ナノリソグラフィ
中性粒子リソグラフィNeutral Particle Lithography(NPL)は高エネルギーの中性粒子の太いビームで表面にパターンを転写する。
ナノインプリント リソグラフィ (NIL)はステップアンド露光転写リソグラフィの派生型でLISAとLADIがナノパターン転写技術を約束する。この技術は接触リソグラフィ(英語版)と冷間溶接(英語版)の組み合わせである。
走査プローブリソグラフィ(英語版) (SPL) は深ナノメートルスケールでのパターン形成を約束する機材で走査型トンネル顕微鏡(STM)の探針で直接原子を移動して固定する。
AFMナノリソグラフィ(英語版) (AFM)原子間力顕微鏡を使用して化学機械的に表面にパターンを形成する技術である。
熱化学ナノリソグラフィ(英語版)(TCNL) は原子間力顕微鏡の技術を基にした技術で加熱された探針を使用してナノスケールでの化学反応を活性化する。たんぱく質の群列やDNA、黒鉛状ナノ構造体、PPV ナノワイヤや圧電素子の群列を生成する為に使用された。
磁力線リソグラフィ(英語版)(ML)は磁場を基板上に磁性体の"マグネティック マスク"と称する金属製のマスクで遮ってパターンを形成する。 マグネティックマスクはフォトマスクに相当し印加される磁場の空間分布と形状を定義する。第2の構成要素は磁性体ナノ粒子(フォトレジストに相当する)で基板上にマグネティックマスクによって形成された磁場によって形成される。