ホットキャリア注入
半導体製造技術が発展し、より速く複雑な集積回路の需要が増加したことで、MOSFETは縮小した。
しかしIC動作時の供給電圧に比例して小さくすることは、前の世代との互換性、ノイズマージン、電力と遅れ要求、閾値電圧の非スケーリング、サブスレッショルドスロープ、寄生容量などの因子のため可能でなかった
その結果、内部電場は積極的に縮小したMOSFETで増加するし、キャリア速度の増加(飽和速度まで)という付加的な利益がついてくる。それゆえスイッチングスピードが増加する。しかしこれらのデバイスの長期間動作での大きな信頼性の問題も存在する。電場が大きいと、デバイスの信頼に影響するホットキャリア注入を誘起するためである。
MOSFETの電場が大きいと、ホットキャリアと呼ばれる高エネルギーキャリアが存在する。ホットキャリアは高いエネルギーと運動量を持ち、半導体から周囲の絶縁膜(ゲート酸化膜やサイドウォール酸化膜、SOI MOSFETの埋め込み酸化膜など)へ注入される。