ハイブリッドIC
平面抵抗器も、スクリーン印刷され、厚膜配線設計の一部に組み込まれる。抵抗器の構成や寸法によって、目的の抵抗値にできる。最終的な抵抗値は、レーザートリミング(英語版)によって設計値になるように調整する。ハイブリッドICに部品が完全に配置された後の最終検査前の微調整もレーザートリミングで行われる。
1960年代には薄膜技術も採用された。ウルトラ・エレクトロニクス(英語版)はシリカガラス基板を使用して回路を製造した。その方法は次のとおりである。スパッタリングでタンタルを成膜した後、蒸着で金を成膜する。フォトレジスト塗布後、金の層をエッチングし、はんだ付け用の接続パッドを形成する。フォトレジスト塗布とエッチングのプロセスにおいて、抵抗回路網も同時に形成される。コンデンサと半導体は基板下側からの選択的加熱によって表面にはんだ付けされたリード線なし反転装置 (Leadless Inverted Devices, LID)の形式をとっていた。完成した回路はジアリルフタレート樹脂の中に密閉される。この技術により、増幅器やその他の特殊な回路のような、独自の受動回路網が作られた。ウルトラエレクトロニクスがコンコルド向けに製造したエンジンコントロールユニットには、受動回路網が使用されていたと考えられている。
最近のハイブリッドIC技術は、低温同時焼成セラミックスと基板とのハイブリッドのような、基板表面への部品の配置に加えて、多層基板中の層内への部品の埋め込みが可能である。この技術はある程度までではあるが、立体的な回路の製造が可能である。