已經獲得成效。1996 年聯盟董事會決定中止財政補貼後，將工作重點從美國半導體產業轉移到更大的國際半導體產業。

## 參考來源

## 外部連結

* SEMATECH homepage（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半导体化学

**材料科學**（英語：materials science），涉及物質的性質及其在各個科學和工程學領域的整合應用，是一個研究材料的製備或加工工藝、材料的微觀結構與材料宏觀性能三者之間的相互關係的跨領域學科。涉及的理論包括固體物理學、材料化學、應用物理和應用化學，以及化學工程、機械工程、電機工程、電子工程、土木工程和建築工程。與機械結合則衍生出機械材料，與電子結合則衍生出電子材料，與土木建築結合則衍生出結構材料，與生物學結合則衍生出生物材料等等。隨著近年來媒體將注意力大量集中在奈米科學上，材料科學在科學與工程學領域越來越廣為人知。它也是鑑識科學和破壞分析中的一個重要組成部分，以後者為例，它是分析各種飛航意外的關鍵。今日許多科技上的問題受限於材料能夠容許的極限，也因此，在此領域的突破在未來科技具有指標性的影響。材料科學有著廣泛的應用前景。

## 簡史

在各時代上材料的選擇往往決定了該時代的發展，像是石器時代、青銅器時代、鐵器時代和工業革命就是明顯的例子。材料科學是最古老的應用科學及工程學之一，起初被引導來自陶瓷的加工和冶金學的延伸。現代材料科學演進來自於冶金學。在十九世紀晚期一位美國科學家約西亞・吉布斯發現材料在不同相態之間的熱力學性質，使得在理解材料性質上有重大性的突破。材料科學與其他領域的合作發展革命性科技，像是塑膠、半導體和生物材料。

在 1960 年代前，許多材料科學系都被稱為礦冶系。1960 後當時美國高等研究計劃署 (Advanced Research Projects Agency)，現為國防高等研究計劃署 (Defense Advanced Research Projects Agency)，為了材料科學的基礎研究以及訓練的國家計劃 (「to expand the national program of basic research and training in the materials science」) 在 1960 年代創立一系列大學實驗室，建立了材料科學。此領域包含陶瓷、聚合物、半導體、磁性材料、生物材料、奈米材料。

## 材料科學理論

* 物理冶金學
* 晶體學
* 固體物理學
* 材料化學（固體化學）
* 材料應用力學
* 材料靜力學
* 材料動力學
* 材料力學
* 材料熱流學
* 材料熱力學
* 材料流體力學
* 材料計算科學

## 材料的分類

* 基本材料分類
  * 金屬材料
  * 陶瓷與玻璃材料
  * 高分子材料
  * 複合材料
  * 半導體材料
* 按化學狀態分類
  * 金屬材料
  * 無極非金屬材料
    * 陶瓷材料
  * 有機材料
    * 高分子材料
* 按物理性質分類
  * 高強度材料
  * 耐高溫材料
  * 超硬材料
  * 導電材料
  * 絕緣材料
  * 磁性材料
  * 透光材料
  * 半導體材料
* 按狀態分類
  * 單晶材料
  * 多晶質材料
  * 非晶態材料
  * 准晶態材料
* 按物理效應分類
  * 鐵電材料
  * 壓電材料
  * 熱電材料
  * 光電材料
  * 電光材料
  * 磁光材料
  * 聲光材料
  * 電磁材料
  * 雷射材料
* 按用途分類
  * 土木材料
  * 建築材料
  * 結構材料
  * 研磨材料
  * 耐火材料
  * 耐酸材料
  * 水工材料、配管材料
  * 機械材料
  * 電機材料（電工材料、配線材料）
  * 電子材料
  * 光學材料
  * 感光材料
  * 包裝材料
* 按組成分類
  * 單組分材料
  * 複合材料

## 材料工程技術

* 金屬材料成形
  * 機械加工
  * 非傳統加工
* 熱處理
  * 熱加工
* 陶瓷冶金
* 陶瓷工程
* 粉末冶金
* 薄膜生長技術
* 表面處理技術
  * 表面改性技術
  * 表面塗覆技術

## 材料的應用

* 結構材料
* 資訊材料
  * 儲存材料
  * 半導體材料
* 機械材料
* 電機材料
* 電子材料
* 航行材料
* 航空材料
* 航海材料
* 土木材料
* 建築材料
* 能源材料
* 生物材料
* 環境材料
* 儲能材料和含能材料

## 參見

* 奈米材料

## 參考文獻
半导体器件

**半導體裝置**（英語：semiconductor device）是利用半導體材料的特殊電特性來完成特定功能的電子電路組件。半導體的導電性介於良導電體與絕緣體之間，這些半導體材料通常是矽、鍺或砷化鎵，並經過各式特定的滲雜，產生 P 型或 N 型半導體，作成整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等元件或裝置。

常見的半導體元件有二極體、電晶體等。

## 電晶體

### 雙極性電晶體

由發射極、基極、集電極三個電極組成，由通過基極的電流大小可以控制通過發射極和集電極的電流大小，雙極性電晶體能夠放大訊號，並且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力。

### 場效應電晶體

由源極、柵極、漏極三電極組成，由施加在柵極上的電壓可以控制導電溝道的開通關閉，可用於訊號放大，且由於漏電流比雙極性電晶體小，是現代數字積體電路的基礎。hm

## 可靠性

半導體裝置對雜質和灰塵很敏感。所以在繁複的生產工藝中，精確控制雜質和灰塵的等級是非常必要的。最終產品的品質很大程度上依靠生產中的各個相對獨立而又相互影響的生產階段，例如金屬化（metallization）、晶片材料（chip material）、封裝等。

由於技術飛速進步，新材料和新工藝不斷被用於新研發的器件中，設計時間表根據非迴圈工程常數（non-recurring engineering）限定，再加上市場對設計時間不斷提出苛刻要求，所以可靠性設計基本不可能按照已有的產品進行。

為達到一定的經濟指標，半導體產品總一大批次生產的；並且修理半導體產成品也是不實際的。所以半導體產品在設計階段加入可靠性的概念和在生產階段減少變數就成為十分必要的要求。半導體裝置可靠性取決於裝配，使用，環境狀況。影響因素包括氣體、灰塵、沾污、電壓、電流密度、溫度、濕度、應力，往復振動，劇烈震盪、壓強和電磁場的強度。

設計方面影響半導體裝置可靠性的因素包括：電壓衰退、功率衰退、電流衰退、穩定性、邏輯時間變差（logic simulation）、時效分析（timing analysis）、溫度衰退和工藝控制。

### 提高方法

半導體裝置可靠性依靠以下方法保證其處於高水準：

1. 在無塵室內生產，以控制雜質。
2. 嚴格的工藝控制，減少變數。
3. 老化（短時間，極端條件下運轉）並測試以減少不合格品漏過。
4. 半導體晶片測試，指在封裝前，用連接測試裝置的探針，在顯微裝置下接觸晶片並進行測試，去除不合格品。
5. 用整套參數測試封裝後的半導體裝置，確保產品能正常運作。

## 參考文獻

* Giulio Di Giacomo (Dec 1, 1996), Reliability of Electronic Packages and Semiconductor Devices, McGraw-Hill
* A. Christou and B.A. Unger (Dec 31, 1989), Semiconductor Device Reliability, NATO Science Series E
* Michael Pecht, Riko Radojcic, and Gopal Rao (Dec 29, 1998), Guidebook for Managing Silicon Chip Reliability (Electronic Packaging Series), CRC Press LLC
* MIL-HDBK-217F Reliability Prediction of Electronic Equipment
* MIL-HDBK-251 Reliability/Design Thermal Applications
* MIL-HDBK-H 108 Sampling Procedures and Tables for Life and Reliability Testing (Based on Exponential Distribution)
* MIL-HDBK-338 Electronic Reliability Design Handbook
* MIL-HDBK-344 Environmental Stress Screening of Electronic Equipment
* MIL-STD-690C Failure Rate Sampling Plans and Procedures
* MIL-STD-721C Definition of Terms for Reliability and Maintainability
* MIL-STD-756B Reliability Modeling and Prediction
* MIL-HDBK-781 Reliability Test Methods, Plans and Environments for Engineering Development, Qualification and Production
* MIL-STD-1543B Reliability Program Requirements for Space and Missile Systems
* MIL-STD-1629A Procedures for Performing a Failure Mode, Effects, and Criticality Analysis
* MIL-STD-1686B Electrostatic Discharge Control Program for Protection of Electrical and Electronic Parts, Assemblies and Equipment (Excluding Electrically Initiated Explosive Devices)
* MIL-STD-2074 Failure Classification for Reliability Testing
* MIL-STD-2164 Environment Stress Screening Process for Electronic Equipment

## 註釋

## 參考文獻

### 參照

### 來源
半导体器件制造

**半導體製程**是被用於製造晶片，一種日常使用的電氣和電子元件中積體電路的處理製程。它是一系列照相和化學處理步驟，在其中電子電路逐漸形成在使用純半導體材料製作的晶片上。矽是今天最常用的半導體材料，其他還有各種複合半導體材料。從一開始晶圓加工，到晶片封裝測試，直到出貨，通常需要 6 到 8 周，並且是在晶圓廠內完成。

## 晶圓

典型的晶片是用極度純淨的矽以柴可拉斯基法、泡生法等方式長成直徑 12 英寸（300 公釐）的單晶圓柱錠（梨形人造寶石）。這些矽碇被切成晶片大約 0.75 公釐厚並拋光為非常平整的表面。

一旦晶圓準備好之後，很多工藝步驟對於生產需要的半導體積體電路是必要的。總之，這些步驟可分成四組：

* 前端製程
* 後端製程
* 測試
* 封裝

## 製程

在半導體製程中，不同的生產工序可歸為如下四類：沉積、清除、製作布線圖案、以及電學屬性的調整。

### 前端製程

"前端製程" 指的是在矽上直接形成電晶體。雙極二極體，mos 管等

### 二氧化矽

### 金屬層

### 互聯

## 晶片測試

晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時，晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。

## 元件測試

## 封裝

塑料或陶瓷封裝牽涉到固定裸晶（die）、連接裸晶墊片至封裝上的針腳並密封整塊裸晶。微小的接合線（bondwires，請參考打線接合）用來連接裸晶電片到針腳上。在早期 1970 年代，接線是靠手工搭接，但現今已經仰賴特製的機器去完成同樣的工作。傳統上，這些接線由黃金組成，引導至一片鍍銅的含鉛導線架（lead frame）。由於鉛是有毒的，現今廠商大多為了遵守有害物質限用指令（RoHS）而不再使用含鉛材料。

晶片尺寸封裝（Chip Scale Package）是另一種封裝技術。大部分的封裝，如雙列直插封裝（dual in-line package），比實際隱藏在內部的裸晶大好幾倍，然而 CSP 晶片就可以幾乎等同於原本裸晶的大小，一片 CSP 可以在晶圓還沒切割之前就建構在每個裸晶上。

封裝過的晶片會再加以測試以確保它們在封裝過程中沒被損壞，以及裸晶至針腳上的連接作業有正確地被完成，接著就會使用雷射在封裝外殼上刻蝕出晶片名稱和編號。

## 步驟列表

* 晶片處理
  * 濕洗
  * 平版照相術
  * 微影 Litho
  * 離子移植 IMP
  * 蝕刻（干法蝕刻、濕法蝕刻、電漿蝕刻）
  * 熱處理
    * 快速熱退火 Annel
    * 熔爐退火
    * 熱氧化
  * 化學氣相沉積 (CVD)
  * 物理氣相沉積 (PVD)
  * 分子束磊晶 (MBE)
  * 電化學沉積 (ECD)，見電鍍
  * 化學機械平坦化 (CMP)
* IC Assembly and Testing 封裝測試
  * Wafer Testing 晶片測試
    * Visual Inspection 外觀檢測
    * Wafer Probing 電性測試
  * FrontEnd 封裝前段
    * Wafer BackGrinding 晶背研磨
    * Wafer Mount 晶圓附膜
    * Wafer Sawing 晶圓切割
    * Die attachment 上片覆晶
    * Wire bonding 焊線
  * BackEnd 封裝後段
    * Molding 模壓
    * Post Mold Cure 後固化
    * De-Junk 去節
    * Plating 電鍍
    * Marking 列印
    * Trimform 成形
    * Lead Scan 檢腳
  * Final Test 終測
    * Electrical Test 電性測試
    * Visual Inspection 光學測試
    * Baking 烘烤

## 有害材料標誌

許多有毒材料在製造過程中被使用。這些包括：

* 有毒元素摻雜物比如砷、硼、銻和磷
* 有毒化合物比如砷化三氫、磷化氫和矽烷
* 易反應液體、例如過氧化氫、發煙硝酸、硫酸以及氫氟酸

工人直接暴露在這些有毒物質下是致命的。通常 IC 製造業高度自動化能幫助降低暴露於這一類物品的風險。

## 歷史

當線寬遠高於 10 微米時，純淨度還不像今天的元件生產中那樣至關緊要。但隨著元件變得越來越整合，無塵室也變得越來越乾淨。今天，工廠內是加壓過濾空氣，來去除哪怕那些可能留在晶片上並形成缺陷的最小的粒子。半導體製造產線裡的工人被要求穿著無塵衣來保護元件不被人類污染。

在利潤增長的推動下，在 1960 年代半導體元件生產遍及德克薩斯州和加州乃至全世界，比如愛爾蘭、以色列、日本、台灣、韓國和新加坡，現今已成為全球產業。

半導體生產商的領袖大都在全世界擁有產線。英特爾，世界最大的生產商之一，以及在美其他頂級生產商包括台積電（台灣）、三星（韓國）、德州儀器（美國）、超微半導體（美國）、聯電（台灣）、東芝（日本）、NEC 電子（日本）、意法半導體（歐洲）、英飛凌（歐洲）、瑞薩（日本）、索尼（日本），以及恩智浦半導體 （歐洲）在歐洲和亞洲都有自己的裝置。

在 2006 年，在美國有大約 5000 家半導體和電子零件生產商，營業額達 1650 億美元。

## 參考文獻

## 外部連結

* 半導體製造（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） - www.SiliconFarEast.com
* Intel's Animated step-by-step process（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
* NEC Electronics' Virtual Factory Tour
* 半導體 Glossary
* 半導體材料製程
* 矽熱氧化計算機（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）

## 參見

* 微製造
* 電子設計自動化
* Fab
* Foundry (electronics)
* GDS-II
* OASIS
* SEMI — 半導體工業的行業組織
* 原子層沉積
* 國際半導體技術發展藍圖
半导体存储器

**半導體存儲器**是一種用於數字數據存儲的數字電路半導體器件，例如電腦記憶體。數據會存儲在矽集成電路**存儲晶片**上的金屬氧化物半導體 (MOS) 存儲單元內。目前有許多不同的類型的半導體技術。兩種常見的隨機存取存儲器（RAM）中其中一個是靜態 RAM（SRAM），它在每個存儲單元使用多個 MOS 電晶體，另一個是動態 RAM（DRAM），每個單元使用一個 MOS 電晶體和一個 MOS 電容。非易失性存儲器（如 EPROM、EEPROM 和快閃記憶體）使用浮柵存儲單元，每個單元由一個浮柵 MOS 電晶體組成。大多數類型的半導體存儲器都具有隨機訪問的特性。 

## 參考文獻
半导体异质结构

**異質結**（heterojunction）又稱**異質接面**，是一種半導體的特殊 pn 結，由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶隙，它們可以是砷化鎵之類的化合物，也可以是矽 - 鍺之類的半導體合金。

半導體**異質結構**（heterostructure）的二極體特性非常接近理想二極體。另外，通過調節半導體各材料層的厚度和能帶隙，可以改變二極體電流與電壓的響應參數。半導體異質結構對半導體技術具有重大影響，是高頻電晶體和光電子元件的關鍵成分。

**異質結**是兩種不同半導體區域之間的接觸面。不同於同質結，組成異質結的這些半導體的材料具有不同的帶隙。在許多固態設備應用，如半導體雷射器，太陽能電池和電晶體中，異質結通常有利於設計電子能帶。儘管異質結和**異質結構**通常互換使用，但嚴格意義上在一個設備中將多個異質結合在一起的組合才能稱為異質結構。由於要求每種半導體材料都具有不等帶隙的要求不是非常嚴格，尤其是在小長度範圍電子特性取決於空間特性。因此，一種更現代的定義是，異質結是任何兩種固態材料之間的接觸面，這些材料可以是金屬，絕緣體，快速離子導體（fast ion conductor）和半導體材料的結晶和無定形結構。

## 參考文獻

* Feucht, D. Lion & A.G. Milnes (1970), written at New York and London, _Heterojunctions and metal-semiconductor junctions_, Academic Press, ISBN 0-12-498050-3.

## 參閱

* 異質結雙極性電晶體
* pn 結
半导体所

**中國科學院半導體研究所**（以下簡稱「半導體所」），是中國科學院下設的研究機構，位於北京市海淀區清華東路甲 35 號（位於北京林業大學北邊）。半導體所成立於 1960 年，前身是 1956 年成立的「半導體研究組」（隸屬於當時的中國科學院應用物理研究所，今中國科學院物理研究所）。半導體所的研究領域覆蓋半導體理論、材料、器件及其應用，下設半導體超晶格國家重點實驗室、半導體材料科學重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室等十五個研究部門。

## 歷史沿革

### 1956～1960

1956 年 1 月，國務院開始編制《1956～1967 年科技發展規劃》（《十二年科學技術發展規劃》），國務院總理周恩來、副總理陳毅組織，范長江任科學規劃小組組長主持實際工作。3 月 14 日，在周恩來的領導下，成立了以陳毅為主任的國務院科學規劃委員會，並邀請了全國 600 多位科學家和以拉札連柯為首的 18 位蘇聯專家參與規劃的制定工作。在規劃中，將「計算機、電子學、半導體、自動化」列為四大緊急措施。到 1956 年 6 月中旬規劃會議結束，中國科學院根據規劃會議精神，將中國科學院應用物理研究所的電學組擴建為半導體研究室，任命王守武為研究室主任。研究室設立了半導體材料、器件和光熱電三個組，並以半導體（鍺）電子器件為主攻方向。

1956～1960 年間，陸續加入半導體研究室的專家有王守武、湯定元、成眾志、吳錫九、王守覺、林蘭英等。另外，中國科學院還向有關高等院校和研究單位發出邀請，請他們派出科研人員到半導體研究室共同開展半導體研究。當時來到半導體所參加研究工作的主要有熊子璥、吳汝麟、戴春洲、武爾禎、李衛、劉穎等四十餘人。

這期間取得的主要成就有：

* 1957 年下半年，中國第一根鍺單晶。
* 1957 年底，中國第一批鍺合金結電晶體，型號定為「Π6」（蘇聯型號）。
* 1958 年 7 月，中國第一根矽單晶。
* 1958 年 8 月，中國第一批鍺合金擴散電晶體，型號定為「Π401」。

1958 年，為了配合研製 109 乙機的需要，物理所半導體室組建了一個附屬工廠 ——109 廠，專門生產 109 機所需的二極體，這是我國最早的電晶體生產廠。建廠初期，半導體室的科研人員親自到廠里指導工人操作。受到當時條件的限制，工廠的主要操作都由手工完成，因此能夠供應的電晶體很少。到 1959 年 2 月，共生產六千餘只電晶體，其中封裝好的一千餘只。到 1963 年底，109 廠才生產出 109 乙機所需的全部鍺電晶體。

1959 年 5 月，物理所開始了把半導體研究室擴建為半導體研究所的準備工作。成立了辦公、後勤機構，將物理所圖書館有關半導體的書籍分揀出來，成立了「半導體圖書館」，並在中關村建設半導體研究所的新樓。但後來新樓建成，又改由物理所占用，半導體所留在物理所原址 —— 大取燈胡同 9 號。

### 1960～1966

1960 年 9 月 6 日，半導體所正式成立。首任所長為宋之春，王守武任主管業務的副所長。1961 年宋之春調往新疆科委，楊剛毅（力學所副所長）代理所長到 1962 年，劉再生自山東科委調任半導體所所長。建所時，所內共有正副研究員 6 人，正研究員是王守武、林蘭英，副研究員是成眾志、湯定元、蘭繼喜和王守覺。當時半導體所共設五個研究室：

* 一室（材料室），主任林蘭英。
* 二室（器件室），主任王守覺。
* 三室（測試室），主任王守武兼，副主任莊蔚華。
* 四室（電子室），主任成眾志。
* 五室（光電室），主任湯定元。

另有負責中間試驗和批量生產的 109 廠和七（溫差電）、八（化學）、九（物理）三個組，分別由五、一、三代管。

### 1966～1976

1968 年，半導體所劃歸國防科委第十四研究院，至 1975 年劃回中國科學院。

### 1976～1986

### 1986～至今

## 傑出人士

### 兩院院士

* 黃　昆，中國科學院院士（1955 年），1977 年起在半導體所工作，2005 年去世。
* 王守武，中國科學院院士（1980 年），1960 年起在半導體所工作。
* 王守覺，中國科學院院士（1980 年），1960 年起在半導體所工作。
* 林蘭英，中國科學院院士（1980 年），1960 年起在半導體所工作，2003 年去世。
* 王啟明，中國科學院院士（1991 年），1960 年起在半導體所工作。
* 吳德馨，中國科學院院士（1991 年），1961～1986 年在半導體所工作。
* 湯定元，中國科學院院士（1991 年），1960～1964 年在半導體所工作。
* 鄭厚植，中國科學院院士（1995 年），1965 年起在半導體所工作。
* 王占國，中國科學院院士（1995 年），1962 年起在半導體所工作。
* 王　圩，中國科學院院士（1997 年），1960 年起在半導體所工作。
* 陳良惠，中國工程院院士（1999 年），1963 年起在半導體所工作。
* 夏建白，中國科學院院士（2001 年），1978 年起在半導體所工作。
* 朱邦芬，中國科學院院士（2003 年），1981～2000 年在半導體所工作。

## 主要來源

1. 何春藩，中國半導體科學技術的發展
2. 王守武，我國半導體科學技術發展歷史的回顧
3. 王　微，建所初期的機制與人事活動

## 參考文獻

## 外部連結

* 中國科學院半導體研究所（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半导体机械手

**機械手臂**（英語：robotic arm）是具有模仿人類手臂功能並可完成各種作業的自動控制設備，這種機器人系統有多關節連結並節允許在平面或三度空間進行運動或使用線性位移移動。構造上由機械主體、控制器、伺服機構和感應器所組成，並由程式根據作業需求設定其一定的指定動作。機器人的運作由電動機驅動移動一隻手臂，張開或關閉一個夾子的動作，並精確的回饋至可程式邏輯的控制器。這種自動裝置機械以完成「腕部以及手部」的動作為主要訴求，可以由熟練的操作者將作業順序輸入後，就能依樣照作並且反覆完成無數次的的正確規律運作。

自從機器手臂技術開始發展，在 1980 年代機器手臂已成功的應用於汽車製造業等產業，在機械人技術領域是應用範圍最廣泛的自動化機械裝置，而許多工業危險之組裝、噴漆、焊接、高溫鑄鍛等繁重工作，皆能以機器手臂取代人工作業。目前機械手臂在機器人技術領域中得到最廣泛實際應用的自動化機械裝置，除了主要用於工業製造上，商業農業、醫療救援、娛樂服務、軍事保全甚至在太空探索等領域都可以發現其應用裝置。

## 演進與發展歷程

機器人一詞，最早出現在 1921 年捷克科幻作家卡雷爾・恰佩克的《羅素姆的萬能機器人》（_Rossum's Universal Robots_）一書中，原文是「Robota」。然而，如果要真正的清楚區分的話，非完全人形機器的產業自動化機械還是應該以「機械手臂」（robotical arm）或「機械手」（manipulator）來稱呼。在 20 世紀之前，人們還是以模擬人類的動作將機器人應用在生活或娛樂上面。第一台專門應用於產業生產使用的機械手臂則是由具有「機械手臂之父」之稱的約瑟夫・恩格伯格所發明的。他創立了 Unimation 有限公司，在 1956 年利用喬治・迪沃爾所授權的專利技術，研發出第一台工業用機械手臂，名為「Unimate」。而這台機械手臂第一次應用則是在美國通用汽車的新紐澤西州廠的壓鑄作業上。其實在這個時期世界各國的機械手臂也正在萌芽發展階段，例如日本不二輸送機工業株式會社（Fuji Yusoki Kogyo Co. Ltd.）就在 1963 年製造出專門使用在棧板裝載（Palletizing）的機械手臂，研發出針對棧板專用的搬運工具，此時已經從簡單重複的加工動作更擴大到減輕人力負擔的搬運機械上。

這個時期所研發出來的機械手臂多為 3 個關節軸，而且直到目前為止依然被產業界廣泛應用，尤其對於簡單的加工、夾持與搬運，成為自動化生產製造必備的好夥伴。然而隨著加工方式的多元與複雜化，機械手臂也開始朝著更多關節軸的技術發展，在 1973 年德國庫卡機器人集團（KUKA Robot Group）就研發出第一台採用機電驅動的 6 軸機械手臂。從此開始隨著驅動與控制技術的不斷進步，產業用機械手臂也從單點加工，發展到多點同時加工、搬運，這對於生產線的自動化，乃至於整廠自動化的影響都非常大。

## 種類與原理

目前產業所使用的機器人大多以機械手臂的型式為主，機械手臂又以各種形狀與大小而有所不同，常見的型式有線性手臂、SCARA 手臂、關節多軸機械手臂等。從關節構造上，可分為三軸（含）以下（簡稱三軸）與四軸（含）以上（簡稱多軸）兩大類。之所以要進行分類，是因為這兩方面使用的市場、廠商並不衝突。雖然在應用上的原理類似但是兩者的技術並不相同，也因為使用者的需求不同自然在功能區隔上就會非常明顯。機械手部會根據工作種類附加各式的夾持或加工工具，設計上是模仿人類手部機能為主。

從機械手臂行走運動原理，可分為直角座標型、圓柱座標型、極座標型、關節型座標種類。所謂直角座標就是移動方式與前一臂件分成 90 度角，計算用 X、Y、Z 等作為代表座標，在各座標的長度範圍內進行工作或運動。
圓柱座標手臂包含有三個關節，主要的結構是環繞基底主體作軸承旋轉執行動作，其上方有兩個可直線滑動的手臂沿著水平方向運動和仰俯角垂直方向運動控制，另外一各所能涵蓋的體積為一圓柱型旋轉，所以手臂的端點能掃過兩個圓柱間所有點。
極座標有一手臂由另兩個旋轉軸所支撐，一個是圍繞著基座轉動，能做線性運動的收入伸出，另一個是由基座繞垂直做出垂直線性的轉動。
關節型旋轉座標上有三個以上的轉動軸，其中一個連桿是裝在基座上能繞基座旋轉，另兩個連桿的運動型態就如同鉸鍊間兩工件能做相對的轉動，其轉動軸在水平和垂直都有。

## 應用與發展

機械手臂在產業自動化的應用已經相當廣泛，因為各個國家產業分佈的不同，以及各產業對於機械手臂的需求量也有差異。主要是使用於人工無法進行或者會耗費較多時間來做的工作，機械手臂在精度與耐用性上可以減少許人為的不可預知問題。自從第一台產業用機器人發明以來，機械手臂的應用也從原本的汽車工業、模具製造、電子製程等相關產業，更拓展到農業、醫療、服務業等等。

多軸機械手臂研發方面，多軸式機械手臂廣泛應用於汽車製造商、汽車零組件與電子相關產業。機械手臂可以提昇產品技術與品質，而這些初期工作大多可以藉由機械手臂來完成。機械手臂的精準、零誤差，對於產品的品質掌握自然擁有其優勢，減少品管所花費的時間與人力。工業應用上，以裝配、加工、熔接、切削、加壓、貨物搬運、檢測等，全球目前產業使用量是以汽車、汽車零組件、化工、橡膠和塑料等最大。

現在，ROBOT 的應用已越來越多元化，依據國際機器人協會（IFR）的統計，至 2007 年底機械手臂除了工業以外，最多應用於救援、保全與野地（田野、牧場等），近年來，各先進國家為了提昇台機器人的技術水準，都會推廣機器人產業與創立相關聯盟，並且特別針對工業以外的領域進行推廣，例如：醫療、服務、生活方面… 等。以醫療為例，有許多大型醫學中心使用以手動操控方式之機械手臂，結合顯微影像顯示系統所結合的手術型機器人。機械手臂的研發也朝向節省人力、減少人類暴露在危險的工作環境、甚至進行更加精密的工作或是輔助操作。機械手臂的技術發展都是為了讓人類在工作與生活中更加便利。

## 參考文獻

## 外部連結

* 維基共享資源上的相關多媒體資源：機械手臂

 

## 參見

* 機器人
* 義肢
* 工業機器人
* 門型機械手
* 加拿大臂 2
* 好奇號火星探測車的機械手臂
* 電動機
半导体材料

**半導體材料**是導電能力介於導體和絕緣體之間的一類固體材料。

## 發展

* 1833 年，英國的法拉第（Michael Faraday）發現的其中一種半導體材料：硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低。
* 1874 年，德國的布勞恩（Ferdinand Braun），注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。
* 1947 年 12 月 23 日，巴丁與布拉坦（Walter Brattain）進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器，電晶體正式發明。
* 1958 年 9 月 12 日，德州的基爾比（Jack Kilby），細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊 pn 接面做為電容，製造出一個震盪器的電路。
* 1970 年，超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研製成功。

## 分類

以原料分為：

* 元素半導體材料：以單一元素組成的半導體，屬於這一材料的有硼、金剛石、鍺、矽、灰錫、銻、硒、碲等，其中以鍺、矽、錫研究較早，製備工藝相對成熟。
* 化合物半導體材料：由兩種或兩種以上無機物化合成的半導體，種類繁多，已知的二元化合物就有數百種。
  * 三五半導體：由 Ⅲ 族元素 Al、Ga、In 和 V 族元素 P、As、Sb 組成，比如砷化鎵（GaAs）；它們都具有閃鋅礦結構，在應用方面僅次於 Ge、Si。
  * 二六半導體：Ⅱ 族元素 Zn、Cd、Hg 和 Ⅵ 族元素 S、Se、Te 形成的化合物，是一些重要的光電材料；ZnS、CdTe、HgTe 具有閃鋅礦結構。
  * 四四半導體：SiC 和 Ge-Si 合金都具有閃鋅礦的結構。
半导体泵浦固体激光

**半導體泵浦固體雷射**（英語：Diode-Pumped Solid-State Laser，縮寫為 DPSS Laser），通過雷射泵送給一個固體增益介質，例如，一個紅寶石或摻釹 YAG 雷射器晶體，帶有雷射二極體製成的固態雷射器。

半導體泵浦固體雷射的雷射器利用半導體雷射器輸出固定波長的雷射作為泵浦源，替代了以往用氪燈或氙燈泵浦雷射晶體，並且它們通常出現在綠色和其他顏色等的雷射筆中。

DPSS 雷射是一種擁有長壽命、低功耗、高穩定性、光束質量好、能夠小型化等多種優勢的新一代固體雷射器，DPSS 雷射器已經被運用在光纖通信、空間通訊、環境科學、大氣研究、雷射列印、醫療器械、光學圖象處理等多個高科技領域。

這是一種新型雷射器，應用層面比較廣，近年在國際上發展很快。它使固體雷射有了全新的發展，因此又稱為「第二代雷射器」。

## 參考
半导体激光

**半導體雷射**（Semiconductor laser）在 1962 年被成功激發，在 1970 年實現室溫下連續發射。後來經過改良，開發出雙異質接合型雷射及條紋型構造的雷射二極體（Laser diode）等，廣泛使用於光纖通信、光碟、雷射印表機、雷射掃描器、雷射指示器（雷射筆），是目前生產量最大的雷射器。

在基本構造上，它屬於半導體的 P-N 接面，但雷射二極體是以金屬包層從兩邊夾住發光層（活性層），是「雙異質接合構造」。而且在雷射二極體中，將界面作為發射鏡（共振腔）使用。在使用材料方面，有鎵 (Ga)、砷 (As)、銦 (In)、磷 (P) 等。此外在多重量子井型中，也使用 Ga・Al・As 等。

由於具有條狀結構，即使是微小電流也會增加活性區域的居量反轉密度，優點是激發容易呈現單一形式，而且，其壽命可達 10~100 萬小時。

雷射二極體的優點是效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有 20~40%，P-N 型也達到數 %~25%，總而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的連續輸出波長涵蓋了紅外到可見光範圍，而光脈衝輸出達 50W（帶寬 100ns）等級的產品也已商業化，作為雷射雷達或激發光源可說是非常容易使用的雷射的例子。

## 外部連結

* 《半導體雷射導論》（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半导体短缺

**晶片短缺**（英語：Chip shortage，別稱**半導體短缺**或**晶片荒**）是電子工業中半導體積體電路（晶片）供不應求的現象，在歷史上曾多次發生。

一些經濟與社會因素會造成需求上漲、產量下降，或影響工廠的建設速度，導致晶片供不應求。1988 年，電腦需求上漲，受此前市場危機影響的半導體公司未能及時提升產能，引發 1988 年記憶體晶片短缺。2004 年，行動通訊企業大力在美國和印度推廣分碼多重進接技術造成了 CDMA 晶片短缺。2019 冠狀病毒病疫情後一些國家轉向居家經濟，全球對個人電腦的需求增加了約 30%，引發 2020 年至今的全球晶片危機。

技術革新後，生產遇到的技術問題也會導致晶片短缺。由於新一代晶片的生產難度大，早期的技術缺陷使良品率低下，產能會嚴重受限，還可能導致本可用於舊晶片的產能無法用於新晶片。此外，客戶通常將希望將最新晶片運用在產品中，可能不願使用既有晶片，因此只能苦苦等待。1988 年，新一代 1Mb 記憶體晶片生產遇到技術困難，而 1994 年晶片短缺再度發生，這都是因為較新的製造製程需要更純淨的淨室環境，大批的積體電路由於製造缺陷被廢棄。

相反，舊型號晶片也可能會受到晶片短缺的影響。由於舊晶片的成熟生產線已經被徹底最佳化，已接近滿負載執行。如果此時需求激增，晶片代工廠往往難以提升舊晶片的產能。建立或擴大晶片生產線的資本支出巨大，以至於只有採用最新技術的新生產線在經濟上才是合理的。這就是導致 2019 冠狀病毒病疫情期間全球舊晶片短缺的原因。

此外，自然災害與生產事故也都會導致晶片短缺。1993 年住友化學塑料工廠爆炸事件引發了 DRAM 晶片荒，該工廠為晶片製造商提供六成用於晶片封裝的環氧樹脂。2011 年的日本三一一地震後，NAND 快閃記憶體和顯示器晶片嚴重短缺。製造商一度難以採購電子系統所需的各種部件。

晶片短缺會衝擊電子行業並可造成巨額損失，製造商還可能不得不改變晶片採購計劃，修改產品設計更換晶片，或者在產品設計中加入不同型號的晶片作為備選。例如，1988 年記憶體晶片短缺導致電腦整機與記憶體模組價格大幅上漲，電腦供貨期明顯延長，一些公司還被迫推遲了新產品的發布，任天堂遊戲《林克的冒險》也延遲發售。2000 年，個人電腦製造商桀威因以超威半導體的微處理器取代英特爾的同類產品而造成損失。2007 年，Wii 因積體電路短缺而引發全球缺貨。

## 實例

### 1988 年記憶體晶片短缺

1988 年，以美國為首的電子工業界出現的一次嚴重隨機存取記憶體積體電路（記憶體晶片）短缺問題。短缺的晶片以動態記憶體（DRAM）為主，256Kb（32KiB）DRAM 晶片的價格從 1987 年初的 2 美元上漲到最高 10 美元至 12 美元。短缺廣泛影響了整個電腦行業，使電腦整機與記憶體模組價格大幅上漲，電腦供貨期明顯延長，一些公司還被迫推遲了新產品的發布。受本次短缺波及的公司包括了所有主要的電腦廠商，不限於惠普、康柏、虹志電腦、蘋果、昇陽電腦、矽谷圖形公司等。除了動態記憶體之外，靜態記憶體（SRAM）晶片也受波及，影響了任天堂與世嘉等遊戲機公司。受短缺影響，日立公司的七家工廠為滿足市場需求，員工被迫在暑假期間工作。

多方面因素造成了本次短缺：記憶體市場從 1985 年的蕭條中復甦，電腦需求回升，受此前市場危機重創的半導體公司未能及時提升產能；半導體廠商決策失誤，將原有生產線升級為 1Mb 記憶體晶片生產線，卻低估了生產中的技術問題，良品率極低，晶片產能嚴重受限。此外，美日貿易衝突在政治上引發了極大的爭論。1986 年《美日半導體協定》
旨在幫助美國與日本晶片製造商競爭。然而，由於生產成本與風險巨大，美國公司未能按預期回歸市場。而且由於該協定要求日本公司停止虧本銷售晶片（即傾銷），一些美國電腦公司指責，這造成日本公司生產和出口的晶片減少，反而引發美國晶片短缺，讓美國電腦公司成為犧牲品。然而美國半導體公司則持否認態度，認為生產問題才是主要原因。

### 2020 年至今的全球晶片危機

2019 冠狀病毒病疫情造成供應鏈和物流中斷，再加上由於一些國家轉向居家經濟，全球對個人電腦的需求增加了一成三，疫情影響了製造各類電子產品的必要關鍵晶片的產能。大流行對大韓民國和中華民國半導體產業的影響被認為是晶片短缺的主要原因，晶片產量下降對家用遊戲機、汽車等行業造成影響。

2021 年 2 月，英國廣播公司參照市場分析機構 IHS Markit 資料認為晶片短缺將持續至 2021 年的第三季度；此時晶片供應的交貨期已延長至十五周（為 2017 年後的最高紀錄）。截至 2021 年四月，博通公司的半導體交貨時間「已從 2020 年 2 月的十二點二周延長至二十二點二周」。 

儘管大流行是造成短缺的因素之一，但台灣在 2021 年夏季發生的旱災也是一個重要因素。由於缺乏用於清潔工廠和晶圓的超純水，生產受到嚴重影響。

在 2021 年第一季度末，由於經濟復甦以及晶片短缺，部分國家的二手車價格上浮。部分型號汽車價格在第一季度上漲一成。

### 其他例子

英特爾的部分產品在 2000 年遭遇晶片短缺危機。大型企業不受影響，但像桀威這樣的小公司被迫轉用其他廠商的晶片或苦苦等待。

高通公司於 2012 年 4 月 19 日發表聲明稱：由於缺乏製造 28 奈米晶片的設施，驍龍晶片預計將會短缺。

## 參考文獻

## 外部連結

* https://www.bloomberg.com/graphics/2021-semiconductors-chips-shortage （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
半封建半殖民地

**半殖民地半封建社會**是一個馬克思主義的概念，意指在形式上保留有封建社會的剝削制度，同時在經濟、政治、文化上受到外國資本主義國家控制與壓迫的社會。隨著其它資本主義國家控制力度的加強，一部分國家會完全喪失國家主權，成爲徹底的殖民地國家；另一部分國家則發生反彈，取得獨立地位。大部分國家半殖民半封建社會的形成是不平等條約造成的直接影響。這種社會性質主要分佈在 19 世紀時依然保持封建社會性質的亞洲、非洲、拉丁美洲等少數國家。此概念有爭議。

中國共產黨與中華人民共和國政府將近代中國大陸的社會性質總概括為「半殖民地半封建社會」，這種分類有爭議。

## 概念來源

「半封建」或「半封建社會」的術語是馬克思和恩格斯提出。列寧用「半封建」、「半殖民地」兩詞來形容中國近代社會的性質。蔡和森於 1922 年 9 月在《統一、借債與國民黨》一文中，明確使用「半殖民地」和「半封建」兩個概念。1939 年 12 月，毛澤東主持撰寫的《中國革命和中國共產黨》一書，指出認清中國大陸近代半殖民地半封建社會的特點和主要矛盾，是認清一切革命問題的基本根據。

## 爭議

### 關於中國大陸 1949 年以前社會性質的爭議

在中國大陸，依照馬克思主義走上具有中國特色的社會主義後，中共將半殖民半封建社會定性為「形式上封建主義，內涵上殖民主義」的社會形態，認為是自鴉片戰爭以來至中華人民共和國成立以前中國大陸的社會性質。但除中國大陸以外的其他國家和地區的歷史學界普遍對中國大陸封建社會的存在時間表示質疑，認爲中國大陸沒有或只有很短一段時間（西周）嚴格意義上的封建社會。在秦始皇「廢封建，立郡縣」後，中國大陸不再分封建國。如新馬克思主義史學家佩里・安德森說：「封建主義主要是指，由一個貴族組成的社會階級對農民依法實行的農奴制和軍事保護；這個貴族階級享有個人權威和財產，壟斷著法律和私人司法權；其政治架構是主權分裂和納貢制度；有一種讚美田園生活的貴族意識形態。」。馮天瑜主張，「封建」本義為「封土建國」、「封爵建藩」。秦朝至清朝的社會形態是「宗法地主專制社會」，而不是「封建社會」。中國大陸自秦朝至清朝，沒有真正的土地私有權，也沒有穩定的世襲貴族階層，因此中國大陸並不是封建社會，而是專制社會。

孫中山在《民族主義第二講》中主張，中國大陸是各國的殖民地，因此是比半殖民地更低的「次殖民地」。

### 關於印度社會性質的爭議

馬克思主義者對於印度經濟屬於哪一種模式有意見分歧。納薩爾派主張印度經濟是半殖民地半封建。毛澤東認為在英國統治下的印度是殖民地，與中國大陸是半殖民地不同。而印度共產黨認為印度是資本主義社會。

## 參考文獻

## 外部連結

* R. S. Rao. _Towards Understanding Semi Feudal Semi Colonial Society: Studies in Political Economy_. Perspectives. 1995.

## 參見
半封閉性開局

**半開放性開局**（Semi-Open Game）是西洋棋中一種開局，又名「**半封閉性開局**」、「**單王前兵開局**」，即白方走出 1.e4（王兵開局）後，黑方不走 1. ... e5 的開局。

## 著名防禦法

## 半開放開局列表

* 1.e4 a5 玉米秸稈防禦
* 1.e4 a6 聖喬治防禦
* 1.e4 Na6 旅鼠防禦
* 1.e4 b5
* 1.e4 b6 歐文防禦
* 1.e4 c5 西西里防禦
* 1.e4 c6 卡羅 - 卡恩防禦
* 1.e4 Nc6 尼姆佐維奇防禦
* 1.e4 d5 斯堪地那維亞防禦
* 1.e4 d6 2.d4 f5 貝洛防禦
* 1.e4 d6 2.d4 Nf6 3.Nc3 c6 捷克防禦
* 1.e4 d6 2.d4 Nf6 3.Nc3 g6 彼爾茨防禦
* 1.e4 e6 法蘭西防禦
* 1.e4 f5 弗雷德防禦
* 1.e4 f6 巴恩斯防禦
* 1.e4 Nf6 阿廖欣防禦
* 1.e4 g5 博格防禦
* 1.e4 g6 現代防禦
* 1.e4 h5 金匠防禦
* 1.e4 h6 卡爾防禦
* 1.e4 Nh6 亞當防禦

## 參閱

* 開放性開局
* 封閉性開局
* 西洋棋

## 參考文獻
半對數圖

**半對數圖**是科學及工程學中常用的圖表，其中一軸是對數尺度，另一軸是線性尺度，常用在表示指數增長的關係上，或是其中一個變數的範圍很廣的情形。

所有 $y=\lambda a^{\gamma x}$ 形式的函數在半對數圖中都會變成直線，將等號兩側取對數，可得

　
: $\log _{a}y=\gamma x+\log _{a}\lambda .$

為一直線，斜率為 $\gamma $ ，和 y 軸的截距為 $\log _{a}\lambda $ 。log 多半是以 10 為基底，偶爾會以 2 為基底

　
: $\log(y)=(\gamma \log(a))x+\log(\lambda ).$

**log-linear** 圖的 y 軸為 log 尺度，x 軸為線性，而 **linear-log** 恰好相反。

在 y 軸為 log 尺度的半對數圖中，y 軸的座標和 y 的 log 有關。因此可以先將 y 的數值取 log 後再繪圖。若 x 軸及 y 軸都要取 log，即為雙對數坐標系。

## 方程式

在線性 - 對數圖中，x 軸以對數尺度表示（基底為 _n_），其方程為

　
: $F(x)=m\log _{n}(x)+b.\,$

在對數 - 對數圖中，y 軸以對數尺度表示（基底為 _n_），其方程為

　
: $\log _{n}(F(x))=mx+b$

　
: $F(x)=n^{mx+b}=(n^{mx})(n^{b}).$

## 實際的例子

### 水的相圖

在物理學及化學中，會用相圖來表示物質在不同壓強及溫度下的相以及變化，其中的壓強會以對數尺度表示，以下是水的相圖。

### 2009H1N1 流感的傳播

對數多半是以 10 為基底，不過以下的例子是例外：

### 微生物成長

在生物學及生物工程學中，微生物因為無性生殖及營養耗盡的數量變化一般會用半對數圖表示，時間為線性尺度，數量則以對數尺度表示。以下的圖可以看到四個不同的階段。

## 相關條目

* 乘微積分
* 諾謨圖
* 非線性回歸，將非線性的型式轉換為半對數，適合非迭代的計算。
* 雙對數坐標系

## 外部連結

* Non-Newtonian calculus website（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）

## 參考資料
半導體元件

**半導體裝置**（英語：semiconductor device）是利用半導體材料的特殊電特性來完成特定功能的電子電路組件。半導體的導電性介於良導電體與絕緣體之間，這些半導體材料通常是矽、鍺或砷化鎵，並經過各式特定的滲雜，產生 P 型或 N 型半導體，作成整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等元件或裝置。

常見的半導體元件有二極體、電晶體等。

## 電晶體

### 雙極性電晶體

由發射極、基極、集電極三個電極組成，由通過基極的電流大小可以控制通過發射極和集電極的電流大小，雙極性電晶體能夠放大訊號，並且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力。

### 場效應電晶體

由源極、柵極、漏極三電極組成，由施加在柵極上的電壓可以控制導電溝道的開通關閉，可用於訊號放大，且由於漏電流比雙極性電晶體小，是現代數字積體電路的基礎。hm

## 可靠性

半導體裝置對雜質和灰塵很敏感。所以在繁複的生產工藝中，精確控制雜質和灰塵的等級是非常必要的。最終產品的品質很大程度上依靠生產中的各個相對獨立而又相互影響的生產階段，例如金屬化（metallization）、晶片材料（chip material）、封裝等。

由於技術飛速進步，新材料和新工藝不斷被用於新研發的器件中，設計時間表根據非迴圈工程常數（non-recurring engineering）限定，再加上市場對設計時間不斷提出苛刻要求，所以可靠性設計基本不可能按照已有的產品進行。

為達到一定的經濟指標，半導體產品總一大批次生產的；並且修理半導體產成品也是不實際的。所以半導體產品在設計階段加入可靠性的概念和在生產階段減少變數就成為十分必要的要求。半導體裝置可靠性取決於裝配，使用，環境狀況。影響因素包括氣體、灰塵、沾污、電壓、電流密度、溫度、濕度、應力，往復振動，劇烈震盪、壓強和電磁場的強度。

設計方面影響半導體裝置可靠性的因素包括：電壓衰退、功率衰退、電流衰退、穩定性、邏輯時間變差（logic simulation）、時效分析（timing analysis）、溫度衰退和工藝控制。

### 提高方法

半導體裝置可靠性依靠以下方法保證其處於高水準：

1. 在無塵室內生產，以控制雜質。
2. 嚴格的工藝控制，減少變數。
3. 老化（短時間，極端條件下運轉）並測試以減少不合格品漏過。
4. 半導體晶片測試，指在封裝前，用連接測試裝置的探針，在顯微裝置下接觸晶片並進行測試，去除不合格品。
5. 用整套參數測試封裝後的半導體裝置，確保產品能正常運作。

## 參考文獻

* Giulio Di Giacomo (Dec 1, 1996), Reliability of Electronic Packages and Semiconductor Devices, McGraw-Hill
* A. Christou and B.A. Unger (Dec 31, 1989), Semiconductor Device Reliability, NATO Science Series E
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* MIL-STD-2164 Environment Stress Screening Process for Electronic Equipment

## 註釋

## 參考文獻

### 參照

### 來源