極端紫外線リソグラフィ
現在のリソグラフィ光波長と比較して、EUVが波長を著しく縮小するのなら、それが著しくよりよい解決になると期待するだろう。しかし、解像度は結局、像の記録媒質(つまりフォトレジスト)中の相互作用量によって決定づけられる。上に言及されたように、EUVによって放出された低エネルギー電子はオリジナルのEUVイメージを不鮮明にするかもしれない。さらに、とりわけ1,500平方ナノメーター未満の特定エリアにおいては、統計的な効果がある。
EUV presents economic challenges
Industry mulls 6.7-nm wavelength EUV
5 %線量誤差は~ 1 nmのCDエラーに帰着すると判明した。100万接点の母集団における5 %線量誤差を避けるための最小線量はすべての世代で2倍となっているが、産業における目標線量は追いついていない。少なくとも最小線量を達成するために、処理能力は同じ比率で低減されるだろう。1ppmの母集団は平均線量から5の標準偏差である。 参考に、Nvidiaは2011年に次のように報告した。 ビア欠陥レベルは10億分の1である必要があり、その結果上記の最小線量はより厳密になる必要があるだろう。 参照: SPIE Proc. 8326-96, 8683-36, 8679-50 (2013)
部分的なコヒーレント光源は、数百から数千の点のそれぞれ独立した光子源の集合としてしばしば表現される。更に、一方の光源による異なる入射角に対しての多層膜反射率の非対称な変化は、他方によるものより実質的に明るい 。10光子/nmの線量における100万個の光子は(例えば100光源 x 10000光子/点)、100,000 nmの領域(~ 300 nm x 300 nm)をカバーし、はるかに理論分解能を超過する。
ショット雑音は、前にも述べたEUV光源出力の問題に強い影響がある。10 mJ/cmでは、中間焦点における出力は180 Wでなければならないが、現状高負荷サイクルにおいてそれはおよそ20 Wである。しかし、有意なショット雑音は最小線量が20 nm形状サイズで少なくとも47 mJ/cm(例えば20nmを20nmの半ピッチ線で切る)10 nm形状サイズでは187 mJ/cm(例えば10 nm接点を14 nmの半ピッチ線で切る)でなければならず、それゆえEUV光源出力はかつてないほど達成困難になりつつある目標であることを示している。