PMOSロジック
120個のMOSFETでできた20ビットシフトレジスタであり、当時としては信じられないほどの集積度であった。 1965年にジェネラル・マイクロエレクトロニクスは、ビクター・コンプトメーター(ビクター・テクノロジー(英語版))という電子計算機のために23個のカスタム集積回路を開発したが、当時のPMOS回路の信頼性からするとあまりにも野心的で結局のところジェネラル・マイクロエレクトロニクスは消滅することになった。 他の会社は、大きなシフトレジスタ(ジェネラル・インストゥルメント)、あるいはアナログマルチプレクサ3705(フェアチャイルドセミコンダクター)のようなPMOS回路を製造し続けた。それらは当時のバイポーラトランジスタでは実現不可能であった。
1968年にポリシリコン自己整合ゲート技術という大きな技術革新が登場した。 フェアチャイルドセミコンダクターのトム・クレインとフェデリコ・ファジンは、商業的に実用化できるように自己整合ゲートを改良した。その結果、最初のシリコンゲート回路としてアナログマルチプレクサ3708を市場に出すことになった。 自己整合ゲートプロセスは、製造時の許容誤差を小さくし、MOSFETをより小さくし、ゲート容量を縮小した。 例えば、PMOSメモリにこの技術を適用すると、3倍から5倍の速度になり、チップに占める面積は半分になった。 ポリシリコンゲート材料は、自己整合ゲートを可能にしただけではなく、スレッシュホールド電圧を低下させた。その結果として最小電源電圧を低くすることになった(例えば、-16 V)。消費電力を削減することにもなった。 電源電圧が低くなったので、ポリシリコン自己整合ゲートPMOSロジックは、「低電圧PMOS」と呼ばれ、それと対照的に古いものは「高電圧PMOS」と呼ばれるようになった。