金属半導体接合
ショットキー障壁についてのショットキー=モット則は、半導体の真空電子親和力(またはイオン化エネルギー)と金属の真空仕事関数の差としてショットキー障壁高さを考える。
Φ B ( n ) ≈ Φ m e t a l − χ s e m i {\displaystyle \Phi _{\rm {B}}^{(n)}\approx \Phi _{\rm {metal}}-\chi _{\rm {semi}}}
このモデルは真空中の2つの物質を接合する思考実験から導出され、半導体-半導体接合でのアンダーソンの法則の考えと同様のものである。 多くの半導体で程度の差はあるがショットキー=モット則が成り立つ。
ショットキー=モット則では半導体のバンドベンディング(英語版)の存在を予言するが、ショットキー障壁の高さが正しくないことが実験的にわかっている。フェルミレベルピニングと呼ばれる現象は、バンドギャップ中の状態密度が存在する点をフェルミ準位に固定(ピニング)される。 フェルミ準位のピニングにより、ショットキー障壁高さは金属の仕事関数とほとんど無関係になる。
Φ B ≈ 1 2 E b a n d g a p {\displaystyle \Phi _{\rm {B}}\approx {\frac {1}{2}}E_{\rm {bandgap}}}