点接触型トランジスタ
最初期に開発された半導体増幅素子で樹脂性の三角形の頂点に金属箔をつけて切り込みを入れてゲルマニウムの小片に押し付けた構造になっている。"点接触型"というのは後に"合金型"や"成長型"などの、接合型トランジスタが登場したことによるレトロニム。