DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション
tZQinit/tZQopen/tZQCSの間は抵抗値の補正精度を高めるためにメモリデバイスの入出力チャンネルを静止状態に保たなければならない。DLL ロックと同時にZQキャリブレーションを行うことは可能である。
ZQCSは下式で示される間隔以下で実行することが推奨されている。
Δ Z Q C S = 0.5 [ % ] ( T s e n s × T d r i f t r a t e ) + ( V s e n s × V d r i f t r a t e ) {\displaystyle \Delta ZQCS={\frac {0.5^{[\%]}}{(T_{sens}\times T_{driftrate})+(V_{sens}\times V_{driftrate})}}}
ただし、式中の Δ Z Q C S {\displaystyle \Delta ZQCS} はZQCSコマンド間隔の推奨値、 T s e n s {\displaystyle T_{sens}} は最大温度感度(抵抗値がどれくらい温度の変化に敏感かを示す値)、 T d r i f t r a t e {\displaystyle T_{driftrate}} はシステムの温度変化の周期、 V s e n s {\displaystyle V_{sens}} は最大電圧感度(抵抗値がどれくらい電源電圧の変化に敏感かを示す値)、 V d r i f t r a t e {\displaystyle V_{driftrate}} は電圧変化の周期を表す。
TDQS, TDQS#ピンはx8デバイスで構成されているDIMMモジュールとx4デバイスで構成されているDIMMモジュールが混在するようなシステムでx4デバイスのDQS,DQS#をx8デバイスのTDQS/TDQS#で終端し反射を抑制することで波形品質を維持するために付けられたピンである。大規模なシステムで複数の種類のモジュールの混在を許容することでシステムの柔軟性を高めるのに役立つ。
TDQSはx8デバイスのみ有効にすることが可能で、x4/x16デバイスでは有効にすることができない。TDQS/TDQS#の終端抵抗値はDQS/DQS#と等しい。DDR2 SDRAMにおけるRDQSと近い機能でRDQSはデータ出力時にデータストローブ信号を出力するのに対して、TDQSは終端抵抗だけを提供する。
TDQSとデータマスク (Data Mask:DM) は同じピンを使うため、TDQSを使用する場合はDMは使用できない。TDQSを使用しない場合のみはDMを使用可能となる。TDQSを使用しない場合、TDQS#ピンは使われない。
以下にDDR3 SDRAMの状態遷移図を示す。
DDR3 SDRAMは終端と出力を同時に行えない。リード時のプリアンブル (Preamble) より半サイクル以上前にODTピンの入力をローにしてRTTをオフにしていなければならない。またPostamble出力から1サイクル程度RTTは有効にならないだろう。
プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL control for Precharge Power Down:PPD)
ライトリカバリ (Write Recovery for Auto Precharge:WR)