シリコンナノワイヤ
SiNWの合成法はいくつか知られており、大きく分けると、バルクシリコンから出発して材料を除去してナノワイヤを得る方法(トップダウン合成とも呼ばれる)と、一般にボトムアップ合成と呼ばれるプロセスで化学的または蒸気的前駆体を用いてナノワイヤを構築する方法があるる。
シリコンナノ構造体を得るために、トップダウンまたはボトムアップで物理的または化学的処理を行った後、所望のサイズとアスペクト比を持つ材料を得るために、熱酸化工程がしばしば適用される。シリコンナノワイヤーは、拡散の制限によって酸化が効果的に停止するという、明確で有用な自己制限酸化挙動を示し、これをモデル化することができる。この現象によって、SiNWの寸法とアスペクト比を正確に制御でき、直径5nm以下の高アスペクト比SiNWを得るために使われている。 SiNWの自己限定的な酸化は、リチウムイオン電池の材料として価値がある。