半導体故障解析
1990年代に、NECエレクトロニクスによって開発された技術。波長1.3μmのレーザー光を用いる。この波長は、シリコン基板を透過する上、OBIRCH効果を遮蔽する光電流が起こらない。これでスキャニングを行うと、故障の仕方によって、特徴的なコントラストが現れる。現在、最も一般的に使われる技術の一つである。