メモリスタ
メモリスタは、通過した電荷 q ( t ) {\textstyle q(t)} と端子間の磁束鎖交 Φ m ( t ) {\textstyle \Phi _{\mathrm {m} }(t)} が非線形関数関係であるような素子と定義される。すなわち、
と表わされる。磁束鎖交 Φ m {\textstyle \Phi _{\mathrm {m} }} は、インダクタの回路特性から一般化される。ここでは磁場を表すものではなく、その物理的意味については以下で説明する。 記号 Φ m {\textstyle \Phi _{\mathrm {m} }} はすなわち、電圧の時間積分と見なすことができる。 Φ m {\textstyle \Phi _{\mathrm {m} }} と q {\textstyle q} の関係において、一方の他方に対する導関数は、一方または他方の値に依存する。そしてそれゆえ、それぞれの導関数は電荷を伴なう磁束の変化の電荷依存率を述べるmemristance関数によって特徴づけられる。
磁束を電圧の時間積分として、電荷を電流の時間積分として代入すると、より便利な形式が得られる:
メモリスタを抵抗、キャパシタ、インダクタに関連付けるには、デバイスを特徴付ける項 M ( q ) {\displaystyle M(q)} を分離し、常微分方程式として記述すると便利。
上記の表は I {\displaystyle I} 、 q {\displaystyle q} 、 Φ m {\displaystyle \Phi _{m}} 、および V {\displaystyle V} の微分の有意義な比率を全てカバーする。