ジャン・ヘルニ
ヘルニは、1924年9月26日、スイスのジュネーブで生まれた。ジュネーブ大学で数学の学士号を取得し、物理学で2つの博士号を、1つはジュネーブ大学から、もう 1 つはケンブリッジ大学から取得している。
1952年、彼はカリフォルニア工科大学で働くために渡米し、そこでトランジスタの作成に深くかかわったベル研究所の物理学者であるウィリアム・ショックレーと知り合うことになる。
数年後、ショックレー は ヘルニを採用し、カリフォルニア州マウンテンビューにあるBeckman Instruments(現在のベックマン・コールター(英語版))の新たに設立されたショックレー半導体研究所で一緒に働いた。しかし、ショックレーの奇妙な行動により、いわゆる「8人の反逆者」 (ヘルニ、ジュリアス・ブランク、ビクター・グリニッチ、ユージーン・クライナー、ジェイ・ラスト、ゴードン・ ムーア、ロバート・ノイス、シェルドン・ロバーツ) はショックレーの会社を離れ、フェアチャイルド セミコンダクター社を設立することになる。
1958年、ヘルニは電気化学学会に出席し、ベル研究所のエンジニアであるモハメド・アタラが、酸化物(二酸化ケイ素)の不動態が、シリコン表面に形成されたpn接合の保護膜となることを実証した論文を知った。
ヘルニは興味をそそられ、ある朝、アタラのデバイスについて考えているときに、プレーナー技術の概念を思いついた。シリコン表面に対する二酸化シリコンのパッシベーション効果を利用して、二酸化シリコン層で保護されたトランジスタを作ることを提案した。
ジャン・ヘルニ(Jean Amédée Hoerni、1924年9月26日 - 1997年1月12日) は、スイス系アメリカ人の電子工学技術者。シリコントランジスタの先駆者であり、「8人の反逆者」の一員。トランジスタや集積回路などの半導体デバイスを確実に製造する上で重要な技術であるプレーナー プロセスを開発した。