サリサイド
サリサイドプロセスは、完全に形成されパターニングされた半導体デバイス(例えばトランジスタなど)の上に遷移金属薄膜を堆積することから始まる。遷移金属と半導体デバイスの活性領域(ソース、ドレイン、ゲート)で露出したシリコンとがウェハーが加熱されることで反応し、電気抵抗の小さい遷移金属シリサイドが形成する。遷移金属はウェハー上の二酸化ケイ素や窒化ケイ素などの絶縁体とは反応しない。この反応の後、残った遷移金属は化学エッチングによって除去され、デバイスの活性領域にのみシリサイド接触が残る。十分に集積化できる製造プロセスはより複雑で、アニール、表面処理、エッチングプロセスが加わる。