CMOS
インテルは1983年にCMOS半導体デバイス製造用の1.5μmプロセスを発表した。1980年代半ばには、IBMのビジャン・ダヴァリ(英語版)が高性能、低電圧、ディープサブミクロンCMOS技術を開発し、より高速なコンピュータや携帯コンピュータ、バッテリー駆動の携帯電子機器の開発を可能にした。 1988年にダヴァリは、高性能250nm CMOSプロセスを実証するIBMチームを率いている。
1987年に富士通が700nmのCMOSプロセスを製品化。1989年に日立、三菱電機、NEC、東芝が500nmのCMOSを製品化。1993年にソニーが350nm、日立とNECが250nmのCMOSを製品化した。1995年に日立が160nmのCMOSプロセスを、1996年に三菱が150nmのCMOSを、1999年にサムスン電子が140nmのCMOSを発表した。