Random Access Memory
SRAM (Static RAM)
DRAM (Dynamic RAM) FPM DRAM (First Page Mode DRAM) EDO DRAM (Extended Data Out DRAM) SDRAM (Synchronous DRAM) DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM DDR5 SDRAM GDDR3 GDDR4 GDDR5 GDDR6 RDRAM (Rambus DRAM) DRDRAM (Direct RDRAM)
擬似SRAM
FeRAM (Ferroelectric RAM)
MRAM (Magnetoresistive RAM)
ReRAM (Resistive RAM)
PRAM (Phase change RAM)
マイクロプロセッサの速度(ここでは、周辺の速度によって待たされることが無かった場合の単位時間あたりのデータ処理量)とその向上に対して、メモリの速度(レイテンシとスループット)とその向上を比較すると、メモリの方が遅いという傾向は、マイクロプロセッサの誕生以来一貫して続いている。最大の問題は、チップとチップの間のデータ転送帯域幅に限界があることである。1986年から2000年まで、CPUの性能向上は年率平均で55%であったのに対して、メモリの性能向上は年率平均で10%ほどであった。この傾向から、メモリレイテンシがコンピュータ全体の性能においてボトルネックになるだろうと予想されていた。
その後、CPUの性能向上は鈍化した。これには、微細化により性能向上が物理的限界に近づいていることや発熱の問題もあるが、同時にメモリとの速度差を考慮した結果でもある。インテルは、その原因について次のように分析している。
第一に、チップが微細化しクロック周波数が上がると、個々のトランジスタのリーク電流が増大し、消費電力の増大と発熱量の増大を招く(中略)、第二にクロック高速化による利点はメモリレイテンシによって一部相殺される。つまり、メモリアクセス時間は、クロック周波数の向上に合わせて短縮することができなかった。第三に、これまでの逐次的アーキテクチャでは、ある種のアプリケーションは、プロセッサが高速化したほど性能が向上しなくなっている(フォン・ノイマン・ボトルネック)。