熱酸化
よく使われるDeal-Groveモデルによると、常温で厚さ Xo, の酸化物を、一定の温度で、裸のシリコン表面に成長させるのに必要な時間τは
τ = X o 2 B + X o ( B A ) {\displaystyle \tau ={\frac {X_{o}^{2}}{B}}+{\frac {X_{o}}{({\frac {B}{A}})}}}
ここで、定数 A と B はそれぞれ反応と酸化膜の特性に関するものである。このモデルはさらに、シリコンナノワイヤやその他のナノ構造の製造や形態設計に用いられるような自己限定的な酸化過程を考慮するよう適用されている。
既に酸化物を含むウェーハを酸化性雰囲気に置く場合、この式に補正項 τ を追加して修正する必要がある。これは、現在の条件下で既存の酸化物を成長させるのに必要な時間で、この項は、上記のt の式を用いて求めることができる。
Xo の二次方程式を解くと、次のようになる。
X o ( t ) = A / 2 ⋅ [ 1 + 4 B A 2 ( t + τ ) − 1 ] {\displaystyle X_{o}(t)=A/2\cdot \left[{\sqrt {1+{\frac {4B}{A^{2}}}(t+\tau )}}-1\right]}