集束イオンビーム
集束イオンビームによる蒸着には、直接蒸着法と集束イオンビームアシスト蒸着法の2つがある。直接蒸着法はCu,Al,Auなどの金属を低エネルギーのイオンビームにして、試料に蒸着させる蒸着法である。半導体素子の金属配線などに応用されている。一方、集束イオンビームアシスト蒸着法は、試料表面に吸着したガスがイオンビームにより分解することを利用した一種のCVDである。蒸着される元素はイオンビームの種類ではなく、導入されるガスの種類によって決まり、Pt, W, Au, Cなどが一般的である。Gaイオンビームを用いたFIB加工装置には、通常1〜5種類程度のガス銃が付属しており、加工のみならず蒸着もおこなうことができる。