多結晶シリコン
主な用途の一つは、MOSデバイスのためのゲート電極物質としてである。 ポリシリコンのゲートの電気伝導率は、ゲート上に金属(タングステンのようなもの)あるいは金属シリサイド(タングステンシリサイドのようなもの)を堆積することによって増大する可能性がある。 ポリシリコンは、抵抗器、導電体、あるいはシャロージャンクションとして使用される可能性もある。シャロージャンクションにおいて、ポリシリコン物質にドーピングを行うことによって得られた期待された電気伝導率を利用する。
ポリシリコンとアモルファスシリコン(a-Si)の主な違いは、ポリシリコンの電荷担体の移動度が10のべき乗倍大きく電界と光によるストレスにおいてより高い安定性を示すことである。 このことは、より複雑でより高速な電子回路をアモルファスシリコンと一緒にガラス基板上に作成することを可能にする。 ポリシリコンとアモルファスシリコンが同じ製造過程で使われるとき、ハイブリッドプロセッシングと呼ばれる。 小さな画素の大きさが必要とされるいくつかの事例(例えば、液晶プロジェクタ)で完全なポリシリコン活性層プロセス(complete polysilicon active layer process)も使用される。