ダウォン・カーン
このデバイスは、2つの半導体層の間にナノメートルの厚さの金属層が挟まれており、金属がベースを形成し、半導体がエミッタとコレクタを形成する。薄い金属ナノ層ベースにおいて抵抗が小さく遷移時間が短いため、デバイスはバイポーラトランジスタと比較して高い周波数での動作が可能であった。彼らの先駆的な研究は、金属層(ベース)を単結晶半導体基板(コレクタ)の上に堆積することであり、エミッタは金属層(点接触)に上部又は尖っていない角がプレスされた結晶半導体片である。彼らはn型ゲルマニウム(n-Ge)上に厚さ10nmの金 (Au) 薄膜を堆積し、点接触はn型シリコン(n-Si)であった。
同僚のサイモン・ジィーとともに浮遊ゲートMOSFETを発明し、1967年に初めて報告した。彼らはまた、様々な形態の半導体メモリデバイスの基礎となる浮遊ゲートメモリセル(英語版)を発明した。1967年には浮遊ゲート不揮発性メモリを発明し、MOS半導体デバイスの浮遊ゲートがリプログラマブルROMのセルに使用できることを提案した。これは後にEPROM (erasable programmable ROM)、EEPROM (electrically erasable programmable ROM) やフラッシュメモリ技術の基礎となった。強誘電体半導体や発光材料の研究も行い、エレクトロルミネセンスの分野に重要な貢献をした。
ベル研究所を退職後、ニュージャージー州のNEC研究所(英語版)の初代所長となった。IEEEフェローであり、ベル研究所のフェローでもあった。破裂した大動脈瘤のための緊急手術後の合併症により死去した。
ダウォン・カーン(英語: Dawon Kahng、朝鮮語: 강대원、1931年5月4日 - 1992年5月13日)は、朝鮮系アメリカ人の電気工学者、発明家。固体電子工学(英語版)における業績で知られ、1959年にモハメド・アタラ(英語版)とともにMOSFETを発明したことで有名。アタラとともにMOSFET半導体デバイス製造のPMOSとNMOSプロセスを発展させた。MOSFETは、最も広く使用されているタイプのトランジスタであり、近年の電子機器の基本素子である。
カーンとアタラは後にMOS集積回路の概念を提案し、1960年代初頭にショットキーダイオードとナノ層ベーストランジスタに関する先駆的な研究を行った。その後、1967年にサイモン・ジィーとともに浮遊ゲートMOSFET(FGMOS)を発明した。カーンとジィーは、FGMOSは不揮発性メモリ(NVM)やリプログラマブルROM(ROM)の浮遊ゲートメモリセル(英語版)として使用できることを提案した。NVMやROMはEPROM (erasable programmable ROM)、EEPROM (electrically erasable programmable ROM)やフラッシュメモリ技術の基礎となった。2009年に全米発明家殿堂入りした。