伊賀健一
1977年に面発光レーザーのアイデアを提案した。
1979年に東京工業大学でVCSELの最初のデモンストレーションを行って以来、このレーザーの基本的な技術的および理論的基盤を確立し、この分野で多くの研究に影響を与えた。光通信,オプトエレクトロニクスの分野に大きな影響を及ぼした。
主にギガビットイーサネット、ファイバーチャネル、および高速光相互接続用のレーザーの約75%がVCSELによるものである。さらに、デジタルデータ転送、高解像度フルカラーレーザープリンター、光自由空間通信、光マウス、スマートフォンでの3D顔認識、LiDARなど、VCSELのさまざまなアプリケーションが進行中である。
伊賀はまた、屈折率分布型平面マイクロレンズアレイを利用したマイクロオプティクスの積極的な推進者であり、面発光レーザーと組み合わせた2Dアレイ光学デバイスの実現という夢に向かって取り組んできた(参考文献:東京工業大学名誉教授の研究)。
初期のキャリアでは、光ファイバーによる光および画像伝送に関する理論的および実験的作業を行った。1979年、平板マイクロレンズアレイを提案して実現した。
伊賀が1982年に「3D積層光集積回路」と名付けた概念は、大規模な3D並列光学システムとして発展している。
1981年に応用物理学会で微小光学研究会を組織し、1988年から現在まで代表を務める。微小光学の研究をリードしている。
面発光半導体レーザーの最初のアイデアに基づいて、この新しい構造に関する解析的および実験的研究を行った[2008IGA]。GaInAsP / InPデバイスからの垂直発光に関する概念と最初の実験結果は、1978年3月に日本で開催された第25回応用物理学会春季会議で発表された[1978IGA]。
2番目の発表は、1978年11月に日本で開催された第26回応用物理学会秋の会議であった[1978KIT]。この論文は、垂直共振器型レーザーのミラー反射率の分析と、凸面鏡面を備えた垂直共振器形成に関する実験の結果で構成されていた。
1979年、図2に示すデバイスによって,77 Kのパルス注入電流条件下でGaInAsP / InPVCSELの発振動作を実証した[1979SOD]。これは、電流注入されたVCSELレーザー発振の最初のデモンストレーションであり、実用的なデバイスとしてのVCSELの可能性を示したものである。