共鳴トンネルダイオード
Si/SiGe RITDのSi CMOSへの組み込みは実証されている。Si/SiGe RITDとSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタとの積層も実証されており、PVCRを調整可能な3端子負性抵抗回路素子が実現されている。これらの成果から、Si/SiGe RITDはSi集積回路技術への組み込み候補として有力である。