西澤潤一
半導体電子工学分野で独自の半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論を考案し、それに基づいてpn接合に絶縁体(i:insulator)層を挟んだpin構造を持つ電子デバイスであるpinダイオード、静電誘導トランジスタ、静電誘導サイリスタ等を発明する。
半導体への不純物導入手法としてイオン注入法を発明。半導体の結晶成長においてエピタキシャル成長の各種手法を開発した。またこれらに使用する製造装置に関する技術でも特許を多数取得している。
半導体の結晶成長技術の成果として高輝度発光ダイオード(赤色、緑色)を開発した。
光通信の3要素である発光素子、伝送路、受光素子を開発する。
2002年、米国電気電子学会(IEEE)は、西澤の名を冠した「ジュンイチ・ニシザワ・メダル(Jun-ichi Nishizawa Medal)」を電気事業連合会の後援によって設立し、電子デバイスとその材料科学の分野で顕著な貢献をした個人・団体を顕彰している。
西澤の研究に近い所で、光ファイバーの研究でチャールズ・カオが2009年にノーベル物理学賞を受賞している。光ファイバーの研究史については光ファイバー #歴史を参照されたい。。
主な業績として次のものが挙げられる。
半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論(1950)
PINダイオードの開発(1950)
イオン注入法の開発(1950)
静電誘導型トランジスタの開発(1950)
pnipトランジスタ(1950)
電子なだれ電流増幅トランジスタ開発(1951)
化学量論的組成制御法の開発(1951)
西澤 潤一(にしざわ じゅんいち、1926年9月12日 - 2018年10月21日)は、日本の工学者。東北大学名誉教授。日本学士院会員。 専門は電子工学・通信工学で、半導体デバイス、半導体プロセス、光通信の開発で独創的な業績を挙げた。半導体関連の特許保有件数は世界最多である。
東北大学総長、岩手県立大学学長、首都大学東京学長、上智大学特任教授を歴任。