ディプリーション負荷NMOSロジック
特に複数の電圧が使えないときにディプリーションモードMOSFETの方が速度的により有利になる(初期のPMOSとNMOSチップが複数の電圧を要求した理由の一つである)。
製造過程にディプリーションモードNMOSトランジスタを入れることは、より単純なエンハンスメントモード負荷の回路と比べて追加の工程を必要とする。 ディプリーションデバイスは、閾値電圧を変更するために負荷トランジスタのチャネル領域におけるドーパントの量を増やすことによって作られる。 その工程は、通常イオン注入を使って行われる。
1980年代の間にCMOSは、ほとんどのNMOS設計のチップを置き換えたが、いくつかのディプリーション負荷NMOS設計のチップは未だに製造されている。大抵、新しくCMOSに再設計されたものと並行して製造されている。 NMOSのZ84015とCMOSのZ84C15がその一例である。