成長接合型トランジスタ
1947年12月にベル研究所で点接触型トランジスタが開発されたものの、高周波特性が安定せず、歩留まりも低いため、量産には適さなかった。点接触に起因する欠点を取り除くために1948年6月23日にベル研究所でウィリアム・ショックレーによって最初の接合型トランジスタである成長接合型トランジスタが試作された。これは点接触型トランジスタよりは品質が安定していて振動にも強かったものの、当初はベース層を薄くする事が困難なため、高周波の増幅には適さなかった。続いて1951年には合金型トランジスタがRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された。これは当時の成長接合型トランジスタよりも生産性が優れていたので最初に大量生産された接合型トランジスタになったものの、依然、高周波特性は不十分で当時の真空管を代替するまでには至らなかった。後に成長接合型トランジスタは東京通信工業によって高周波特性が改良され、量産された。
ゲルマニウムには当初はエミッタのドーパントとしてアンチモンを添加していたが、アンチモンは拡散速度が速いためにエミッタに使用したアンチモンが結晶引き上げ中の高温によって拡散を起こし、温度の高い周辺部は特に拡散速度が速くベース層の厚さを不均一にしているために歩留まりが下がっていた状況を改善するために東京通信工業では拡散速度の遅い燐を錫との合金化により添加した。