セレン化タングステン(IV)
遷移金属ジカルコゲン化物は、太陽電池やフォトニクスへの応用が考えうる半導体である。
バルクのセレン化タングステン(IV)は、温度依存-4.6×10eV/Kで光学バンドギャップ~1.35 eVを持つ。この化合物の光電極は、酸性環境でも塩基性環境でも安定であり、光化学電池の材料の候補になりうる。
半導体にはよくあることだが、単層の性質はバルク状態によって異なる。
機械的に剥離した単層は透明で、発光ダイオードの性質を持つ光起電材料となる。
できた太陽電池は、入射光の95%を通過させ、残りの5%の10分の1を電力に変える。
この材料は、隣接金属電極の電圧を陽から陰にすることで、p型からn型に変えることができ、これで作る装置に調整可能なバンドギャップを持たせることができる。
圧力下、800K以上の温度で、スパッタ蒸着法を用いて気体セレン中においてタングステンフィルムを加熱すると、正しい化学量論比で六方構造を取った結晶のフィルムが形成する。
W + 2 Se → WSe2