化学機械研磨
近年では、CMPの使用箇所は、次に挙げるように半導体製造工程のほとんどの段階に及んでいる。
シリコンウェハーそのもの(ベアウェハー)の平坦化
トランジスタ浅溝型素子分離(Shallow Trench Isolation)作成時
タングステンプラグの埋め込み平坦化
配線表面の平坦化
一般には、研磨対象物をキャリアと呼ばれる部材で保持し、研磨布または研磨パッドを張った平板(ラップ)に押し付けて、各種化学成分および硬質の微細な砥粒を含んだスラリーを流しながら、一緒に相対運動させることで研磨を行う。化学成分が研磨対象物の表面を変化させることで、研磨剤単体で研磨する場合に比べて加工速度を向上することができる。また、研磨剤単体で研磨する場合に残る表面の微細な傷や表面付近に残る加工変質層がきわめて少なくなり、理想的な平滑面を得ることができる。