強誘電体メモリ
(Bi,Ln)4Ti3O12 Ln=La, Nd, Pr, etc.
残留分極量が配向に依存して10μC/cmから50μC/cmと比較的大きい。
Biに対してLaを10%から20%程度添加すると、疲労現象を抑制できる。
600°Cという低温で形成できる
配向を制御して結晶化させ難いため、現状では残留分極量が小さく抗電界が高い。
強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(現・サイプレス・セミコンダクター)による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。
強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。