憶阻器
憶阻器（memristor）又名記憶電阻（memory resistor 的混成詞），是一種被動電子元件。如同電阻器，憶阻器能產生並維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在於，憶阻器可以在關掉電源後，仍能「記憶」先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產生與電晶體相同的功能，但更為細小。最初於 1971 年，加州大學伯克利分校的蔡少棠教授根據電子學理論，預測到在電阻器、電容器及電感元件之外，還存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。
目前正在開發憶阻器的團隊包括惠普、SK 海力士、HRL 實驗室。
之後從 2000 年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並應用到了下一代非揮發性記憶體 - 阻抗存儲器（RRAM 或 ReRAM）中。2008 年 4 月，惠普公司公佈了基於 TiO2 的 RRAM 器件，並首先將 RRAM 和憶阻器聯繫起來。但目前仍然有專家認為，這些實作出的電路，並不是真正的憶阻器。