半導体素子
ソニー - ソニーセミコンダクタソリューションズ
東芝
ルネサス エレクトロニクス
日立製作所と三菱電機の半導体部門が合併して設立されたルネサス テクノロジにNECエレクトロニクスがさらに合併して設立された。
ヌヴォトン テクノロジージャパン - 旧パナソニック
富士通
オン・セミコンダクター・ホールディングス - 旧・三洋半導体
シャープ
京セラ
沖電気工業
セイコーエプソン
ローム
サンケン電気
富士電機システムズ
ゲートターンオフサイリスタ (GTO)
トライアック (TRIAC)
バイポーラトランジスタ
電界効果トランジスタ (FET)
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT)
ユニジャンクショントランジスタ (UJT)
フォトトランジスタ
CCDイメージセンサ(固体撮像素子)
もっとも初期のタイプである。ゲルマニウムなどの半導体表面に針を刺して各端子にする物である。1945年にダイオードが、1948年にトランジスタが開発された。点接触形ダイオードは端子間容量が小さく、高周波特性が良いので検波用ダイオードとして広く用いられ、今日でも特定用途に生産されている。他方、点接触形トランジスタは、トランジスタ発明当時の姿であり、エミッタ端子とコレクタ端子との間隔を微小に保つことの困難さや、動作の不安定さなどからまもなく接合型トランジスタに取って代わられた。 この方式以外の半導体は、原則としてすべて接合型構造に分類される。