NMOSロジック
MOSFETは、1959年にベル研究所のエジプト人技術者モハメド・M・アタラ(英語版)と韓国人技術者ダウォン・カーンによって発明された 。 彼らは20μmプロセスでPMOSとNMOSのデバイスの両方を製作した。 しかしながら、NMOSデバイスは実用性がなく、PMOSデバイスだけは実用性があった。
1965年にフェアチャイルドセミコンダクターのチータン・サー(英語版)、オットー・リスティコ(Otto Leistiko)、そしてグローブ(Grove)は、チャネルの長さが8μmから65μmまでのいくつかのNMOSデバイスを製作した。 IBMのデイル・L・クリッチロー(Dale L. Critchlow)とロバート・H・デナード(英語版)も1960年代にNMOSデバイスを製造した。 IBMの最初のNMOS製品は、データ容量が1Kbitでアクセス時間が50nsから100nsの半導体メモリであった。この製品は1970年代初頭に大量生産に入った。 これによってMOSFETの半導体メモリが1970年代のバイポーラメモリと磁気コアメモリの技術を置き換えることになった。
1970年代初頭の初期のマイクロプロセッサは、PMOSプロセッサであった。PMOSプロセッサは初期のマイクロプロセッサ業界を支配した。 1973年に初期のNMOSプロセッサであるNECのμCOM-4は、Sohichi Suzukiが率いる5人の研究者で構成されたNECのLSIチームによって製造された。 1970年代後半までにNMOSプロセッサは、PMOSプロセッサを追い越すことになった。