電荷移動錯体
電荷移動錯体は以下のように特徴付けられる。
電荷遷移吸収帯は紫外可視領域にあることが多い。無機錯体では、モル吸光係数εが約50000 L mol cmにもなり、一般的なdd遷移(t2g軌道からeg軌道への遷移)のモル吸光係数(ε=20 L mol cm以下)の千倍以上にもなる。これは電荷移動遷移がスピン許容かつラポルテ許容だからである。一方d-d遷移はスピン許容である場合があるが、常にラポルテ禁制である。