DIMM
下流側から上流側に向かう場合も同様にAMB間で順次転送される。このようにローカルなメモリコントローラともいえるAMBが互いに連接されることで、デイジーチェーンを構築し、各チャネルあたり最大8枚のDIMMを接続することが可能となっている。各AMB間は同期転送による遅延が生じるため、CPU側から見て遠いモジュール(下流側)へのアクセスは近いモジュール(上流側)よりも遅くなる。各AMB内で、並列/直列変換や動作コマンドの翻訳、CRCコードの生成/確認などを高速に行うため発熱量も多くなる。
米Intel社の主導でPCサーバやワークステーション向けに製品化されたFB-DIMMであるが、AMBチップという高機能ICの使用などから高コストであり、放熱への配慮が求められることや、チャンネル当りのモジュール数増加によってレイテンシも増大することもあって、特に大記憶容量と広帯域メモリアクセスが強く求められるエンタープライズ・サーバのような用途を除いては、ミドル/ローエンドクラスのサーバへの採用は広がらなかった。また、ラムバス社の特許権については、Buffered DIMMだけでなくFB-DIMMの構造に関するロイヤリティの支払いが生じることも不利に働いている。
このため、Intel社は次世代メモリインターフェースとしてCPUからはFB-DIMMインターフェースでDRAMにアクセスするが、AMBはマザーボード上に実装し、DIMM自体は従来の物に戻すことを計画している。依然としてコンシューマー向けメモリはUnbuffered DIMMが主流であり、コンシューマーからエンタープライズサーバまで幅広いSKUをカバーする次世代プロセッサNehalemのマスクバリエーションをいたずらに増やしたくないintelの意図が伺われる。
↑ 上りと下りともに差動動作であり信号線は2倍の本数である。
↑ 他方式のDIMMでは1チャンネルで240本ほどの配線が必要なのに比べて、1チャンネル69本のFB-DIMMはチャンネル数が多くとれる。
↑ FB-DIMMを推進した米Intel社では、過去にRambus社が開発したRDRAMを推進したが特許権などの高コストなどを理由に失敗した経緯があり、FB-DIMMでは他社の特許をあまり含まないPCIeを元に接続インターフェースを開発・設計したとされる。
↑ 上りと下りで同時に読み書き動作が行える。
↑ 主プロセッサ側からの読み書きアクセスに対してメモリの動作に掛かる遅延時間は「レイテンシ」と呼ばれ、FB-DIMMではCPUから遠い下流ほどレイテンシが大きくなる。Windows Vistaで用意されているハードウェアパフォーマンス評価ツールでは、同じDDR2-5300チップであるにもかかわらず、UnbufferedDIMMに比べて1割から2割ほど評価が下回るとされる。
↑ 『バッファードモジュール』、Rambus、(2008年08月29日時点のアーカイブ)
↑ 『IntelはNehalem世代でFB-DIMMをフェイドアウトの方向に』、PC-Watch 後藤弘茂のWeekly海外ニュース、2007年10月23日