ロバート・デナード
1988年 アメリカ国家技術賞
1990年 ハーヴェイ賞
2001年 エジソンメダル
2006年 C&C賞
2007年 ベンジャミン・フランクリン・メダル
2009年 IEEE栄誉賞、チャールズ・スターク・ドレイパー賞
2013年 京都賞先端技術部門
2017年 米国科学アカデミー賞産業応用部門
テキサス州テレル生まれ。1954年と1956年に南メソジスト大学で、電子工学の学士号と修士号を取得した。博士号は1958年にカーネギー工科大学でとった。その後IBMに勤務して研究を行った。
1966年にIBMトーマス・J・ワトソン研究所でDynamic Random Access Memoryの概念を考案し、1967年にIBMと博士により特許申請し、1968年に特許発行された。
また彼は、MOSFETには小型化による途轍もないポテンシャルがあると最初に気づいていた一人である。1970年代に、LSI上のMOSFETは小型化すればするほど高速かつ省電力になる、というスケーリング理論を確立した。「デナード則」の名で呼ばれるこの理論は、ムーアの法則に従った集積度向上による微細化だけで大きな効果があるということを意味し、こんにちのマイクロプロセッサ他による大きな発展の根底を支えた理論と言える。