プレーナー型トランジスタ
1947年12月に点接触型トランジスタが開発されて以降、合金接合型トランジスタ、成長接合型トランジスタ、メサ型トランジスタのような接合型トランジスタが開発されてきたが、それぞれ生産性が低くかったり、品質(特に高周波特性)が安定していないなど、一長一短があった。合金接合型トランジスタは量産性に関しては比較的優れていたものの、高周波特性を向上するためにベース層を薄くすれば、機械的強度が不足した。成長接合型トランジスタは品質が安定しなかった。拡散型トランジスタはベース層を薄く出来るので高周波特性が向上したものの、当時の拡散型トランジスタの一種であるメサ型トランジスタは生産性が低かった。1957年にベル研究所のカール・フロッシュとリンカーン・デリックによって選択拡散法が開発された事により、高周波特性が向上して品質が安定するようになった。
フェアチャイルド社のジャン・ヘルニが1959年5月にSi接合型トランジスタの製法として、Siプレーナー型トランジスタの製法を発表するとともに特許を申請した。