磁気抵抗メモリ
DRAMの性能は、セルに貯める電荷の充放電の速度によって制限される。MRAMは電荷変化よりもむしろ電圧(抵抗)変化によって読出しを行うため、必要とされる「セトリングタイム」が小さいという利点がある。
フラッシュメモリとの違いはより顕著である、すなわち、MRAMはフラッシュと比較して書き込み時間が数千倍高速である。
動作速度の観点からMRAMと比肩するのは、SRAM(Static RAM)である。SRAMはフリップフロップの幾つかのトランジスタから成るが、電源がオンの間だけ0、1の二状態を保持することができる。
フリップフロップのトランジスタは非常に小さな電力しか消費しないため、スイッチング時間は非常に短い。しかしながら、SRAMセルは通常4あるいは6つのトランジスタから成るため、そのセル密度はDRAMよりも低く、また高価である。これゆえ、SRAMはCPUのキャッシュのように高速動作が要求される限られた部分にしか使用されていない。
MRAMはSRAMほど高速ではないものの、SRAMを代替する用途への応用も考えられる。SRAMよりも高いセル密度を有するため、「容量はずっと大きいが速度がやや遅いキャッシュ」としての役割を将来的には果たすかもしれないだろう。