電子情報技術研究所
マイクロエレクトロニクスのためのマイクロ・ナノテクノロジー
バイオ及び医療のためのマイクロ・ナノテクノロジー
マイクロ・システムの開発及び統合
医療及びセキュリティーのための映像技術
ワイヤレス、スマートデバイス
宇宙及び科学
エネルギー、輸送、環境
電子情報技術研究所の技術は、宇宙工学、自動車、通信、医療、住宅、情報技術などを含む様々な産業分野で、パートナー企業にイノベーションと競争力を付与している。
1967年:当初はCEAのエレクトロニクス分野の需要を満たすために設立されたLetiは、産業界の民間企業とのパートナーシップを促進するために再編成された。
1972年:後にSTマイクロエレクトロニクス社となる、スピンオフEFCIS社設立。
1980年代:新施設及びクリーンルームなどをつくり、赤外線技術並びに磁気測定分野の研究で知名度を上げる。同時に、加速度センサーや重量センサーを含むMEMSの開発を始める。又、Letiはシリコン加速度センサーの特許を取得する。
1991年:フランス国立電気通信研究センター(CNET)と協力して、グルノーブル・サブミクロン・シリコン・イニシアティブ(GRESSI)を設立。
1992年:シリコン・オン・インシュレーター及びその他の半導体基板技術の商業化のためにスピンアウトSoitec社が創設される。
1997年:カスタマー・スペシフィックMEMS製造技術の商業化のためにスピンアウトTronics Microsystems社が創設される。
2002年:初めて200mmウエハーでの200mmシリコン・ジャイロメーターに成功。
2003年:Siアクセレロメータ・プロセスを移転
2006年:地元及び中央政府並びにグルノーブル技術研究所(INPG)との協力により、マイクロ・ナノテクノロジー分野の公共機関と産業界とのパートナーシップを支援するための研究開発カンパス、MINATECをグルノーブルに設立。
2008年:Caltechと提携(NanoVLSI)
2009年:IBM More Moore CMOS提携
2011年:初の3D 300mm フルケーパビリティー3&Dライン