ディプリーション負荷NMOSロジック
初期のMOSFETロジックは、一つのMOSFETで構成されており、エンハンスメントモードだったので、論理スイッチとして動作することができた。 適切な抵抗を作るのが難しいので、論理ゲートは飽和したMOSFETを負荷抵抗として使った。負荷抵抗として動作するMOSFETを作るためにMOSFETのゲート電極を電源(PMOSロジックの場合は負電源。NMOSロジックの場合は正電源)に接続することによって常にONさせる必要があった。 その方法で接続されたMOSFETの電流は、負荷に印加される電圧の2乗になる。そのため、プルアップ時(出力High)は負荷に印加される電圧が低くなり、電流があまり流れないので、プルアップに時間がかかる。一方、プルダウン時(出力Low)は負荷に印加される電圧が高くなり、電流が増えるので、プルダウンは短時間で終わる。 MOSFETを抵抗の代わりに使うよりも本当の抵抗(電流は電圧に単純に比例する)の方が良く、電流源(電圧に関係なく電流が一定)はさらに良い。 ソース電極とゲート電極を接続したディプリーションモードMOSFETは、エンハンスメントモードMOSFETよりもかなり良い負荷になる。抵抗と電流源の中間的な動作をするからである。
最初のディプリーション負荷NMOS回路は、DRAMメーカーのモステックによって開拓され製造された。