光増幅器
半導体光増幅器は増幅に半導体を使用する光増幅器である。これらの増幅器はファブリーペローレーザーダイオードに構造が似ているが、端面で反射しない設計である。最近の設計では反射防止膜と導光路が斜めになることで端面の反射を0.001%以下に抑えている。共振による損失はレーザーの増幅より大きい。
半導体光増幅器は通常 GaAs/AlGaAs、InP/InGaAs、InP/InGaAsP、InP/InAlGaAs のようなIII-V属半導体やII-VI属半導体のような直接禁制帯半導体で作られる。これらの増幅器は光通信システムで用いられ波長が0.85 μm から1.6 μm で利得が最大30dBである。