秩父重英
慶應義塾中等部 卒業
慶應義塾高等学校 卒業
1986年3月 慶應義塾大学理工学部電気工学科 卒業
1988年 3月 慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻 修士課程修了 4月 東芝 総合研究所 電子部品研究所 光半導体デバイス担当
1990年4月 慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士課程
[94年3月修了・博士(工学)]
1994年4月 東京理科大学理工学部電気工学科 嘱託助手
(99年3月まで。99年度非常勤講師)
1995年10月 通産省工技院電子技術総合研究所 材料科学部非常勤研究員
(~2000年4月)
1997年 2月 独 国立ハーンマイトナー研究所訪問研究員 9月 米 カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料科学部常勤訪問研究員
1999年 4月 筑波大学助教授 物質工学系(5月 物理工学系配置換) 10月 理化学研究所フォトダイナミクス研究センター非常勤研究員
2001年10月 科学技術振興機構 ERATO中村不均一結晶PJ評価グループリーダー 筑波大学大学院数理物質科学研究科 助教授 電子・物理工学専攻(ERATO兼務)
2007年 東北大学多元物質科学研究所教授(多元設計研究部門 物理機能設計研究分野)
専門分野:「半導体光エレクトロニクス」の担い手であるIII族窒化物・II族酸化物半導体のエピタキシーとナノサイズ構造の形成、およびそれらの実空間・時間分解スペクトロスコピー評価とハイテク量子効果デバイス(紫外線・純青・純緑色半導体レーザーなど)への応用