Surrounding Gate Transistor
Surrounding Gate Transistor(サラウンディング・ゲート・トランジスタ)は舛岡富士雄が研究開発を進めている次世代半導体。
これまで平面に焼き付けていた半導体素子を円柱に垂直に焼き付けることでダイサイズを数分の一にするという。このため三次元半導体とも呼ばれることがある。舛岡いわく、すでに原始的な試作品をつくっており、MOS型で20GHz程度までクロック周波数を引き上げられるという。最終的には50GHzが目標とのことで、2010年ごろに試作を終えたいとしている。詳細は下記舛岡のインタビューや本人のサイトなどを参照のこと。