Surrounding Gate Transistor
アメリカ合衆国特許第 9,299,825号
アメリカ合衆国特許第 9,153,697号
アメリカ合衆国特許第 8,896,056号
アメリカ合衆国特許第 9,306,053号
アメリカ合衆国特許第 20,160,056,174号
アメリカ合衆国特許第 20,160,042,783号
アメリカ合衆国特許第 20,160,056,173号
"An analytic steady-state current-voltage characteristics of short channel fully-depleted surrounding gate transistor (FD-SGT)." IEICE Transactions on Electronics 80.7 (1997): 911-917.
Endoh, Tetsuo, Tairiku NAKAMURA, and Fujio MASUOKA. "An accurate model of fully-depleted surrounding gate transistor (FD-SGT)." IEICE Transactions on Electronics 80.7 (1997): 905-910.
Cho, Hyun-Jin, and James D. Plummer. "High performance fully and partially depleted poly-Si surrounding gate transistors." VLSI Technology, 1999. Digest of Technical Papers. 1999 Symposium on. IEEE, 1999.