浮遊ゲートMOSFET
N-インプットFGMOSデバイスは1つのMOSトランジスタよりもN−1個だけ多く末端を持つため、N+2個の小信号パラメータが定義できる。N個の実効インプット相互コンダクタンスと、アウトプット相互コンダクタンス、バルク相互コンダクタンスである。それぞれ、
g m i = C i C T g m for i = [ 1 , N ] {\displaystyle g_{mi}={\frac {C_{i}}{C_{T}}}g_{m}\quad {\mbox{for}}\quad i=[1,N]}
g d s F = g d s + C G D C T g m {\displaystyle g_{dsF}=g_{ds}+{\frac {C_{GD}}{C_{T}}}g_{m}}
g m b F = g m b + C G B C T g m {\displaystyle g_{mbF}=g_{mb}+{\frac {C_{GB}}{C_{T}}}g_{m}}
ここで C T {\displaystyle C_{T}} は浮遊ゲートで見られる全容量である。 3つの式から、FGMOSはMOSトランジスタよりも次の欠点があることが分かる。
インプット相互コンダクタンスの減少
アウトプット抵抗の減少