基板工程
基板工程またはフロントエンド(front-end-of-line、FEOL)とは半導体デバイス製造の最初の部分である。 基板工程では、それぞれのデバイス(トランジスタ、キャパシタ、抵抗など)が半導体にパターンとして形成される。
使用するウェハーのタイプを選択する。ウェハーを化学機械研磨、洗浄する。
素子分離(LOCOSやシャロートレンチアイソレーション)
ウェル形成
ゲート形成(ゲート絶縁膜、金属ゲート電極)
サイドウォールスペーサー形成
ソース・ドレイン形成
キャパシタ形成(DRAM、FeRAMの場合)