高電子移動度トランジスタ
シュードモルフィックHEMTでは、格子整合が必須であるが、その格子整合を行わないことによりさらに高性能を引き出したHEMT。格子整合を行わないことにより、転位が発生し、通常は、深い準位が生じ、動作に悪影響を与えるが、エピ成長時の条件により転位の方向を制御し、より高移動度、高電子濃度が実現可能である。
次に、材料バリエーションとしては以下のものがある。