シリコンウェハー
エッチング工程ではそれまでに残ったウエハー表面の微細な凹凸を化学研磨によってさらに平滑にする。フッ酸 (HF) と硝酸 (HNO3) を純水か酢酸 (CH3COOH) で薄めた酸性エッチング液を使うものと、水酸化カリウム (KOH) と水酸化ナトリウム (NaOH) を純水で薄めたアルカリ性エッチング液を使うものとがある。アルカリ性の方が主体となる。
ウェハー1枚あたりに取れるチップの数が多ければ低コスト化に繋がるため、インゴットの直径は大口径化が進んでいる。MOSデバイス用には150 mm(6インチ)、200 mm(8インチ)、300 mm(12インチ)のものが一般的に使用される。ダイオード等のチップサイズの小さなものには未だに100 mm(4インチ)、125 mm(5インチ)のものも使われている。基本的にチップサイズの大きなMPUや、大量に生産してコストを低減する必要のあるメモリ(DRAMやフラッシュメモリ)には大口径のウェーハが使用され、300 mm化の進展も著しい。
また近年は450 mmのシリコンウェハーを開発する動きがあり、半導体メーカー数社によるコンソーシアム「G450C」も作られている。また一方で、450 mm化してもその開発コストを回収できるのか懸念する動きも見られる。
現在のシリコンウェーハの大部分はCz法によって製造されているため、Cz法の大まかなプロセスを示す。