シリコンウェハー
多結晶シリコンのインゴットを部分的に溶融しながら単結晶化を行う方法でゾーンメルト法の一種。結晶の成長方向の不純物分布が一定であり、また酸素濃度が非常に少ないという利点があるが、結晶の半径方向の抵抗率分布にばらつきがあるため、中性子照射により抵抗率の均一化が図られる。
CZ法やMCZ法によって単結晶を製造すると石英るつぼから溶け込んだ酸素原子が高温状態によって互いに集合する。CZ法では酸素原子が10個/cm程も溶け込む。
この酸素原子のかたまりは電子を放出するドナーとなることで、局所的に電子の通過を阻害し電気的には抵抗となる。これによりドーパントで制御された抵抗値からずれるため、このドナーとなった酸素原子を分散させるための熱処理がドナーキラーアニーリング加工である。この工程ではウエハーを不活性ガス中で600–700°Cに短時間加熱する。この処理は加工応力の緩和や結晶欠陥の低減等も兼ねる。
シリコンは固くてもろく、ウエハーの端面がスライシング時の鋭利なままでは、続く処理工程での搬送や位置合わせなどの取り扱い時に容易に割れたり欠けたりして、断片がウエハー表面を傷つけたり汚染したりする。これを防ぐため、ベベリング工程では切り出されたウエハーの端面をダイヤモンドでコートされた「面取り砥石」で面取りする。
ラッピング工程の後に行なわれることもある。
この時、バラツキのある外周の直径を合わせ、オリエンテーションフラット (OF) の幅の長さを合わせる事や、ノッチと呼ばれる微少な切り欠きの寸法を合わせる事も含まれる。ベベリング工程で使用される装置はベベリングマシンと言われ、日本メーカーの東精エンジニアリングの装置が、特に300mmシリコンウェハーの市場で多くのシェアを占めている。