ハイブリッドIC
IC(Integrated circuit)という用語は一般的にモノリシックICを指し、ICは単一のウェハ上に一連の工程で製造され、その後にチップに切断される。一方、HICは基板上に多数の部品を相互接続することで製造される。 ハイブリッドICは複数のICから構成されることがあり、その場合Multi-Chip Module(MCM)ハイブリッドICと呼ばれる。
ハイブリッドICはエポキシ樹脂によって封止される。また、軍事や宇宙分野での使用では封止材をはんだ付けして封止することもある。ハイブリッドICは、モノリシックICと同じようにプリント基板上の素子として機能する。この両者の違いは構成と製造方法である。ハイブリッドICの優れた点は、モノリシックICに搭載できない、多数のコンデンサ、コイルのような巻き線部品、インダクタなどを搭載できるところである。 軍事や宇宙分野において、数多くのハイブリッドIC、トランジスタ、ダイオードをセラミック基板やベリリウム基板に配置する。金やアルミニウムの配線で、それらのIC、トランジスタ、ダイオードのパッドを基板と接合する。
厚膜技術(thick film technology)(英語版)はハイブリッドICの配線媒体として使われる。スクリーン印刷による厚膜配線は、薄膜配線に比べて汎用性が高い。しかし、サイズが大きく、抵抗器の公差が大きくなる短所がある。多層厚膜は、スクリーン印刷された絶縁誘電層を用いて、層間の接続を必要な部分だけに絞ることにより、集積度をさらに上げる技術である。厚膜技術では抵抗値を自由に選択できることが、回路設計者にとっての大きな利点である。