シリコンドリフト検出器
シリコンドリフト検出器(シリコンドリフトけんしゅつき、Silicon Drift Detector、SDD)は、エネルギー分散型X線検出器(Energy Dispersive X-ray Detector)の一種であり、半導体検出器である。従来のシリコン半導体検出器(Si(Li)検出器)に比べ、同じエネルギー分解能で、高計数での処理が可能である。つまり、良いエネルギー分解能を維持したまま、多くのX線を計数することが可能である。さらに、ペルティエ素子での冷却による動作が可能であるため、液体窒素による冷却が必要ないので、検出器全体が小型かつ軽量である。
多くのX線を計数することが可能なため、エネルギー分散型X線分析に用いた場合、検出器に入力するX線量を増やすことによる分析時間の短縮や検出下限の向上が可能となる。
検出器のシリコン素子の受光面積を大きくしてもエネルギー分解能の劣化が小さいため、Mn Kα線のエネルギー分解能が130 eV以下の高エネルギー分解能の80 mmや100 mm以上の大口径SD検出器もある。そのため、高立体角化による高感度化が可能である。しかしながら、SD検出器はシリコン素子の厚さが、Si(Li)検出器に比べると薄いため、約15keV以上での検出感度が低下する。