熱酸化
湿式酸化は、成長速度が速いため、厚い酸化物を成長させるには乾式酸化よりも有利である。しかし、酸化が速いとシリコン界面にダングリングボンドが多く残り、これが電子の量子状態を作り出し、界面に沿って電流が漏れてしまう(「デバイス界面の汚染」と呼ばれる)。また、湿式酸化では、酸化物の密度が低くなり、絶縁耐力が低下する。
乾式酸化では、厚い酸化物を成長させるのに長い時間が必要なため、実用的ではない。 厚い酸化膜を成長させるには、通常、長い湿式酸化と短い乾式酸化を繰り返す(乾湿乾のサイクル)。 乾式酸化の最初と最後には、それぞれ酸化膜の外側と内側に高品質の酸化膜が形成される。
移動性の金属イオンはMOSFETの性能を低下させる可能性がある(特にナトリウムが懸念される)。 しかし、塩素は塩化ナトリウムを生成してナトリウムを固定化することができる。 塩素の導入は、酸化媒体に塩化水素やトリクロロエチレンを添加することで行われることが多い。 また、塩素が存在すると酸化速度が速くなる。