Static Random Access Memory
SRAMは内部構造的に記憶部にフリップフロップ回路を用いているため、ダイナミックRAM(DRAM)と比較して、下記の特徴がある。
定期的なリフレッシュ(回復動作)が不要
内部構造が複雑であるため、高密度に実装できず、大容量メモリには向かないため、記憶容量あたりの単価が高い
高速な情報の出し入れが可能
アイドル状態では低消費電力
制御が容易(インタフェースが単純)で、より真の「ランダムアクセス性」があると言える
「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ(volatile memory)である
なお、現在では従来のDRAMの記憶セルを用いながら、消費電力を低減してSRAMと同じインターフェースを持つ疑似SRAMもある。
非同期SRAMは4Kbから32Mbのものがある。アクセス速度が高速であるため、キャッシュを持たない組み込みプロセッサの主記憶装置としてよく使われており、パワーエレクトロニクスなどの制御装置(自動車の車載エレクトロニクスなど)、計測システム(ICテスタ)、ハードディスクドライブ、ネットワーク機器(スイッチ、ルーター、IP電話、DSLAM)など様々な機器に使われている。