高電子移動度トランジスタ
高電子移動度トランジスタ(こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor)は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。
2019年、IEEEより、HEMTは世界中の人々を映像で楽しませる手段として大きな役割を果たしていることが高く評価され、IEEEマイルストーンに認定された。
ドレイン電流電圧特性は、あるドレイン電圧で電流が飽和する、いわゆる飽和特性を示す。電子移動度が高いこと、電子の飽和速度が高いこと、および電子供給層のドーピング濃度が高いことから、次のような特長を持つ。
相互コンダクタンスgmが大きい InP系HEMTにおいて1 S/mm以上の値が得られる。
高周波における利得が高く、電流利得カットオフ周波数fTならびに最大発振周波数fmaxが高い 2008年、Microsystems Technology Laboratoriesは、30nmゲートInP系PHEMTにおいてfT=628GHzが達成されたことを報告した。
低雑音 雑音指数として12GHzで0.4dBのものが市販されている。
高スイッチング速度