SDRAM
活性化に必要な時間は数クロックであり、それを「row-to-column 遅延」または tRCD と呼び、アクティブ・コマンド発行後にリードまたはライトを発行可能となるまでの時間を指し、通常クロックサイクル数で丸めた形で示す。それぞれのバンクは完全に独立しているため、このウェイトサイクルの間でも他のバンクに対してコマンドを発行できる。
リード・コマンドとライト・コマンドはカラムアドレスを必要とする。ひとつのチップは一度に8ビットのデータにアクセスするので、カラムアドレスは2048種類あり(16384÷8=2048)、アドレス線は11本だけ必要となる(A0-A9、A11)。
リード・コマンドを発行すると、SDRAMは2または3クロックサイクル後(CASレイテンシの設定による)のクロック立ち上がりの時点でDQ線に対応する出力データを出力する。それに続くワードのバーストが引き続きクロック信号の立ち上がりにあわせて出力される。
ライト・コマンドは書き込むべきデータを伴い、クロック信号の立ち上がりの時点でDQ線をそのデータで駆動する。ライト・コマンドでDQ線にデータを伝送する際にSDRAMがリード・コマンドのデータを同時に出力しないようにしなければならない。これはメモリコントローラの役目である。これは通常リード・バーストの完了を待ち合わせるか、リード・バーストを停止するか、DQM制御線を使うことでなされる。
この信号がハイのとき、チップは全ての入力(CKE以外)を無視し、NOPコマンドを受け取ったかのように動作する。