極端紫外線リソグラフィ
エルビウム層はX線を強く吸光し、低エネルギーの二次電子を生成する。吸光されないX線はPMMAを貫通し続け、そこでごく軽く吸光される。溶剤中のエルビウム層および後のPMMA現像の除去に際して、レジスト除去速度は、膜の残りの部分では一層緩やかである一方で、PMMA膜の表面から40nmにおいて促進されることが判明した。促進率は二次電子の照射によるものであり、一方で抑制率はX線の吸光によるものである。この事例においては40nmの最大二次電子照射範囲であるとわかった。
村田はまた、X線照射の間Si基板からPMMAの層に放出された92eVのオージェ電子の影響を計算した。PMMAの照射範囲は50nmであった。
MITとウィスコンシン大学のCarterらがより最近行った実験においては、電子を発生するX線吸収体はPMMAレジストの表面でなくむしろ直下であった。この場合、PMMAの分解促進は基板上からおよそ50nmで開始される。
この二次電子範囲の意味は50nmオーダー以下の距離における「近接効果」の出現である。形状がこの範囲以下に減少するとともに、これは照射許容値を劇的に縮小する。たとえ形状が今までどおりこの範囲以下に印刷することができても、解像度はエネルギー分布の不確定性によって影響を受ける。
二次電子生成が運動量移動で非弾性散乱を伴うとともに、関連する位置不確実性がある。低エネルギー電子がより少ない運動量移動をするのに応じて、二次電子発生プロセスの非局在化はより高い傾向にあり、LERにはより直接的な影響を及ぼす。
古澤ほかは基本的な酸発生予測とシミュレーション適合を用いEUV化学増幅型レジストの点拡がり関数(point spread function)を求めた。吸収点から~20nm広がった酸発生の範囲は~40nmの解像限界を伴っている。
フォトレジストが容易に酸分子を拡散するならば、EUVや他の電離放射線によって生成した小さく軽い電子が速やかに広く拡散し、期待された光学解像度を無効にする驚くべきことではない。
2008年末の印刷結果に基づいたレジストの不鮮明さは10-16nmの範囲である。ハーフピッチの解像度は依然30nm以下で苦労しており、先端粗さは依然大きな問題となっている。
22nmと24nmのハーフピッチに焦点を当てた2011年の研究は照射後加熱工程での温度非依存不鮮明が80度において~5nmから110度において~10nmまでの範囲であることを示唆した。二次電子不鮮明はこの範囲では観測されなかったと報告された。空間像は推定フレア(すべての長距離二次電子不鮮明を含む)を補正された。