ショットキートランジスタ
1956年にリチャード・ベイカー(Richard Baker)は、 トランジスタを飽和させないようにするためのディスクリート部品で作られたいくつかのダイオード・クランプ回路を説明した。 その回路は、ベーカー・クランプ回路(英語版)として知られている。 それらのクランプ回路(電圧を規定のレベルに保つ回路の総称)の一つは、回路構成として一つのシリコントランジスタをクランプするための一つのゲルマニウムダイオードを使った。それは、ショットキートランジスタと同様のものであった。 その回路は、ゲルマニウムダイオードに依存していた。ゲルマニウムダイオードは、シリコンダイオードよりも順方向電圧降下が少なかった。
1964年にジェームズ・R・ビヤール(英語版)は、ショットキートランジスタの特許を申請した。 彼の特許において、ショットキーバリアダイオードは、コレクタ・ベース接合上の順方向バイアス電圧を最小化することによってトランジスタを飽和させないようにした。このように少数キャリアの注入を無視できる量まで縮小した。 そのダイオードは、同じダイの上に集積することもできた。場所を取らない設計であり、少数キャリアを溜めるストレージがなく、そして従来の接合型ダイオードよりも高速であった。 彼の特許は、ショットキートランジスタがDiode-transistor logicの中でどのように使われているのかを示していた。そして、ショットキーTTLのように低コストで飽和型ロジック回路のスイッチング速度を向上した。