ユニバーサル・メモリ
ユニバーサル・メモリと考慮されるべきメモリ技術について、それはいくつかのメモリ技術の最高特性を持つ必要があるであろう。その持つべき特性とは:
- とても素速い動作 – SRAMキャッシュのように - 実質無制限の読み/書きサイクル回数 – SRAMとDRAMように - 電力を使うことなく無期限にデータを保持する – フラッシュメモリおよびハードディスクドライブのように、そして - 一般的なOSおよびアプリケーション・プログラムにとって十分に大きく、お手頃(価格)であること – ハードディスクドライブのように。
製造コストの削減については規模の経済に関わってくる話なので、最後の基準は最後に満たされる可能性が高い。
多くの種類のメモリ技術が実用的なユニバーサル・メモリを作成することを目的として検討されてきた。これらには(以下が)含まれる:
低電圧、不揮発性、化合物半導体メモリ (デモ済み)
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ (MRAM) (開発および生産中)
バブル・メモリ (1970-1980年頃、今日では廃れた)
レーストラック・メモリ (現在実験中)
強誘電ランダムアクセスメモリ (FRAM) (開発および生産中)
相変化メモリ (PCM)
プログラマブル・メタライゼーション・セル(英語版) (PMC)
抵抗変化型ランダムアクセスメモリ (RRAM)
ナノRAM(英語版)
メモリスタベースのメモリ
各々のメモリにはそれぞれに制約があり、未だにユニバーサル・メモリのゴールに辿り着けたものはこれらの中には無い。