フラッシュメモリ
ランダムアクセス読み出しの単位はバイト
NAND型に比べて読み出しは高速
NAND型に比べて書き込みは低速
NAND型に比べて高集積化に不利
フラッシュEEPROMやフラッシュROMとも呼ばれている。各ビットの記憶セルの基本的な構造としてはある種のEEPROMであるが、複数ビットから成るブロック内で「押し流す」ようなメカニズムと、読み書き可能な単位(ブロックサイズは数キロバイトから数十キロバイト)と速度が扱いやすい程度であることが特徴である。浮遊ゲートとシリコン基板間のゲート絶縁膜が極めて薄くなっている。