ハイブリッドπモデル
r o = v ds i d | v gs = 0 {\displaystyle r_{\text{o}}=\left.{\frac {v_{\text{ds}}}{i_{\text{d}}}}\right\vert _{v_{\text{gs}}=0}}
出力抵抗 r o {\displaystyle r_{\text{o}}} はチャネル長変調に依存するものであり、次のようにShichman-Hodgesモデルを用いて計算される 。
r o = 1 I D ( 1 λ + V DS ) = 1 I D ( V E L + V DS ) ≈ V E L I D {\displaystyle {\begin{aligned}r_{\text{o}}&={\frac {1}{I_{\text{D}}}}\left({\frac {1}{\lambda }}+V_{\text{DS}}\right)\\&={\frac {1}{I_{\text{D}}}}\left(V_{E}L+V_{\text{DS}}\right)\approx {\frac {V_{E}L}{I_{\text{D}}}}\end{aligned}}}
ここでは、以下に示すチャネル長変調係数λの近似を用いている。
λ = 1 V E L {\displaystyle \lambda ={\frac {1}{V_{E}L}}}
ここで、 V Eはフィッティング係数( 65 nmプロセスの場合は約4 V /μm)であり、 Lはチャネル長を表す。