高電子移動度トランジスタ
HEMTの構造バリエーションとしては以下のものがある。
SixGe1-x/Siヘテロ接合を用いたHEMT。
InP基板を用いたHEMT。InPに格子整合したn-In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTはGaAs系HEMTと比べて電子移動度、電子飽和速度、電子濃度がいずれも高く、最も高速なHEMTである。チャネルのInGaAs混晶比をより高くしたシュードモルフィックHEMT、あるいはメタモルフィックHEMTも開発されている。