中村修二
2009年 - ハーヴェイ賞
2011年 - 第63回エミー賞技術開発部門
2012年 - Inventor of the Year Award by Silicon Valley Intellectual Property Law Association
2013年 - LED Pioneer 賞、LUX 賞、Awards of Outstanding Achievement for Global SSL Development by ISA
2014年 - ノーベル物理学賞
2015年 - アジアゲームチェンナー賞、チャールズ・スターク・ドレイパー賞、NIHF(全米発明協会殿堂)入り、グローバルエネルギー賞
2017年 - マウントバッタンメダル賞
2018年 - ザイード・フューチャー・エネルギー賞
2019年 - 再生可能エネルギー リー・アン・コン賞
2020年 - 米国科学アカデミー賞産業応用部門
2021年 - 第5回エリザベス女王工学賞、Spirit of Innovation Award、Richard J. Goldstein Energy Lecture Award(アメリカ機械学会)
『InGaN高輝度青色LEDに関する研究』徳島大学〈博士論文(乙第1371号)〉、1994年11月11日。