電子線後方散乱回折法
電子線後方散乱回折法(でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backscatter diffraction、略称:EBSD)とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法。 EBSP: Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれる。