ショットキーバリアダイオード
金属半導体接合は、金属と半導体の間に形成され、ショットキー障壁を作る(従来のダイオードのpn接合の代わりとなる)。 使用される一般的な金属は、モリブデン、プラチナ、クロム、タングステン、そして特定のシリサイド(例えば、パラジウムシリサイドとプラチナシリサイド(英語版))と種類が多いが、半導体は大抵n型シリコンである。 金属側はダイオードのアノードとして振る舞い、n型半導体側はカソードとして振る舞う。 つまり、電流は、金属側から半導体側へ流れる。しかし、反対方向には流れない。 従来の電流の定義(conventional current)に従って、ここでいう電流は、電子の移動と逆方向に流れる。 このショットキー障壁は、非常に高速なスイッチングと低い順方向電圧降下の両方を実現することになる。
金属と半導体の組み合わせの選択によってダイオードの順方向電圧が決まる。 n型とp型の半導体のいずれでもショットキー障壁を作ることができる。 p型の方がより低い順方向電圧にすることができる。 しかし、順方向電圧が下がるのと引き換えに逆漏れ電流が劇的に増大するので、順方向電圧を過剰に低くすることはできない。 通常使用されるレンジは、0.15から0.4 Vであり、p型半導体が使用されることはマレである。 チタンシリサイド(英語版)と他の耐熱性シリサイドは、CMOSプロセスのソース/ドレインのアニーリングに必要な温度に耐えることができるが、実用にするには順方向電圧が低すぎるので、これらのシリサイドを使ったプロセスがショットキーダイオードに使われることはない。