HBT
静特性については、通常ガンメルプロット (Gummel Plot) と呼ばれる方法による電流増幅率 (β) とベース層の抵抗率により評価される。ベース層の抵抗率が低くなると電流増幅率が低下するが、結晶性や構造の工夫により、できるだけ電流増幅率が高くなるような構造や材料系を選ぶことにより諸特性が改善すると考えられている。
SiGe系ではIBMによる研究が20年以上前から行われているが、Bi-CMOSプロセスに組み込まれるようになってからは集積化と高速化が進み、2005年の時点で0.13μmプロセス世代において遮断周波数において210GHzが達成されている。また、他の最高速動作事例としてはInP系では2007年時点でイリノイ大にてFmax=710GHz、UCSBから780GHzの記録などが報告されている。
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (Heterojunction Bipolar Transistor) は、へテロ接合の隣りにベース構造を有するバイポーラジャンクショントランジスタ (BJT) のことで、英語の単語の頭文字をとってHBT(エイチビーティー)と呼ばれる。ヘテロ構造の効果により、バイポーラトランジスタに比べ、電流増幅率を落とさずに動作速度が向上することができ、最高で500GHz以上で動作する超高速トランジスタの構造の名称である。構造的にはベース層の片側のみをヘテロ構造にしたSHBTと両側をヘテロ接合にしたDHBTなどがある。