トランジスタ
エミッタ - ベース間のわずかな電流変化が、エミッタ - コレクタ間電流に大きな変化となって現れる。
エミッタ - ベース間の電流を入力信号とし、エミッタ - コレクタ間の電流を出力信号とすることで、増幅作用が得られる。
コレクタ電流 (IC) がベース電流 (IB) の何倍になるかを示す値を直流電流増幅率と呼び hFE で表す。この値は数十から数百にまで及ぶ。 h F E = I C I B {\displaystyle h_{\mathit {FE}}={\frac {I_{C}}{I_{B}}}} である。
詳細は「ユニジャンクショントランジスタ」を参照
2つのベース端子を持つN型半導体とエミッタ端子を持つP型半導体とを接合したもので、サイリスタのトリガ素子として開発された。安定な高出力パルスが得られる。3つの電極を持つためトランジスタという名前があるが、本質的にはトランジスタとは無縁な、1つの接合しか持たない構造(単接合)の、ユニークな半導体素子である。後述のPUTの台頭により姿を消した。
日本における半導体素子の形名(型番)は、JEITA(社団法人 電子情報技術産業協会)の規格ED-4001A「個別半導体デバイスの形名」(1993年制定、2005年改正)に基づいて、形名と規格がJEITAに登録されている。それ以前はJIS C 7012:1982(1993年廃止)で以下のようにルール付けられていた(ED-4001Aとは細部において相違がある)。
2SAxxx PNP型バイポーラトランジスタ 高周波用
2SBxxx PNP型バイポーラトランジスタ 低周波用
2SCxxx NPN型バイポーラトランジスタ 高周波用
2SDxxx NPN型バイポーラトランジスタ 低周波用
2SFxxx サイリスタ
2SHxxx ユニジャンクショントランジスタ
2SJxxx Pチャネル電界効果型トランジスタ
2SKxxx Nチャネル電界効果型トランジスタ
(xxxは11から始まる番号)
バイポーラトランジスタと電界効果型トランジスタの大半は、このルールに基づいて命名されている。当該JIS規格はすでに廃止されているが、今日でも通称としてJIS形名またはEIAJ(JEITAの前身組織の日本電子機械工業会の略称)形名と呼ばれる。
ここで、高周波用と低周波用を区別する基準は特に定められておらず、メーカーの任意である。