ナノリソグラフィ
最も普及したナノリソグラフィ技術は電子線直接描画リソグラフィ (EBDW)で電子ビームを使用して一般的にはPMMAのような高分子のフォトレジストにパターンを形成する。
極端紫外線リソグラフィExtreme ultraviolet lithography(EUV)は長短波長の紫外光(13.5 nm)を使用した光学リソグラフィである。次世代リソグラフィ技術で最も普及すると考えられる。
多光子リソグラフィ(英語版) 単一ナノ粒子のレーザープリント光子力でナノ粒子を移動してファンデルワールス力で所定の位置に固定する手法である。この技術は表面プラズモンが大きいのでプリントが容易な金属のナノ粒子で直列と並列の両方で印刷できる事が実証された。
励起された粒子リソグラフィ(Charged-particle lithography)はイオンビームリソグラフィや電子線リソグラフィ(PREVAIL, SCALPEL, LEEPL)と同様に超高解像度のパターン形成が可能である。イオンビームリソグラフィ(英語版)は高エネルギーの(Heのような)軽イオンを集束イオンビームまたは太いビームで表面にパターンを転写する。イオンビームプロミティリソグラフィIon Beam Proximity Lithography (IBL)を使用する事によりナノスケールのパターンを平坦ではない表面に転写可能である。
光学リソグラフィは半導体製造で培われたパターン形成技術で100nm以下のパターン形成には短波長の紫外光(現在は193 nm)を用いる。光学リソグラフィでは解像度を高める為に液浸の使用が必須で位相シフトマスク(英語版)(PSM)、光学近接効果補正(英語版)(OPC)を32 nmの領域で使用する。多くの専門家は従来の光学リソグラフィ技術は採算がとれるのは費用対効果で22 nmまでという見通しである。これ以降は次世代リソグラフィ(NGL)に代替されるかもしれない。2012年のSPIE先進的リソグラフィの会合で解像度2 nmのハーフピッチ線幅の量子光学リソグラフィが発表された。ナノリソグラフィの応用分野は: 電界効果トランジスタ(FET)のようなマルチゲート素子、量子ドット、ナノワイヤ、回折格子、回折レンズとフォトマスク、ナノ電子機械システム(NEMS)或いは半導体 集積回路 (ナノ電子回路(英語版)) である。
ナノリソグラフィの用途
FETの小型化
表面ゲート型量子素子
量子ドット
ナノ導線
回折格子
ゾーンプレート
フォトマスク作成