トムソン散乱
となる。ここで c は真空中の光速、e は電気素量、ε0 は真空の誘電率、me は電子の質量である。
また、微細構造定数 α とリュードベリ定数 R∞ 及びボーア半径 a0 と古典電子半径 re をそれぞれ
α = e 2 4 π ε 0 ħ c , R ∞ = α 2 m e c 2 h , a 0 = α 4 π R ∞ , r e = α 2 a 0 {\displaystyle \alpha ={\frac {e^{2}}{4\pi \varepsilon _{0}\hbar c}},~R_{\infty }={\frac {\alpha ^{2}m_{\text{e}}c}{2h}},~a_{0}={\frac {\alpha }{4\pi R_{\infty }}},~r_{\text{e}}=\alpha ^{2}a_{0}}
と定義すると、トムソン断面積 σe は
σ e = 8 π 3 r e 2 {\displaystyle \sigma _{\text{e}}={\frac {8\pi }{3}}{r_{\text{e}}}^{2}}
と簡略化して表記する事が可能となる。ここで h はプランク定数、ħ はディラック定数である。