U61000
1986年2月11日にマイクロエレクトロニクス開発("マイクロン"計画)が決定され、ZMDで1Mビットの記憶回路が3年かけて開発され、1990年から量産が開始された。
東芝による64-kbit (U6164) と 256-kbit (U61256) DRAMの製造技術を基に1MビットのDRAMの開発がドレスデンで開始された。さらに旧東ドイツの対外情報機関であるHVA Abt. XIV (SWT)によってVLSIの量産に必要とされるシーメンス社のVLSI製造技術の資料が入手された。
この技術は以前、シーメンスが自社製品のために東芝からライセンス導入したものだった。量産にあたり、シーメンスの技術者達は大きな困難に打ち勝った。 ZMDの開発者は「私たちの計画に適さず、イエナの装置には過剰だった」と述べ、これらの文献は実際には使用されなかったとされる。 これに対しシュタージは科学者達が彼らが入手した情報を活用しなかった事に対して失望した。シーメンスの集積回路開発者へのCIAによるその後の調査ではドレスデンでのメガビットチップにシーメンスの文献が使用された疑いを確認できなかった。ココムによる技術禁輸により国際市場から合法的に量産に必要な製造装置と開発に必要なコンピュータを購入することは出来なかった。従って重要な製造装置であるステッパー、電子線描画装置、LPCVD装置、イオンビームエッチング装置や組み立てラインはカールツアイス・イエナとドレスデンVEBエレクトロマットで開発、製造された。他の重要な製造装置である反応性イオンエッチング装置とイオン注入装置はソビエトとの協力協定の元で開発されたものを基にした。