ベース接地回路
A v = v out v S = R L r E ≈ g m R L , {\displaystyle A_{v}={\frac {v_{\text{out}}}{v_{S}}}={\frac {R_{L}}{r_{E}}}\approx g_{m}R_{L},}
ここでgm = IC / VTはトランスコンダクタンス。信号源インピーダンスが低い場合、Rout = rO || RC。
ハイブリッドπモデルにrOを含めると、増幅器の出力からその入力への逆伝送が予測される。つまり増幅器は双方向的(biliteral)である。この1つの結果は入力/出力インピーダンスは負荷/信号源終端インピーダンスの影響を受けるため、例えば、出力抵抗RoutはrO || RC ≤ Rout ≤ (β + 1) rO || RCの範囲で変化する可能性があり、信号源抵抗RSに依存する。増幅器はrOの無視が正確(低い利得および低から中程度の負荷抵抗に対して有効)である場合、一方向的として近似することができ、解析を単純化できる。この近似は分離設計で行われることが多いが、能動負荷が通常使われるRF回路や集積回路設計で精度が低下する可能性がある。