薄膜トランジスタ
ゲート電極の位置・層(レイヤー)の配置で、4種類に大別される。
スタガード (staggered) 型
インバーテッド・スタガード (inverted staggered) 型
コープレーナー (coplanar) 型
インバーテッド・コープレーナー (inverted coplanar) 型
スタガード型はドレイン電極とソース電極がチャネル層を挟んでゲート電極と反対側に配置されている。コープレーナー型はドレイン電極とソース電極がゲート電極とチャネル層の同じ側面に配置されている。インバーテッド型は別にボトムゲート型とも呼ばれ、ゲート電極がチャネル層の下側に配置されている。
通常の MOSFET と異なり、印加されたゲート電圧によって蓄積層 (accumulation layer) を形成してコンダクタンスを制御する。これは通常の MOSFET が反転層 (inversion layer) を形成してコンダクタンスを制御するのとは大きく異なる。