トンネル電界効果トランジスタ
サブスレッショルド振幅はトランジスタの速度に比例する(サブスレッショルド振幅が低いほどトランジスタはファンアウト(連続容量負荷)を速く充電することができる)。所与のトランジスタ速度と最大許容サブスレッショルドリークに対して、サブスレッショルドスロープは最小閾値電圧を定義する。スレッショルド電圧を下げることは、定電界スケーリングの概念において不可欠な部分である。2003年以降、主要な技術開発者はほぼ閾値電圧のスケーリングに固執しており、それにより供給電圧(技術的な理由により高性能デバイスに対する閾値電圧の少なくとも3倍にする必要がある)をスケーリングすることもできなかった。結果として、プロセッサの速度は2003年より前ほど速く向上しなかった(Beyond CMOS参照)。63 mV/decadeをはるかに下回るスロープを持つ量産可能なTFETの出現により、1990年より続くプロセッサ周波数が3年ごとに2倍になるスケーリング傾向を持続することができる。