胡正明
胡は1947年に北京で生まれ、幼少期に家族で台湾に渡った。1968年に台北の国立台湾大学電気工学科を卒業し、アメリカに留学した。カリフォルニア大学バークレー校で1970年に修士号、1973年に博士号を取得した。1976年から、同大学の電気工学・計算機科学部で教員を務める。
胡はマイクロエレクトロニクスの分野において大きな貢献をしている。胡はマルチゲートMOSFETデバイスであるFinFETやBSIM(英語版)ファミリーの開発者の一人である。1980年代からは、半導体のシリコン酸化膜の信頼性について執筆している。
2001年から2004年まで台湾積体電路製造(TSMC)の最高技術責任者(CTO)を務めたほか、インファイ(英語版)、FormFactor、MoSys、サンディスクなどの取締役を務めた。また、Celestry Design Solutions社を設立して取締役会長を務めた。
1997年: 全米技術アカデミー会員
1997年: IEEEジャック・A・モートン賞
2002年: IEEEソリッドステート回路賞(英語版)
2002年: IEEEポール・ラポポート賞
2004年: 中央研究院院士
2007年: 中国科学院外籍院士
2009年: IEEEジュンイチ・ニシザワ・メダル
2013年: フィル・カウフマン賞(英語版)
2014年: アメリカ国家技術賞
2016年: 工業技術研究院院士
2020年: IEEE栄誉賞