速度飽和
最近の高速ロジックLSIに使われるMOSFETではほとんどの場合、完全な速度飽和に至っていなくとも高電界による移動度の低下は顕著に表れているが、 そのような高電界による移動度の低下を1990年代に評価し、定量的にモデル化した最初の例が桜井のα乗則であるとも言える。