欠陥化学
O O × ⟵ → O i + V O {\displaystyle {\rm {O}}_{\rm {O}}^{\times }{\overrightarrow {\longleftarrow }}{\rm {O}}_{\rm {i}}^{}{\rm {+V}}_{\rm {O}}^{}}
但し、格子間の酸素原子は負の電荷を帯びやすく、酸素の空孔は正の電荷を帯びやすいため、実際には次のような反応が起きる場合が多い。 O O × ⟵ → O i ′′ + V O ∙ ∙ {\displaystyle {\rm {O}}_{\rm {O}}^{\times }{\overrightarrow {\longleftarrow }}{\rm {O}}_{\rm {i}}^{''}{\rm {+V}}_{\rm {O}}^{\bullet \bullet }}
半導体における伝導電子と正孔の対生成は次のように書ける。
n u l l ⟵ → e ′ + h ∙ {\displaystyle {\rm {null}}{\overrightarrow {\longleftarrow }}{\rm {e}}_{}^{'}{\rm {+h}}_{}^{\bullet }}
酸化アルミニウムの結晶におけるショットキー欠陥の生成反応は次のように書ける。
n u l l ⟵ → 2 V A l + 3 V O {\displaystyle {\rm {null}}{\overrightarrow {\longleftarrow }}{\rm {2V}}_{\rm {Al}}^{}{\rm {+3V}}_{\rm {O}}^{}}
但し、アルミニウムの空孔は負の電荷を帯びやすく、酸素の空孔は正の電荷を帯びやすいため、実際には次のような反応が起きる場合が多い。 n u l l ⟵ → 2 V A l ′′′ + 3 V O ∙ ∙ {\displaystyle {\rm {null}}{\overrightarrow {\longleftarrow }}{\rm {2V}}_{\rm {Al}}^{'''}{\rm {+3V}}_{\rm {O}}^{\bullet \bullet }}
酸化物の結晶における酸素原子のフレンケル欠陥の生成反応は次のように書ける。