磁気コアメモリ
013インチ(13ミル、0.33mm)まで微細化が進んでいたとあるが、日本国内メーカーでは日立の14ミルが最大である)、いよいよ「機は熟した」ということで、「ファインストライプトメモリ」の技術はコアメモリに代わる次世代メモリとして日本の主要メーカー13社に技術指導がなされ、1970年頃には東光(現・埼玉村田製作所)が量産化にまでこぎつけたが、この後すぐに半導体メモリの量産が開始されたためにあまり生産されなかった(1970年頃に開発が行われていたコアメモリの次世代メモリの技術は他にもいろいろあったが、半導体メモリの実用化に伴ってほとんど中止されるので、量産化までこぎつけた製品は少ない。リングコアの直径10ミル以下の「マイクロフェライト・メモリー」も研究されていたが、実用化される前に半導体メモリが登場した)。なおフェライトの微細化に関しては、HITAC 5020を開発した日立の村田健郎によると、「女工さんの目が潰れるので、これ以上は無理」だったとのこと(図書館情報大学教授時代の村田が、教え子である阪口哲男に語ったところによる)。
その後、1980年代には世界シェアの8割を占め「産業のコメ」とまで言われた日本のメモリメーカーは、2010年代までにすべて潰れたが、TDKは2020年現在もまだフェライトコアを作っている。リングコアを自力で編組することで磁気コアメモリの自作も可能。2021年現在、数寄者が製作したarduino用のコアメモリモジュール(容量:32ビット)が市販されている。
特に半導体ベンチャー企業(1968年創業)のIntel社が1970年に発売した世界初のDRAM、Intel 1103(容量1,024bit)は、磁気コアメモリと同等以上の集積度を実現しており(逆に言うと、最後期の磁気コアメモリは最初期のDRAMと同レベルの集積度を手作業で実現していたということである)、またその1ビット1セントを下回る低価格性もあって(Intelは1969年に容量256bitのSRAMであるIntel 1101を発売していたが、高価だったので磁気コアメモリを置き換えることができなかった)、この発売以後、メインフレームにおいて磁気コアメモリからDRAMへの置き換えが急速に進んだ。Intel社の創業当時のロゴ(通称:ドロップドイー)は、下に下がった「e」がコアメモリを齧る様子を表しており、DRAMはその低コスト性、信頼性、省スペース性によって、文字通りコアメモリのシェアを食う形で普及していった。インテルミュージアム(Intelを記念するカリフォルニアの博物館で、磁気コアメモリも展示されている)の説明によると、1972年にIntel 1103 DRAMのシェアが磁気コアメモリのシェアを上回ったという。1973年から1978年にかけて、末期には生産されるコアメモリのほとんどが保守用パーツだったが、次第に市場が縮小していった。
磁気コアメモリは、磁気をスイッチや増幅に使用する様々な技術のひとつである。1950年代、ウィリアムス管に代表される真空管メモリは先端技術であったが、その材質は壊れやすく、発熱と電力消費が大きく、不安定であった。磁気デバイスはトランジスタなどの半導体デバイスと同様の利点を持っていて、軍事利用された例が多い。