原子層堆積
TFELFPDの生産は1980年代中頃にLohja社のOlarinluoma工場で開始された。
ALDの学術的研究は1970年代にタンペレ工科大学(スントラもここで電子物理学を教えたことがある)で、1980年代にヘルシンキ工科大学で始まった。
産業アプリケーションとしては、TFELディスプレイの製造が1990年代まで唯一のものであった。新しいALDのアプリケーション研究開発を目的としてフィンランドの国営石油会社であるネステ社が設立したMicrochemistry社にて、1987年にスントラは光起電力素子や不均一触媒などの研究を始めた。
1990年代、Microchemistry社は半導体向けアプリケーションとシリコンウェハー処理に適したALD装置の開発に舵を切った。1999年、Microchemistry社とALD技術は半導体製造装置大手であるオランダのASMインターナショナルに買収された。Microchemistry社はASMのフィンランド子会社であるASM Microchemistry社となり、同社は1990年代には商用としては唯一のALD装置製造メーカーであった。2000年代初頭にはフィンランドに蓄積されたALDのノウハウから、Beneq社とPicosun社という二つの新しいメーカーが誕生した。尚、後者Picosun社は1975年からスントラの親しい同僚であったスヴェン・リンドフォズが立ち上げた会社である。
様々な材料を使って高品質な成膜ができることに加え、正確な膜厚と均一な表面制御ができるため、ALDはマイクロエレクトロニクス製造において有用なプロセスである。マイクロエレクトロニクス分野では、ALDはhigh-k(高誘電率)ゲート酸化膜、high-kメモリキャパシタ絶縁膜、強誘電体、また電極・配線用途の金属及び窒化物の成膜に有望として検討されている。超薄膜の制御が重要となるhigh-kゲート酸化膜では、ALDはデザインルール45nmの世代から広く使われ始めるとみられる。メタライゼーションではコンフォーマルな成膜が必要とされ、現段階では65nmノードからALDが主流となることが期待される。DRAMではコンフォーマル性への要求は更に高く、100nm以下のサイズになるとALDが唯一の方法である。磁気記録ヘッドやMOSFETゲートスタック、DRAMキャパシタや不揮発強誘電体メモリその他の様々な製品がALD技術を使用している。