西澤潤一
『闘う独創技術』(日刊工業新聞社) 1981年5月 ISBN 4526012475
『愚直一徹 - 私の履歴書 -』(日本経済新聞社) 1985年10月 ISBN 4532093910
『独創は闘いにあり』(プレジデント社) 1986年2月、のち新潮社(新潮文庫) 1989年2月
『西澤潤一の独自開発論』(工業調査会) 1986年3月 ISBN 4769350155
『「技術大国・日本」の未来を読む』(PHP研究所) 1989年9月 ISBN 4569525334
『私のロマンと科学』(中央公論社、中公新書) 1990年3月 ISBN 4121009665
『独創教育が日本を救う』(PHP研究所) 1991年8月 ISBN 4569532748
『人類は滅亡に向かっている』(潮出版社) 1993年12月 ISBN 4267013438
『東北の時代 - もはや一極集中の時代ではない』(潮出版社) 1995年4月 ISBN 4267013829
半導体中のなだれ現象の発見(1952)
アバランシェフォトダイオードの開発(1952)
pinフォトダイオード(1953)
pnipドリフトトランジスタ(1954)
走行時間負性抵抗トランジスタ(1954)
エレクトロエピタキシの発明(1954)
半導体レーザーの発明(1957)(1957年 日本国特許出願)・開発
レーザーディスクの原理(1957)
半導体インダクタンスの発明(1957)
タンネットダイオード(1958)
可変容量ダイオード(1959)
フォトカプラ(1960)
温度差法によるシリコンのエピタキシャル成長(1963)
分子振動、格子振動(フォノン)を利用したテラヘルツ波発生の提案(1963年)
集束型光ファイバー(GI型光ファイバー)の開発(1964)
FETの飽和特性解明(1968)
静電誘導サイリスタの開発(1971)
MOSSITの提案(1971)
GaAs(ガリウム砒素)の蒸気圧液相成長法(1971)
蒸気圧制御温度差液相成長法の発明(1972)
バリスティックトランジスタ(1973)
ストイキオメトリ制御された結晶成長法(1973)
高輝度赤色発光ダイオード(GaAlAs)(1976)
高輝度緑色発光ダイオード(GaP)(1976)
光サイリスタ(光トリガサイリスタ)(1984)
光励起エピタキシャル成長法(1984)
静電誘導トランジスタ-集積回路(1984)
光励起分子層エピタキシャル成長法(PMLE)(1984)
両面ゲート静電誘導サイリスタ
GaAs完全結晶成長法
テラヘルツ波による癌診断、がん治療の提案(2000年)
Flynnと共に、現存のコンピュータの低消費電力下での処理速度増強のための、マーチングメモリ(記憶情報超高速内部移動形メモリ)の研究に従事し、成果として数多くの国での特許、計29件を取得。他方、2020年、現存のコンピュータのプログラムでの稼働が可能となる“世界初の量子コンピュータの設計理論”の確立を完成。この研究から派生して、ハイゼンベルクの不確定性原理に対する疑問を投げかける理論的考察結果を示し、今後の物理学の在り方を示唆した。全ての研究を通しての、査読付き論文数346編。代表著書としては、英国物理学会(Institute of Physics)から出版の、”Simplified Quantum Computing with Applications”が挙げられる。
* 西澤潤一研究室ではないが、外様の弟子としてシンラタービン(Shinla Turbine)発明者の齋藤武雄がいる。
日本学士院賞受賞に当たって直接の面識や指導を受けた事のない八木秀次の推薦を受けている。
東北大学を退官後は東北大学、岩手県立大学、首都大学東京で学長を歴任し、大学経営に従事する。
2018年10月21日、仙台市で死去。92歳没。