3D XPoint
メモリベンチャーのクロスバー(英語版)が開発している抵抗変化型メモリとの類似点が指摘されてきたが、3D Xpointの記録メカニズムはクロスバーの技術とは異なっている。3D XPointの開発者は同技術がバルク材料の抵抗の変化に基づいているとしている。インテルのCEOブライアン・クルザニッチは3D XPointについて繰り返される質問に対し、同技術のスイッチングはバルク材料の特性を利用したものだと答えている。インテルによれば 3D XPoint は相変化記録技術もメモリスタも使用していない。
クリス・メラーは「3D XPointと同等の性能と寿命を持つ、抵抗変化型あるいは相変化型のメモリのサンプルを作成したサプライヤーはないようだ」とザ・レジスター(英語版)の記事で書いている。
3D XPointの各記憶素子はトランジスタを使用しないため、記録密度はDRAMと比較し4倍程度になるとみられる。