ラムリサーチ
様々な工程を経て半導体は製造される。各工程で金属を含む無機物やポリマー化合物などの有機物の汚染物質が生じる。洗浄によりμm~nmオーダーの非常に微細な汚染物質を除去しなければならない。この汚染物質により半導体に欠陥が生じ、歩留まりに影響を及ぼす。この洗浄工程は、半導体の製造工程において25~30%を占めているとも言われ、歩留まり向上のための重要な工程である。洗浄には主にウェット洗浄とドライ洗浄があり現在はウェット洗浄が主流である。ウェット洗浄は水、塩酸、過酸化水素などを用いる洗浄方法である。ウェット洗浄は古くから研究されており、水を媒体としているため取扱いが容易である。一方、ドライ洗浄はプラズマ、レーザー、紫外線、オゾンなどを用いる洗浄方法である。薬液の表面張力による微細なパターンへのダメージが軽減される。
ラムリサーチは、ウェット洗浄の装置とウェハーのベベリング後の洗浄の装置を取り扱っている。最高16個のチャンバーを設置でき、3D構造などの要求の厳しい洗浄を可能にしたEOS®、洗浄によるパターンへのダメージ(溶液の表面張力によるパターン収縮、破損)や溶液の残留物が生じないDV-PRIME®やDAVINCI®がある。ほかにも、ウェハーのエッジ部分(ベベル)を洗浄するCORONUS®もある。ウェハーのエッジ部分を洗浄しなければ、後の工程でパーティクルや残留物が付着し欠陥が生じる。歩留まり向上に貢献している。