共鳴トンネルダイオード
III-V族半導体を用いるRITDとしては、InAlAs/InGaAs RITD が室温において70から144の間のPVCRを実現しており、スズベースのRITDも室温でPVCR 20を実現している。III-V RITD の主な欠点は、Siプロセスと非互換なことと、高価なことである。