台湾積体電路製造
7 nmプラス(N7+) によって、TSMCは、半導体業界で EUV(極端紫外線)技術を商用化した、初のファウンドリとなっている。 紫外線パターンを用いてシリコン上に微細な回路を実現し、従来の技術に比べトランジスタ密度を15 - 20 %向上させ、消費電力を10 %低減している。N5プロセスは、トランジスタ密度を2倍、性能をさらに15%向上させた。
TSMCは、現在300 mmウェハを用いて以下のプロセスを生産している。
0.13 μm (用途: 汎用 (G), 低消費電力 (LP),ハイパフォーマンス低電圧 (LV)) 1215
90 nm (2006年第四四半期からの80GCに基づく)
65 nm (用途: 汎用 (GP), 低消費電力 (LP), 超低消費電力 (ULP), LPG)
55 nm (用途: 汎用 (GP), 低消費電力 (LP))
40 nm (用途: 汎用 (GP), 低消費電力 (LP), 超低消費電力 (ULP))
28 nm (用途: ハイパフォーマンス (HP), ハイパフォーマンスモバイル (HPM), ハイパフォーマンスコンピューティング (HPC), ハイパフォーマンス低消費電力 (HPL), 低消費電力 (LP), ハイパフォーマンスコンピューティングプラス (HPC+), HKMGを使用した超低消費電力 (ULP)