半絶縁性基板
半絶縁性基板(はんぜつえんせいきばん、英: semi-insulating substrate)とは、ヒ化ガリウムやリン化インジウム等の化合物半導体において、不純物を含まない(ドーピングされていない)基板において、高抵抗(比抵抗:数MΩ/□)を示すことを言う。化合物半導体が高周波素子の作成に有利な理由は、高い電子移動度を持っているだけでなく、基板がこの様に高抵抗を示し、リーク電流や対地容量を抑えることが可能であることが大きい。