赤﨑勇
2002年 武田賞(武田科学振興財団)
2003年 日本学術会議会長賞
2003年 SSDM 国際電子デバイス会議 International Conference on Solid State Devices & Materials Award
2004年 P&Iパテント・オブ・ザ・イヤー
2006年 日本結晶成長学会第1回業績賞
2006年 TMS John Bardeen Award
2006年 The Outstanding Achievement Award
2007年 日本学術振興会特別功績賞
2008年 National Academy of Engineering Foreign Associate
2009年 京都賞先端技術部門
2011年 IEEEエジソンメダル
2011年 科学技術振興機構知的財産特別貢献賞
2013年 カール・フェルディナント・ブラウン賞
2014年 日本学術振興会 光電相互変換(第125委員会)特別功績賞
2014年 恩賜賞・日本学士院賞
2014年 ノーベル物理学賞
2015年 Asia Game Changers Award
2015年チャールズ・スターク・ドレイパー賞(全米技術アカデミー)
2016年 UNESCO MEDAL (ナノテクノロジーとナノサイエンスの発展に対し卓越した貢献について)
2021年 エリザベス女王工学賞(The Queen Elizabeth Prize for Engineering)
1968年にはモスクワで開かれた半導体物理国際会議で世界最高の電子移動度を誇るGaAs半導体を発表し世界の研究者から大いに注目を浴びている。その後、世界最高となる赤色LED、緑色LEDを完成させ、1979年10月、世界にLEDを誕生させたアメリカのイリノイ大学にわずかに遅れること、世界で2番目となる日本初の赤色レーザーを発振させることに成功させた。1981年、松下技研半導体部長を辞職し以前から要請の出ていた名古屋大学に復帰し、工学部電子工学科教授に就任。大学では異例となる独自の研究室を赴任初年度に開設される。赤崎研究室には最初の指導学生となる天野浩・名古屋大学特別教授や国立研究開発法人NIMS物質・材料研究機構の小出康夫理事らが在籍し、助教授時代にはIOCG国際結晶成長機構会長や日本結晶成長学会会長などを歴任した西永頌東京大学名誉教授らが教え子にいるなど、数多くの門下生達を優秀な科学者に育て上げ輩出したことで学界でも著名である。
1992年に名古屋大学を定年退官。1992年からは名城大学理工学部教授に就任した。2021年4月1日、気管支肺炎のため、名古屋市内の病院にて死去。92歳没。死没日をもって従三位に叙される。ノーベル物理学賞受賞後も名城大学大学院理工学研究科特別栄誉終身教授、名古屋大学特別教授・名誉教授、名古屋大学赤﨑記念研究センターリサーチフェローを務めた。
Effects of AlN Buffer Layer on Crystallographic Structure and on Electrical and Optical Properties of GaN and Ga1-xAlxN (0<x≤0.4) Films Grown on Sapphire Substrate by MOVPE (Akasaki, I., Amano, H., Koide, Y., Hiramatsu, K. and Sawaki, N.). Journal of Crystal Growth 98: 209-219.
P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI) (Amano, H., Kito, M., Hiramatsu, K. and Akasaki, I.). Japanese Journal of Applied Physics 28: L2112-L2114.
1989年 日本結晶成長学会論文賞
1994年 Optoelectronics Conference Special Award | オプトエレクトロニクス会議特別賞
1994年 日本結晶成長学会創立20周年記念技術貢献賞
1995年 Heinrich Welker Gold Medal | ハインリッヒ・ヴェルカー・ゴールドメダル
1995年 化合物半導体国際シンポジウム賞
1996年 IEEE Society Lasers and Electro-Optics Society's Engineering Achievement Award
1998年 井上春成賞(井上春成賞委員会)
1998年 国際結晶成長機構(IOCG)ローディス賞
1998年 応用物理学会会誌賞
1998年 C&C賞(NEC C&C財団)
1998年 IEEEジャック・A・モートン賞
1998年 英国ランク賞
1999年 ECS Solid State Science & Technology w:Award
1999年 Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology
2000年 朝日賞(朝日新聞文化財団)
2000年 東レ科学技術賞(東レ科学振興会)
2002年 藤原賞(藤原科学公益財団)
2002年 応用物理学会業績賞
京都大学理学部卒業後、1952年、錚々たる半導体研究者達が在籍し、ソニーと並び称された神戸工業(現デンソーテン)に入社、日本のテレビ放送幕開けとなる国産によるブラウン管開発を担当する。1959年、神戸工業の上司で半導体素子研究や電子放射分野の大家であった京都大学の先輩にあたる有住徹弥真空管部長が、名古屋大学工学部電子工学科教授に転出するのに伴い、名古屋大学有住研究室(日本の大学で初めて開設された半導体学部門) の助手になるよう誘いを受ける。唐突なことだったので当初断わったが強い要請により名古屋大学有住研究室で学究生活に入ることになり、助手、講師、助教授を務め、博士論文『 Geの気相成長に関する研究 』 で名古屋大学工学博士。
1964年ナショナル創業者松下幸之助の熱望で新しく創られたばかりの松下電器東京研究所に所長の小池勇二郎からスカウトされ招聘されることになるが、日本の理系エリートが集まる基礎研究所として名高かった日本電信電話公社(現NTT)電気通信研究所からも強くスカウトを受けることになる。そして選りすぐりの研究者が招聘された松下電器東京研究所では32才にして一番若い研究室長と迎えられた以後、基礎第4研究室長を務めたのち松下技研株式会社半導体部長に就任する。研究所ではGaAsやGaP、AlNを中心とするIII-V族半導体、及び混晶(GaAsP, GaInP, GaInAsPなど)の各種結晶成長(化学気相成長、物理気相成長、エピタキシャル成長、HVPEハイドライド気相成長法、MBE分子線エピタキシー法、融液成長、液体封止高圧引き上げ成長など)及び電気、光学性質に関する目覚しい研究業績をあげる。
Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode”, Inst. Phys. Conf. Ser., No. 63, Chap. 10, pp. 479-484