植之原道行
鹿児島県出身。鹿児島県立第二鹿児島中学校 (旧制)、広島陸軍幼年学校、陸軍航空士官学校を経て、1949年日本大学工学部電気工学科卒業。1956年オハイオ州立大学電気工学科博士課程修了、博士号(Ph.D.)取得。日本大学工学部助手、オハイオ州立大学研究助手、日本大学講師を経て、1957年ベル研究所に研究員として入社。論文「Theoretical and experimental study on the millimeter-wave cavity Barkhausen-kurz oscillator」により1958年3月に東北大学から工学博士号授与。
1967年に日本電気株式会社へ中央研究所電子デバイス研究部長として入社し、1972年同社理事兼中央研究所所長となる。1976年取締役となって技術経営に従事し、1980年常務取締役、1982年専務取締役。1984年電子情報通信学会副会長。1987年代表取締役副社長に就任。世界に先駆けたGaAsパラメトリック増幅器の開発など半導体デバイス分野で多くの業績を残す。1989年取締役副社長最高技術経営者を辞任し特別顧問となる。1993年電子情報通信学会編集長。後、同社顧問を務めながら多摩大学大学院教授として社会人の教育に従事し、1998年同大学名誉教授の称号を受ける。