X線光電子分光
分析するに当たり、仕事関数・チャージアップの補正を行う。上述の欠点で触れたオイルミストや汚れ由来のC1sピークを逆に利用して補正を行うなどする。シクロヘキサンのC1sは285.2eVであり、これをオイル・汚れの炭化水素鎖のC1sとして、スペクトル中のC1sピークを285.2eVに合致するように調整することにより補正を行う。
光電子の強度(個数) I {\displaystyle I} は以下の式で表される。
I = F ( E ) X 0 N τ ( E ) σ cos  θ {\displaystyle I=F(E)X_{0}N\tau (E)\sigma \cos \theta }
ここで F ( E ) {\displaystyle F(E)} は装置によって異なる装置透過関数、 X 0 {\displaystyle X_{0}} は入射X線強度、 N {\displaystyle N} は原子密度、 τ ( E ) {\displaystyle \tau (E)} は非弾性平均自由行程と相関する減衰長さ、 σ {\displaystyle \sigma } は光イオン化断面積、 θ {\displaystyle \theta } は光電子取り出し角度。
したがって装置と測定条件が一定であれば、これらのパラメータを感度係数に含めることで定量ができる。i成分の濃度を N i {\displaystyle N_{i}} 、光電子強度を I i {\displaystyle I_{i}} 、相対感度係数を S i {\displaystyle S_{i}} とすると
N i ∑ N i = I i / S i ∑ I i / S i {\displaystyle {\frac {N_{i}}{\sum {N_{i}}}}={\frac {I_{i}/S_{i}}{\sum {I_{i}/S_{i}}}}}
と表せる。