R8000
R8000は17.34mm×17.30mm (299.98mm) のチップに260万個のトランジスタを集積している。R8010は83万個のトランジスタを集積しており、この2つの合計で343万個のトランジスタを集積していることになる。どちらも東芝が0.7μmのCMOSプロセスで製造し、591ピンのCPGA (ceramic pin grid array) でパッケージしていた。電源電圧は3.3Vで、R8000の消費電力は75MHzで13Wだった。