ピン止め効果
磁束を完全に排除する第一種超伝導体にはみられない現象である。
量子化磁束が内部に侵入している第二種超伝導体に電流を流す場合を考える。このとき、電流によるローレンツ力のため、量子化磁束が電流に対して垂直方向に力を受ける。この力を受けて量子化磁束が超伝導体内部を移動すると、誘導起電力が発生し、超伝導体であるにもかかわらず電気抵抗が発生してしまう。
バルクの超伝導体に重粒子線を照射したり、不純物を導入したりすることでわざと欠陥をつくり、この欠陥に量子化磁束をトラップすることにより、誘導起電力による電気抵抗の発生を防ぐことができる。 また、超伝導薄膜においてはリソグラフィとエッチングによって(擬)三角格子状の穴(Anti-dots)を無数に開けることでロスを回避する手法がある。
常伝導体である転移温度以上の第二種超伝導体に磁場をかけておき、内部に磁場を侵入させておく。その状態で超伝導に転移させると、ひずみや不純物には磁束が侵入したままになる。