圧抵抗効果
半導体の圧抵抗効果は幾何効果よりも数桁大きくなることがあり、 ゲルマニウムや多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコンカーバイド、単結晶シリコンなどのような物質に見られる。 これによって非常に高い感度の半導体歪ゲージが作れる。 精密な測定では金属歪ゲージと比較して、半導体歪ゲージは一般に環境条件(特に温度)に敏感なため、扱うのが難しい。
シリコンでは、ゲージファクターは大多数の金属と比較して2桁大きい。