ショットキー欠陥
ショットキー欠陥(ショットキーけっかん、英語: schottky defect)とは、結晶中において、格子点イオンが結晶の外に出た後に空孔が残った欠陥のこと。アルカリハライド結晶(NaCl、RbI、CsI など)にて観察される。ショットキー欠陥の生成により、密度が変化するが、電気伝導性は増加しない。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。
ショットキー欠陥の欠陥密度の式表現は、熱力学で知られているボルツマン分布や、より正確には統計力学のフェルミ・ディラック分布で表現される。 具体的に、ボルツマン分布で近似した場合、ショットキー欠陥の密度式は、以下のような式になる。
C = A exp  ( − E f k T ) {\displaystyle C=A\exp({\frac {-E_{f}}{kT}})}
ただし
C {\displaystyle C} :欠陥密度
A {\displaystyle A} :比例定数
E f {\displaystyle E_{f}} :空孔の形成に必要なエネルギー。(一般に、物質の融点が低いほど、空孔形成エネルギーは小さい。)
k {\displaystyle k} :ボルツマン係数
T {\displaystyle T} :絶対温度。(ケルビン単位。)
である。