紫外線
半導体(IC, LSI)の露光工程において、微小パターン形成には、波長の短い光を用いた露光が必要となる。このフォトリソグラフィには、紫外線が使用される。
フォトリソグラフィでは、半導体表面に塗布された、フォトレジストと呼ばれる感光性の樹脂に、フォトマスクと呼ばれるガラス板上に描かれた図形を通して紫外線を照射し、マスク上に書かれた構造をフォトレジスト上に転写する。その後、この様に形成されたレジストをさらにマスクとして、エッチング、メタル形成、酸化膜形成等を行い、目的の構造を作成する。
初期のフォトリソグラフィでは、光源にg線 (436 nm) が使用されていたが、その後、加工構造の微細化に伴い、i線 (365 nm)、KrFエキシマレーザー (248 nm)、ArFエキシマレーザー (193 nm)、F2エキシマレーザー (157 nm) と短波長化が進み、更に短波長化を進めるため、これらの液浸エキシマレーザーも開発されている。研究段階ではEUV(EUVリソグラフィ)、X線を用いた露光装置もある。
この様なフォトリソグラフィは半導体やICのみならず、プリント基板の製造においても使用されており、紫外線はエレクトロニクス産業では広く使用されている。
牛海綿脳症(BSE)などで取り上げられるプリオンの分解性について、赤道直下の日照地帯における罹患率と両極地域付近では差異は見られるものの、脳内に沈着しているとされるアミロイドについて、血液脳関門を通過させる薬剤と脳内で結合反応をさせて、頭蓋骨に微小な穴を開け、そこから光ファイバー等で紫外線を沈着部位全体に照射するなどして、分解するという発想や構想を持つことができるが、そのような事例はない。