ホウ素の同素体
アモルファスホウ素は、規則的な二十面体構造のB12が長距離秩序を持たず互いにランダムに結合した構造を取る。純粋なアモルファスホウ素は1000°C以下の温度でジボランを熱分解させることで合成される。1000°Cでアニール処理をすることで、アモルファスホウ素はβ-菱面体ホウ素へと相転移する。スパッタ蒸着やレーザーアシスト化学気相蒸着によって厚さ30から60 nmのナノワイヤーやナノファイバーを作ることができ、それらもまた1000°Cでアニール処理をすることにより相転移してβ-菱面体ホウ素のナノワイヤーとなる。
ホウ素を160 GPa以上の圧力で加圧すると未知の構造をしたホウ素が形成される。半導体である他の相とは異なりこの相は金属であり、160 GPaでの4 Kから250 GPaでの11 Kまでの臨界温度で超伝導体となる。この構造変化はB12の正20面体構造が解離すると理論上予測されている圧力で起こる。この相の構造に関する推測はアルミニウムに類似した面心立方格子や、層状構造を取るα-Ga型構造、インジウムに類似した体心正方格子が含まれる。それはまた、ホウ素の非金属-金属遷移は構造の遷移に由来するというよりもむしろ、単純にヨウ素で起こるようなバンドギャップの閉鎖によるということも示唆している。