電界効果トランジスタ
となる。
飽和領域は主として増幅用途に用いられるが、オーム領域は特に電圧制御抵抗 (voltage-controlled resistor) として用いることができる。 すなわち、このモデルの特性に基づけば、ゲート端子とゲート端子への入力 x、およびゲート端子とドレイン端子間に同じ大きさの抵抗をつなぎ、ゲート電圧を入力とドレイン電圧とのちょうど中間の電圧 vGS = (x + vDS) / 2 とすることによって、オーム領域での特性を線型化でき、次のように電圧の積に比例した電流を得ることができる。
i D S = I D S S V p 2 ( x − 2 V p ) v D S {\displaystyle i_{\mathrm {DS} }={\frac {I_{\mathrm {DSS} }}{V_{\mathrm {p} }^{2}}}(x-2V_{\mathrm {p} })v_{\mathrm {DS} }} (オーム領域)
ただしこれは vDS ≥ 0 のオーム領域でのみ成立する補正であることに注意する必要がある。