MoSys
アクセス時間(英語版)は15ナノ秒と評価され、同時代のチップの60ナノ秒とは対照的であった。MDRAMはプロプライエタリなインターフェイスを要求し、その当時のデスクトップパソコン用メモリ規格であったSIMMカード規格に適合させられなかった。(外注業者によって製造される)量産は1994年後半に達成された。
1998年7月、モノリシックはノートパソコン市場に向けてパイプライン化バースト(転送)SRAMチップ・シリーズを発表した。1998年9月に彼らは疑似SRAM(英語版)技術、1T-SRAMを発表した。真のSRAMとは異なり、1T-SRAMは基本的にはDRAMであり、各メモリセル(英語版)の定期的(or頻繁)なリフレッシュ(英語版)を要する。しかしながら、1T-SRAMはセルの各バンクと同容量の真のSRAMキャッシュをペアにし; バンク内で複数の読み取り/書き込み操作が発生した場合、オン=チップ・メモリコントローラはアクセスをキャッシュへリダイレクトし、バンク内のセルのリフレッシュさせられるようにすることを可能にする。与えられた処理に関与していない全てのバンクは一方、バックグラウンドでリフレッシュされる。これは全ての再充電サイクルにおいて待ち状態(英語版)を要する事無く、SRAMのようなパフォーマンスを効果的に達成する。1T-SRAM 中の1T は1トランジスタの略であり(日本語の隠語では「石」に相当する); DRAMにおいては、通常1組のトランジスタ–キャパシタだけが1つのメモリセルを構築するのに必要とされる一方、SRAMは一般的には6つのトランジスタを要する。