電荷移動錯体
多くの金属錯体はd-d遷移により特有の色を持つ。可視光線から錯体に特有の波長の光を吸収するとd電子が励起される。この光の吸収により色が生まれる。この色は通常かなり弱い。これは選択則による。
スピン則: Δ S = 0
遷移の際、電子のスピンが変化するのは好ましくない。スピンが変化する反応はスピン禁制反応(英語版)と呼ばれる。
ラポルテの規則: Δ l = ± 1
対称中心を持つ錯体におけるd-d遷移は禁制である。これは「対称禁制」や「ラポルテ禁制」に相当する。
電荷移動錯体はd-d遷移を起こさない。したがってこれらの規則は適用されず、非常に強い吸収が見られる。
例えば、昔から知られているデンプンから形成される電荷移動錯体は青紫色になる。これは贋金の識別に利用された。アメリカの紙幣は普通の紙と異なりデンプンが含まれていなかった。そのため、もし紙幣をヨウ素溶液に浸して紫色になれば、それはデンプンが含まれている紙であるためニセ金と判断できた。
LMCT錯体は配位子性の強い分子軌道から金属性の強い分子軌道への電荷の移動によって生じる錯体である。このタイプの遷移は錯体が比較的エネルギーの高い孤立電子対を持っていたり(SやSeなど)、金属に低位の空軌道があったりする場合に起きやすい。このような錯体の多くは金属の酸化数が高い(dの場合も存在する)。これらの配位化合物は受容体が低エネルギーでも電子を受け入れられることを意味している。
IrBr6(ロシア語版)などのようにd電子を持つ正八面体型錯体はt2g軌道が埋まっている。結果として、吸収の極大は配位子のσ軌道から空のeg軌道に遷移するエネルギーに対応する250 nm付近の紫外線領域に生まれる。しかしd電子を持つIrBr6錯体は2つの吸収帯をもつ。一つは600 nmでもう一つは270 nmである。これは一つがt2g軌道(電子をもう一個入れることができる)でもう一つがeg軌道への吸収に対応している。600 nmの吸収帯はt2g軌道に、270 nmの吸収帯はeg軌道に対応する。
電荷移動吸収帯は非結合性軌道から配位子のeg軌道への吸収によって発生する場合もある。