PMOSロジック
PMOS回路は、NMOSロジックやCMOSロジックと比較して多くの欠点を抱えていた。複数の異なる電源電圧(正電圧と負電圧の両方)が必要であり、導電状態における消費電力も高かった。 全体的なスイッチング速度も遅かった。 PMOSは、論理回路やその他のデジタル回路を実装するためにpチャネルMOSFETを使っている。 PMOSトランジスタは、n型半導体の中に反転層を作ることによって動作する。 pチャネルとも呼ばれるこの反転層は、p型半導体で作られたソース端子とドレイン端子の間に正孔を導電することができる。
pチャネルは、ゲートと呼ばれる第3の端子に負電圧(-25 Vが一般的だった)を印加することによって生じる。 他のMOSFETのようにPMOSトランジスタは、4つの動作領域を持つ。つまり、遮断領域(cut-off/subthreshold)、線形領域(triode)、飽和領域(saturation/active)、そして速度飽和領域(velocity saturation)である。
PMOSロジックは、設計と製造が容易である(MOSFETは抵抗のように動作させることもできるので、回路全体をPMOS FETで作ることができる)。その一方で、いくつかの欠点がある。