MOSFET
シリコン製で数GHzの動作が可能になるとシリコンMOSによる製品領域が拡大し、従来は高速動作用として一般的だったヒ化ガリウム製FETの存在を脅かしている。
シリコンによるMOSFET製の集積回路では、ゲートは金属ではなくポリシリコン(多結晶珪素)によって形成することが長い間一般的であったが、ゲートにはより抵抗値の低い金属を使用したり、リーク電流を減らすためにゲート絶縁体の厚さを厚くできる高誘電率のゲート絶縁膜を用いれば、高速動作が可能で低消費電力の高性能ICが作れるため、米インテル社は高誘電率 (High-κ) 絶縁膜とメタルゲートとを組み合わせた新たなプロセス技術を開発し、2007年秋の45nmのプロセスルールによる製品の製造に採用するようになった。その後、高性能なデジタル半導体を製造する各社も同技術を開発し製造している。
これら、MOSと類似の構造についてはシリコン-酸化膜-シリコンであったり、金属-絶縁膜-シリコンであるが、同様の原理を使っているため、一般にはMOS半導体素子として扱われている。
図のように集積回路内部では4端子素子として扱う。一方でディスクリート部品の場合、MOSFETは、ボディ(サブストレート)とソースが内部で接続されているので、3端子デバイスとして扱われる。