マルチゲート素子
FinFET という言葉は、従来の DELTA (シングルゲート・トランジスタ)による設計を元にして非プレナー型ダブルゲート・トランジスタをSOI基板上に構築したものを説明するのに、カリフォルニア大学のバークレイ研究所 で新しく作られた語である。FinFET の特徴は、伝導性チャンネルが素子のゲートを構成する薄い「フィン」状のシリコンで覆われている点にある。ソース - ドレイン間の直線距離として表されるフィンの厚さが素子の有効チャンネル長を決定する。
今のところ、FinFET という言葉の定義は定まっていない。AMD社、 IBM社、そしてモトローラ社といったマイクロプロセッサの製造メーカーは、ダブルゲート開発の努力をFinFET開発として明らかにしており、それに対してインテル社は「トライゲート」という似たアーキテクチャで表現している。 技術資料によれば、FinFET は、ゲートの数に関係なく、何らかのフィンを用いたマルチゲート・トランジスタのアーキテクチャだと、概要だけが説明されているにすぎない。
2002年12月、TSMC によって0.7Vちょうどでの25nmのトランジスタ動作が実演された。 この Omega FinFET は、ギリシャ文字「オメガ」に似ていたために後からこのように名付けられ、ソース/ドレイン構造をゲートが包み込む形状であり、N型トランジスタで 0.39 ps(ピコ秒)のゲート遅延、P型トランジスタで0.88 ps のゲート遅延であった。