電界放出ディスプレイ
こういった冷陰極はField Emitter Array(FEA)、あるいはエミッタという。FEAで有名なのは1960年代に米国・Stanford Research InstituteのCharles A. Spindtが開発した回転蒸着法(スピント法)を用いた円錐形状のスピントエミッタである。同じ突起形状でも円錐やピラミッド形状のSiを用いたFEAは米国海軍研究所の著名研究者でIVMC(International Vacuum Microelectronics Conference)を創設したHenry F. Grayが開発したためGrayエミッタ、モールド(鋳型)を用いるピラミッド等の形状を持つエミッタは転写モールドエミッタと呼ばれる。1990年代初頭にこの分野に新規参入してきた研究者や事情を知らないマスコミなどがSpindtという文字面からスピン→円錐→突起形状という連想で突起型すべてをスピントエミッタと思い込んだが、これは誤用である。最初にFEDを実物サンプルを試作したLETI、その製造試作ベンチャーPixtech社、アライアンスを組んだTI、双葉電子、モトローラ等がスピントエミッタを用いたため近年までFEDの実物サンプルは大部分スピントエミッタを用いていた。FEDでは、アノードとカソードと呼ばれる2枚のガラスの間に画素毎に電極を設置する。カソード側にマイクロディップとゲート電極を置き、マイクロディップとゲート電極の電位差によりマイクロディップ先端から電子が放出する。放出した電子をアノード側の陽極側に引っ張り、アノード側にある蛍光体に電子を衝突させることで発光を得る。