チャネル長変調
形成された反転層の末端(ピンチオフ点)とドレインとの間(ピンチオフ領域)に反転していないシリコンの領域ができる。
ドレイン電圧が増加すると、その電流のコントロールはさらにソースへ広がる。よって反転してない領域はソースへ広がり、チャネル領域を短くする。これをチャネル長変調と呼ぶ。 抵抗は長さに比例するため、チャネルが短くなると抵抗が減少し、飽和でのMOSFETのドレイン電圧を増加すると電流は増加する。チャネル長変調の効果はソース-ドレイン分離が短くなると、ドレイン接合が深くなると、また酸化絶縁膜が薄くなると顕著になる。
弱い反転領域ではチャネル長変調と同様のドレインの影響があり、デバイスのスイッチオフの振る舞いが貧しくなる。これはドレイン誘起障壁低下または閾値電圧のドレイン誘起低下として知られる。バイポーラデバイスでは、コレクター電圧が減少するとベースナローイングにより同じような電流増加が見られ、アーリー効果として知られる。電流の効果の類似性により、「チャネル長変調」の代わりの名前としてMOSFETでも「アーリー効果」という言葉は使われる。