EEPROM
EPROMとEEPROMの違いは書き込みと消去の方式の違いである。EEPROMは電界電子放出(FNトンネリング)を利用して電気だけで書き込みと消去が可能である。
EPROMは電気だけでは消去できず、フローティングゲートへのホットキャリア注入で再書き込みを行う。消去には紫外線光源を使う。内部は同じ半導体を使いながらも、安価なプラスチックパッケージ(窓なし)を使って最初の1回しか書き込めないものを「PROM」と言う。
多くのNOR型フラッシュメモリはハイブリッドな方式を採用しており、書き込みはホットキャリア注入で行い、消去は電界電子放出で行う。