希薄磁性半導体
(In, Mn)As (インジウムマンガン砒素)
(Ga, Mn)As (ガリウムマンガン砒素)
(Ga, Mn)N (ガリウムマンガンナイトライド)
(Zn, Cr)Te (ジンククロミウムテルライド)
(A, B)Cという書き方は、AサイトをBの原子が置換しているということを強調するために書かれる。いくつか流儀があり、これが絶対ではない。