埋込フォトダイオード
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埋込フォトダイオードとは、電荷蓄積部が半導体表面に露出し浮遊状態にある表面型受光素子に対して、電荷蓄積部が半導体表面には 露出されていない構造を持つ埋め込み型受光素子であり、NPN接合または PNP接合のトランジスタ構造を持つフォトダイオードのことである。 受光面に直接露出していないベース領域が埋め込み層として光電荷蓄積部となる構造を持つ。
埋込フォトダイオード(または埋め込みフォトダイオード)の構造や動作原理については多くの解説があるが、一例として「電子情報通信学会「知識ベース」8 群-4 編-1 章」のP46などがある。