抵抗変化型メモリ
ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。
ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、
電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい
比較的単純な構造のためセル面積が約6F(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能
電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速
といったデバイスとしての利点がある。