トンネル電界効果トランジスタ
基本的なTFET構造は、TFETのソース端子とドレイン端子が反対の型にドープされていることを除けばMOSFETと似た構造をしている(図参照)。一般的なTFETデバイスの構造は、真性領域の静電ポテンシャルがゲート端子により制御されるP-I-N (p型半導体, 真性半導体, n型半導体) 接合からなる。
IBMのグループが、MOSFETの60mV/decade限界を下回る電流振幅が可能であることを初めて実証した。2004年、彼らはカーボンナノチューブのチャネルでサブスレッショルド振幅がわずか40mV/decadeであるトンネルトランジスタを報告している。
2010年までに異なる材料系で多くのTFETが作製されてきたが、主流な応用に要求される駆動電流で急峻なサブスレッショルドスロープを示すものはまだない。