セレン化銅インジウムガリウム
CIGSはカルコパイライト結晶構造を有する四面体結合半導体である。加熱することで閃亜鉛鉱に変化し、このときの転移温度はx = 0の場合の1045°Cからx = 1の場合の805°Cである。