オーミック接触
金属-半導体接触でのショットキー障壁の高さは、ショットキー=モット則と全く対照的に、半導体や金属の仕事関数の値にわずかしか依存しない。 半導体が異なればフェルミ準位のピン止めを示す程度も異なるが、高品質(低抵抗)なオーミック接触はシリコンやガリウムヒ素などの重要な半導体で作ることは通常難しい。
ショットキー=モット則は完全に間違いというわけではない。実際は、大きな仕事関数の金属はp型半導体と良い接触を作るが、小さい仕事関数の金属はn型半導体とよい接触を作る。残念ながらこのモデルの予測力は、この内容を超えて広がらないことが実験的に示されている。現実的な状況下では、接触金属は半導体表面と反応して新しい電子特性をもつ化合物を作る。界面での不純物層は、障壁を効果的に広げる。半導体の表面は再構成し、新しい電子状態を作る。 界面化学の詳細への接触抵抗の依存性は、課題である再現性のあるオーミック接触の製造を作ることである