ロウハンマー
DRAM集積回路の密度の向上は、電荷を少ししか蓄えられない物理的に小さなメモリセルをもたらし、結果として動作のノイズマージン(英語版)は減少し、メモリセル相互間の電磁相互作用の度合いが増大し、データ損失の可能性が上昇した。 結果として外乱エラー (disturbance error) が観測された。それはメモリセルが相互の動作を妨害することにより、影響されたメモリセルに格納されたビットの値がランダムに変化することで明らかとなった。 外乱エラーについての指摘は1970年代初期にさかのぼる。初の商業的DRAM集積回路 (IC)・インテル1103以来、メモリセル間の絶縁性向上、製品検査の実施など、DRAMメーカーは種々の技術で外乱エラーを軽減してきた。 しかし研究者は2014年に、2012年・2013年に製造された商用のDDR3 SDRAMチップが外乱エラーの影響を受けることを確かめた。その中で、観測されたビット反転を導く副作用をロウハンマー (row hammer) と命名している 。
DDR3メモリでロウハンマーが起こる機会は、高いメモリセル密度に起因するメモリセル間相互作用の結果がもたらしたとはじめは考えられていたが、高速な DRAM 行選択動作が主な原因であると究明された。