负偏置温度不稳定性
負偏壓溫度不穩定性（英語：Negative-bias temperature instability, NBTI）是影響金屬氧化物半導體場效電晶體可靠性的一個重要問題，它主要表現為閾值電壓的偏移。也被列入半導體元件中，可靠度分析的重要指標。NBTI 效應是 CMOS 電路中 PMOS 在 Gate 給相對負偏壓作用下出現的一種退化現象。包含了 (IG 變大，Vth 向負向移動 swing 變差，電導 (Gm) 和漏電 (Id) 變小。而隨著元件尺寸的變小，NBTI 所帶來元件特性的漂移會造成產品失效。甚至在電路表現中，PMOS 所帶來 NBTI 的效應會比 NMOS HCI 熱載子注入失效還要嚴重，影響電路的壽命。

NBTI 的原理半導體元件中，Si 和 SiO2 的介面鍵結強度是造成 NBTI 好壞的主因，而 Si-H 鍵的不穩定，在元件操作中無論在高溫或是高電流密度下造成 Si-H 鍵結的斷裂，使的 H 元素游離，進而造成閘級電壓的漂移。NBTI 效應的產生過程主要涉及正電荷的產生和鈍化，即介面的陷阱電荷 (dangling bond) 和氧化層固定正電荷 (fixed charge in oxide layer) 的產生以及過產生以及擴散物質過程 (氫氣和水汽是引起 NBTI 的兩種主要物質)

NBTI 效應的影響