CMOS
MOSFET(金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ、MOSトランジスタ)は、1959年にベル研究所のモハメド・M・アタラ(英語版) とダウォン・カーンによって発明された。MOSFETの製造プロセスには、もともとPMOS(p型MOS)とNMOS(n型MOS)の2種類があり、いずれもMOSFETを発明した当時のアタラとカーンが1960年にゲート長20μmを開発し、その後10μmのPMOS、NMOSデバイスを開発したものである。MOSFETは当初、バイポーラトランジスタを優先していたベル研究所では見過ごされ無視されていたが、MOSFETの発明はフェアチャイルドセミコンダクターで大きな関心をよんだ。アタラの研究に基づいて、チータン・サー(英語版)が1960年後半に製造したMOS制御四極真空管でフェアチャイドにMOS技術を導入した。