RCA洗浄
(ベアシリコンウェハーにおいて行われることがある)第2段階は1:100または1:50のHF(フッ化水素)溶液に25 °Cで約15秒間浸漬させ、酸化物層とイオン汚染を除去する。 この段階で超高純度試薬と超清浄容器を用いなければ、ベアシリコン表面は非常に反応性が高いため再汚染を引き起こしてしまう。 次の段階 (SC-2) では酸化物層の溶解と再生を行う。
半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス(酸化、拡散、化学気相成長)の前に行われる。
RCA社のWerner Kernが1965年に基本的なプロセスを開発した。RCA洗浄は次の化学プロセスをこの順で行う。
有機物汚染とパーティクル汚染の除去
酸化物層の除去
イオン汚染の除去
ウェハーは脱イオン水に浸しておく。 ウェハーが極めて汚染されている場合、事前にピラニア溶液で洗浄する。 ウェハーは各段階の間に脱イオン水で十分にリンスする。
理想的には、以下のステップは石英ガラス容器で調整された溶液にウェハーを浸して行われる(ホウケイ酸ガラスは不純物が溶け出し汚染するため使用してはならない)。 同様に薬品中の不純物がウェハー汚染につながるため、電子工業グレード(またはCMOSグレード)を用いることが推奨される。