DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション
アディティブレイテンシ (Additive Latency)
ここで、対象デバイスの T s e n s {\displaystyle T_{sens}} および V s e n s {\displaystyle V_{sens}} のスペックが T s e n s = 2.0 [ % / ∘ C ] {\displaystyle T_{sens}=2.0^{[\%/^{\circ }C]}} T d r i f t r a t e = 0.20 [ % / m V ] {\displaystyle T_{driftrate}=0.20^{[\%/mV]}\,} であり、システム環境が V s e n s = 1.0 [ ∘ C / s ] {\displaystyle V_{sens}=1.0^{[^{\circ }C/s]}} V d r i f t r a t e = 5 [ m V / s ] {\displaystyle V_{driftrate}=5^{[mV/s]}\,} で、あたえられるときZQCSコマンド間隔の推奨値 Δ Z Q C S {\displaystyle \Delta ZQCS} は以下のように求めることができる。
出力ドライバインピーダンスを指定する。RZQ=240Ω。データピンの出力ドライバは240Ωの抵抗をプルアップ・プルダウン用に7個ずつ持っている。この抵抗の一部あるいは全部を有効・無効にすることで出力インピーダンスを調整する。この出力抵抗回路はRTT_Nom/RTT_WRで指定する終端抵抗と共有している。
テストモードはデバイス生産時にのみ使用されるテスト用のモードである。通常は使用してはならない。テストモードでデバイスがどのように動作するかは未定義。おそらくデバイスメーカによってテストモードの動作は異なる。
CASレイテンシはリードコマンドが有効になってから実際にデータが出力されるまでの遅延サイクル数を指す。リードコマンドを入力してからデータが出てくるまでの遅延サイクルであるリードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) とCLの和になる。CASレイテンシはデバイススペックや実動作速度で設定できる値が異なる。詳しくは各デバイスのスペックシートを参照すること。
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAMにおける電流スペックと測定条件
DLLイネーブル (DLL enable)
DLLリセット (DLL Reset)