炭化ケイ素
ファインセラミックス、エンジニアリングセラミックスとしての用途も、開けている。金型プレス成形、静水圧成形、射出成形、スリップキャスト成形、押出成形、などの成型法、反応焼結、常圧焼結、加圧焼結、再焼結などの焼結法が行われている。
ショット・ブラスト(ショットピーニング・サンドブラスト)においては投射材として利用される。
アルミニウム合金によるシリンダーブロックの一体鋳造で、小型軽量化のためにシリンダーライナーを省略する場合、シリンダー内面(ピストン摺動面)にニッケル素地に炭化ケイ素(シリコン・カーバイド)を分散させためっきを施すことで耐摩耗性と熱伝導性が向上する。
高速スイッチングにより、インバータやスイッチング電源のスイッチング周波数を上げることができるので、インダクタやコンデンサを小さくできる。したがって装置の小型化や高効率化に貢献する。パワーデバイス(電力用半導体素子)のメーカーとしては、Wolfspeed(インフィニオン・テクノロジーズ傘下)、三菱電機、ロームなどがある。2017年現在、シリコン製素子と比べると高価ではあるが、一般にも市販されている。大電力用半導体として、鉄道車両のVVVF制御装置に用いられ、日本では2013年2月にえちぜん鉄道MC7000形電車での採用を皮切りに、新製車や機器更新車などで採用されている。また、環境対応自動車向けインバーターや東海道新幹線車両(新幹線N700S系電車)向けSiCハイブリッドモジュール等の利用が進んでいる。
2022年10月、デンソーは、電動車向けに超小型、高効率SiC(sic-VVVF)インバーターの開発を完了し、パワー半導体の研究開発費および設備投資により量産効果によるコストダウンを見込んでいる。
電気素子の素材としては、発熱体、アレスタ、バリスタなどに長く使われてきた。シリコンに比べてバンドギャップが大きい事から、高温、高線量下で利用できる半導体材料として注目され、1980年代以降の結晶成長技術の発展にともない、高速ショットキーバリアダイオード、MOSFET(電界効果トランジスタ)、などに使われるようになった。熱伝導率が高いので、他の半導体の基板の原料であるウエハーとして実用化されている。SiCを結晶成長させたインゴットを引き上げてスライスして使われる。
従来型のSi(ケイ素)半導体に比べると電気抵抗率が1/10と低く、200°C以上の高温で動作可能であり、数倍高速なスイッチング動作が可能である。よって電気自動車、送配電施設や鉄道等のインフラ設備等、家電製品等において、インバータ装置やスイッチング電源装置の電力効率の改善が期待される。電気抵抗率が低いことで電流を流した場合の導通損失が低減されること、高温で動作できることから、ヒートシンクを縮小あるいは省略することで装置を小型化できる。