磁気インピーダンス素子
Z = α 2 ρ R d c ( 1 + j ) ω μ ( H e x ) {\displaystyle Z={{\alpha \over {2{\sqrt {\rho }}}}Rdc}{\left({1+j}\right)}{\sqrt {{\omega \mu }{\left({Hex}\right)}}}}
Z; = ワイヤのインピーダンス
α = ワイヤの直径
ρ = 導体の電気抵抗率
Rdc; = 直流抵抗
ω = 通電電流の角周波数 = 2π × 周波数
μ = 通電電流に直角方向の最大微分透透磁率
Hex; = 外部磁場
この磁気インピーダンス効果は、零磁歪アモルファスワイヤで特に高感度に現れ、円柱形状のアモルファスワイヤは、磁気的には厚さが外部磁界で変化する薄肉円筒として動作し、その中でスピン磁気モーメントが外部磁界方向に回転して磁気センサヘッドになる。このため、従来の高感度磁気センサであるフラックス・ゲートセンサでは困難なマイクロ寸法での動作ができる。
小型化するためには高感度化が不可欠で、信号雑音比を高めようとすれば、出力は印加するパルス電流の周波数の平方根(√f)に比例するので周波数を上げれば感度は上がることになる。一方で磁壁を動かすためにはある程度のエネルギーが必要だが、ギガヘルツのパルス電流では、電流が流れる時間が短すぎてエネルギーが足りず、磁壁を振動させることができない。