酸化亜鉛
透明で導電性を持つことから、液晶ディスプレイに使われる透明電極の材料や、半導体(酸化物半導体)でもあるため、2004年に東北大学金属材料研究所の研究グループによって青色発光ダイオードの開発が発表されて以降、発光デバイスなどへの応用も期待されていたが、耐酸性が極めて弱くリソグラフィーなどでの取り扱いが難しい。
ZnOのバンドギャップは、窒化ガリウム(GaN)と同じ程度の約 3.37 eVで励起子の束縛エネルギーが、他の半導体(GaN 28 meV, ZnSe 19 meV)と比べて、非常に大きい(60 meV)ことが特徴で、薄膜は圧電性を示す。半導体素子にはP型ZnOが必要不可欠だが、ZnOは酸素空孔や格子間位置亜鉛などの欠陥が電子を生成し易い。そのため、N型半導体になり易く、P型半導体を製造することが困難だった。しかし、近年、P型半導体の製造技術が開発され、発光ダイオードや紫外光半導体レーザーなどの用途への期待が高まりつつある。
2014年6月5日、大阪大学の芦田昌明らの研究チームが、酸化亜鉛を用いて世界最小の1 μmの球形結晶の製造に成功したと発表した。