ショットキーバリアダイオード
標準的なシリコンダイオードは、約0.7 Vの順方向電圧降下であり、ゲルマニウムダイオードは、0.3 Vである。一方、ショットキーダイオードの約1 mAの順方向バイアスにおける電圧降下は、0.15 Vから0.46 Vまでの範囲である(1N5817と1N5711を参照)。そのことは、電圧クランプ(英語版)で有用であり、トランジスタの飽和を防ぐ。 ショットキーダイオードの順方向電圧降下が低いのは、高い電流密度が原因である。
ショットキーダイオードは、ダイオードブリッジを基にしたサンプル&ホールド(英語版)回路で使われている。 通常のpn接合ダイオードを使ったダイオードブリッジと比較したとき、ショットキーダイオードに優位性がある。
順方向にバイアスされたショットキーダイオードは、少数キャリアを貯めるストレージがない。 そのため、通常のダイオードよりもさらに高速にスイッチングすることを可能にする。その結果、サンプルからホールドへ遷移する時間が短くなる。 少数キャリアを貯めるストレージがないので、短いホールド間隔と少ないサンプリングエラーを実現する。その結果、出力がより正確になる。