成長接合型トランジスタ
チョクラルスキー法によってドナー不純物とアクセプタ不純物をともに少量含ませた溶融状態のゲルマニウムから単結晶を成長させながら引き上げる時に引き上げる速度を速くするとP型半導体が成長して遅くするとN型半導体が成長する現象を利用するレートグローン形と引き上げる過程で溶融材料中に加える不純物を変化させる事によりPN接合を形成するグローン拡散形がある。
1954年に世界で最初に発売されたトランジスタラジオのRegency TR-1に使用されたが、テキサスインスツルメンツ製の成長接合型トランジスタの歩留まりが低いのですぐに販売が中止された。その後、東京通信工業はこの問題を解決して1955年7月にTR-55を発売した。