シリコンドリフト検出器
SDDは、高純度シリコンで作られており、リング状の電極を配置してある。その電極によって発生したドリフト電場によって、X線により発生した電荷が移動する。その移動した電荷は、小さな収集電極によって集められる。収集された電荷量は、入射したX線に比例しているため、X線のエネルギーを計測することができる。
古典的なSDDのデザインは、同心円状に電極があり、その中心に収集電極がある。収集電極は外部に配置したFETと接続しており、電荷(電流)を電圧に変換・増幅する。近年は、リング電極の中心にFETを配しており、エネルギー分解能が大幅に向上している。これは、収集電極とFET間の静電容量の減衰により、電気ノイズが激減したためである。他のデザインとして、収集電極とFETを照射エリア外に配しているものがある。
電気ノイズが少ないため、高分解能を維持したまま、X線一個あたりのエネルギー分別時間(時定数)を短くすることが可能である。よって、出力計数が100kcps以上での計数も可能である。