間接遷移
間接遷移の材料は、それのみで一般に発光ダイオードやレーザーダイオードに利用されることは稀である。しかし、間接遷移の材料でも、半導体中の準位(トラップ)を介して発光を行なう手法も存在する。この様な目的で導入した準位をアイソエレクトロニックトラップと言う。これを利用してガリウムリンでは、発光ダイオードが作成されている。
光源ではない応用としては、半導体に電流、もしくはバンドギャップよりも大きなエネルギーの光を照射し、その再結合発光を観察することにより、欠陥の分布を観察するEL(エレクトロルミネッセンス)法、PL(フォトルミネッセンス)法が知られている。これは主に半導体の基板や太陽電池の評価に用いられている。