EEPROM
フラッシュメモリはEEPROMの一種で比較的新しい。業界ではバイト単位の消去を行うデバイスをEEPROMと呼び、ブロック単位で消去を行うデバイスをフラッシュメモリと呼ぶことが多い。EEPROMはセル(1ビットを記憶する回路)毎に読み取りと書き込みと消去のためのトランジスタを必要とするが、フラッシュメモリではブロック(通常512×8セル)単位で消去用回路を共有しているため、単位記憶容量あたりのチップ面積が小さくなる。
FeRAMやMRAMといったさらに新しい不揮発性メモリ技術がEEPROMを徐々に置き換えつつある。