閾値電圧
90 nmCMOSプロセスなどのテクノロジーノードでは、閾値電圧は酸化膜の種類と酸化膜厚に依存する。上述の基盤効果の式を用いると、 V T N {\displaystyle V_{TN}} は γ {\displaystyle \gamma } と t O X {\displaystyle t_{OX}} に比例し、これは酸化膜厚のパラメータである。
よって酸化膜厚が薄くなると、閾値電圧は小さくなる。これは改良のように見えるが、代償が無いわけではない。酸化膜厚が薄くなれば、デバイスのサブスレッショルド電流も大きくなる。その結果、90nmゲート酸化膜厚の設計仕様は、リーク電流を制御するために1 nmとする。この種のトンネル効果はFowler-Nordheimトンネル効果と呼ばれる。