ケイ酸ハフニウム(IV)
ケイ酸ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) silicate、HfSiO4)は、ハフニウムのケイ酸塩である。天然にはハフノンとして産出するが、多くの場合ジルコニウムを含む。ケイ酸ハフニウムのジルコニウム置換体がケイ酸ジルコニウム(英語版)(ジルコン)となる。融点2758度。
ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法(主にMOCVD)によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体(high-k dielectric)として使うことができる。