ゾーンメルト法
まず、棒状(柱状)のインゴットの一端を部分的に加熱して熔融(メルト)させる。この時、流れて大きく変形するほどには熔かさない。次いで加熱する箇所を移動し、熔融している部分(ゾーン)を順次反対側の端まで動かしてゆく。すると液体・固体間の相転移現象において液体側に不純物が排出されるような働き(偏析)がある物質では、以上のような操作により、再度固体になった部分からは不純物が除かれ、溶融部分に残った不純物は、最終的にインゴットの末端に集まる。
この手法は、トランジスタに必要な高純度の半導体半金属(当初はゲルマニウム)を効率的に得るゾーン精製法として、1952年にベル研究所で助手として働いていたウィリアム・ガードナー・ファーン(英語版)により発明された。手法自体は半導体半金属に限らず、平衡で固体および液体段階で不純物濃度にかなりの違いがあるどのような溶質-溶媒系においても応用することが可能である。