薄膜电阻
薄膜電阻 (sheet resistance)，又被稱為方阻，具有均勻厚度薄膜電阻的量度。通常被用作評估半導體摻雜的結果。這種工藝的例子有：半導體的摻雜領域（比如矽或者多晶矽），以及被絲網印刷到薄膜混合微電路基底上的電阻。薄膜電阻的概念與電阻或者電阻率相對，可直接用四端點測量技術測量法（也稱為四點探針測量法）或范德堡法來測量。
薄膜電阻用歐姆每平方（
  
    
      
        Ω
        
          /
        
        s
        q
      
    
    {\displaystyle \Omega /sq}
  ）來計量，可被應用於將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統。它與三維系統下所用的電阻率的概念對等。當使用到薄膜電阻一詞的時候，電流必須沿著薄膜平面流動，而非與其垂直。
對於常規三維導體，電阻可寫為

  
    
      
        R
        =
        ρ
        
          
            L
            A
          
        
        =
        ρ
        
          
            L
            
              W
              t
            
          
        
      
    
    {\displaystyle R=\rho {\frac {L}{A}}=\rho {\frac {L}{Wt}}}
  其中
  
    
      
        ρ
      
    
    {\displaystyle \rho}
  代表電阻率，
  
    
      
        A
      
    
    {\displaystyle A}
  代表截面面積而
  
    
      
        L
      
    
    {\displaystyle L}
  代表長度。截面面積可被分解為寬度
  
    
      
        W
      
    
    {\displaystyle W}
  和薄膜厚度
  
    
      
        t
      
    
    {\displaystyle t}
  。
當把電阻率和厚度放到一起時，電阻可被記為

  
    
      
        R
        =
        
          
            ρ
            t
          
        
        
          
            L
            W
          
        
        =
        
          R
          
            s
          
        
        
          
            L
            W
          
        
      
    
    {\displaystyle R={\frac {\rho}{t}}{\frac {L}{W}}=R_{s}{\frac {L}{W}}}
  
  
    
      
        
          R
          
            s
          
        
      
    
    {\displaystyle R_{s}}
  即為薄膜電阻。因為它被一個無量綱量所乘，所以單位依然是歐姆。而歐姆 / 平方這一單位被使用是因為它給出了以歐姆為單位的從一個平方區域流向相對平方區域的電阻，無論平方區域的大小如何。對於正方情形，
  
    
      
        L
        =
        W
      
    
    {\displaystyle L=W}
  。因此，對任意平方大小，有
  
    
      
        R
        =
        
          R
          
            s
          
        
      
    
    {\displaystyle R=R_{s}}
  。