ウィリアム・ショックレー
8人のうちの一部の者がフェアチャイルド・カメラ・アンド・インスツルメンツの経営者 Sherman Fairchild に会って状況を説明すると、同社の半導体部門としてフェアチャイルドセミコンダクターを創業することになった。後にインテルを創業したロバート・ノイスとゴードン・ムーアもその8人に含まれている。アドバンスト・マイクロ・デバイセズもフェアチャイルドセミコンダクター出身のジェリー・サンダースが創業している。ショックレー研究所やこれらの企業が核となってシリコンバレーが形成されることになった。
ショックレーが新たな半導体素子開発に取り組んでいたころ、フェアチャイルドとテキサス・インスツルメンツがそれぞれ独自に世界初の集積回路を開発した。ショックレーは何とか素子を完成させ、製造を開始したが、商業的には失敗に終わった。
1961年、ショックレーはハンス・クワイサーと共同で太陽電池の理論的な発電効率の限界を示す法則を発見し、ショックレー・クワイサー限界と呼ばれるようになった。
ショックレー半導体研究所は1960年に売却され、さらに1968年にITTに売却され、間もなく清算された。
現在ショックレー半導体研究所は、2015年3月からの工事により取り壊され、その跡地には大型洋服店の建設が計画されている。(2015年5月現在)
1 2 “William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race”. New York Times. (1989年8月14日). http://www.nytimes.com/learning/general/onthisday/bday/0213.html 2007年7月21日閲覧. "He drew further scorn when he proposed financial rewards for the genetically disadvantaged if they volunteered for sterilization."
↑ Shurkin 2006, p. 4
↑ Shurkin 2006, pp. 65–67
↑ D. M. Giangreco, Casualty Projections For the U.S. Invasions Of Japan, 1945-1946, Journal of Military History, Vol. 61, No. 3 (July 1997), p. 568.
↑ Robert P. Newman, "Hiroshima and the Trashing of Henry Stimson," New England Quarterly, Vol. 71, No. 1 (March 1998), p. 27.
ショックレーは90以上の特許を取得している。以下に主なものを挙げる。
US 2502488 "Semiconductor Amplifier". 1948年9月24日出願。トランジスタに関するショックレーの最初に成立した特許。
US 2569347 "Circuit element utilizing semiconductive material" トランジスタに関するショックレーが最初に出願した特許(1948年6月26日)。
US 2655609 "Bistable Circuits". 1952年7月22日出願。コンピュータで使われた。
US 2787564 "Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment". 1954年10月28日出願。半導体に不純物を注入する拡散方式。
US 3031275 "Process for Growing Single Crystals". 1959年2月20日出願。半導体製造工程の改良。
US 3053635 "Method of Growing Silicon Carbide Crystals". 1960年9月26日出願。別の半導体製造法。