降着円盤
ニコライ・シャクラとラシード・スニヤエフは1973年の論文において、ガス中の乱流が粘性を増加させる起源となることを提唱した。乱流が亜音速で渦の大きさの上限値が円盤の厚みであると仮定すると、円盤の粘性は ν = α c s H {\displaystyle \nu =\alpha c_{\rm {s}}H} と推定される。ここで c s {\displaystyle c_{\rm {s}}} は音速、 H {\displaystyle H} は円盤のスケールハイト、 α {\displaystyle \alpha } はゼロ (降着なし) から 1 程度の値を取るパラメータである。乱流物質中では ν ≈ v t u r b l t u r b {\displaystyle \nu \approx v_{\rm {turb}}l_{\rm {turb}}} となり、 v t u r b {\displaystyle v_{\rm {turb}}} はガスの平均的な運動に対する乱流セルの速度、 l t u r b {\displaystyle l_{\rm {turb}}} は最大乱流セルのサイズであり、 l t u r b ≈ H = c s / Ω {\displaystyle l_{\rm {turb}}\approx H=c_{\rm {s}}/\Omega } および v t u r b ≈ c s {\displaystyle v_{\rm {turb}}\approx c_{\rm {s}}} と推定される。