ディプリーション負荷NMOSロジック
モステックは、1975年から1976年までのオリジナルのザイログZ80の設計にディプリーションモードMOSFETを使えるようにした。 モステックは、拡散法よりもドーピング特性を正確に制御するために必要なイオン注入の設備を有していたので、負荷MOSFETの閾値電圧を正確に調整できた。 インテルにおいてディプリーション負荷はフェデリコ・ファジンによって1974年に導入された。ファジンは元フェアチャイルドセミコンダクターの技術者であり、後にザイログを創業することになった。 ディプリーション負荷は、当時のインテルの最重要製品の一つを再設計するために最初に使用された。再設計されたのは2102と呼ばれる+5V単一電源の1Kbit NMOS SRAMであった(6000個以上のMOSFETを使用した)。 この再設計の結果は、格段に高速な2102Aとして結実した。2102Aは、2102の高性能版であり、アクセス時間は100ns未満であった。これによってMOSFETのメモリは最初にバイポーラRAMの速度に近づいた。
ディプリーション負荷のプロセスは、有名な8ビットCPU、16ビットCPU、そして32ビットCPUを製造するためにいくつかの他の製造者によっても使われた。 負荷としてエンハンスメントモードMOSFETを使う初期のPMOSとNMOSのCPUの設計と同様に、ディプリーション負荷NMOSを使った設計は、動的ロジック(英語版)あるいは動的なクロック同期ラッチ回路として使われるパストランジスタロジック(英語版)の多くの種類に一般的に使用された。
ベル研究所のモハメド・アタラ(英語版)とダウォン・カーンによるMOSFETの発明に続いて、彼らは1960年にMOSFET技術を発表した。 彼らは20μmプロセスでPMOSとNMOSの両方を製造した。 しかしながらNMOSデバイスは実用性がなかった。PMOSデバイスだけに実用性があった。
1965年にフェアチャイルドセミコンダクターのチータン・サー(英語版)、オットー・レイスティコ(Otto Leistiko)、そしてA・S・グローブ(A.S. Grove)は、チャネル長が10μmから65μmの間でいくつかのNMOSデバイスを製造した。 IBMのデイル・L・クリッチロー(Dale L. Critchlow)とロバート・H・デナード(英語版)も1960年代にNMOSデバイスを製造した。 最初のIBMのNMOS製品は、1Kbitのデータ容量かつ50/100nsのアクセス時間のメモリチップであった。そのメモリチップは、1970年代初頭に大量生産に入った。 これによってMOSFETの半導体メモリが1970年代のバイポーラメモリと磁気コアメモリの技術を置き換えることになった。