DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション
通常時の終端抵抗 (RTT Nominal)
DDR3 SDRAMでは省電力モード時などでもデバイスのデータの内容を保持するためにセルフリフレッシュモードを使える。セルフリフレッシュモードに入った場合、デバイスは外部クロックの入力無しでメモリデータの保持動作を行える。SREコマンドの入力でデバイスはセルフリフレッシュモードに入る。
SREコマンドはアイドル状態でなければ受け付けない。SREコマンド前にバンクプリチャージを行い、かつtRPが経過していなければならない。またODTをオフにしておかなければならない。ODTをオフにするはODTピンをローにするかMR1でODT無効にする。セルフリフレッシュ中はCKEはローに保たなければならない。セルフリフレッシュ開始時にDLLは一旦オフにされ、セルフリフレッシュ終了時にDLLは再度有効になる。
セルフリフレッシュモード中はCKEとRESET#を除く全てのピンからの入力は無効となる。当然、電源やVref(参照電圧)ピンは適正な電圧を維持しなければならない。
スタブの距離を短くする。
ODTはデバイス内部に終端抵抗を設けることで、部品点数を増やしコストを増大させることなくデバイス端での反射波を抑制し高速なデータ転送に必要な波形品質を確保している。ODTはDDR2 SDRAMから導入されている。
DDR3 SDRAMではDQ, DQS, DQS#, DM, TDQS, TDQS#(x8デバイスでTDQSを利用する場合のみ)の終端抵抗のオン/オフのコントロールをODTピンの入力で行うことができる。ODTピンからの入力がハイのときODTはオンに、ローのときODTはオフになる。ただしMR1:A2,A6,A9でODT無効を選択した場合はODTピンの入力によらずODTは常にオフとなる。ODT オフ時セルフリフレッシュの動作は保証されない。ODT オン時の抵抗値 (RTT) はMR1:A2,A6,A9で指定した値となる。