トンネル磁気抵抗効果
↑ これは、Heを用いてその沸点である4.2Kまで冷却する必要が有って応用に不向きであるとされた為に、当時は余り注目されなかった。
1103/PhysRevLett.74.3273. http://master-mc.u-strasbg.fr/IMG/pdf/moodera_tmr_prl95.pdf.
↑ 湯浅新治. “次世代メモリーにブレークスルー”. 基礎研究最前線. 科学技術振興機構. 2014年10月1日閲覧。
↑ 『単結晶TMR(トンネル磁気抵抗)素子で世界最高性能を達成』(プレスリリース)産業技術総合研究所、2004年3月2日。https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2004/pr20040302/pr20040302.html。
↑ 「磁気トンネル接合のTMR 効果と共鳴トンネル効果」『日本物理学会誌』第58巻第1号、日本物理学会、200301、38-42頁。
↑ 『世界最高性能TMR(トンネル磁気抵抗)素子の量産技術を開発』(プレスリリース)産業技術総合研究所、2004年9月7日。https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2004/pr20040907/pr20040907.html。
磁化が平行状態のときには、アップスピン、ダウンスピン電子ともに強磁性体2には強磁性体1からの電子を受け入れるのに十分な状態密度が存在するため通常のトンネリングが起き、コンダクタンスは
Γ P = α ( D 1 ↑ D 2 ↑ + D 1 ↓ D 2 ↓ ) {\displaystyle \Gamma _{\rm {P}}=\alpha (D_{1}^{\uparrow }D_{2}^{\uparrow }+D_{1}^{\downarrow }D_{2}^{\downarrow })} (平行状態)
となる。一方、反平行磁化状態のときは、強磁性体2には強磁性体1から注入された電子を受け入れるだけの状態密度が不足している。このため、コンダクタンスは
Γ A P = α ( D 1 ↑ D 2 ↓ + D 1 ↓ D 2 ↑ ) {\displaystyle \Gamma _{\rm {AP}}=\alpha (D_{1}^{\uparrow }D_{2}^{\downarrow }+D_{1}^{\downarrow }D_{2}^{\uparrow })} (反平行状態)
となる。したがって、これらのコンダクタンスには差が生じ、その大きさは、
Γ P − Γ A P = α ( D 1 ↑ − D 1 ↓ ) ( D 2 ↑ − D 2 ↓ ) > 0 {\displaystyle {\displaystyle \Gamma _{\rm {P}}-\Gamma _{\rm {AP}}=\alpha (D_{1}^{\uparrow }-D_{1}^{\downarrow })(D_{2}^{\uparrow }-D_{2}^{\downarrow })}>0}