浮遊ゲートMOSFET
浮遊ゲートMOSFET(ふゆうゲートMOSFET、floating-gate MOSFET、FGMOS)とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。 FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。 FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。 FG中の電荷量を変更するために、Fowler-Nordheimトンネル効果やホットキャリア注入が通常用いられる。
FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、デジタルポテンショメータ、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、