ウィグナー結晶
により行われたこの実験では、GaAs/AlGaAsヘテロ接合のバンド構造とQPCによるとじこめポテンシャルを組み合わせて電子輸送方向と垂直な両横方向に対して電子をとじこめた1次元チャネルが形成された。この装置設計により1次元チャネル内の電子密度を横方向とじこめポテンシャルの強さとは比較的独立に変化させることが可能となり、クーロン反発が運動エネルギーよりも支配的となる領域での実験が可能となった。QPCのコンダクタンスはコンダクタンス量子(英語版)2e/hをステップ幅とする階段状になるが、この実験では最初のプラトーが消え、コンダクタンスの跳びが4e/hとなることが報告された。この変化は電子が並行な2つの列を形成したことが原因であると説明される。厳密な1次元系では、電子は直線上に等間隔にならんだ格子を形成するが、クーロン反発が横方向とじこめポテンシャルを上回ると、電子は並行する2つの列へと再構成される。Hew et al.が観測したこの2列結晶の証拠は1次元ウィグナー結晶の始まりへと向けた一歩かもしれない。
2018年には、横方向磁気集束と電荷・スピン検出を組み合わせることにより幅を調節可能な1次元量子ワイヤー上のウィグナー結晶の存在とそのスピン物性が直接的に観測された。これにより、直接的な証拠に加えてジグザグウィグナー結晶の構造・スピン相図の両方の性質についてよりよい理解がもたらされた。
小さなウィグナー結晶の形成の直接証拠は2019年にも報告されている。