ダウォン・カーン
1931年5月4日、朝鮮の京城府(現在の韓国ソウル)生まれ。韓国のソウル大学校で物理学を学び、1955年にアメリカ合衆国に移住し、オハイオ州立大学に入学し、1959年に電気工学の学位を得た。
ニュージャージー州マレーヒルのベル研究所の研究員であり、1959年にモハメド・アタラ(英語版)とともに今日の電子機器の基本素子であるMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、metal–oxide–semiconductor field-effect transistor)を発明した。彼らは20 μmプロセスでPMOSデバイスとNMOSデバイスの両方を製造した。
MOS技術の研究を拡張し、後にショットキーバリアと呼ばれるものを使用するホットキャリアデバイスの先駆的な研究を行った。ショットキーバリアダイオードは何年も前から理論化されていたが、1960-61年のカーンとアタラの研究の結果として初めて実現された。1962年にその結果を発表し、そのデバイスを半導体金属エミッタを備える「ホットエレクトロン」三極構造("hot electron" triode structure with semiconductor-metal emitter)と呼んだ。ショットキーダイオードは、ミキサの用途で重要な役割を担うようになった。その後、彼らは高周波ショットキーダイオードに関するさらなる研究を行った。
1962年、カーンとアタラは、初期の金属ナノ層ベーストランジスタを提案し、実証した。