西澤潤一
1965年10月19日、科学技術庁長官奨励賞「不純物不均一半導体」
1966年4月22日、恩賜発明賞「不純物不均一半導体」
1969年12月1日、松永賞「半導体デバイスの研究」
1970年11月2日、科学技術庁長官奨励賞「半導体メーサー」
1971年4月13日、大河内記念技術賞「合金拡散法によるシリコン可変容量ダイオードの開発」
1974年6月10日、日本学士院賞「半導体及びトランジスタの研究」
1975年4月15日、科学技術功労賞「静電誘導電界効果トランジスタの開発」
1975年5月10日、電子通信学会業績賞「新しい三極管特性を有する高性能トランジスタ」
1975年10月1日、東北地方発明賞宮城県支部長賞「位置の制御装置」
1980年3月10日、大河内記念技術賞「高輝度発光ダイオードの連続成長技術の開発について」
1980年10月3日、特許庁長官奨励賞「連続液相成長による半導体デバイスの製造方法及び製造装置」
1982年7月7日、井上春成賞「高輝度発光ダイオードの連続製造技術」
1983年12月6日、IEEEジャック・A・モートン賞「SIT(静電誘導トランジスタ)の開発と光通信の基本3要素」
1984年、朝日賞「光通信と半導体の研究」
1986年、本田賞、「pinダイオード、静電誘導トランジスタなどを発明したほか光通信技術の応用発展に寄与」
1989年、IOCG(国際結晶成長機構)ローディス賞
1996年、大川賞、「材料科学の独創的研究と半導体工学の発展および光通信の先駆的業績と多大な貢献」
2000年、IEEE エジソンメダル
アメリカ合衆国特許第 3,896,484号
アメリカ合衆国特許第 4,465,527号
アメリカ合衆国特許第 4,526,632号
アメリカ合衆国特許第 4,613,881号
アメリカ合衆国特許第 4,619,718号
アメリカ合衆国特許第 4,685,979号
アメリカ合衆国特許第 4,720,735号
アメリカ合衆国特許第 4,772,926号
アメリカ合衆国特許第 4,819,058号
アメリカ合衆国特許第 4,841,350号
アメリカ合衆国特許第 4,872,044号
アメリカ合衆国特許第 4,935,798号
アメリカ合衆国特許第 5,001,535号
アメリカ合衆国特許第 5,357,361号