ヒ化ガリウム
銀色の金属状化合物で、常温で安定な結晶構造は閃亜鉛鉱型(ジンクブレンド型)構造をとる。式量は144.64、融点1511 K、比重は5.310である。ヒ素化合物だが単独での毒性は弱い。しかし酸や水蒸気と反応し、有毒なアルシンを生成する。半導体材料としての性質は、1.43 eV のバンドギャップを持つIII-V族半導体であり、電子移動度は 8500 cm/(V s)、ホール移動度は 400 cm/(V s) である。