メタルゲート
ポリシリコンゲートもこの現象に対して敏感だが、その後の高温プロセス(ゲッタリングと一般に呼ばれる)の間、少量のHClガスを流してナトリウムと反応させNaClを作り、ガス流でそれを取り除くことでナトリウムフリーなゲート構造を作り、信頼性を大きく高めた。しかし実用レベルでドープされたポリシリコンは、金属のようなゼロに近い電気抵抗が得られないためトランジスタのゲート容量を充電・放電するのに理想的ではなく、遅い回路となる。
45nmノードから、インテルが先駆けとなり高誘電率(High-k)材料の使用と一緒にメタルゲート技術が戻った。
メタルゲート電極の候補として、NMOSではTa、TaN、Nb(シングルメタルゲート)、PMOSではWN/RuO2(PMOSメタルゲートは通常2つの金属層から成る)がある。この場合、チャネルでのひずみ容量は(メタルゲートによって)良くなる。さらに(メタル内で電子の配列により)ゲートでの電流振動が小さくなる。