飽和電流
飽和電流(saturation current, scale current)、より正確に逆飽和電流は、半導体ダイオードに逆バイアス電圧を印加した時にわずかに流れる逆電流である。中性領域から空乏層への少数キャリアの拡散によって引き起こされる。 逆飽和電流は、逆バイアス電圧との関連性は低く、温度依存性が高い。
理想のpn接合ダイオードに対する逆飽和電流 I S {\displaystyle I_{\text{S}}} は、
I S = q A n i 2 ( 1 N D D p τ p + 1 N A D n τ n ) {\displaystyle I_{\text{S}}=qAn_{\text{i}}^{2}\left({\frac {1}{N_{\text{D}}}}{\sqrt {\frac {D_{\text{p}}}{\tau _{\text{p}}}}}+{\frac {1}{N_{\text{A}}}}{\sqrt {\frac {D_{\text{n}}}{\tau _{\text{n}}}}}\right)}
各変数は以下の通りである。
q {\displaystyle q} : 電荷素量
A {\displaystyle A} : 断面積
D p , D n {\displaystyle D_{\text{p}},D_{\text{n}}} : それぞれ正孔と電子の質量拡散率(英語版)(拡散係数)