電界効果テトロード
I 2 = G 2 ( V 3 − V 4 ) [ 1 − 2 3 V p 1 / 2 ( V 3 − V 1 ) ( 3 / 2 ) − ( V 4 − V 2 ) ( 3 / 2 ) ( V 3 − V 1 ) − ( V 4 − V 2 ) ] {\displaystyle I_{2}=G_{2}(V_{3}-V_{4})\left[1-{\frac {2}{3V_{p}^{1/2}}}{\frac {(V_{3}-V_{1})^{(3/2)}-(V_{4}-V_{2})^{(3/2)}}{(V_{3}-V_{1})-(V_{4}-V_{2})}}\right]} ,
ここで、 G i {\displaystyle G_{i}} はチャネルの低電圧コンダクタンス、 V p {\displaystyle V_{p}} はピンチオフ電圧(各チャネルで同じと仮定)である。
電界効果テトロードは、信号電圧によって抵抗値が変調されない、高直線性特性の電子可変抵抗器(ポテンショメータ)として使用することができる。
信号電圧はバイアス電圧、ピンチオフ電圧、接合部耐圧を超えることがあり、その限界は散逸に依存する。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れる。信号は空乏層を変調しないので、電界効果四極トランジスタは高い周波数で機能する。同調比は非常に大きくすることができ、対称的なピンチオフ条件では、高抵抗の限界はメガオームの域に達する。