赤﨑勇
『電気・電子材料』1985年9月(朝倉書店)ISBN 978-4-254-22017-9
『III-V族化合物半導体』1994年5月(培風館)ISBN 978-4563036010
『青色発光デバイスの魅力-広汎な応用分野を開く』 1997年4月(工業調査会)ISBN 978-4769311522
『III族窒化物半導体』1999年12月(培風館) ISBN 978-4-563-03621-8
『夢の青色発光デバイスの実現を語る− 私のナイトライド研究−』2004年8月10日(応用物理学会)
『ワイドギャップ半導体~あけぼのから最前線へ・・』2013年2月(培風館) ISBN 978-4563067878
『青い光に魅せられて〜青色LED開発物語』2013年3月(日本経済新聞出版社)ISBN 978-4532168513。 大川出版賞受賞作(公益財団法人大川情報通信基金) サントリー文化財団海外出版助成書籍
『評伝 赤﨑 勇 その源流』2014年12月(南方新社)ISBN 978-4861243103。
室温における最短波長レーザーダイオード(パルス 376nM)に成功。(1995年)
GaN系半導体量子構造による量子閉じ込めシュタルク効果の実証確認。(1997年)
GaN系統の結晶におけるピエゾ電界強度結晶方位依存性の無極性面、半極性面の存在を理論的に明らかにする。(これが引き金となり無極性面/半極性面への結晶成長および半導体デバイス研究へと繋がる次世代半導体の大きな開発潮流を生み出すことになる。)(2000年)
高電子移動度AlGaN/Gal超格子の実現。(2001年)
現在、産業界で隆盛を誇る深紫外線LEDの開発に成功する。(2002年)
紫外/紫色LEDの実現。(2003年)
世界最高峰となる最短波波長レーザー (350.9nM) の実現に成功する。(2004年)
高温MOVPE法の開発による高品質AlNの実現。(2005年)
HFET型高感度ホトセンサーの開発。(2012年)
窒化物半導体系世界最高効率となる太陽電池の開発。(2012年)
世界初窒化物半導体系電子線励起レーザーに成功。(2013年)
世界初の中波長紫外線UV-B半導体レーザーの完成。(2020年)