RDRAM
現代の他のメモリ規格と比較して、ラムバスには若干のレイテンシの増加と、発熱、製造上の複雑さとコストの高さがある。RDRAMの大きなダイサイズを批判する者もおり、16Mビットで10 - 20パーセント、64Mビットで約5パーセントのインターフェイスのためのペナルティが必要である。
PC-800 RDRAMは45ナノ秒のレイテンシで動作するが、これはその時点での対抗する他のDRAM技術より高いレイテンシであった。RDRAMのメモリチップはSDRAMのチップよりかなり大きな熱を排出し、すべてのRIMMにヒートスプレッダを必要とした。RDRAMはそれぞれのメモリチップにコントローラーを内蔵しており、ノースブリッジ上に配置された単一のメモリコントローラを使用するSDRAMに対して製造上大幅に複雑であった。RDRAMは、PC-133 SDRAMと比べ2倍以上の価格であった。2000年に登場したPC-2100 DDR SDRAMはクロック速度133 MHzで動作し、184ピンのDIMMフォームファクタを用いた64ビットバスで2100 MB/sの性能を提供した。
複数のRIMMを一つのメモリチャンネルに装着する場合、パフォーマンス上の影響はSDRAMの設計より大きく、SDRAMのマザーモードでは経路が1 - 2チップであるのに対して、RDRAMでは遠いメモリモジュール上のチップはメモリコントローラの近くに物理的に配置されたすべてのメモリチップ上を通らなければならない。