不揮発性メモリ
フラッシュメモリは、基本的にはEEPROMそのものである。しかし、一般のEEPROMと異なった構造に工夫があり、また消去の単位をブロックまたはページと呼ばれる単位として、密度と扱いやすさのバランスを取ったメモリである。EEPROMよりも記憶容量が大きくできることなどもあり、1990年代ごろからパーソナルコンピュータのBIOSチップなどをEEPROMから置き換えた他、2000年前後からはデジタルカメラなど電子機器でハードディスクが適さないものなどに多用されるようになり、メモリーカードの類が生産されるようになった。200x年代中旬以降はUSBストレージ(USBメモリ、いわゆるUSBスティック)として比較的小容量のストレージが、SSDとして比較的大容量のストレージが、主にノートパソコン等用を中心に大量生産されるようになった。
構造によりNAND型とNOR型に分けられる。NOR型はランダムアクセスが高速で、1バイト単位の読み出しが可能である。NAND型は連続な読み書きが高速だが、ランダムアクセスはNOR型より遅い。NAND型はNOR型より集積度を高くでき、同じ大きさのシリコンであれば記憶容量をより大きくできる。
NOR型フラッシュメモリのメーカーは次の通りである。
Atmel
インテル
Macronix
マイクロン・テクノロジ
Silicon Storage Technology (SST)
スパンション
STマイクロエレクトロニクス
NAND型フラッシュメモリのメーカーは次の通りである。
ハイニックス半導体
インテル
マイクロン・テクノロジ
キマンダ
ルネサス エレクトロニクス
サムスングループ
スパンション
STマイクロエレクトロニクス
東芝