無電解ニッケルめっき
還元剤としてDMAB(ジメチルアミンボラン)を使用したとき、主反応は式6のようになり、副反応として式7、8が起こる。
3 Ni + (CH3)2NHBH3 + 3 H2O → 3 Ni + H3BO3 + (CH3)2H2N + 5 H ... (6)
4 Ni + 2(CH3)2NHBH3 + 3 H2O → 2 Ni + Ni2B + H3BO3 + 2(CH3)2HN + 6 H ... (7)
(CH3)2NHBH3 + 3 H2O → H3BO3 + (CH3)2HN + 3 H2↑ ... (8)
銅はDMABの酸化反応に対して触媒性を示すため、銅材にNi-Bめっきをする場合はパラジウムのような触媒付与処理をする必要がない。式8の反応でホウ素を共析する。
ヒドラジンの酸化反応を以下、式9、10に示す。
N2H2 + 4 OH → N2 + 4 H2O + 4 e ... (9)
N2H2 + 2 OH → N2 + 4 H2O + H2↑ + 2 e ... (10)
還元剤には塩酸ヒドラジンや硫酸ヒドラジンが用いられるが、その反応はきわめて複雑である。無電解ニッケルめっき中のヒドラジンの酸化反応は次亜リン酸塩やDMABを還元剤とする無電解めっきとは異なり、反応中に水素ガスを発生しない。
めっき浴のpHが高くなると、酸化還元電位は卑になり、還元力が強くなるため強アルカリ性で使用される。還元剤の酸化反応に伴い、浴pHは低下し、析出速度は遅くなるので、アルカリ性で効果のある緩衝剤およびニッケルと錯形成する錯化剤を選択する必要がある。
得られるめっき皮膜の組成は、ほぼニッケル金属のみである。