フラッシュランプアニール
フラッシュランプアニールはそのドーピングされたイオンが拡散する暇を与えない、毎秒数十万度というスピードで昇温する。この早業によってイオン拡散をほとんど起こさずにドープされたイオンを活性化することができる。65nm以降の汎用CPUにはこのアニール技術が用いられている。 半導体ウェハ表面にこの強烈な閃光を与えるとウェハ表面温度は一気に上昇する。閃光のエネルギーによっては一気に1,000°C温度上昇させることもできる。しかしウェハが閃光を受光した瞬間、表面温度と裏面温度にその温度差がつくことになり、ウェハには大きな変形ストレスが加わる。従ってこのストレスを小さくするために、ハロゲンランプなどの別の熱源で予めウェハ全体の温度を物性に影響しない400~700°C程度に保持しておき、より小さな閃光エネルギーで表面温度1,000°C以上を実現する工夫がなされている。
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