UltraSPARC
SuperSPARC
UltraSPARC II
UltraSPARC III
UltraSPARC IV
UltraSPARCには380万個のトランジスタが含まれていた。これは、テキサス・インスツルメンツのEPIC-3プロセス、つまり4層メタル配線を使用した0.5μmのCMOSプロセスで製造された。 UltraSPARCは、テキサス・インスツルメンツが0.5μmプロセスにうまくスケーリングできず、パフォーマンスの向上がほとんどないと主張したため、BiCMOSプロセスで製造されなかった。このプロセスは、テキサス・インスツルメンツのMVPデジタルシグナルプロセッサ(DSP)で完成したが、メタル層が4層ではなく3層だったり、フィーチャーサイズが0.55μmだったりと、いくつかの機能が欠落していた。これはUltraSPARCの製造に使用される前のことで SuperSPARC で直面した製造上の問題を繰り返さないようにするためのものだった。