電子抹除式可複寫唯讀記憶體
電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （英語：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EEPROM 或 E2PROM），是一種唯讀記憶體（ROM），可以通過電子方式多次複寫。相比 EPROM， EEPROM 不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除晶片上的資訊，以便寫入新的數據， EEPROM 屬於 SPD（串行存在檢測）技術的一種延伸。
EEPROM 分為四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦拭模式、校驗模式。讀取時，晶片只需要 Vcc 低電壓（一般 + 5V）供電。而在編程寫入時，晶片會通過 Vpp（一般 + 25V, 有時較新者會使用 +12V 或 +5V）獲得編程電壓，並通過 PGM 編程脈衝（一般為 50ms）寫入數據。擦拭時，只需使用 Vpp 高電壓，不需要紫外線照射，便可以擦拭指定位址中的內容。為保證寫入正確，每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫入時間也已有縮短。在民用的 DDR SDRAM 及其主流後續產品中，一般 EEPROM 主要用於儲存記憶體的開發者資訊、生產時間、記憶體資訊、通訊協定、既定記憶體頻率、供電電壓、供電電流、物理訊息以及記憶體 XMP 等訊息，且電腦會在開機自檢（Power-On Self-Test；POST）時會讀取這些訊息以保持電腦的正常開機。
快閃記憶體是 EEPROM 的後續延伸。