ラムリサーチ
最先端のチップ設計においては、求められる膜の形状は非常に複雑であり、形状に適合した膜を安定して得る必要がある。また、膜内部の不純物・欠陥構造・内部応力等が膜の機械的・電気的特性に影響を与える。そのため、緻密で均一な膜を高い充填率にて成膜することが求められる。主に金属膜の成膜として、Cu、Wの薄膜を形成する装置を取り扱っている。 電界めっき成膜(ECD)によって低欠陥密度の多層配線用Cuの成膜を行うSARBE®、化学気相成長製膜(CVD)と原子層堆積(ALD)を組み合わせ、低フッ素濃度W薄膜を高生産性にて形成するALTUS®などがある。プラズマ化学気相成長成膜(PECVD)やプラズマ原子層堆積(PEALD)によって種々の酸化膜・窒化膜・カーバイド膜等の絶縁膜を高品質・均一な状態で形成するVECTOR®などがある。
ラムリサーチ株式会社(英: Lam Research Co.,Ltd.)は1980年デイビット・ラム(英語版)によって半導体の製造装置の製造、営業企画、顧客へのサービスを目的に設立された、カリフォルニア州フリーモントに本社を置く半導体製造装置メーカーである。半導体エッチング装置の分野ではトップシェアを誇り、アメリカ、日本、ヨーロッパ、アジアなど世界16ヶ国に活動拠点を置いている多国籍企業である。1984年3月にNASDAQ上場し、2022年には売り上げ高約172億ドル(円ベースで2.343兆円、平均為替レートを1ドル=136円で計算)に成長した。