自己整合ゲート
電子工学において自己整合ゲートとは、MOSFETの耐熱性の高いゲート電極を、ソース/ドレイン領域をドーピングする際のマスクとして使うトランジスタ製造技術である。この技術を使うことで、ゲートとソース/ドレインとの重なりがわずかになる。
自己整合ゲートの使用は、1970年代の計算能力の大幅な向上につながった発明の1つである。自己整合ゲートは未だに多くの現代的な集積回路プロセスで使われている。