ラザホージウム
後に、高精度のab initio計算により、ラザホージウム原子は、基底状態では6d 7sの価電子配置、励起エネルギーがわずか0.3-0.5 eVの低励起状態では6d 7s 7pの価電子配置を取ることが示された。
ジルコニウムやハフニウムのアナログとして、ラザホージウムは非常に安定で難溶性の酸化物RfO2を形成することが予測された。またハロゲンと反応して四ハロゲン化物RfX4を形成し、水と接触すると加水分解して酸ハロゲン化物となる。RfOX2を形成する。四ハロゲン化物は揮発性固体で、気相では単量体の四面体分子となる。
水溶液中では、Rfイオンはチタン(IV)ほど加水分解されず、その程度はジルコニウム及びハフニウムと同程度で、その結果、RfOを形成する。ハロゲン化物をハロゲン化物イオンで処理すると、錯イオンの形成が促進される。塩化物及び臭化物イオンを用いるとハロゲン化錯体RfCl6及びRfBr6が形成される。フッ化物錯体では、ジルコニウム及びハフニウムは、ヘプタ及びオクタ錯体を形成する傾向がある。従って、これより大きいラザホージウムイオンでは、RfF6、RfF7、RfF8の3つが形成される可能性がある。