トランスインピーダンスアンプ
V out I in = − R f {\displaystyle {\frac {V_{\text{out}}}{I_{\text{in}}}}=-R_{\text{f}}}
ゲインが大きい場合,オペアンプの非反転入力に入力オフセット電圧があると,出力にDCオフセットが発生する。 オペアンプの反転端子に入力バイアス電流が流れると、同様に出力オフセットが発生する。 これらの影響を最小限に抑えるため、トランスインピーダンス・アンプは通常、入力オフセット電圧が非常に低い電界効果トランジスタ(FET)入力のオペアンプで設計される。
光導電モードで動作するフォトダイオードでは、図2のようにトランスインピーダンスアンプを使用することができる。逆バイアスによって空乏層の幅が広がり、キャパシタンスが低下することで、高周波数域での性能が向上する。通常は、安定性の向上のためにフィードバック容量Cf が必要となる。