イオン注入
酸素をシリコン基板中に高エネルギー・高濃度で注入した後、熱処理を行うことにより、シリコン基板の深い所にシリコン酸化物の層を形成する。シリコン酸化物が絶縁体であるため、SOI(Silicon on Insulator)構造となる。