走査型静電容量顕微鏡法
拡散層のp/n極性の判定
LSIの内部の局所領域における拡散層形状評価
バイポーラトランジスタ・ダイオード・DMOS・IGBT等の半導体素子の拡散層形状評価
注入異常・リーク不良等の半導体素子の不良箇所の拡散層形状評価