プレーナー プロセス
1958年の米国電気化学学会で、 モハメド・M・アタラは、1957年の ベル電話研究所でのメモに基づいて、熱酸化によるpn接合の表面不動態化に関する論文を発表した。
スイスのエンジニア、ジャン・ヘルニは、この1958年の学会に出席していて、アタラの講演に興味をそそられた。ヘルニは、ある朝、アタラの装置について考えているときに「平面的なアイデア」を思いついた。シリコン表面に対する二酸化シリコンの不動態化効果を利用して二酸化シリコン層で保護されたトランジスタを作ることを考案した。これにより、アタラのアイデアをもとにした、熱酸化膜によるシリコン トランジスタ 不動態化技術の製品実装が初めて成功した。
プレーナー プロセスは、フェアチャイルド セミコンダクターで働いていたときに、「裏切り者8人」の1人であるジャン・ヘルニによって開発され、1959年に登録された最初の特許である。