マルチゲート素子
プレナー・ダブルゲート・トランジスタは、非プレナー型の垂直トランジスタ構造でのより厳しい光学印刷技術を避けて(層の上に層を重ねた)従来型のプレナー型の製造技術でダブルゲート素子を構築したものである。 プレナー・ダブルゲート・トランジスタでは、チャンネルは、2つの独立して作られたゲート/ゲート酸化積層の間に挟み込まれている。 このような構造での最初の挑戦は、下層と上層との間でセルフ・アライメントさせることで実現できた。
マルチゲート素子(マルチゲートそし、英: multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET)とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。
マルチゲートは、電気的には単一ゲートのように振舞う複数のゲート面が単一ゲート電極として制御するものや、個別のゲート電極として制御を行うものがある。 マルチゲート素子が持つ個別のゲート電極は、MIGFETと呼ばれることがある。