熱暴走
またこのような故障が許されない装置では回路は恒温槽に置かれたり、あるいは動作に関係なく発熱と冷却が一定温度で拮抗状態となるように設計されている(N-MOSプロセス技術等)。砂漠地帯での運用が想定される軍事用コンピュータ、超低温から超高温まで激しい温度変化に曝されるECU、航空宇宙向けや人工衛星で採用されている。
その他、大規模集積回路で採用されている歪みシリコン技術は、結晶格子の大きさが異なるシリコンとゲルマニウムの合金によって電子の移動速度を加速し、応答速度を改善する技術である。しかし、温度変化に非常に鈍感である(100°C以上になっても問題はない)シリコンに比べて、ゲルマニウムは温度に敏感で、温度が上昇すると固定されていなければならない回路定数が変化してしまい正常な機能を喪失する恐れがある。このため歪みシリコン技術を使用した集積回路の動作温度は比較的低温(35 - 65°C)で稼働させる様、回路上に温度センサーを多数配置してダイ全域の温度を監視して通電状態を制御したり、非常に強力な冷却装置(ヒートシンクなど)を併用する事が多い。