半導体
半導体となる材料には以下のものがある。
IV族半導体:Si、Ge、フラーレン、カーボンナノチューブなど
化合物半導体 II-VI族半導体:ZnSe、CdS、ZnOなど III-V族半導体:GaAs、InP、GaNなど IV族化合物半導体:SiC、SiGeなど I-III-VI族半導体:CuInSe2などカルコパイライト系半導体
有機半導体、導電性高分子
このデバイスは電子流の他にイオン電流の寄与もあって、素子の遮断周波数が1 Hz程度で実用上は低すぎた。
1938年にベル研究所のウィリアム・ショックレーとA. Holdenは半導体増幅器の開発に着手した。
1941年頃に最初のシリコン内のpn接合はRussell Ohlによって発見された。
1947年11月17日から1947年12月23日にかけてベル研究所でゲルマニウムのトランジスタの実験を試み、1947年12月16日に増幅作用が確認された。増幅作用の発見から1週間後の1947年12月23日がベル研究所の公式発明日となる。特許出願は、1948年2月26日にウェスタン・エレクトリック社によってジョン・バーディーンとウォルター・ブラッテンの名前で出願された。同年6月30日に新聞で発表された。この素子の名称はTransfer Resistorの略称で、社内で公募され、キャリアの注入でエミッターからコレクターへ電荷が移動する電流駆動型デバイスが入力と出力の間の転送する抵抗であることから、J.R.Pierseが「trans-sistor」としたことに由来す。
第二次世界大戦中にレーダーの開発に従事したドイツ人技術者のヘルベルト・マタレ(英語版)とHeinrich Welker達が戦後にフランスのウェスティングハウスの子会社に勤務して半導体の機能の研究を進めており、ゲルマニウム上で点接触の電極間での増幅作用を観測していた。