SDRAM
VCMはNECが独自開発したSDRAMの一種だが、オープン標準としてリリースされ、ライセンス料を徴収しなかった。VCMでは各種システムプロセスにそれぞれ仮想チャネルを割り当てられるため、プロセス群がバッファ空間を共有する必要性を避け、システム全体の効率を向上させる方式だった。具体的にはメモリを独立したブロック群で構成し、ブロック毎にメモリコントローラとのインタフェースとバッファ空間を設けていた。SDRAMに比べてレイテンシが格段に小さく、高性能だった。RDRAMに比べると安価で、そのモジュールは通常のSDRAMと互換性があったが、メモリコントローラはVCMであることを認識して対応する必要があった。VCMをサポートしたマザーボードは数少ない。
例えば4ワード・バーストでカラムアドレス4から7のいずれかにアクセスしようとすると、4-7の4ワードがバースト転送される。ブロックの先頭から転送を要求した場合、順番に転送されるだけである。しかし、ブロックの途中のアドレスから転送を要求すると、その転送順序は要求したアドレスに依存し、「シーケンシャル」または「インターリーブ」という2つのバースト種別のオプションで設定される。一般にメモリコントローラはどちらか一方をサポートしている。
バースト長が1または2の場合、バースト種別は問題とはならない。バースト長が1なら、要求されたワードにアクセスするだけである。バースト長が2なら、まず要求されたアドレスのワードにアクセスし、次にブロックを構成するもう1つのワードにアクセスする。指定したアドレスが偶数なら2番目にアクセスするのはその次のワードであり、奇数なら1つ前のワードということになる。
シーケンシャル型のバーストモードでは、指定されたアドレスを起点としてアドレスが大きくなる順にアクセスしていき、ブロック境界まで来るとブロック先頭に戻って順にアクセスしていく。
SDR SDRAM の後継として、DDR以外にも次のようなメモリテクノロジーが提案されてきた。
どのような状態でもNOPコマンドは常に受け付けられる。
全バンクがアイドル状態のとき、以下のコマンドが発行できる。
モードレジスタのロード・コマンド:モードレジスタの変更が効力を持つまである遅延時間がかかる。
オートリフレッシュ・コマンド:チップがアイドル状態に戻るまでにリフレッシュサイクル時間 tRFC がかかる。この時間は一般に tRCD+tRP と同じである。
全バンクではなく、対話したい特定のバンクがアイドル状態のときに発行できるコマンド
アクティブ・コマンド:上述の通り、アクティブ・コマンドはロウが完全に開いてリードまたはライト・コマンドを受けつけ可能になるまで tRCD という時間を要する。
バンクが開いているとき(オープン状態のとき)、4つのコマンドを受け付けられる。
リード・コマンド
ライト・コマンド
バースト終了コマンド
プリチャージ・コマンド
リード・コマンドはリードバースト(連続読出)を開始する。一方、ライト・コマンドはライトバースト(連続書込)を開始する。そして、続くコマンドによってバーストを中断できる。
すべてのコマンドはクロック信号の立ち上がりのタイミングでとられる。クロックに加えて6つの制御信号があり、たいていは負論理で、クロックの立ち上がりのタイミングでサンプリングされる。
クロックレートが高いと、実用可能なCASレイテンシのクロックサイクル数は増大する。10-15ns という時間は、200MHzの DDR-400 SDRAM では 2-3サイクル (CL2-3)、DDR2-800 では CL4-6、DDR3-1600 では CL8-12 となる。クロックサイクルが遅ければ、当然ながらCASレイテンシのサイクル数も小さくなる。
SDRAMモジュールにはそれぞれのタイミング仕様があり、そのモジュールで使っているチップ自体のそれよりも遅いことがある。100MHz SDRAMチップが登場したころ、100MHz対応と称したモジュールはそのクロックレートでは確実に動作できないことがあった。そのためインテルは PC100 規格を策定し、100MHzで安定動作できるメモリモジュールを生産するためのガイドラインと要求仕様を定めた。この規格は広く影響を及ぼし、PC100 は100MHzのSDRAMモジュールを指す用語となり、"PC" の後に数字をつけた名称が広く使われるようになった(その後、数字の意味は変化している)。