拡散接合トランジスタ
1957年にベル研究所のカール・フロッシュとリンカーン・デリックによって選択拡散法(ガス拡散法)が開発された事によりベース層を薄くする事が可能になり、1959年5月にフェアチャイルド・セミコンダクターのジャン・ヘルニがSi接合型トランジスタの製法としてプレーナー型トランジスタを開発した。また、合金型トランジスタのように両面に拡散する必要がなく、メサ型トランジスタのように台形に削る工程がないので生産性も優れていた。プレーナー プロセスは、大量生産のモノリシック集積回路を可能にした。
プレーナー型トランジスタは、接合部のエッジを汚れから守るためにシリカの不動態層があるため、トランジスタの経時的な特性劣化の心配がなく、安価なプラスチックパッケージが可能となった。
初期のプレーナー型トランジスタは、当時の合金接合型トランジスタよりもスイッチング速度がはるかに遅かったが、合金接合型トランジスタでは不可能だった大量生産が可能だったため、コストが大幅に下がり、プレーナー型トランジスタの特性は急速に向上し、それまでのトランジスタの特性をあっという間に超えて、それ以前のトランジスタは時代遅れとなった。