二フッ化クリプトン
プロトン照射による二フッ化クリプトンの最大生成速度は約1g/hである。この方法でフッ素とクリプトンの混合気体に照射されるプロトンビームは、10MeVのエネルギーレベル、約133Kの温度で使われる。このような粒子線を用いた方法では、比較的多量の二フッ化クリプトンが短時間で生成する。ただしこの方法を行うには、サイクロトロンのような粒子線の供給源が必要である。
二フッ化クリプトンを合成した最初の方法で、今まで報告された中で唯一のテトラフッ化クリプトンの合成法であった。放電法では、圧力40-60Torr下でフッ素:クリプトン=1:1~2:1の混合気体にアーク放電することによって合成する。この方法での生成速度は低く、約0.25g/hである。