シリコンナノワイヤ
“Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon: A Review” (英語). Advanced Materials 23 (2): 285–308. doi:10.1002/adma.201001784. ISSN 1521-4095. PMID 20859941.
↑ Holmes, J.; Keith, P.; Johnston, R.; Doty, C. (2000). “Control of thickness and orientation of solution-grown silicon nanowires”. Science 287 (5457): 1471–1473. Bibcode: 2000Sci...287.1471H. doi:10.1126/science.287.5457.1471. PMID 10688792.
↑ Liu, H.I.; Biegelsen, D.K.; Ponce, F.A.; Johnson, N.M.; Pease, R.F.W. (1994). “Self-limiting oxidation for fabricating sub-5 nm silicon nanowires”. Applied Physics Letters 64 (11): 1383. Bibcode: 1994ApPhL..64.1383L. doi:10.1063/1.111914.
↑ Justo, J.F.; Menezes, R.D.; Assali, L.V.C. (2007).
シリコンナノワイヤ(Silicon nanowires、SiNW)は、半導体ナノワイヤの一種。
シリコン前駆体から、固体のエッチングや気相・液相からの触媒成長によって形成されることが多く、このようなナノワイヤーは、リチウムイオン電池、熱電材料、センサーなどへの応用が期待されている。
“Stability and plasticity of silicon nanowires: The role of wire perimeter”. Phys. Rev. B 75 (4): 045303. arXiv:1307.3274. Bibcode: 2007PhRvB..75d5303J. doi:10.1103/PhysRevB.75.045303.
↑ Zhang, H.; Tersoff, J.; Xu, S. (2016). “Approaching the ideal elastic strain limit in silicon nanowires”. Science Advances 2 (8): e1501382. Bibcode: 2016SciA....2E1382Z. doi:10.1126/sciadv.1501382. PMC 4988777. PMID 27540586. https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4988777/etal
↑ Zhang, H.; Tersoff, J.; Xu, S. (2016). “Approaching the ideal elastic strain limit in silicon nanowires”. Science Advances 2 (8): e1501382. Bibcode: 2016SciA....2E1382Z. doi:10.1126/sciadv.1501382. PMC 4988777. PMID 27540586. https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4988777/.
気液平衡成長法(英語版)(Vapor–liquid–solid method、VLS) - 触媒CVDの一種で、Si前駆体としてシラン、触媒(または「シード」)として金ナノ粒子を使用することが多い。
分子線エピタキシー法 – プラズマ環境下で行われるPVD法の一種。
溶液からの析出法 - 超臨界流体液体固体(SFLS)と名付けられたVLS法のバリエーションで、蒸気の代わりに超臨界流体(高温高圧の有機シランなど)をSi前駆体として使用する。触媒はコロイド状金ナノ粒子のような溶液中のコロイドとなり、この溶液中でSiNWを成長させる。