金田寛
1970年代に、国が設置・運営する国立大学の一つである東北大学の大学院に進学し、理学研究科の物理学第一専攻(博士前期課程)と第二専攻(博士後期課程)にて学んだ。なお、後年になって「NaCl及びSi結晶の不純物トンネル励起による光吸収と弾性異常」と題した博士論文を執筆しており、それにより母校である東北大学から1995年に博士(理学)の学位が授与された。
これらの研究成果の主要な部分は、2006年から2013年までに発刊された Journal of Physical Society Japan に5本の論文として公開されている。これらの業績が評価され、のちに応用物理学会よりフェロー表彰がなされている。
2012年からは九州工業大学において、大村一郎教授とともに、パワーデバイス用シリコンウェーハのバルク品質評価技術の研究に従事した。ここでは、全く新規のバルクキャリア寿命(拡散長)評価原理を考案し、それに基づく実用評価技術と評価装置を開発した。この新原理では、自由キャリアを定常励起するYAGレーザビームと励起されたキャリアの濃度分布を計測する赤外レーザビームの二つが同時に用いられる。二つのレーザビームがウェーハ内で互いに平行になる光学配置が実現される。励起された自由キャリアの濃度勾配のために赤外レーザビームが屈折するという現象を見いだし、これを利用して自由キャリアの濃度分布(すなわち、拡散長)を計測する技術が確立された。
2008年には、大村一郎教授(九州工業大学)の協力を得て、山本秀和(三菱電機)、村上進(日立製作所)、鹿島一日兒(コバレントマテリアルズ)とともに国内研究会“パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会”を立ち上げた。