1T-SRAM
1T-SRAM(1トランジスタSRAM)はMoSys社が開発した擬似SRAM技術である。
6T-SRAMの約半分の大きさであり、消費電力は半分以下であった。
これは「4倍密度」バージョンであり、より小さなキャパシタのためにほんの少し非標準の製造プロセスを使用する。
1T-SRAM-Rからさらに半分のサイズになった。これはウエハの製造コストをほんの少し上昇させるが、通常のDRAMの製造方法によるロジックの製造からのコスト上昇はない。