真性半導体
半導体のキャリア密度の2乗は電子密度 ne と正孔密度 nh の積に等しいことから
となる。ここで Eg=Ec - Ev はバンドギャップエネルギーである。真性半導体では、電荷を持つのは電子と正孔だけなので、電気的中性条件より ne = nh が成り立つ。よって、真性半導体のキャリア密度は
となり、ni を真性キャリア密度(intrinsic carrier concentration または intrinsic carrier density)という。