高電子移動度トランジスタ
HEMTが提案された際、シリコンのロジック回路を置き換える目的で、相補型のHEMTに関しても研究が行われた。しかし、n型に相当する本来のHEMTは高移動度で高速動作が可能であるが、p型に相当する素子はGaAsの本来のホール移動度が非常に低いため、実用性が低いことが分かり、実用化はされていない。