ゲート絶縁膜
電界効果トランジスタに使用される最も初期のゲート絶縁膜は二酸化ケイ素(SiO2)であった。シリコンと二酸化シリコンの表面不動態化処理プロセスは、1950年代後半にベル研究所のモハメド・アタラによって開発され、最初のMOSFET(金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ)に使用された。現在でも二酸化シリコンはMOSFETのゲート絶縁膜として標準的に使用されている。