圧抵抗効果
圧抵抗効果(あつていこうこうか)または、ピエゾ抵抗効果(ピエゾていこうこうか、英: piezoresistive effect)とは、半導体や金属に機械的なひずみを加えたときにその電気抵抗が変化する効果である。圧電効果(ピエゾ電気効果、英: piezoelectric effect)と比較して、圧抵抗効果は電気抵抗のみに影響を及ぼし、電位には直接の影響を及ぼさない。
伝導物質や半伝導物質では、歪による原子間隔の変化はバンドギャップに影響を与え、電子が伝導バンドに上がり易く(若しくは物質や歪に応じて難しく)する。この結果、物質の抵抗が変化する。ある一定の範囲内の歪では、この関係性は線型であり、圧抵抗係数
ρ σ = ( ∂ ρ ρ ) ε {\displaystyle \rho _{\sigma }={\frac {\left({\frac {\partial \rho }{\rho }}\right)}{\varepsilon }}}
(ここで
∂ρ = 抵抗率の変化
ρ = 元の抵抗率
ε = 歪
である。)は定数になる。