原子層堆積
Dynamic random-access memory(DRAM)キャパシタもALDのアプリケーションの一つである。個々の DRAMセルは1ビットのデータを保存でき、それぞれ一つのMOSトランジスタとキャパシタから構成されている。メモリ密度を更に増大させるために効果的なキャパシタのサイズ低減に努力が払われている。静電容量に影響することなくキャパシタのサイズを変えるには、スタック型やトレンチ型キャパシタなどの異なるセル形態が使われている。トレンチ型キャパシタなどの出現と共に、これらのタイプのキャパシタ製造、特に半導体サイズ微細化に関わる問題が明らかになってきた。ALDはトレンチ形状を100nmより先に推し進めた。材料単層を成膜できる特性により、材料の多様なコントロールが可能となった。不完全な膜成長の若干の問題(主に不足もしくは基板が低温であったため)を例外として、ALDは絶縁膜やバリア膜などの薄膜形成に有効な手段である。
金属ALDの用途は以下の通りである。
銅配線及びタングステンプラグ、或いは銅電気めっきのCuシード層やタングステンCVDのWシード層
銅配線バリア用途の遷移金属窒化物(TiN、TaN、WNなど)
FRAMやDRAMキャパシタ電極用途貴金属類
デュアルゲートMOSFET用途高/低仕事関数金属類