純水
したがって、多くの逆浸透膜のシステムでは他の処理と組み合わせて利用されている。逆浸透膜法は、膜界面のイオンが溶解度を超え析出してくるため、一般に全量処理が困難である。したがって、膜界面の濃縮水を一部排水するクロスフローを取る。濃縮水をどこまで減少させられるかの指標は、一般的にはシリカである。シリカの原水含有量が少なければ濃縮水を少なくできるが、シリカが多い場合膜界面にシリカスケールを生成させ、膜が目詰まりする危険がある。必要に応じてリン酸系シリカ分散剤により回避できる場合もある。逆浸透膜単段では、平均イオン除去率が90~95%(電気伝導率規準)であり、ボイラー給水や半導体製造用水では、更にイオンを除去する必要があるため、イオン交換法やEDI法を後段処理に設けることが一般的であるが、逆浸透膜装置を多段化することで、イオン交換法と同等レベルの性能を持つ装置の採用例もある。膜への供給圧力を下げてもイオン除去率が維持できる膜の研究も進んでおり、各メーカーでコンパクト型装置も発売されており、純水製造の主たる位置を占めつつある。
活性炭を用いた方法は、水に不溶の微粒子や有機物、残留塩素の除去が可能で、供給した水のほぼ全量を採水できる。しかし、イオンは殆ど除去できず、浮遊物質は活性炭表面の微細な穴(マイクロポアー)を閉塞してしまうと有機物や残留塩素を除去できなくなるため、頻繁な活性炭の交換もしくは前処理が必要である。