赤﨑勇
赤﨑 勇(あかさき いさむ、1929年〈昭和4年〉1月30日 - 2021年〈令和3年〉4月1日)は、日本の半導体工学者。位階は従三位。
学位は工学博士(名古屋大学・1964年)。名城大学大学院理工学研究科・特別栄誉終身教授、名城大学先端科学技術研究所所長、名古屋大学特別教授・名誉教授、名古屋大学赤﨑記念研究センターフェロー。京都大学名誉博士。日本学術会議栄誉会員、日本学士院会員。恩賜賞、文化勲章、文化功労者受章。『 高輝度青色発光ダイオードの発明 』で2014年度ノーベル物理学賞を受賞。
京都大学理学部卒業後、株式会社松下電器東京研究所基礎第4研究室長、松下技研株式会社半導体部長、名古屋大学工学部教授などを歴任した。
「赤﨑」の「﨑」は山偏に竒(いわゆる「たつさき」)であるが、JIS X 0208に収録されていない文字のため、赤崎 勇と表記されることも多い。
1999年 IEEEフェロー。
2002年 応用物理学会名誉会員、電気学会名誉員、電子情報通信学会フェロー・名誉会員、日本結晶成長学会フェロー・名誉会員。
2004・14年 日本工学アカデミー受賞会員。
2008年 全米技術アカデミー(NAE)外国人会員、米国物理学会(APS)会員、米国電気化学会(ECS)終身会員、米国材料科学会(MRS)会員。
2010年 日本学術会議栄誉会員。
2012年 名古屋大学高等研究院アカデミー、日本化学会名誉会員。
2013年 日本物理学会名誉会員、IEEEライフフェロー。
2014年 日本学士院会員。
H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki: “Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”, J. Crystal Growth, Vol. 115, pp. 648-651