桜井のα乗則
サブミクロンのMOSFETにおいては α {\displaystyle \alpha } は1.5以下程度になる。
しかしながらドレイン電流の式のべき数を単純に α {\displaystyle \alpha } に置き換えると式の両辺での次元が合わなくなるのでさらなるフィッティングパラメータBを用いて I d s = 1 2 B W L ( V g s − V t h ) α {\displaystyle I_{ds}={\frac {1}{2}}B{\frac {W}{L}}(V_{gs}-V_{th})^{\alpha }} とされる。
東京大学の桜井貴康教授が最初に1991年に論文発表したが、 2004年にIEEEのJSSCのClassic Paperとして再録された論文では、 I O N = I 0 ( S α ) − α ( V g s − V t h ) α {\displaystyle I_{ON}=I_{0}(S\alpha )^{-\alpha }(V_{gs}-V_{th})^{\alpha }} と言う形で表現されている。