自己組織化リソグラフィ
300mmウェハー上のDSAパターンは、すでに研究開発レベルでは試作されているが、パターン形成に必要なテンプレートの作製にはフォトリソグラフィが使われていてテンプレートの解像度や形状制御に限界がある。
20nm以降の微細パターニングが可能な次世代半導体製造技術として期待される。