リン化インジウム
インジウム燐にFe、Si、S、Znといった不純物を添加することで、高抵抗(抵抗率>10MΩcm)の半絶縁性基板、n型導電性、p型導電性の低抵抗基板が一般に用いられている。
インジウム燐材料の物性を活かしたデバイスとしては、ガンダイオードと呼ばれるミリ波で発振するデバイスがある。伝導帯の二つの谷における電子移動度の違いによる発振現象を利用している。
単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。
安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確ではないが、他のインジウム化合物において多量の粉塵を吸入したときの標的臓器への健康有害性が報告されているもあり、大量に扱う場合には適切な対応が必要な場合もある。