拡散型トランジスタ
P型半導体基板結晶上にN型およびP型の両ドーパントを含む半導体の粉末を乗せて一気に表面を加熱して表面だけを溶融して一気に冷却する事により、P型及びN型のドーパントの拡散速度の違いを利用して短時間でトランジスタの構造を形成する。