不揮発性メモリ
FeRAM、強誘電体メモリは不揮発性メモリで、強誘電体のヒステリシス(履歴現象)を応用している。EEPROMよりも高速で消費電力が小さく、高集積化が可能。すでに2004年には数十kbitのFeRAMがスマートカードに使われ量産、製品化されている。