化学機械研磨
化学機械研磨(かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤(砥粒)自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨(表面除去)効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。
近年では、CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術である(半導体工学を参照のこと)。半導体製造工程においては、特に平坦な面を得ることが重要であるため、「平坦にする」ということを強調するために化学機械平坦化(かがくきかいへいたんか、chemical mechanical planarization)とも表現する。いずれも略語はCMPであり、実質的な相違はあまりない。