シャロートレンチアイソレーション
STIが形成されるのは、トランジスタ形成より前の半導体デバイス製造プロセスの初期段階である。
シリコン基板に絶縁膜(酸化物と保護窒化膜)を積層させる。
リソグラフィプリント。
ドライエッチング(反応性イオンエッチング)によってトレンチ(溝)を形成させる。このとき反応性イオンエッチングでの形状制御や、欠陥などのダメージが課題となる。
CVDにより酸化物を堆積させ、トレンチを埋め込む。このときボイドやシームができないような埋め込み(gap fill)をする必要がある。
化学機械研磨(CMP)により余分な酸化物を除去し平坦化させる。このときCMPでのディッシングなどに注意が必要でする。
保護窒化膜を除去する
酸化物とSiの高さ調整をする