VCSEL
[1978CAS] H. C. Casey and M. B. Panish: Heterostructure Lasers, Academic Press, New York (1978)
[1980UTA] K. Utaka, Y. Suematsu, K. Kobayashi and H. Kawanishi, "GaInAsP/InP integrated twin-guide lasers with first-order distributed Bragg reflectors at 1.3 wavelength", Jpn. J. Appl. Phys., Vol.19, No.2, pp.L137-L140, Feb. 1980.
[1982ARA] Y. Arakawa and H. Sakaki, “Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current”, Appl. Phys. Lett., Vol. 40, pp.939-941, 1982.
[1985ARA] Y. Arakawa and A. Yariv, “Theory of gain, modulation response and spectral linewidth in AlGaAs quantum well lasers”, IEEE J. Quantum Electron., Vol.
一般的に半導体レーザーは基板面と平行方向に光を共振させその方向に光を出射させる。一方で、面発光レーザーは反射鏡に半導体もしくは誘電体の積層構造から成る高反射 分布ブラッグ反射器 (英語版)(DBR)を用いることにより、基板面に対して垂直方向に光を共振させ面と垂直方向に出射させる。
その構造から、製造工程では基板をへき開せずとも共振器の形成やレーザ特性の検査が可能であり大量生産に向いている、他の半導体レーザーに比べて比較的安価に製造が可能、2次元アレイにできる、などの特長を持つ。加えて、しきい値電流が小さいためシステムの消費電力が小さい、低電流でも高速変調が可能、温度変化に対する特性変化の幅が少なく温度制御装置が簡易化できる、など利点が多い。ギガビットイーサネットやファイバーチャンネルの光源、コンピュータマウス、レーザプリンター、光インターコネクトなどに応用が広がっている。2018年ごろから、スマートフォンの3次元顔認識、レーザーレーダー(LiDAR)、高出力アレイによるレーザー加工、光干渉断層撮影法(英語版)(OCT)などの光センシングに広がりを見せている。