集束イオンビーム
微細加工用のFIB装置では、ガリウム(Ga)イオンビームが用いられている。集束イオンビームを当てて試料表面の原子をはじきとばすこと(スパッタリング現象)によって試料を削ることができる。集束イオンビームは数100nmから数nmまで絞ることができるので、ナノ領域での加工が可能である。加速電圧と電流密度が高いほど加工速度も速くなるが、加工表面近傍のダメージ層も厚くなってしまう。また、はじき飛ばされた原子は、周辺に再堆積(リデポジション)する。90年代以降は、SEMあるいはTEM観察用の試料を作製する際にも、よくFIB加工装置が用いられている。