リーク電流
接合リーク電流はソースとシリコン基板間やドレインとシリコン基板間で生じるリーク電流であり、半導体中の不純物濃度の不適正や格子欠陥によって生じる。プロセスルールの微細化や温度依存性は小さい。ほとんど管理が可能になっており、それほど大きな問題とはなっていない。
デジタル半導体の消費電力を低減しながら論理回路のトランジスタを高速でスイッチングさせるために、しきい値電圧 (Threshold voltage、Vth) を下げてトランジスタのオン電流を増やし高速動作を行う方法がある。回路の微細化と相まってしきい値電圧の低下は高速動作に寄与して来たが、1.5Vから1.0V以下といったかなり低い電圧までしきい値電圧が下がったことで、ソースとドレインの間を流れる不要なサブスレッショルド・リーク電流 (Subthreshold leakage current, I subthreshold、オフステート・リーク電流, I off) が増えてしまうという弊害が起きる。プロセスルールの微細化によって顕著になる。温度変化に対して正の特性を持ち、消費電力の増大によって温度が上昇するとサブスレッショルド・リーク電流も増大する。パワー・ゲーティング技術や複数のしきい値電圧を採用することでサブスレッショルド・リーク電流を抑える工夫が行われている。