赤﨑勇
鹿児島県出身の半導体工学者。未来の万能光源とされLEDにおける高輝度青色発光ダイオードの源となる窒化ガリウム (GaN)結晶化の研究が知られており、世界の名立たる大学、産業界、研究所の研究者達が挑戦しながらも物性制御が非常に困難とされ撤退せざる得なかった、窒化ガリウムを半導体研究ではそれまで用いることがほとんどなかったMOCVD装置を用いる事を決断し、ウェハー上にはサファイア基板を用い、AlNによる低温堆積バッファ層技術 によって1985年、不可能視されていたGaN窒化ガリウム完全結晶化に世界で初めて成功する(『特許1708203/米国特許4855249』『特許3026087/米国特許5122845』)。そして理論上不可能とされた窒化ガリウムにおけるp型伝導特性の発見や、結晶構造における単位格子の相違から実現困難だとされた窒化物半導体発光ダイオードを、高輝度にする為に必要なp型半導体n型半導体のPN接合青色発光ダイオードを完成し、1989年に不可能に近いとされた待望の青色LEDの発明に成功する。1995年には世界初となる短波長半導体レーザー(青色レーザー)を開発し室温パルス発振を成功させた。