金属半導体接合
これは、銅基板上の熱的に成長した酸化銅(I)半導体から構成され、金属基板上にセレン膜を蒸着し、整流ダイオードを作る。 このセレン整流器は、電力応用において交流電流を直流電流に変換するために用いられた。
1925年から1940年までの間、極超短波領域のマイクロ波を検出するために、シリコン結晶に接触した鋭いタングステンワイヤーからなるダイオードが作製された。 1942年にフレデリック・ザイツによって提案された、第二次世界大戦における点接触整流器作製のための結晶ベースの高純度シリコンの製造計画は、デュポンの実験所にて成功した。
金属-半導体接合の整流性の正確な原理を予言する最初の理論は、1939年にネヴィル・モットによって提唱された。 この理論は半導体表面空間電荷層を通る多数キャリアの拡散電流とドリフト電流の両方の解を見つけたものであり、モット障壁として知られている。 ヴァルター・ショットキーとSpenkeは、半導体表面層で密度が空間的に一定であるドナーイオンを含めることで、 モットの理論を発展させた。 この理論ではモットが仮定した一定の電場が線形に減衰する電場に修正されている。 金属下に形成される半導体空間電荷層はショットキー障壁として知られる。 同様の理論は1939年にDavydovも提案した。