ワイヤレスTSV
ワイヤレスTSVの試作例では、パケット通信を使用して上下のチップ間での信号のやり取りを行なった。 0.18μmのCMOSプロセスで試作した半導体チップ上には、金属配線層によって直径200μmの微小なコイルや400μmのシールドが作られた。従来だと25本必要だったワイヤ・ボンディングが電源線などの3本で済み、信号は磁界結合によるワイヤレスTSVで送信受信された。