ショットキーバリアダイオード
pn接合ダイオードとショットキーダイオードの間の最も重要な違いは、ダイオードが導通状態から非導通状態へ切り替わるときの逆回復時間 (trr) である。 pn接合ダイオードの場合、高速なものなら逆回復時間は、数マイクロ秒から100 ns未満のオーダーにすることができる。 導通状態の間に拡散領域に溜まる少数キャリアによって引き起こされる拡散容量(英語版)が主な制約となって逆回復時間はこれより短くできない。 ショットキーダイオードは、ユニポーラ素子(電子と正孔のどちらか一つのみを使う素子)であり、接合容量のみが速度の制約になるので、非常に高速である。 スイッチング時間は、小信号ダイオードの場合で100ピコ秒以下であり、超高耐圧電力ダイオードの場合で数十ナノ秒までである。 pn接合ダイオードの場合、逆回復電流も発生する。高出力半導体において、逆回復電流はEMIノイズを増大させることになる。 ショットキーダイオードの場合、それほど懸念することのないわずかな容量負荷だけなので、本質的に「瞬間」で動作する。
この「瞬間」のスイッチングは、常に当てはまる訳ではない。 特に高電圧ショットキー素子において、ブレークダウンフィールドの幾何学的形状を制御するために必要なガードリングは、通常の回復時間属性を持った寄生pn接合ダイオードを生み出す。 このガードリングが生み出した寄生ダイオードは、順方向にバイアスされない限り、ショットキーダイオードに静電容量だけを追加する。
ショットキーダイオードの最も明確な制約は、低い降伏電圧と多い逆漏れ電流(英語版)である。 シリコンー金属接合のショットキーダイオードの場合、降伏電圧は一般的に50 V以下である。 さらに高電圧な設計も可能であるが、降伏電圧が200 Vもあれば高い方とみなされる(pn接合のダイオードだと1000 V程度のものは珍しくない)。 逆漏れ電流は、温度とともに上昇するので、熱暴走問題を引き起こす。 このことは、実用的な降伏電圧を定格以下に制限することになる。
より高い降伏電圧を実現した場合、他の形式の標準的なダイオードと同等の高い順方向電圧になってしまう。 そのようなショットキーダイオードは、スイッチング速度を要求されない限り、利点がないということになる。