化学機械研磨
CMPは前述のように、多種多様な箇所に用いられるため、それぞれに応じた適切組み合わせ(これをプロセスレシピと呼ぶ)が必要となる。
研磨パッドとしては、発泡性の樹脂を使用したタイプ、無発泡の樹脂を使用したタイプ、不織布でできたタイプなどがある。また、硬質の研磨層の下地として、不織布やウレタンフォームを使った、いわゆる積層タイプの研磨パッドも使用される。一般的には硬質のパッドほどウェーハの表面形状に追従しないため、平坦性が向上するが、ウェーハそのもののトポグラフィーの影響を受け、研磨分布は悪くなる。研磨パッドの表面には同心円状、らせん上、格子状などの溝加工が施される。溝形状はウェーハ表面へのスラリーの回り込み特性を左右するため、溝形状により研磨特性は大きく変化する。
半導体の生産性増大の要求から、ウェハーの直径は次第に大きくなってきているが、逆に配線幅が縮小しているために相対的に要求される加工精度は常に縮小し続けている。また、配線を形成する絶縁材料に新しい材料が次々と導入されつつある。このため、適切な加工性能を得るためのプロセスレシピも常に変化し続けており、特に配線表面の研磨に関しては激しい開発競争が行われている。
ウェハーの研磨量の制御や研磨に使われる研磨パッド、スラリーをはじめとした技術、装置の制御技術など、数多くの技術が今日までに改善されてきた。