フォノン散乱
物質が高濃度にドープされたときには、フォノン-電子散乱の寄与も重要になる。 これに対応する緩和時間は次で与えられる。
1 τ p h − e = n e ε 2 ω ρ V 2 k B T π m ∗ V 2 2 k B T exp  ( − m ∗ V 2 2 k B T ) {\displaystyle {\frac {1}{\tau _{\mathrm {ph-e} }}}={\frac {n_{e}\epsilon ^{2}\omega }{\rho V^{2}k_{\mathrm {B} }T}}{\sqrt {\frac {\pi m^{*}V^{2}}{2k_{\mathrm {B} }T}}}\exp \left(-{\frac {m^{*}V^{2}}{2k_{\mathrm {B} }T}}\right)}
パラメータ ne は伝導電子濃度、ε は変形ポテンシャル、ρ は質量密度、m は電子の有効質量である 。 通常はフォノン-電子散乱による熱伝導への寄与は無視できると仮定される。