表面再構成
これは、表面緩和の特殊な場合と考えることもでき、陽イオン、陰イオンの緩和の度合いが異なることによってジグザグ構造となる。
表面再構成は、半導体の表面に良く現れる。半導体の理想表面の最外層では、結合の切れたダングリングボンドが存在し、その表面を非常に不安定な状態にさせる。このため表面最外層では、可能な限りダングリングボンドを減らすように構造を変化させる。典型的な例がシリコンの[100]方向に垂直な平面(Si(100) 表面)におけるダイマー構造である。ダイマー構造は、対称な場合と非対称な場合があり、特に後者の場合、ダイマーの配列の仕方に p(2×2)、c(4×2) など複数の構造が存在する。シリコンの[111]方向に垂直な表面(Si(111) 面)は、有名な (7×7) 構造(DASモデル)を形成する。表面再構成は、半導体表面だけでなく、貴金属や遷移金属の表面でも見られる場合がある。イオン性のある結晶での、極性のある表面(理想表面)も大変不安定で再構成構造を形成する。