マルチゲート素子
“米Intel、3次元トランジスタ技術の量産を年内に開始......22nmの「Ivy Bridge」に採用”. RBB TODAY. (2011年5月5日). https://www.rbbtoday.com/article/2011/05/05/76683.html 2011年5月27日閲覧。
“Intelが22nmプロセスに採用するTri-gateトランジスタを読み解く”. マイコミジャーナル. (2011年5月6日). https://news.mynavi.jp/techplus/article/20110506-intel_tri-gate/ 2011年5月27日閲覧。
“インテルが22nm世代から3次元トランジスタ技術を量産適用”. 日本経済新聞. (2011年5月6日). http://www.nikkei.com/tech/news/article/g=96958A9C93819499E2E4E2E29C8DE2E4E2E7E0E2E3E3E2E2E2E2E2E2
従来型の半導体製造工程で非プレナー型マルチゲート素子を製造するための挑戦すべき課題:
数十ナノメーター幅の「フィン」状の薄いシリコンの製作
フィンの周囲に密着するゲートの製作