トンネル磁気抵抗効果
↑ “Effect of electrode composition on the tunnel magnetoresistance of pseudo-spin-valve magnetic tunnel junction with a MgO tunnel barrier” (PDF). Phisical Review Letters (American Physical Society) 90: 212507. (2007). doi:10.1063/1.2742576. http://scitation.aip.org/deliver/fulltext/aip/journal/apl/90/21/1.2742576.pdf?itemId=/content/aip/journal/apl/90/21/10.1063/1.2742576&mimeType=pdf&containerItemId=content/aip/journal/apl.
1 2 行正和義 (2015年7月24日). “液体ヘリウム不要、室温動作で心臓電流の磁場を拾うトンネル磁気抵抗素子”. ASCII.jp. 2016年12月13日閲覧。
強磁性層に外部から磁場が印加されて、それぞれのスピン偏極の方向を変える。
平行に磁場を印加する場合
双方の強磁性層のスピン偏極が同方向になり、トンネル電流が感じる電気抵抗は低くなる。
反平行に磁場を印加する場合
双方の強磁性層のスピン偏極が逆方向になり、トンネル電流が感じる電気抵抗は高くなる。
この方法をMRAMに用いようとすると、消費電力が性能の向上に必須である微細化に伴って増大してしまう。HDDにおいては、記録密度の大幅に向上が期待される。また、コイルなどの電磁誘導を用いた磁気記録の読み取り方式に比べて大幅な素子の微細化が可能になる。