ドリフト電流
p-n接合ダイオードでは、電子と正孔はそれぞれn型とp型の領域に少数の電荷キャリアとして存在する。偏りの無い領域においてp型の領域からn型の領域へ流れる拡散電流は、電荷キャリアの流れの影響により、ドリフト電流と同じ向きと逆向きの流れに対し正確にバランスの取れた流れとなっている。偏ったp-n接合の領域では、少数の電荷キャリアがバイアス電圧に依存していないのと同様に、ドリフト電流もバイアス電圧には依存しないが、少数の電荷キャリアが熱的に生成されるように、ドリフト電流も温度に依存する。
半導体材料に電場が与えられると、電荷キャリアは一定のドリフト速度に達する。この電荷キャリアの移動による合成効果はドリフト電流と呼ばれる電流を生じる。自由電子や正孔と言った電荷キャリアより成るドリフト電流の密度は、流れに対して垂直な 1 cm 当りの領域を通る電流で表される。
2種類の電流の比較を以下の表に示す。