ドレイン誘起障壁低下
ここで V T h D D {\displaystyle V_{Th}^{DD}} またはVtsatは供給電圧(高ドレイン電圧)で測定された閾値電圧、 V T h l o w {\displaystyle V_{Th}^{\mathrm {low} }} またはVtlinは非常に低いドレイン電圧で測定された閾値電圧で、一般的に0.05 Vまたは0.1 Vである。 V D D {\displaystyle V_{DD}} は供給電圧(高ドレイン電圧)、 V D l o w {\displaystyle V_{D}^{\mathrm {low} }} は(デバイスのI-V特性の線型部分での)低ドレイン電圧。 式の前のマイナスは、正の値のDIBLを保証する。 これは高ドレイン閾値電圧 V T h D D {\displaystyle V_{Th}^{DD}} は常に低ドレイン閾値電圧 V T h l o w {\displaystyle V_{Th}^{\mathrm {low} }} よりも小さいためである。一般的にDIBLの単位はmV/Vである。
DIBLは次の式が記述するようにデバイスの動作周波数も小さくできる。
Δ f f = − 2 D I B L V D D − V T h , {\displaystyle {\frac {\Delta f}{f}}=-{\frac {2\mathrm {DIBL} }{V_{DD}-V_{Th}}},}
ここで V D D {\displaystyle V_{DD}} は供給電圧、 V T h {\displaystyle V_{Th}} は閾値電圧である。