バイポーラトランジスタ
冒頭の説明にもあるように、ベース-エミッタ間のダイオード接合に発生する電圧。通常、シリコントランジスタでは0.6V前後である。VBEはコレクタ電流が増加すると少しずつ上昇し、周囲温度が上がると下降する。ただし、コレクタ電流が増加するとトランジスタは発熱するため、結果的にはコレクタ電流が増加するとVBEは下降していく。このことは、回路の設計によっては熱暴走の原因になる。
エミッタ接地回路、ベース接地回路、コレクタ接地回路など、用途に応じて使い分けられる。通常、電圧増幅率、電流増幅率ともによいエミッタ接地回路が用いられる。詳しくは増幅回路の項目参照。
発振回路においては、接続方法によりいくつかの種類がある。
小さなベース電流に対して、その数十から数百倍のコレクタ電流が流れる。この性質を用いて増幅作用を行う。 コレクタ電流はコレクタ電圧が変動してもほぼ一定に保たれる(定電流特性)。 ベース-エミッタ間はダイオードと同じ構造であるため、ベース電流を流すためには、ベース-エミッタ間電圧を、閾値より高く保つ必要がある。この閾値を、接合部飽和電圧と呼び、シリコントランジスタの場合、室温で0.6 - 0.7ボルトの値をとる。また、この閾値をスイッチング動作に利用することも多い。
動作はすべて電流モード(入力電流に対して出力電流を得る)であるため、全体として動作時に消費する電力量が大きくなる。このため、大電力を扱う際には、電圧モード(入力電圧に対して出力電流もしくは出力電圧を得る)の電界効果型デバイス(真空管やFETなど)に比べると不利である。微小信号の増幅についても、トランジスタを動作させるだけの電流が得られなければ増幅機能は果たせないということになる。
スイッチング素子としては、ダイオード接合に電流を流す構造特有の少数キャリア蓄積効果のため、本質的に動作速度の限界があるが、スイッチのON/OFF制御信号として電流さえ流せれば電圧は接合部飽和電圧(一般的なシリコントランジスタで上記0.6 - 0.7V)しか必要としないため、電圧に制約のある用途では扱いやすいと言える。
極端な大電力や高周波などを除けば、高い増幅率や優れた量産適性で非常に廉価に入手できることから、民生・産業・航空宇宙・防衛の全ての分野で幅広く利用されている電子デバイスである。