抵抗変化型メモリ
電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。このうち前者の界面型は印加電圧の向きに依存するバイポーラ型の挙動を示し、ペロブスカイト構造の金属酸化物を用いるものが多い。後者の電導経路型は電圧の向きよりも絶対値に依存するノンポーラ型の挙動を示し、2元系金属酸化物に多く見られる。RRAMの中のCMR膜にはこの内のどちらか一方が使われ、メーカーごとに特色がある。
ReRAMデバイスの個々のセルは、右図のように電界効果トランジスタ(FET)にCMR膜が直列に組み合わさった構造をしている。ワード線に電圧を印加してセルを選択し、書込み線とビット線の間に電圧を印加して抵抗値を変化させ、データを書き込む。トランジスタと抵抗が1つずつしかいらない1T1Rと呼ばれる単純な構造のため、セル面積が小さく高密度化が可能である。