相変化メモリ
1960年代、エナジー・コンバージョン・デバイセズ社のスタンフォード・ロバート・オブシンスキーは初めてメモリとしての可能性を持つカルコゲナイドガラスの性質について研究した。1969年には、C. H. Sieらはアイオワ州立大学にてカルコゲナイドガラスとダイオードアレイを集積化することで相変化メモリとして利用できることを示す論文を出版した。
1970年代に行われた研究によって、カルコゲナイドガラスでのPCMの起源は電界誘起での細線結晶成長が関わっているということが明らかにされた。1970年の9月、Intel社の共同設立者であるゴードン・ムーアは、PCMに関する記事をElectronicsに投稿したが、当時は品質や消費電力に問題があるとされPCM技術の実用化には至らなかった。
近年では、フラッシュメモリやDRAM技術が微細化の限界に達しつつある中で再び注目を浴び、研究されるようになっている。
PCMの問題点は、書き込み電流密度が大きいことである(>10 A/cm2)。相変化が起きる高温部分とそれに接する絶縁体との間のコンタクトもまた大きな問題である。この絶縁体は高い温度ではリークしてしまう可能性や、相変化物質とは異なる割合で膨張すると密着性が悪くなるという懸念がある。
PCMは書き込み時のレイテンシが大きいことと、高い消費電力によりこれまで実用は困難であったが、近年ではこの問題を解決するための多くの技術が提案されている。
相変化メモリは、「書き込み時に急速に相変化させたい / 待機状態では相変化させたくない」というトレードオフが存在する。これは主に相変化が電気的でなく熱的に起こるものだからである。結晶化温度は常温と近すぎてはならない。近すぎると、データを長い間保持することはできないからである。結晶化に至るまでに適当な活性化エネルギーがあれば、書き込み時のみに急速に結晶化し、通常動作では殆ど結晶化が進まないような動作も可能である。