バリキャップ
バリキャップには、ダイオード以外のものもある。CMOSプロセスでは、低濃度の不純物を注入したN型領域(Nウェル)に高濃度の不純物を注入したP型領域(P+型)を作ることでバリキャップが形成される。こうした接合部の静電容量は、低濃度の不純物を注入したP型の領域(Pウェル)にN+注入したNMOSトランジスタ(PN接合でもある)と同様に作用する。