MEMSメモリ
強誘電体の分極の正負を記録情報の 1/0 に対応させる
いずれも不揮発性メモリで従来のフラッシュメモリ等の半導体記憶素子とは異なる原理で作動する。現在のHDDでは熱擾乱による磁化の消失の顕在化により、近い将来限界に達すると言われているので走査型プローブ顕微鏡の技術を応用することで1Tbit/inchを超える記録密度を持つ次世代の超高密度メモリの実現に向けて開発が進められる。
窒化シリコン膜/酸化シリコン膜(NO 膜)界面に電荷を蓄積する