硫化ハフニウム(IV)
半導体として使用できる可能性が東京工業大学より報告されている。 一原子層の厚さを持つ二硫化ハフニウムは理論計算より1.2 eVのバンドギャップと1,800 cm2/Vsの電子移動度が予測される材料であり、従来の二次元材料と比較してより高速、低消費電力でのトランジスタ動作が期待されている。