トンネル磁気抵抗効果
トンネル磁気抵抗効果(とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect)とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
一般的には、二層の強磁性体の磁化が同じ方向を向いている場合(平行状態)に抵抗は低く、お互いに反対の方向を向いている場合(反平行状態)には抵抗が高い。
各種の記憶装置に応用されている。
MRAM
小容量の組み込み品が商用化されている。
HDD
磁気ヘッドはGMRヘッドからTMRヘッドへの移行を完了しつつある。
心磁計
従来は超伝導量子干渉素子(SQUID)を使用していたが、その場合、液体ヘリウムで極低温に冷却しなければならなかったがその代替として冷却の不要なTMR素子の適用が考えられる。
高梨弘毅. “トンネル磁気抵抗効果”. 東北大学. 2014年10月1日閲覧。