閾値電圧
ここで V T N {\displaystyle V_{TN}} は基板バイアスが存在する場合の閾値電圧、 V S B {\displaystyle V_{SB}} はソース-基板バイアス、 2 φ F {\displaystyle 2\phi _{F}} は表面ポテンシャル、 V T O {\displaystyle V_{TO}} は基板バイアスがゼロの場合の閾値電圧、 γ = ( t o x / ε o x ) 2 q ε Si N A {\displaystyle \gamma =\left(t_{ox}/\epsilon _{ox}\right){\sqrt {2q\epsilon _{\text{Si}}N_{A}}}} は基板効果パラメータ、 t o x {\displaystyle t_{ox}} は酸化膜厚、 ε o x {\displaystyle \epsilon _{ox}} は酸化膜の誘電率、 ε Si {\displaystyle \epsilon _{\text{Si}}} はシリコンの誘電率、 N A {\displaystyle N_{A}} はドーピング濃度、 q {\displaystyle q} は電気素量である。