二次元電子ガス
量子井戸は、2つのヘテロ接合を近接して配置し、その「井戸」の中に電子を封じ込めるため、厳密には異なるものである。MOSFETやHEMTの場合、印加する電圧により電子が存在する領域の「厚さ」(バンド図の三角の領域)が変化するが、量子井戸の場合、電子が存在する領域が井戸の幅により厚さが決定される。そのため、電子ガスが存在する領域を制御することが可能である。また、用いる材料の選択と合金混合比を変えてやることで2DEG中のキャリア密度を制御することができる。
また、物質の表面に電子が集まる場合がある。液体ヘリウムの表面に自由電子があつまり、その表面上を移動する(ただし、垂直方向には移動しない)。初期の2DEGの一部はこの系に対して研究されていた[1]。同様に、電界をかけることにより、グラフェンの表面に電子を集めることもできる。これは、カーボンナノチューブを量子計算機や単電子トランジスタに利用する場合の裏づけとなるため、最近の研究のトピックとなっている。