赤﨑勇
1946年 鹿児島県立第二鹿児島中学校(現・鹿児島県立甲南高等学校)卒業(40回)。
1949年 旧制第七高等学校造士館(現・鹿児島大学)を卒業。
1952年 京都大学理学部化学科を卒業。 神戸工業(現デンソーテン)に入社。(明石市・大久保製作所配属)
1959年 名古屋大学工学部電子工学科半導体工学講座助手。(有住徹弥研究室) 名古屋大学工学部電子工学科半導体工学講座講師。(有住徹弥研究室)
1964年 名古屋大学工学部電子工学科半導体工学講座助教授(有住徹弥研究室) 名古屋大学工学博士。
1964年 株式会社松下電器東京研究所(1971年から松下技研株式会社に変更)基礎第4研究室長。 松下技研株式会社半導体部長に就任。
1981年 松下技研株式会社を退社。 名古屋大学工学部電子工学科半導体工学教授に就任。
1987年 新技術開発事業団『GaN青色発光ダイオード』研究開発総責任者に就任。 名古屋大学赤崎研究グループと豊田合成の産学連携による『 青色発光ダイオード製品化プロジェクト 』開始。 文部省学術審議会専門委員。 公益財団法人 名古屋産業科学研究所理事。
1988年 NTT日本電信電話研究開発本部技術顧問に就任。
1992年 名古屋大学を定年退官。同大名誉教授。 名城大学理工学部教授に就任。
1993年 JST科学技術振興機構『GaN系短波長半導体レーザー』研究開発総責任者に就任。
Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode (Akasaki, I. and Amano, H.). Japanese Journal of Applied Physics 45: 9001-9010.
高品質・高純度のGaN結晶の成長創製を新たにMOCVD装置による低温堆積バッファ層技術によって世界で初めて実現させ、結晶学的完全性・光学的特性・エレクトロニクス特性を同時に達成したワイドギャップ半導体としての機能を発現させる。(1986年)
マグネシウムをドープし低エネルギー電子線照射 (LEEBI) で活性化させることによって、理論上不可能とされてきた窒化物半導体におけるp型伝導を発見する。(1989年)
高品質GaN結晶にシリコンをドープさせ、高度な電気的制御が可能となるn型伝導度制御の実現。(1989年)
世界で初めてp型GaNの結晶化を証明し世界初となるGaNのpn接合型高輝度青色発光ダイオードを発明する。(1989年)
GaNからの室温における紫外光誘導放出コヒーレント光を実現させpn接合型青色/紫外発光デバイス (LED, LD) に必須の全ての基礎技術に世界に先駆けて成功する。(1990年)
窒化物半導体における量子サイズ効果を示す多重ヘテロ効果の発見。(1991年)
AlGaN/GaNダブルヘテロ構造での低閾値光励起誘導放出の実現。(1993年)