慣性静電閉じ込め核融合
IECF が中性子を発生させる原理は内壁が陽極を兼ねる真空容器の中央部に幾何学的透過率の高い陰極を配置して数十 kV以上の負の高電圧を印加することで荷電粒子を生成して、それらの荷電粒子は電極間の電位差により、装置の中心へ加速して陰極グリッドを通過し、中心部の電位を上昇させ、陰極の反対側へと通り抜け、通り抜けたイオンは減速して再度中央部へと加速される。この加速・減速を繰り返す周回荷電粒子により、周回荷電粒子同士、周回荷電粒子と背景粒子、周回荷電粒子がプラズマ内で中性化した加速中性粒子と背景粒子の衝突が発生する。また、イオンの一部は陰極に衝突し、2次電子を放出させる。この2次電子は陰極中心部の荷電粒子の電位により加速されるが、電子は荷電粒子よりも収束性が良いため中心部にポテンシャル井戸を形成して、そのポテンシャル井戸に荷電粒子が引き込まれることにより、荷電粒子同士の衝突確率が飛躍的に増大し、核融合反応率が向上して、この衝突時に粒子密度や速度などに依存する確率的核融合反応を引き起こすとされる。
従来は大型の原子炉を使用していた大口径で高品位な半導体製造に有効な中性子核変換ドーピングを小型で廉価な IECF で実現する。