有機電界効果トランジスタ
OFET内部での電荷輸送はゲート絶縁膜界面の二次元的なものに制限されている。たくさんの実験手法がOFET内部での電荷輸送を解析するために用いられている。たとえば、注入された電荷の到達時間を計るためのHaynes-Shockley法や、バルク中の電荷移動度を測定するための過渡光電流測定法(TOF法)や、絶縁膜中の電界分布を測定するためのpressure-wave propagation法や、ゲート絶縁膜界面での分極の配向変化を測定するための有機単分子膜測定や、有機半導体内部の電界分布(電荷分布を解析から求めることが可能)を光学的に測定するための時間分解SHG測定などがあげられる。 これらの測定から,OFET内部にゲート電圧によって誘起される電荷は拡散によって広がることがわかってきている。
OFETに使用される材料は、一般的に芳香環をもつ低分子有機材料、広がったπ電子をもつ高分子有機材料に大別される。これらは、軌道の波動関数の非局在化を促進するために欠かせない要素である。これらに加えて、電子求引性ないしは電子供与性の官能器が電子ないしは正孔の伝導を容易にするために導入されることもある。
これまで、さまざまな材料がOFETとして試されてきた。代表的な材料としては低分子についてはルブレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレンジイミド(PTCDI)、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)などがあげられる。高分子についてはポリチオフェン、特にポリ3ヘキシルチオフェン(P3HT)や、ポリフルオレン、ポリジアセチレン、ポリ2,5チエニレンビニレン、ポリ-パラフェニレンビニレン(PPV)などがあげられる。
研究は現在非常に活発に行われており、毎週新規に合成された化合物のFET特性が著名な論文誌、たとえば、Advanced Materials、Journal of the American Chemical Society、Chemistry of Materials、Angewandte Chemieなどに多数投稿され続けている。また、解説論文もこれらの開発成果をまとめるために多数投稿されている。