不純物半導体
伝導帯の電子濃度を n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。
n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}}