半導体素子
純粋な半導体の単結晶を溶融半導体中に入れ、ゆっくり引き上げ棒状に成長させるものである。
標準(汎用)デバイス:メモリ、MPU、汎用ロジックなど
カスタムデバイス:ASIC(フルカスタム仕様)
セミカスタムデバイス:ゲートアレイ、PLA、セルベースICなど
絶縁体上にシリコンのプレーナ形半導体素子を形成する技術である。絶縁体上の薄膜を利用するので、基板下部からの漏れ電流が少なく、耐放射線性能が向上する。システム液晶ディスプレイ・漏れ電流が少なく高速動作が可能なCMOS-IC・高耐圧MOS-IC・耐放射線素子の製作に使用される。絶縁体には人工的に作られたサファイアが使われることもある(silicon on sapphire:SOS)。絶縁体に熱伝導性の高いダイヤモンド基板を使った素子は大出力発光ダイオードで2015年現在一般的であり、特に超高温となる半導体レーザーは耐熱性の高い窒化物半導体とダイアモンド基板のペアで製造される物が主流である。
STマイクロエレクトロニクス
NXPセミコンダクターズ
フィリップスの半導体部門が分社化して誕生
インフィニオン・テクノロジーズ
シーメンスの半導体部門が分社化して誕生
キマンダ
インフィニオン・テクノロジーズの半導体メモリー部門が分社化して誕生
同一平面上に端子用電極を形成したものである。電流経路を短くすることが可能で高周波特性が良いなどの特徴がある。
また、微細加工により多くの素子を並べて写真技術の応用で製造できるためばらつきが少なく大量生産に向く。この特徴を生かしてモノリシック集積回路が発明された。