縮退半導体
n型縮退半導体では、伝導帯下端が低下するとともにフェルミ準位が上昇して伝帯帯の内部に入り、伝導帯内でも E F {\displaystyle E_{F}} 以下の準位は電子に占有される。
よって価電子帯の電子を励起するのに必要となるエネルギーは E C − E V = E g 0 {\displaystyle E_{C}-E_{V}=E_{g0}} ではなく E F − E V = E g ∗ {\displaystyle E_{F}-E_{V}=E_{g}^{*}} になり、不純物による見かけのバンドギャップ縮小 Δ E g ∗ {\displaystyle \Delta E_{g}^{*}} が生じる。
Δ E g ∗ = E g 0 − E g ∗ {\displaystyle \Delta E_{g}^{*}=E_{g0}-E_{g}^{*}}