半導体メモリ
ビットやバイト、ワード単位で書き換え DRAM SRAM FeRAM / MRAM / PRAM / ReRAM
ブロック単位で消去や書き込み フラッシュメモリ(NAND型とNOR型でブロックサイズは異なる)
PROM類 (Programmable ROM) OTP PROM (One Time Programable ROM) : 1回限りの書込みが行なえ、書き込み後は消去や書き換えが不能なもの。フューズROMともほぼ同義 EPROM : 数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込みに高い電圧を別途供給する必要があったが、現在ではチップ内部で生成するものがほとんどである。EPROMとも表記される。フラッシュメモリはこれの発展型である。
書き換え不能なもの マスクドROM : 集積回路のパターンとして製造時に情報が与えられ、その内容に固定で後からは変更できないもの。
OTP PROM / UV-EPROMは比較的古い技術になっており、少数の特殊な用途を除けば21世紀現在では使用されることはほとんどない。FeRAM / MRAM / PRAM / ReRAMは比較的新しい技術であり、DRAMやSRAM、フラッシュメモリを代替すべく発展途上である。