PMOSロジック
モハメド・アタラ(英語版)とダウォン・カーンは、1959年にベル研究所で最初に動作したMOSFETを製造した。 彼らは、PMOSデバイスとNMOSデバイスの両方を製造したが、PMOSだけが動作した。 製造工程における汚染物質(特にナトリウム)が実用的なNMOSデバイスを製造するために十分に管理されるようになるまで10年以上かかったからであった。
バイポーラトランジスタ(当時、集積回路で利用できる唯一のPMOS以外のデバイス)と比べて、MOSFETは多くの利点があった。
同精度の半導体デバイス製造技術を仮定すると、一つのMOSFETは一つのバイポーラトランジスタの面積の10%だけを必要とする。その主な理由は、MOSFETが自己絶縁であり、同じチップ上の隣の部品と絶縁するためにpn接合分離(英語版)を必要としないからである。
MOSFETは、より少ない工程で作ることができた。それゆえにより単純により安く製造することができる(MOSFETは1回だけの拡散ドーピングだけで製造できたが、バイポーラトランジスタは4回必要だった)。
MOSFETの場合、静止時に流れるゲート電流はないので、MOSFETで作られた集積回路の消費電力を低くすることができる。
バイポーラトランジスタを使った集積回路と比べて欠点もあった。
スイッチング速度はかなり遅かった。大きなゲート容量が原因である。
初期のMOSFETの高い閾値電圧は、最小電源電圧を高くすることになった(-24 Vから-28 V)。
ジェネラル・マイクロエレクトロニクス(英語版)は、1964年に最初の商用PMOS回路を導入した。