電弱相互作用
数学的には、電弱相互作用はゲージ群 SU(2)×U(1) で統一される。対応するゲージボソンは電磁相互作用の光子と、弱い相互作用のウィークボソン(WボソンとZボソン)である。標準模型において、ヒッグス機構によって SU(2)×U(1)Y から電磁相互作用の U(1)EM へ自発的に破れ、ウィークボソンは質量を獲得する。
添字は異なる U(1) であることを表しており、U(1)EM の生成子は Q=T+Y で表される。Y は U(1)Y の生成子(ウィークハイパーチャージと呼ばれる)で、T は SU(2) の生成子(ウィークアイソスピンと呼ばれる)の内の1つである。
理論に含まれるパラメータは
それぞれのゲージ群に対応する結合定数 g, g'
ヒッグスポテンシャル項に含まれるパラメータ v, λ
湯川相互作用の結合定数 y, y, y
なお、2つのゲージ結合定数の比を tanθw=g'/g としたとき、θwをワインバーグ角(英語版)と呼ぶ。また、 e=g sinθw は電磁相互作用の結合定数(即ち素電荷)である。