NetBurstマイクロアーキテクチャ
その中でも業界最大手のIntelは、業界の最先端を走っていたことからその問題に大きくつまずくことになる。
130nmプロセス世代では、その前世代の180nmプロセスからの移行で、漏れ電流の増加より電圧低減による省消費電力化の効果が勝っていたが、90nmプロセスになると漏れ電流が極端に増加してしまった。動作クロックを高めることで性能向上を図るPentium 4では、この問題が小型なコンピューター本体・CPU冷却装置の低コスト化や冷却騒音低減、低消費電力が求められるモバイル向けで顕著にあらわれた。同様の問題はAMDのAthlon 64でも発生したが、Athlon 64はクロックあたりの処理能力を高めるという従来の手法を踏襲したことと、製造技術にSOI(Silicon on Insulator)を採用し、その影響を大きく抑えることに成功した。ただし、AMDの次世代マイクロアーキテクチャの開発には少なからずの影響を及ぼした。Pentium 4においても漏れ電流抑制技術が採用されたが、Intelは高コストで製造に手間が掛かるSOIを敬遠し、歪みシリコンと呼ばれる技術に留まった。その結果、消費電力の大きさがPentium 4の欠点としてクローズアップされた。