ラム–ディッケ領域
ラム–ディッケ領域では、自発的崩壊は主にキュービットの内部遷移の周波数(キャリア周波数)で起こり、したがってイオンの運動状態はほとんどの時間で影響を受けない。この条件は分解サイドバンド冷却(英語版)が効率的に働くために必要である。
ラム–ディッケ領域に到達することはイオンのコヒーレント操作を実行する際に利用される多くの方式において必要である。したがって、これらの手法で量子もつれを起こすためのイオンの上限温度がこれにより決まる。イオンへのレーザーパルスによる操作中、イオンはレーザー冷却することができない。そのため、事前の冷却により量子もつれを起こさせる操作が終わるまでラム–ディッケ領域からはずれないような温度にまであらかじめ下げておくことが必要である。