リーク電流
微細化によりゲート絶縁膜が薄くなり過ぎることが原因でシリコン基板側からゲートに向かって電流が流れるようになる。これをゲート・リーク電流 (I gate) と呼ぶ。プロセスルールの微細化によって顕著になり、温度依存性は小さい。ゲート絶縁膜に高誘電率 (High-k) 材料を使うことで、ゲート・リーク電流を抑える工夫が行われている。