自己整合ゲート
自己整合ゲートは、MOSトランジスタ製造プロセスにおけるソース/ドレイン領域とゲート電極との位置調整を不必要にするために使われる。
自己整合ゲートを使うことで、ゲート-ソース間やゲート-ドレイン間の重なりによる寄生容量が大幅に減少する。自己整合ゲートを使用しないで作られたMOSトランジスタよりも速く、小さく、より信頼性があるものを作ることができる。
初期には、様々なゲート材料(アルミニウム、モリブデン、アモルファスシリコン)を用いた実験が行われた。その結果、多結晶シリコンで作られた自己整合ゲートがほぼ例外なく採用された。これはシリコンゲートテクノロジー(SGT)と呼ばれ、寄生容量の減少の他にも多くの利点を持つ。SGTの重要な性質として、シリコンゲートが高品質のシリコン熱酸化物(知られている中で最良の絶縁体である)に完全に埋まることである。