絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
IGBTはサイリスタと同様にP-N-P-Nの4層からなる半導体素子でありながら、サイリスタ動作をさせずにMOSゲートで電流を制御できる素子である。このIGBT動作モードは1968年に山上倖三によって特許公報昭47-21739で最初に提案された。また、1978年にはB.W. Scharf とJ.D. Plummerが4層の横型サイリスタでこのIGBT動作モードを実験的に初めて確認している。この動作モードを持つ最初の縦型素子は1982年にB. J. BaligaがIEDMで論文を発表しており、また、同様な論文が1982年にJ.P. Russel等がIEEE Electron Device Letterに投稿している。このIGBT動作をする素子はInsulated-Gate Rectifier (IGR)、 Insulated-Gate Transistor (IGT)、 Conductivity-Modulated Field-Effect Transistor (COMFET)、やBipolar-mode MOSFETなどと呼ばれた。
J.D. Plummerは1978年に「4層のサイリスタでIGBTモードで動作する素子」を特許出願し、USP No.4199774が1980年に登録され、B1 Re33209が1995年に登録されている。
J.D. Plummerの「4層のサイリスタでIGBTモードで動作する素子」は電流が大きくなるとラッチアップしてサイリスタ動作に移るので、ラッチアップが必然的に起きてしまう問題がある。