歪みシリコン
歪みシリコン(ひずみシリコン)は、半導体演算素子の高速化技術の1つである。シリコン結晶の表面の半導体を構築する部分だけを層状に、シリコン原子同士の間隔を広くした結晶構造であり、その技術とそれから得られるウェハー製品である。シリコン結晶内のシリコン原子同士の間隔が広がることで、自由電子の有効質量が小さくなり、これらの電子が移動しやすくなる。電子の移動度が向上することで半導体素子の高速動作が可能となり抵抗値の減少によって消費電力も少なくなる。通常は表面の面内方向に対し等方的な歪み、つまり2軸性歪みとなる。
基本的な製造方法は、通常のシリコンウェハーを土台として、その上にゲルマニウムを添加したシリコン(シリコンゲルマニウム)を薄く結晶成長させ、その上にさらにシリコン結晶層を築くことである。歪みシリコン加工による一般的な効果は、動作速度が十数%程度向上する点である。