水素化
不均一系接触水素化の反応機構は、多くの場合ラングミュア・ヒンシェルウッド機構で起こっているものと推定されている。この機構は基質と水素がそれぞれ触媒に吸着し、触媒上で出会って反応する機構である。水素は吸着の際に水素原子に解離している。この解離には触媒となっている金属表面の格子欠陥が重要な役割を果たしていると考えられている。触媒毒はこの格子欠陥に優先的に吸着して反応を妨げていると考えられている。
不飽和結合への水素の付加は、水素が原子に解離していることから2つの水素原子が別々に付加する2段階反応で起こる。2つの水素原子は基本的には syn の立体選択性で付加する。しかし1段階目の付加、場合によっては2段階目の付加も可逆であり、また逆反応の際には付加した水素原子とは別の水素原子が触媒上に脱離することもある。この結果、不飽和結合の E-Z 異性化や位置の移動が起こることになり、そこから再度水素化が進行することによって多少の立体選択性の低下が見られる。