菅野卓雄
シリコンMOS電界効果トランジスタの創成期である1960年代前半から、半導体層と酸化膜層との界面に関する基礎的研究を理論及び実験双方から行った。主な成果として、以下のようなものが挙げられる。
ナトリウムイオンのドリフトに起因する電界効果トランジスタの特性不安定化がリン原子の添加によって抑制される機構を明らかにした。また、界面準位の精密測定法の研究を通じ、界面準位の起源、およびその低減法を明らかにした。さらに、ゲートの極短チャネル化に伴う半導体特性の劣化機構の研究から、素子の微細化に関する基礎を確立した。加えて、電界効果トランジスタにおける電子伝導機構の研究を通じ、二次元系の量子効果に関する物理的基礎を確立するなど、学術面においても多大な貢献をした。