VCSEL
1999年 - 酸化狭窄VCSELの信頼性評価
2001年 - VCSELプリンター(富士ゼロックス、リコー)
2001年 - コンピューターマウス(ヒューレット・パッカード)
2002年 - 10G Ethernet標準化IEEE802.3ae
2003年 - 4Gb/s VCSELs(ハネウェル)
2006年 - High contrast grating(HCG) VCSEL (UCB)
2010年 - 100G Ethernet 標準化 IEEE802.3ba
2016年 - センシング用VCSELアレイ
2016年 - VCSEL WDMデータコム
2018年 - VCSEL 3D-センサー (iPhone X)
2018年 - 400G AOC(フィニサー(英語版)/II-VI)
2020年 - LiDAR(iPhone 12 Pro、iPad Pro 11"/12")
2021年 - VCSEL大量生産へ
1982年、伊賀らは長さ10マイクロメートルの共振器を備えたVCSELを製作し、明確なVCSEL発振を確認した。伊賀のグループは、液相エピタキシー(LPE)を使用して6 mAしきい値GaAsデバイスを備えた埋め込み閉じ込めVCSELを製作した。大きな進歩は、1988年に伊賀と小山(同じく東京工業大学)がGaAs基板上で波長894 nmの室温で連続動作(CW)を達成したことであろう。デバイスは有機金属化学気相成長法(MOCVD)によって成長させている。この成果により、VCSELの世界的な研究開発は加速した。また、1988年の半導体DBRのコンセプトとVCSELへの多重量子井戸の導入は、後年のVCSELの性能改善に貢献した。
VCSELの連続室温動作は、1989年にベル研究所のJack Jewellとその同僚によっても達成された。同じ頃、量子井戸の位置に共振点を一致させる概念は、Larry Coldrenとその同僚により提案され、後のしきい値の削減に貢献した。
最初の段階では、この新しいデバイスを実現するために克服しなければならない多くの技術的課題があったとされる。主な課題は、比較的小さい光学利得、全体的な反射鏡品質、および効率的な電流注入法であった。最初のデバイスは、右図に示すような活性領域にGalnAsP-InP材料を使用して1979年に実現された。VCSELは1300ナノメートルの波長で動作し、デバイスの概略断面図を示す。GaInAsPを活性層とする二重ヘテロ構造を使用したこのVCSELは、InP基板上に成長させている。円形電極から電流を注入することで発光し、基板の上下に金属反射板を形成して共振器を形成する。パルス電流で駆動され、液体窒素を使用して77 Kに冷却された。800 mAでレーザー発振した。スペクトルを取得することが可能であり、レーザー発振を示すほどに狭かった。初期の試みで、しきい値は非常に高く通常のレーザーの20倍以上であった。