電子線後方散乱回折法
走査電子顕微鏡(SEM)と組み合わせて、約60~70°傾斜した結晶性試料に電子線を照射し、試料からの反射電子を蛍光板に捉えることにより結晶構造を反映した菊池パターンを取得してビームの当たった一点からの結晶の方位情報を得る。次に電子ビームをスキャンし、対象領域の全測定点からの方位情報をソフト上で構築し、マッピング像を取得することによって試料の結晶方位・結晶粒・歪み・応力などの情報を得る。電子線回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができる。