シリコンナノワイヤ
SiNWsの配向は、システムの構造および電子特性に大きな影響を与える。このため、選択した配向にナノワイヤーを配置するためのいくつかの方法が提案されている。これには、極性配向における電界の使用、電気泳動、マイクロ流体法、コンタクトプリンティングが含まれる。
1 2 3 Liu, M.; Peng, J. (2016). “Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires”. Theoretical and Applied Mechanics Letters 6 (5): 195–199. arXiv:1911.08908. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002. https://www.researchgate.net/publication/306273009etal
↑ Yi, Cui; Charles M., Lieber (2001). “Functional Nanoscale Electronic Devices Assembled Using Silicon Nanowire Building Blocks”. Science 291 (5505): 851–853. Bibcode: 2001Sci...291..851C. doi:10.1126/science.291.5505.851. PMID 11157160.
1 2 3 4 5 Mikolajick, Thomas; Heinzig, Andre; Trommer, Jens (2013). “Silicon nanowires–a versatile technology platform”. Physica Status Solidi RRL 7 (10): 793–799. Bibcode: 2013PSSRR...7..793M. doi:10.