フラッシュメモリ
過去の経緯により、一般的にNOR型はSRAMインターフェース (搭載bit数が増えるとアドレスバス幅が増えていく)、NAND型はDRAMインターフェース (アドレスを複数回に時間分解するマルチプレクスを行う)である。また、組み込みシステム等の分野では、I2C等のシリアルバスを採用した素子(『シリアルフラッシュメモリ』と称されることもある)も用いられている。
SLC型は1つの記録素子に1ビットのデータを保持する。
蓄積電荷量の検出を "Hi/Low" の2値で判断するため、記録素子の劣化やノイズといった多少の蓄積電荷量のバラツキは問題とならない。
書き換え可能な上限回数が多い
データ保持期間が比較的長い(5年から10年)
ランダムアクセス読み出しの単位は1ブロック
NOR型に比べて読み出しは低速
NOR型に比べて書き込みは高速
NOR型に比べて高集積化に有利