磁気抵抗効果素子
異方向性磁気抵抗効果(AMR)、巨大磁気抵抗効果(GMR)、トンネル磁気抵抗効果(TMR)等、磁場によって変化する磁気抵抗効果を応用する。磁界の向きには関係なく磁界の強さで抵抗値が変化する。 アンチモン化インジウム (InSb) のような磁気抵抗効果を有する半導体を使用する。