中川明夫
・2009年 9月 (株)東芝 退社
・2005年10月 (株)東芝 セミコンダクター社 首席技監
・1999年 4月 (株)東芝研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 技監
・1994年 4月 同材料デバイス研究所 第3研究所 研究主幹
・1988年 7月 総合研究所 電子部品研究所 研究開発グループ責任者
・1987年 4月 同電子部品研究所 研究開発グループ 主任研究員
・1981年 9月~1983年 2 月 米国マサチューセッツ州立大学客員研究員
・1974年 4月 東京芝浦電気入社
・1984 年 6月 東京大学大学院工学系研究科 工学博士
博士論文「改善した一次元半導体素子モデルとその素子設計及び動作解析への応用」
1980年代LSI用MOSFETの2次元デバイスシミュレータは世界各社で開発されたが、パワー素子用の2次元シミュレータは電子と正孔の両方を扱い、バンドギャップの縮小、フェルミ統計、SRHとオージェ再結合、不純物濃度依存キャリア寿命の効果等を含め、かつ500V以上の電圧が印可されるため数値計算の収束性が悪く実用化は難しいとされた。従来、ガウスの消去法で解くのは不可能とされた常識を覆し、係数行列を効率的に直接反転して解くプログラムを開発し、世界で初めてどのような条件下でも収束する2次元デバイスシミュレータの基本構造の開発に成功した。この結果、1982年初めてGTOの2次元ターンオフの解析に成功。1983年にはIGBTの設計に適用しターンオフメカニズムを詳細に解析することで前述したようにノンラッチアップIGBT構造の開発に結び付けた。
さらに、直接法だけでは計算速度が高速ではないため反復解法と組み合わせ、反復法が破綻したとき直接法を用いること、および任意の外部回路で計算ができるように外部回路のシミュレータと結合することで1988年に実用的パワー素子用のデバイスシミュレータTONADDEIIの開発に成功した。これによりパワー素子開発の効率化が促進した。例えば、(1)1990年、埋め込み酸化膜に電圧を持たせることで高耐圧を実現できる高耐圧SOI技術の検証、(2)1993年、IGBTにトレンチゲートを採用することで電子の注入が促進され、電圧降下が下がるため4500VのトレンチIGBT(IEGT)が実現できることを理論的に予測した。これにより4500V IGBTの事業化へとつながった。