SiC

**碳化矽**（英語：silicon carbide，carborundum），化學式 SiC，俗稱**金剛砂**，寶石名稱**鑽髓**，為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化矽在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形式存在。自 1893 年起碳化矽粉末被大量用作磨料。將碳化矽粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化矽顆粒，並可將之用於諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發光二極體、早期的無線電探測器之類的電子器件製造中也有使用。如今碳化矽被廣泛用於製造高溫、高壓半導體。使用 Lely 法能生長出大塊的碳化矽單晶。人造莫桑石的寶石就是切割由 Lely 法製備的大塊碳化矽單晶獲得的。

## 歷史

雖然早期有一些不系統的、不受認可或是未經證實的的碳化矽合成方法的報導，比如在 1810 年貝采里烏斯報導的用金屬鉀還原氟矽酸鉀的合成方法、1849 年 Charles Mansuète Despretz 報導的將通電的碳棒埋在沙粒中的合成方法、1881 年 Robert Sydney Marsden 報導的在石墨坩堝中用熔融的銀溶解矽石的合成方法、1882 年 Albert Colson 在乙烯氣氛中加熱單質矽的合成方法以及 1881 年 Paul Schützenberger 報導的在石墨坩堝中加熱矽單質和矽石混合物的合成方法，但真正實現碳化矽的大量製備還是在 1890 年由愛德華・古德里奇・艾奇遜率先實現的。艾奇遜嘗試在鐵鍋中加熱粘土（矽酸鋁）和焦炭粉的混合物合成人造鑽石的過程中發現了這個合成碳化矽的方法，他將得到的藍色金剛砂晶體誤認為是一種由碳和鋁構成的類似剛玉的物質。1893 年亨利・莫瓦桑在研究來自亞利桑那州的代亞布羅峽谷隕石樣品時發現了罕有的在自然條件下存在的碳化矽礦石，將之命名為莫桑石。莫瓦桑也通過幾種方法合成了碳化矽：包括用熔融的單質矽熔解單質碳、將碳化矽和矽石的混合物熔化和在電爐中用單質碳還原矽石的方法。但莫瓦桑在 1903 年時還是將碳化矽的發現歸功於艾奇遜。

艾奇遜在 1893 年 2 月 28 日為合成碳化矽粉末的方法申請了專利保護。

碳化矽最早的用途是磨料，隨後被用於電子器件中。在二十世紀初，第一批雷達中就是將碳化矽用為探測器的，1907 年馬可尼公司的雇員兼馬可尼的助手 Henry Joseph Round 通過在碳化矽晶體上施加一定的電壓後在陰極上觀察到有黃色、綠色和橙色光放出，由此得到了世界上第一個發光二極體。這些實驗結果後來在 1923 年被蘇聯科學家奧列格・洛謝夫重複證實。

## 自然界中的分布

自然界中的莫桑石僅微量分布於某幾種隕石、剛玉礦床和金伯利岩中。幾乎世界上所有的碳化矽固體，包括莫桑石製成的珠寶都來自於人工合成。1893 年費迪南德・亨利・莫桑在一小部分的代亞布羅峽谷隕石中發現了天然的莫桑石。莫桑的發現起初是有一定爭議的，因為他手中的樣品可能在切割時受到了由人造碳化矽製成的圓鋸片的污染。雖然地球上的碳化矽非常稀有但在宇宙空間中卻相當常見。宇宙中的碳化矽通常是碳星周圍的宇宙塵埃中的常見成分。在宇宙和隕石中發現的碳化矽幾乎無一例外都是 β 相晶型的。對在默奇森隕石這類碳質球粒隕石中發現的碳化矽顆粒進行分析後發現碳和矽元素的同位素比例均有異常，這表明隕石來自太陽系外，這些碳化矽顆粒中的 99% 來源於富碳的漸近巨星分支中的恆星。通過紅外光譜推測碳化矽在這類恆星上很常見。

## 製備

由於自然界中的莫桑石非常罕有，所以碳化矽多為人造。它被用於磨料、半導體材料和具有鑽石特點的仿製品。常見的方法是利用艾奇遜法將細的二氧化矽顆粒與焦炭混合，置入石墨為電極的電爐中，加熱到 1600 至 2500°C 之間的高溫製得。另一種方法是將純淨的二氧化矽顆粒在植物性材料（比如穀殼）中加熱合成碳化矽，通過熱分解有機質材料生成的碳還原二氧化矽產生矽單質，隨後多餘的碳與單質矽反應產生碳化矽。此外，還可以利用生產金屬矽化物和矽鐵合金的副產物矽灰與石墨混合在 1500°C 的條件下加熱合成碳化矽。

用艾奇遜法在電爐中合成的碳化矽因距離石墨電阻加熱源遠近的不同在純度上有一定的差別。最靠近電阻加熱源的地方產生的無色、淡黃色或綠色的碳化矽晶體純度最高。隨著離電阻加熱源的距離越來越遠生成的碳化矽顏色變為藍色和黑色，這些深色晶體的純度相對降低。氮和鋁是碳化矽中常見的雜質，它們會影響碳化矽的電導率。

純的碳化矽是用 Lely 法製造的。 通過將碳化矽粉末在 2500°C 的氬氣氛下升華後再沉積形成鱗片狀的單晶，在較冷的基底上可形成尺寸大到 2×2cm2 的單晶。Lely 法能生長出高品質的碳化矽單晶。因為單晶的生長溫度高，所以得到的單晶大多數是 6H-SiC 相的。在石墨坩堝中進行感應加熱則是另一種改進後的 Lely 法，它可以製造的碳化矽單晶尺寸是傳統方法的 81 倍。立方體狀的碳化矽一般是藉助成本較為昂貴的化學氣相沉積法來合成的。通過氣相和液相合成的方法可以製造同質外延和異質的碳化矽薄層。純的碳化矽也能利用某些聚合物比如聚甲基矽烷在低溫的惰性氣氛中熱分解來合成。相較於化學氣相沉積法，熱分解法的優勢在於聚合物能在熱裂解形成陶瓷狀碳化矽之前塑造成各種不同的形狀。

## 結構和性質

碳化矽存在著約 250 種結晶形態。由於碳化矽擁有一系列相似晶體結構的同質多型體使得碳化矽具有同質多晶的特點。這些多形體的晶體結構可被視為將特定幾種二維結構以不同順序層狀堆積後得到的，因此這些多形體具有相同的化學組成和相同的二維結構，但它們的三維結構不同。

α- 碳化矽 (α-SiC) 是這些多型體中最為常見的，它是在大於 1700°C 的溫度下形成的，具有類似纖鋅礦的六方晶體結構。具有類似鑽石的閃鋅礦晶體結構的 β- 碳化矽 (β-SiC) 則是在低於 1700°C 的條件下形成的。β- 碳化矽因其相較 α- 碳化矽擁有更高的比表面積，所以可用於非均相催化劑的負載體。

純的碳化矽是無色的，工業用碳化矽由於含有鐵等雜質而呈現棕色至黑色。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生的二氧化矽鈍化層所致。

碳化矽高達 2700°C 的升華溫度使得它適合作為製造軸承和高溫熔爐的部件。它本身也具有較高的化學惰性。由於其相較於晶體矽具有更高的熱電導率、電場擊穿強度和最大電流密度，所以在高功率的半導體材料方面具有更好的應用前景。此外碳化矽的熱膨脹係數也非常低（4.0×10-6/K）同時也不會發生可能引起的不連續性熱膨脹的相變。

### 電導率

在碳化矽中摻雜氮或磷可以形成 n 型半導體而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成 p 型半導體。在碳化矽中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜後的碳化矽具備數量級可與金屬比擬的導電率。摻雜 Al 的 3C-SiC、摻雜 B 的 3C-SiC 和 6H-SiC 的碳化矽都能在 1.5K 的溫度下擁有超導性，但摻雜 Al 和 B 的碳化矽兩者的磁場行為有明顯區別。摻雜鋁的碳化矽和摻雜 B 的晶體矽一樣都是第二類超導體，但摻雜硼的碳化矽則是第一類超導體。

## 用途

### 磨料和切割工具

由於金剛砂的耐用性和低成本，在現代寶石加工中作為常用磨料使用。金剛砂憑藉其硬度使它在製造業中諸如砂輪切割、搪磨、水刀切割和噴砂等磨削加工過程。將碳化矽粒子層壓在紙上就能製成砂紙和滑板的握帶。

1982 年由氧化鋁和碳化矽須晶構成的超強複合材料問世，經過隨後三年的發展這種複合材料走出實驗室成為商品。1985 年先進複合材料公司和 Greenleaf 公司推出了新的商品化切割工具，工具就是由氧化鋁和碳化矽須晶組成的加強型複合材料所製造的。

### 結構材料

在二十世紀 80 至 90 年代，幾個歐洲、日本和美國的高溫燃氣渦輪機研究項目對碳化矽做了研究，項目的目標均打算以碳化矽代替鎳高溫合金製造渦輪機葉片或噴嘴葉片。但這些項目無一實現量產，主要原因在於碳化矽材料的耐衝擊性和斷裂韌度低。

不同於其他陶瓷材料比如氧化鋁和碳化硼，碳化矽可用於製造複合裝甲（比如喬巴姆裝甲）和防彈背心中的陶瓷板。

### 天文學

碳化矽具備的低熱膨脹係數、高的硬度、剛性和熱導率使其能夠作為天文望遠鏡的鏡面材料。通過化學氣相沉積製造的直徑達 3.5 米和 2.7 米的多晶碳化矽圓盤已被分別安裝在赫歇爾空間天文台和同溫層紅外線天文台等幾個大型天文望遠鏡上。

### 催化劑載體

碳化矽本身的抗氧化性質和立方 β-SiC 所具有的大比表面積使其可作為非均相催化劑的載體。通過稻殼炭化合成的 β-SiC 已被用於作為非均相催化劑的載體應用於催化諸如正丁烷氧化生成順丁烯二酸酐這類烴類的氧化反應。

### 石墨烯生長

通過加熱至高溫，可在碳化矽的表面得到外延石墨烯。這種獲取石墨烯的方法被認為有希望實現大規模合成具有實際應用的石墨烯。

### 功率電子元件

碳化矽是目前正在研究的半導體，已在快速切換、高溫及高電壓的應用上，進行前期的大量生產。第一個可用的元件是肖特基二極體、之後是結型場效應管及高速切換的功率 MOSFET。目前正在開發雙極性電晶體及晶閘管。

碳化矽元件商品化的主要問題是如何去除缺陷：包括邊緣位錯、螺旋位錯（空心和閉合）、三角形缺陷及基面位錯。因此，雖然有許多研究設法要改善特性，但最早期 SiC 材料的元件，其反向電壓阻隔能力不好。除了晶體品質外，SiC 和二氧化矽的界面問題也影響了 SiC MOSFET 及 IGBT 的發展。滲氮已大幅改善了介面問題，不過其機制還不清楚。

2008 年已有第一個商品化的 JFET，額定 1200V，之後是 2011 年第一個商品化的 MOSFET，額定電壓 1200 V。SiC 的開關以及 SiC 肖特基二極體（SBD）有常見的 TO-247 及 TO-220 封裝外，許多廠商也開始將 SiC 裸晶放在功率模組中。

SiC SBD 二極體已用在功因修正電路上，以及 IGBT 功率模組中。像是國際集成功率電子系統大會（CIPS）等研討會也會定期報告有關 SiC 功率元件的技術驅勢。

日本部分新造的大功率交傳鐵路車輛，以碳化矽取代 IGBT 用於牽引變流裝置（如新幹線 ALFA-X、EMU3000 和 E235 系），有助進一步減少車輛耗電。

SiC 功率元件的主要挑戰有：

* 閘極驅動電路：SiC 功率元件的閘極驅動電路和矽半導體的電路不同，閘極驅動電路的電壓是非對稱的（例如 + 20 V 和−5 V）。
* 包裝：SiC 裸晶的功率密度比矽半導體要高，其溫度可以超過矽的上限 150 °C。需要用到新的晶片連接技術（例如燒結）才能有效地將熱從元件帶出，並且確保存在可靠的互聯結構 (Sintering are required to efficiently get the heat out of the devices and ensure a reliable interconnection.) 。

## 參考文獻