質量作用の法則 (半導体)
自由正孔濃度pも同様な式で与えられる。
p = N v exp [ − ( E F − E v ) k T ] {\displaystyle p=N_{v}{\text{ exp}}\left[-{\frac {(E_{F}-E_{v})}{kT}}\right]}
ここで
EFはフェルミ準位
Evは価電子帯のエネルギー
kはボルツマン定数
Tはケルビン単位の温度
Nvは価電子帯端での有効状態密度で、 N v = 2 ( 2 π m h ∗ k T h 2 ) 3 / 2 {\displaystyle \textstyle N_{v}=2\left({\frac {2\pi m_{h}^{*}kT}{h^{2}}}\right)^{3/2}} と与えられる。m*hは正孔の有効質量、hはプランク定数である。