FinFET
FinFET(Fin Field-Effect Transistor)とは、ゲートがチャネルの2面、3面、4面またはチャネルを包むように位置しダブルゲート構造を形成している基板上に作られたMOSFETである。FinFETと呼ばれる理由は、ソース/ドレイン領域がシリコン表面でフィンを形成するためである。FinFETデバイスは主流のCMOSよりもかなり速いスイッチング時間と高い電流密度を持つ。
FinFETという用語は、SOI基板上に構築された非プレーナー型ダブルゲートトランジスタを表現するために、2001年にカリフォルニア大学バークレー校の研究者であるChenming Hu(英語版)、Tsu-Jae King Liu(英語版)、Jeffrey Bokor(英語版)らによって作られた。このトランジスタは、以前のDELTA(シングルゲート)トランジスタデザインに基づいていた。
FinFETトランジスタは5nmのゲート厚さと50nm以下のゲート幅を持つことができ、28nmチップで応用されると想定されている。FinFET技術は、AMD、NVIDIA、IBM、ARM、Motorolaと学術研究機関によって追求されている。
産業界では2002年のTSMCによる0.