擬似SRAM
簡素な回路で利用できること、フラッシュメモリインターフェースと回路を共通化することができるなど、メインメモリとして採用されている。
SRAMは1記憶セルあたり最低6個の素子を必要とする。DRAMではキャパシタとスイッチングトランジスタだけで良いので集積密度が高く、小さなダイで良いので歩留まりに優れ、コスト的にはSRAMより優位にあり、単なるDRAMとSRAMの中間に存在する。
前述のダイナミック動作による消費電力に加え、メモリコントローラ回路も内蔵しているので、消費電力の点ではSRAMにもDRAMにも劣る。