メタルゲート
NMOSとPMOS技術において、ゲート構造に与えられる正の電圧は、正に帯電したゲートのすぐ下での正に帯電したナトリウム不純物をゲート絶縁膜に拡散させ、あまり正に帯電していないチャネル表面へ移動させ、正のナトリウム電荷がチャネル形成により大きな効果をもつ。よってNチャネルトランジスタの閾値電圧を低下させ、徐々に故障を引き起こす可能性がある。それまでのPMOS技術は、この効果に対して敏感ではなかった。なぜなら正に帯電したナトリウムは負に帯電したゲートに自然に引き付けられ、チャネルから離れ、閾値電圧のシフトを最小化したためである。(1970年代の)Nチャネル、金属ゲートプロセスは、その時代では達成が難しい非常に高い水準の清浄度(ナトリウムが無いこと)を必要とし、高い製造コストとなった。