NAND型フラッシュメモリ
1つのセルの浮遊ゲートにある電子の蓄積量、つまり電荷の量が"Hi"か"Low"かで1ビットの情報を記録する方式を「SLC」(Single Level Cell) と呼ぶ。また、電荷の量の違いを4つ以上の多値で判断することで2ビット以上を記録する方式を「MLC」(Multi Level Cell) と呼ぶ。
電荷量の区別のため、2ビットのものを単に「MLC」として、3ビットのものを「TLC」(Triple Level Cell) と表記する場合や、また、2ビットのものを「MLC-2」、3ビットのものを「MLC-3」などと表すことがある。
ページ数分の記憶セルが直列に接続されている
NAND型フラッシュメモリでは上書き動作が行えないため、(書き込み可能な空きページがなければ)書き換えない部分を読み出して別に保持し、そのブロック全体を消去してからブロックを書き込む動作が求められる。以下では基本動作を説明し、ページとブロックに関する詳しい動作の説明は後述する。