ハイブリッドπモデル
g m = i c v be | v ce = 0 = I C V T {\displaystyle g_{\text{m}}=\left.{\frac {i_{\text{c}}}{v_{\text{be}}}}\right\vert _{v_{\text{ce}}=0}={\frac {I_{\text{C}}}{V_{\text{T}}}}}
ただし、
I C {\displaystyle \scriptstyle I_{\text{C}}\,} :直流コレクタ電流
V T = k T e {\displaystyle \scriptstyle V_{\text{T}}~=~{\frac {kT}{e}}} :熱電圧であり常温(295K)では、おおよそ25mV(ただし、 k {\displaystyle \scriptstyle k} :ボルツマン定数、 e {\displaystyle \scriptstyle e} :電気素量、 T {\displaystyle \scriptstyle T} :トランジスタの絶対温度)
r π = v be i b | v ce = 0 = V T I B = β 0 g m {\displaystyle r_{\pi }=\left.{\frac {v_{\text{be}}}{i_{\text{b}}}}\right\vert _{v_{\text{ce}}=0}={\frac {V_{\text{T}}}{I_{\text{B}}}}={\frac {\beta _{0}}{g_{\text{m}}}}}
ただし、
I B {\displaystyle \scriptstyle I_{\text{B}}} :直流ベース電流
β 0 = I C I B {\displaystyle \scriptstyle \beta _{0}~=~{\frac {I_{\text{C}}}{I_{\text{B}}}}\,} :エミッタ接地時の直流電流増幅率(一般に、 hパラメータモデルにおいてh FEとして表される。各トランジスタに固有のパラメータであり、一般的にデータシートに記載されている。)