シリコンウェハー
また、融解シリコンから出たSiOガスが炉内のヒーターとして使われるグラファイトと反応してCOやCO2が発生している。これを放置すると融解シリコンに溶け込み結晶中に取り込まれて炭素濃度を高めることになるのでこのためにもアルゴンガスで排気されている。偏析係数が1より小さい炭素 (0.07) や窒素 (7×10-4) 、ホウ素 (0.8) 、リン (0.35) といった不純物の濃度は結晶の成長に従って石英るつぼ中の融解シリコン液の減少により徐々に濃くなるため、結晶成長初期より終期の方が結晶中に取り込まれる不純物の濃度は高くなる。偏析係数が1より大きい不純物はこの逆の効果が起きる。酸素の偏析係数が1より大きいか小さいかは結論が出ていない。ドーパントとしてリンよりホウ素が選ばれるのは偏析による偏りが比較的小さいためである。
CZ法は大口径の単結晶が作りやすく、2000年代現在では量産半導体で使用される[100]方位の大口径ウェハー用の単結晶インゴットは、すべてこの方法により作られている。例外として結晶の成長方向にそって抵抗率の変化が大きいという問題により、パワーデバイスにはあまり用いられない。
スライス→面取り→ラップ→エッチング→ドナーキラー→精面取り→研磨
工程間には汚れを取り除くため、RCA洗浄をベースにした各種洗浄が用いられる。
X線方位測定によって結晶方位を測定し、後の工程で方位が判るように所定の位置に「オリエンテーションフラット」 (orientation flat; OF) 又は「ノッチ」を刻み込む。
より表面欠陥密度の低い高品質のウエハーを求める要求に応じてさらに加工が行なわれ、エピタキシャル・ウエハー (Epitaxial wafer) とアニール・ウエハー (Annealed wafer) 、そして特殊な要求に応じたものとしてSOIウエハー (Semiconductor On Insulator wafer, Silicon On Insulator wafer) が作られる。これらの加工を行なわないものはポリッシュッド・ウエハー (Polished wafer, PW) と呼ばれる。
エピタキシャル・ウエハーはシリコン単結晶層を気相成長で数μm堆積したものである。この過程でボロンを10cm程度添加するP+ウエハーがある。
アニール・ウエハーはアルゴン雰囲気中で1150 – 1200度程度に加熱して表面近くの酸素を追い出す。窒素を加えるアニールもある。