二次元電子ガス
ほとんどの2DEGは、半導体により作成される平面構造を持った高移動度トランジスタや矩形量子井戸で観測される。最も、一般的な2DEGは、MOSFET(NMOS)における反転層における電子や、HEMTのチャネルにおける電子がこれに当たる。どちらの場合でも、チャネルのフェルミ準位が伝導帯より上に存在することにより、その領域が電子で満たされる。この領域は、シート状に存在し、電子は水平方向への移動は可能であるが、垂直方向へは移動が困難であるため、擬似的には二次元状に分布している。これは、二次元電子ガスの名前の由来でもある。MOSFETの場合もHEMTの場合も、材質間の伝導帯と価電子帯の障壁及び印加する電圧を利用して2DEGを形成している。HEMTの場合には、2DEGが形成される半導体がアンドープのものであるため、(イオン化不純物散乱の打ち消しあう効果がある、ドープされたチャネルを用いる)MOSFETと比較して、高移動度な特性を確認できる。