ラピッドサーマルプロセス
ラピッドサーマルプロセス(英: rapid thermal processing、RTP)とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温(1,000 °C以上)に加熱する半導体製造プロセスのこと。 しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。 このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。 このプロセスはドーパント活性化、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。