液浸
1990年代末の時点ではポストArFとしてはEUV露光が本命と目されていた他、F2レーザーの開発も並行して進められていた。
ここで、ウェハと投影レンズの間を液体で満たし、より微細な露光を行う技術が開発された。同様の技術は光学顕微鏡の高倍率観察に古くから用いられていたが、半導体製造における適用は技術的な問題が解決されたことによる。
2007年現在のところ液浸には超純水(屈折率1.33)を用いた実用化が進んでいるが、さらに高屈折率の液体の使用も検討されている。
半導体の露光を液浸で行うにあたり、次のような問題があったとされる。
液の温度変化(によって起こる微細気泡の発生、屈折率の変化やひずみ)による露光への悪影響
液の純度保持・補給と回収
投影レンズと接する部分のみを液浸とする場合の液の追随性(エアカーテンを用いる対策などがある)
ウェハからの液への成分の溶け出しによる悪影響
液によるウェハへの影響・ウェハの超撥水コーティングの開発
これらの問題の解決については一応の目処がつき、実用化された。