強誘電体メモリ
(Pb,La)(Zr,Ti)O3
他の分野での実用化が進んでおり、成膜方法のノウハウが蓄積されている。
残留分極量が、配向に依存して25μC/cmから100μC/cmと大きく、高密度化に適している。
結晶化温度が550°Cと低く、集積回路の半導体製造プロセスと相性が良い。
人体に有害な鉛が含まれているため、環境基準に対応できない。
高温処理に耐えられる白金や金などを電極に用いると疲労現象が著しくなり、10回以下の分極反転で残留分極が顕著に減少する。ただし、IrO2などの電極材料を用いた場合は10回以上の分極反転にも耐えられる。
本材料系では、従前、分極ドメインのナノ構造化に拠って分極が容易な軸の方向が結晶の対称性に束縛されず極軸が自由に回転することが既に示されている。これは記録密度が従来に対して2桁増大するという可能性を示している。 そして、2014年に、その分極自由回転状態の書き込みと読み込みの実証が報告されている。