抵抗変化型メモリ
その後、2004年にはサムスン電子が酸化ニッケルを使い、2005年にはアメリカのスパンション社が酸化銅に窒化チタン・銅の電極の組み合わせ、2006年には富士通が二酸化チタンと白金電極でReRAMデバイスを作製した 。この他、インテルが2005年からReRAMの研究会を主催している。NAND型フラッシュメモリなどの代替を念頭に、2010年頃の実用化を各社が目指した。
2011年5月、パナソニックがReRAMの世界初の量産化を発表した。2メガビット級の製品を2011年末にサンプル出荷、その後2012年から量産に入る計画。従来のフラッシュメモリーに比べて処理速度で10倍ほど上回り、テレビなどの待機電力を従来の3分の1以下に抑えられるとした。
2012年 1月、エルピーダメモリが回路線幅50nmで64Mビット試作メモリセルの動作を確認、今後は2013年に30nmプロセスで容量がギガビット級のReRAMの量産を目指す。 5月には、会社更生法を適用したエルピーダメモリを、マイクロン・テクノロジ社が支援する事を表明。 6月には中央大学がReRAMとNANDフラッシュメモリを組み合わせたSSDのアーキテクチャを開発した。
2015年に発表された3D XPoint(Optane)は、抵抗変化型メモリとは異なると主張されているが、似ているという指摘もある。