トンネルダイオード
ソニーは1957年からトンネルダイオードの生産を開始し、ゼネラル・エレクトリックなどの企業が1960年ごろからそれに追随した。
通常ゲルマニウムで作られるが、ヒ化ガリウムやシリコンでも製造可能である。
2000年代に入り製造するメーカーの数が減少してきた。
2008年時点でも(少量ながら)生産が続いていた、ということは確認できる。→#メーカー
↑ トンネルダイオード(特許第2673362号)における発明者の項
↑ Diode type semiconductor device(アメリカ合衆国特許第3,033,714号)
↑ 1957年10月の日本物理学会年会の講演発表では、東通工実習生の鈴木隆(東京理科大学学生)も共同発表者となっている。(19F-23 Ge P-N Junction のInternal Field Emission 日本物理学会第12回年会講演予稿集)
↑ 特許公報
↑ “ソニー半導体の歴史”. https://www.sony-semicon.co.jp/company/history/
↑ Tunnel diodes, the transistor killers, EE Times, retrieved 2 October 2009 Archived 2008年9月6日, at the Wayback Machine.
↑ Fink 1975, pp. 7–35
↑ Fink 1975, pp.