半導体メモリ
PROM (Programmable ROM) EPROM (Erasable Programmable ROM) UV-EPROM (Ultra-Violet Erasable Programmable ROM) EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) フラッシュメモリ(原理的にはEEPROMの発展と言える) NOR型フラッシュメモリ NAND型フラッシュメモリ
強誘電体メモリ (Ferroelectric RAM, FeRAM, FRAM)
磁気抵抗メモリ (Magnetoresistive RAM, MRAM) : MTJ(Magnetic Tunnel Junction、磁気トンネル接合)効果を用いている
PRAM (Phase change RAM) : 相変化記録技術を用い、書き込みは素子の熱変化により行う
ReRAM (Resistive RAM, RRAM) : 電圧印加によって電気抵抗が大きな変化する。しかしその原理は CMR (Colossal Magneto-Resistance) と呼ばれる効果を用いたもの、酸素イオンの移動による伝導パスの形成、金属のマイグレーション、偏向によるバンドギャップの変化など多岐にわたる。材料ごとに原理が異なるためReRAMとして総括されている。
フレームメモリ : デジタル式のビデオ表示装置での画面表示用メモリ
キャッシュメモリ : CPUの主記憶装置アクセスの高速化用