シリコンウェハー
ベベリング工程による機械的な研磨だけではウエハー端部のベベル面がまだ粗く、プロセスルールの微細化やウエハーの大口径化によって端部が治具等との接触で生じるわずかな塵の発生も見逃せなくなっている。エッジポリッシュ工程ではウエハーの端部(エッジ)を機械的化学的研磨 (CMP) によって鏡のように滑らかにする。
水"5"に対して、塩酸 (HCl) "1"と過酸化水素 (H2O2) "1"の低pHの酸性混合液
SC1で有機物汚染を除き、SC2でアルカリイオンやAlやFeといった陽イオンの除去を行なう。