Si貫通電極
これらの効果によって、実装されたパッケージ内の回路の高速動作、簡略化および低消費電力化が達成される。
このように、TSV技術を採用して3次元集積回路(3D IC)は複数のシリコンウエハーやダイを積み重ね、垂直に相互結線することで1つの集積回路を作れば、単体の電子部品として機能するようになる。3次元集積回路で大量の機能を小さな「フットプリント」(占有面積)の中に詰め込めるようになる。加えて、素子同士の重要な電気経路が劇的に短く出来るために、処理の高速化が導かれる。
別の産業上の側面でもTSV技術は有用である。従来、アナログやデジタルの回路を1つのシリコンチップ上に形成することは、技術的には可能であっても産業上のメリットが見出せないことが多かった。これは、工程の複雑化によってコストが増し歩留まりが低下するためである。TSV技術により積層を利用する接続は、こういったデジタルとアナログや、さらにはDRAMのようなメモリー回路やCPUのようなロジック回路、アナログ高周波回路と低周波で低消費電力の回路といった異種の回路を組み合わせることにも採用することができる。回路種別に合ったウエハープロセスによって同種の回路のみを効率良く製造し、検査を経た後の良品のダイを組み合わせ接続する実装が可能となれば、ウエハーレベルで混載して低い歩留まりとなる場合に比べ、完成後の電子部品は総合的には安価となりうる。たとえTSV技術のためにコストを掛けたとしても、それ以上に個別のダイが適するプロセスで高効率に生産されコストが低下するためである。