基板接合
高真空中で接合する基板表面にイオンビームなどをあてダングリングボンドを形成し活性化する。活性化した面同士を合わせると加熱を必要とせずに強固な接合が得られる。異種材料同士でも接合が可能である。拡散接合のように高温に加熱する必要がないため常温接合と呼ばれる。加熱を必要としないため、集積回路を作製後にも行うことができる。また異種材料同士でも接合できるため、シリコンに化合物半導体などを接合することができるため、高機能な光デバイスや高周波デバイスをシリコン基板上に作製できる。