ワイドギャップ半導体
広帯域半導体の高い絶縁破壊電圧は、大きな電界を必要とする大電力用途において有用な特性である。
デバイスは高出力、高温アプリケーション用に開発されている。である。窒化ガリウムと炭化ケイ素はどちらも、このような用途に適した強力な材料です。シリコン・カーバイド半導体は、その信頼性と製造の容易さにより、ハイブリッド車や電気自動車の充電効率の簡素化と向上、エネルギー損失の低減、太陽光や風力エネルギー・コンバータの長寿命化、かさばる送電網変電所の不要化など、幅広い利用が期待されている。それらのほとんどは、宇宙計画や軍事システムなどの特殊用途向けに設計されている。これらの製品は、パワー半導体市場全体におけるシリコンの主導的地位を奪うまでには至っていない。
WBGSは、電子の価電子帯と伝導帯との間に大きな距離を必要とするユニークな材料から作られている、1200-1700V以上の電流を流す。その結果、パワー・コンバータのスイッチ、トランジスタ、パワー・ダイオード、その他のパワー・エレクトロニクス・コンポーネントが進化し、より効率的なパワー・エレクトロニクス・システムが可能になった。
より高輝度で長寿命の白色 LED は、多くの状況で白熱電球に取って代わりました。次世代のDVDプレーヤー(Blu-rayおよびHD DVDフォーマット)は、GaNをベースとした紫外レーザーを使用しています