1T-SRAM
通常の6T-SRAMと比較した場合:
3分の1以下の実装面積
半分以下の消費電力
実装のしやすさ。通常のロジックプロセスとしてSoCに組み込むことができる
シンプルなSRAMインターフェイス
SRAMレベルのパフォーマンスがあり、DRAMに比べ低レイテンシである
高信頼性。エラー発生率は1FIT/Mbit以下(65nmプロセス)
高品質。追加の特許使用料なしで透過的なECC技術を使用可能。実装面積のペナルティーなし
組込メモリとして従来のSRAMよりも高密度に集積できる。
MoSysは単トランジスタ・ストレージセル(bit cell)をDRAMのように使用し、コントロール回路によりビットセルがSRAMのように機能するようにしている(このコントローラーはDRAMの仕様であるプリチャージやリフレッシュを完全に隠蔽している)。1T-SRAM(および通常PSRAM)は標準のシングルサイクルSRAMインターフェースを持ち、SRAMとして振舞うロジックが取り囲む。
単トランジスタ・ビットセルにより、1T-SRAMは従来型(6トランジスタ、もしくは「6T」)のSRAMに比べサイズが小さく高密度であり、eDRAMに向いている(原文:1T-SRAM is smaller than conventional (six-transistor, or “6T”) SRAM, and closer in size and density to embedded DRAM (eDRAM).)。
同時に1T-SRAMは複数メガビットのSRAMに比較しうるパフォーマンスを持ち、eDRAMより製造が容易であり、従来型のSRAMのように標準CMOSロジックプロセスで製造される。
MoSysは1T-SRAMをオンダイ組み込み用の物理IPとして市場に提供しており、SOC用途で使用可能である。様々なファウンドリで利用可能であり、チャータード、SMIC、TSMC、UMCを含む。エンジニアの中には1T-SRAMおよび「eDRAM」を同じものであるかのように言及する者もいる。それはファウンドリがMoSysの1T-SRAMを「eDRAM」として提供するからである。