高電子移動度トランジスタ
SiC基板を用い、GaNあるいはInxGa1-xNをチャネルに用いたHEMT。通常の2次元電子ガス以外に、ピエゾ効果によるキャリアも期待できる。最大190V程度の耐圧が得られ、パワーアンプ等に用いられる。電子濃度、熱伝導率等にすぐれる。