リン化インジウム
常温で安定な結晶構造は閃亜鉛鉱型構造(ジンクブレンド型構造)の化合物半導体。銀色の金属状化合物で、組成式InP。式量145.792、融点1062°C、比重4.81。半導体材料としての性質は、1.35eVのバンドギャップを持つIII-V族半導体であり、電子移動度は<0.54m2/Vs、ホール移動度は<0.02m2/Vsである。高電界下での電子移動度はシリコンやヒ化ガリウムより高い値となる。