シリコンゲルマニウム
シリコンにゲルマニウムを添加することにより歪みシリコンが形成し、電子移動度の優れた半導体になる。従来であればヒ化ガリウム等の化合物半導体でなければ対応が困難だった高周波でも対応できる。また、従来のシリコン半導体の製造で培われた微細加工技術を適用できるので集積度を高めることが比較的容易で次世代の集積回路で期待される。