集積化ゲート転流型サイリスタ
Integrated Gate Commutated Turn-off thyristorの頭文字からIGCTサイリスタとも呼ばれる。三菱電機が1995年に世界に先駆けて開発したもので、GTOサイリスタのゲートを中心に改良したものである。スナバ回路が不要となって低損失化を実現したほか、インダクタンスの低減によりスイッチング周波数が10倍となった。サイリスタとゲートドライブとのインダクタンスは1/100ほどまで低減されている。またターンオン時の電流上昇率に対する耐量が向上し、アノードリアクトルも不要となる。近年はPIN接合やSiC(Silicon Carbide: 炭化ケイ素)を用い、110kVA級の容量を持つインバータ装置が関西電力と英Cree社の共同開発によって実現されている。逆導通形 (Reverce conducting GCT: RGCT) や電圧形インバータとして逆導電形もラインナップされている。