FETバイオセンサ
電界効果トランジスタのゲート絶縁膜上に固体されたプローブ分子との特異的な相互作用に基づく測定対象物質の吸着(あるいは結合)は,その電荷に起因するFETデバイスの電気信号(ドレイン電流-ゲート電圧特性の変化)として検出される。ISFETセンサに酵素膜を被覆して酵素反応により、Hのようなイオン種の濃度が膜内に増加するように素子を作成すれば、仮に試料中に挟雑物中が多くてもその酵素に特異性を持つ基質の濃度に比例した電気信号を得ることが可能となる。