LADI
2002年にプリンストン大学のStephen Y. Chou達のグループが開発した。
ナノインプリント・リソグラフィと反応性イオンエッチングによって作製された石英の型をシリコン基板上にレーザーパルス光を照射して表面近傍を溶融させながら押し付けてパターンを転写する。
幅140nm、高さ110nm、長さ8~17μmの細線パターンの転写が確認され、反応性イオンエッチングで転写型の細線パターンに沿って作製した幅10nm、深さ15nmの溝の形状も転写できたとされる。
従来の高額な露光装置を使用せずに微細構造をシリコンウエハー上に250ns以下という極めて短時間で作成できるとされる。。