埋込フォトダイオード
Y. Hagiwara, Japanese Patent App 50-134985, 1975.
T. Yamada, H. Okano, and N. Suzuki. “The evaluation of buriedchannel layer in BCCD’s,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 25, no. 5, pp. 544–546, May 1978.
Y. Daimon-Hagiwara, M. Abe, and C. Okada, “A 380Hx488V CCD imager with narrow channel transfer gates,” Japanese J. Appl. Phys., vol. 18, supplement 18–1, pp. 335–340, 1979.
N. Teranishi, A. Kohono, Y. Ishihara, E. Oda, and K. Arai, “No image lag photodiode structure in the interline CCD image sensor,” in Proc.
英文のWikepadiaの記述は英文しか理解できない投稿者による間違いと誤解がある記述である。そもそののこの誤解は寺西氏が英語圏の学会で埋め込みダイオードのすばらしい改良努力の内容をIEDM1982で報告する時の、先行者の仕事を報告せなかったこと、今でいうなりすまし詐欺(犯罪に相当)を犯したことである。当時の常識として部下や他人も成果をピンはねする横行が古い日本企業や大学では公然と行われていた時代で、日本が国際社会から非難を受けた時でもあった。SONY自身も問題があった。1975年出願の3件の特許も1977年と1978年の世界最初の日本国内学会発表も英語圏には伝達されていなかったことが最大の問題であった。SONYは2020年6月26日に初めて社外に萩原良昭氏の1975年の3件の出願特許と1978年のPNP接合型のPinned Photodiodeの原理試作が世界発のオリジナル論文であったことを公式にSONYは公開開示した。これでは静かに努力する発明者や開発技術者が浮かばれない不幸な過去の出来事であった。これは氷山の一角であり、多くの日本の半導体の開発技術者が企業から使い捨てにあい過少評価された結果である。これでは努力しても報われない日本の半導体電子部品産業に若者は関心をもつことがなく、日本の半導体産業の衰退は避けることができないと憂慮されている。