ナノリソグラフィ
X線リソグラフィ(英語版)は短波長1 nmの光源を露光に使用する事により解像度を15 nmが可能である。これは近接露光法によって実現される。この技術はバッチプロセスの拡大のために開発された。この手法をフレネル回折内の近接場X線で展開する事によって:"極限状態"までウエハーに近接することによって鮮明にマスクのパターンが"縮小される"。この状態はマスクとウエハー間の隙間と鮮明なマスクのパターンと波長の寸法の両方に依存すると認識される。この方法はレンズを必要としないので単純である。
多重露光はリソグラフィの工程でピッチの解像度を高める為に同じ層で予め露光した後、もう一度露光する方法である。これはどの露光やパターン形成技術にも追加する事が出来るので柔軟性がある。適用できる大きさはエッチングはリソグラフィ技術ではないエッチングや側壁スペーサによって縮小される。32nm以降の工程から市販のマイクロプロセッサの製造に使用される。 "多重露光"は次世代リソグラフィ技術が実用化されるまでのつなぎとして使用が期待される。
光学マスクレス リソグラフィ これは反射光で直接描画する為にデジタルミラーアレイを使用することでマスクが不要とする。生産性は低いがどの世代でも高騰し続けるマスクに関連する費用を削減できるので研究室のように最先端の回路で少量生産の事例においてはこのようなシステムの方が費用対効果に優れるので生産性は懸念事項にはならない。