SOI
SOIウエハの製造法は、SIMOX(Separation by IMplantation of OXygen)方式と張り合わせ方式の2種類がある。SIMOX方式はIBMが中心となって開発した技術で、酸素分子をイオン注入によりシリコン結晶表面から埋め込み、それを高熱で酸化させることでシリコン結晶中に酸化シリコンの絶縁膜を形成する。現在ではSIMOX方式よりさらに表面特性の優れたSmartCut方式が主流になっている。これは、バルクウエハの表面に酸化膜を形成したのちもう一枚の加工されていないバルクウエハと表面同士で貼り合わせ、先のウエハを剥離して作成するものである。剥離厚は酸化膜より深部に事前に注入された水素イオンの表面からの距離によって制御され、剥離面は化学機械研磨(CMP)により表面仕上げされる。 SOIウエハの製造コストは、バルクシリコンのウエハに比べ工程が増えるためその分高価になる。
基板側に浮遊容量を持たないSOIウエハーは、当初はその低消費電力性を生かした時計用に用いられたが、後に高速性を生かして先端プロセッサにも採用されるようになった。
SOIウエハーには、縁膜上の単結晶シリコン部(ボディと呼ばれる)が非常に薄くて動作時には完全に空乏化するFDSOI(Fully Depleted SOI)と、比較的ボディ部が厚いPDFSOI(Partially Depleted SOI)の2通りがあり、場合によって使い分けられている。