中川明夫
CMOS技術は多くの素子を1チップ上に集積できるが、100V以上の高耐圧素子を集積化するには向いていない。高耐圧素子を素子分離するには誘電体分離があるがコストが高いという欠点があった。候補者は空乏層で電圧を持たせる従来方式の誘電体分離と異なり、空乏層だけでなく埋め込み酸化膜にも電圧を分担させて高耐圧を実現することで、トレンチ分離可能な薄いシリコン層で高耐圧が実現できる新しい高耐圧SOI構造を1986年に考案し、1990年に論文発表した。これにより、サイリスタ動作する横型IGBTを用いたインバータ回路をトレンチ分離で1チップ化が可能となり500V 1A、3AのインバータICを製品化した。現在ではこの方法によりPDP(プラズマ)ディスプレーを駆動する200V耐圧のPDPドライバICや車載用ICなどが数社から製品化されている。
高耐圧SOI技術は高耐圧ICの基本技術であり、1998年にパワー素子の国際学会ISPSDのISPSD AWARDを受賞した。
中川 明夫(なかがわ あきお)は IGBTの発明者の一人で、1984年IGBTの破壊原因であるラッチアップが起こらないノンラッチアップIGBTを開発し、現在のIGBTを実現した。
現在は中川コンサルティング事務所技術コンサルタントに従事。