ウルトラRAM
ウルトラRAMはチャージ(充電)ベースのメモリであり、そこでは論理状態がFG(浮遊ゲート)での電子の有無によって決定される。FGはAl2O3絶縁体によって制御ゲート(CG)から、そしてInAs / AlSb TBRTヘテロ構造から成る配下のチャネルからも電気的に分離される。
FGにおける電子の充足((NANDフラッシュみたく)真偽値0を定義する)は配下にあるn型InAsチャネルにてキャリアを使い果たし、その伝導率を減らす。結果、FGの充電状態および(それゆえに) メモリの論理状態は、ソース(S)とドレン(D)の接点の間に電圧が印加されたときチャネルを通過する電流を計測する事によって非破壊的に読み出される。メモリの最後のコンポーネントは種々の操作のためにゲート・スタックに渡って電圧を垂直方向に印加することを可能にするInAsバック=ゲート(BG)である。
本メモリを支える目新しさはTBRT (トリプル・バリア共鳴トンネル) 構造であり、それは(単層バリアとは異なり)たった±2.5Vの印加により電気的高抵抗性状態から高伝導性状態に切り替えられることにある。これはAlSbバリアとInAs QW(量子井戸)層の厚さを注意深く設計することによって実現される。メモリが保持状態にあるとき(すなわち)デバイスに電圧が印加されていない場合、TBRT QWにおける電子基底状態は互いにずれており、 そして、それはInAs FGとチャネル層の電子密度をエネルギー的に300K以上はるかに上回っている。