有機金属気相成長法
MOCVDは化合物半導体の作製において、III族元素In(インジウム)の原料としてTMIn (tri-methyl-indium)(英語版)や、Ga(ガリウム)の原料としてTMGa (tri-methyl-gallium)(英語版)、Al(アルミニウム)の原料としてTMAl (tri-methyl-aluminum) 等の有機金属原料を用いる事から、有機金属気相成長法と呼ばれている。V族の原料ガスにはAs(砒素)の水素化物であるAsH3(アルシン)や、P(燐)の水素化物であるPH3(ホスフィン)、N(窒素)の水素化物であるNH3(アンモニア)など、毒性の極めて強い特殊高圧ガスを利用する為、安全設計は重要である。
有機金属原料は常温では液体・固体であるが,飽和蒸気圧が高い性質を利用して恒温槽で温度を一定に保った原料中にH2やN2をキャリアガスとして用いてバブリングすることで、結晶成長に十分な量の成長用原料をガスを安定した流量で成長基板に供給する事ができる。
原料ガスの混合により多元系の材料を形成する事が容易であり、III-V族半導体以外にも、II-VI族半導体や、高温超伝導材料等といった幅広い材料系の作製が可能である。
混合された原料ガスが加熱された基板に達すると,分解・化学反応をおこし、結晶情報を引き継いで成長(堆積)する。原料ガスの流量比・温度・圧力などを変えることによって様々な組成・物性・構造を持つ半導体を作ることができる。