U61000
DRAM 容量: 1024k x 1 Bit
アクセス時間: 100 ns - 120 ns
U61000 は1989年にCMOS技術を元にしてドイツ民主共和国で製造された初の1MビットのDRAM集積回路である。 1986年からVEBドレスデン微小電子工学研究所(ZMD)、VEBカールツアイス・イエナによって開発が開始され、1990年からは量産の為、VEB"Karl Marx" Erfurt(KME)のESO IIIに移管された。
U61000は国際的には511000に順じ、CMOS技術で1.2μmのプロセスルールで製造された18ピン樹脂パッケージ(U61000D)またはセラミックパッケージ(U61000C)がある。
内部は1024K×1ビットでアクセス時間は100 〜120ナノ秒である。メモリーチップは主にロボトロンコンピュータK 1820、K 1840、EC 1835に使用された。