SDRAM
/RAS および /CAS と組み合わせて、8種類のコマンドを指定する。一般に読み出し系コマンドと書き込み系コマンドを区別する信号である。
SDRAMデバイスは内部が2または4個の独立したバンクに分けられている。バンクアドレス入力が1つ以上あり(BA0、BA1)、コマンドがどのバンクに対するものかを選択するようになっている。
コマンドの多くはアドレス入力ピンで示されるアドレスを使う。アドレスを使わない一部のコマンドやカラムアドレスを示さない一部のコマンドでもA10を使ってコマンドの種別を示す。
コマンドを次の表に示す。
DDRx SDRAM でも基本的なコマンドは同じであり、若干追加がある。追加のモードレジスタは、バンクアドレスビットを使って識別され、3番目のバンクアドレスビットが追加されている。
DRAMの性能を制限する要因はいくつかある。中でも重視されるのがリードサイクル時間で、オープン状態(SDRAMの行データをセンスアンプの配列に格納した状態)のロウ(行)への連続な読み出し操作の間の時間である。100MHzのSDRAMでは10nsだったその時間が、DDR-400では5nsに短縮されたものの、DDR2-800 と DDR3-1600 の世代では相対的にほとんど短縮されていない。しかし、インタフェース回路を基本リードレートよりも何倍もの速さで操作することにより、帯域幅は急激に増大した。
もう1つの制限要因はCASレイテンシで、カラムアドレスを供給してから対応するデータが得られるまでの時間である。これも最近の DDR SDRAM の数世代を通して 10-15ns と相対的に一定となっている。
実装においてはCASレイテンシは、SDRAMのモードレジスタを通してクロックサイクル数の形でプログラム可能であり、DRAMコントローラが期待する値を設定する。任意の値をプログラム可能だが、あまりに小さい値を設定するとSDRAMは正しく動作できない。
DRAMのアクセスレイテンシはDRAMアレイによって基本的に制限されているが、内部では数千ビットのロウを一度に読み出すので、帯域幅はさらに高められる可能性を持っている。ユーザーに対してさらなる帯域幅を提供するため、ダブルデータレートというインタフェースが開発された。コマンドを1サイクルに1つ受け付けるのは従来と同じだが、リードとライトは1クロックサイクルに2ワードのデータを扱う。またSDRインタフェースでのタイミングにいくつかマイナーな変更を加え、電源電圧を3.3Vから2.5Vに下げた。結果として DDR SDRAM は SDR SDRAM との互換性を保っていない。
DDR SDRAM(その後の製品と区別するため "DDR1" とされることもある)は最小の読み書き単位を倍にし、1回のアクセスで少なくとも2ワードを参照するようになった。
DDR SDRAM の典型的なクロック周波数は 133MHz、166MHz、200MHz(それぞれサイクル時間は 7.5ns、6ns、5ns)で、それぞれ DDR-266、DDR-333、DDR-400 と呼ばれる。対応する184ピンのDIMMはそれぞれ PC-2100、PC-2700、PC-3200 と呼ばれる。さらに高性能な DDR-550 (PC-4400) までそれなりの価格で入手可能である。