強誘電体浮遊ゲートメモリ
↑ “A single-transistor ferroelectric memory cell”. Solid-State Circuits Conference, 1995. Digest of Technical Papers. 41st ISSCC, 1995 IEEE International. (San Francisco, CA, USA.: IEEE). (1995-02-15). doi:10.1109/ISSCC.1995.535279. ISBN 0-7803-2495-1. ISSN 0193-6530. http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=535279.
1 2 データの最小単位である1bitを保持するために必要な回路
表示
編集