閾値電圧
酸化膜厚が閾値電圧に影響するのと同様に、温度もCMOSデバイスの閾値電圧に影響する。基板効果の式の一部を展開すると、
φ F = ( k T q ) ln  ( N A N i ) {\displaystyle \phi _{F}=\left({\frac {kT}{q}}\right)\ln {\left({\frac {N_{A}}{N_{i}}}\right)}}
ここで φ F {\displaystyle \phi _{F}} は接触電位の半分、 k {\displaystyle k} はボルツマン定数、 T {\displaystyle T} は温度、 q {\displaystyle q} は電気素量、 N A {\displaystyle N_{A}} はドーピングパラメータ、 N i {\displaystyle N_{i}} は基板の真性キャリア濃度である。
表面ポテンシャルは温度と直接的な関係であることがわかる。上を見ると、閾値電圧は直接的な関係はもたないが、しかし効果に無関係ではない。この変化はドーピングレベルに依存して一般的に−4 mV/Kと−2 mV/Kの間である。30 °Cの変化では、これは90 nmテクノロジーノードで一般的に用いられる500 mV設計パラメータから大きく変わる。