パッケージ (電子部品)
PLCC(Plastic leaded chip carrier) はQFPの四方の端子をJ型に曲げたPlastic製のものである。QFJ(Quad Flat J-leaded Package)とも呼ばれる。LCCと名称が似ているが全く別のものである。Plasticでないものや素材を限定しないものはLCC(Leaded Chip Carrier)と呼ばれることがある。QFPより実装面積が小さくでき、ソケットによる実装も比較的多い。
SOP 上面図と拡大断面図
SOJ 上面図と拡大断面図
QFP 拡大断面図 図示されていないが、四方に端子が伸びる
PLCC 拡大断面図 四方に端子が出る
PoP (パッケージ・オン・パッケージ, Package on Package) とは複数のサブパッケージを積層して基板上に実装すること。普通はインターポーザーを使用したサブパッケージ間をはんだボールによって接続される。実装面積を減らすとともに配線長を短縮でき、KGDも検査できる。
剣山のように格子状にピンを立てたもの、特にセラミック製をCPGA(Ceramic PGA)、ソケット実装専用のプラスチック製をPPGA(Plastic PGA)と呼ぶ。エポキシモールドではなくフリップチップ接続によりインターポーザ上にダイを載せたFC-PGA(Flip Chip PGA)も通常はPPGAに含める。ソケットにより容易に交換できることから、パーソナルコンピュータのCPUのパッケージとして多く採用されている。
箱型・缶状のパッケージから、プリント基板やソケットに差し込むリード線を出した形態を基本とする。初期の集積回路を代表する形態であり、近年においてもピン数が少ないトランジスタ、IC等で使われている。
DO-35パッケージのダイオード1N60
上からTO-3,TO-126,TO-92,SOT-23
TO-5型メタルCANパッケージの例
半導体レーザーダイオード
CSPのようなダイに近いサイズで複数のダイを積層(スタック)することで実装面積とパッケージ容積を極限まで減らそうとしたもの。フリップ・チップやCSPで使用されている技術を応用することで、幾層ものダイ同士を積層して上下間はTSVやワイヤ・ボンディングで結線する。ダイサイズよりかなり大きくなるが、TBGAを積層することでも実現できる。
セラミック表面に電極パッドを設け、リード線を出さないパッケージ。インテルの80286などで使われた。QFN (Quad flat no lead package) とも呼ばれる。
「ディップ」と読み、プラスチック製、またはセラミック製の本体から両側面から多数の金属製の接続端子が出て下方へ伸びた外形をしている。
Ceramic-DIP(セラミック・ディップ)
リードフレームをあらかじめ挟み込んだセラミック製の容器にICチップを上部から入れてボンディングし、不活性ガス中で金属製の蓋をしたもの。リードフレームとピンは別々の部品であり、側面に露出したパッドにピンが1本ずつ金系はんだで取り付けられることからサイドブレイズドDIPとも呼ばれる。信頼性及び対候、耐震性が高いため、医療、航空機、軍事用に使用されている。
Cer-DIP(サー・ディップ、C-DIP)
ボンディングされたICチップとリードフレームを2枚のセラミック板で挟み、低融点ガラス(ハーメチック)で封止するもの。ハーメチック・ディップと表現するメーカーもある。セラミックDIP同様の長所を持ち、軍用・産業用に広く用いられている。
Plastic-DIP(プラスチック・ディップ、P-DIP)
ボンディングを済ませたICチップとリードフレームを金型に入れて樹脂を充填したもの。