薄膜の成長機構
一般的にこれらの値は成長する層の層厚と基板ー吸着膜の格子ミスフィットに複雑に依存している。歪みがごく小さな場合( ε d , e ( n ) ≪ μ ∞ {\displaystyle \varepsilon _{d,e}(n)\ll \mu _{\infty }} の場合)、膜の成長機構は d μ d n {\displaystyle {\frac {d\mu }{dn}}} に依存する。
d μ d n < 0 {\displaystyle {\frac {d\mu }{dn}}<0} (吸着原子間の力が表面吸着力より強い場合;VW成長)
d μ d n > 0 {\displaystyle {\frac {d\mu }{dn}}>0} (表面吸着力が吸着原子間の力より強い場合;FM成長)
SK成長では、初めのうちはFM成長によって成長し、歪みエネルギーが堆積層に蓄積され、が負になると成長機構がVW成長のものに切り替わる。つまり島状に成長する方がエネルギー的に有利になるのである。