LOCOS
典型的なプロセスは次の通り。
I. シリコン基板の用意 (層1) II.パッド(バッファー)酸化物であるSiO2のCVD(層2) III. Si3N4窒化物マスクのCVD (層3) IV. 窒化物層(層3)とシリコン酸化物層(層2)のエッチング V. シリコン酸化物の熱成長(構造4) VI. 熱シリコン酸化物のさらなる成長(構造4) VII. 窒化物マスク(層3)の除去
4つの基本的な層/構造がある。
Si、シリコン基板、ウェハー
SiO2、バッファー酸化物(パッド酸化物)、CVDシリコン酸化物
Si3N4、窒化物マスク
SiO2、絶縁酸化物、熱酸化物