青色レーザー
赤色レーザーはヒ化ガリウム(GaAs)半導体上に構築された数十層の原子を配置した量子井戸からレーザー光を生成することができる。利用される手法はシリコンのために開発されたものと同様の方法を用いる。基盤は転位と呼ばれる結晶欠陥から解放される。このとき、原子が敷かれているため、基盤上に構成するものと、量子井戸との間の距離は等しい。
しかしながら、青色レーザーのための最良の半導体は、窒化ガリウム(GaN)結晶であり、合成ダイアモンドを製造するときに匹敵する、より高い圧力、温度、および高圧窒素ガスの使用を必要とする。この点について、技術的な問題は克服できないように思われたため、研究者らは、1960年代から、サファイア基板上に窒化ガリウムを堆積させようとしていた。しかしながら、サファイアと窒化ガリウムの構造(格子定数)が一致していないため、あまりに多くの欠陥を生ぜしめた。
1992年、日本の発明家である中村修二は、最初の効率的な青色発光ダイオードを発明し、4年後には、最初の青色レーザーを発明した。中村は、サファイア基盤上に堆積された材料を用いた。しかし、欠陥の高さ(10から10/cm)ゆえに、高出力レーザーを容易に構築できなかった。
2006年頃に利用可能となった青色レーザーポインターは、DPSSグリーンレーザーと、基本的な構造が同じである。それらは、最も一般的には、半導体レーザーで励起されたNd:YAGまたはNd:YVO4結晶からの、946ナノメートルレーザー放射の、周波数倍増によって生成される、473ナノメートルで光を放射する。Er:YAGレーザーを受けた結晶は、通常、1064ナノメートルの主波長を生成するが、青色レーザーの用途に使用される946ナノメートル遷移などの、他の主要でないネオジウム波長で、適切な反射コーティングミラーをレーザー加工することもできる。高出力の場合、BBO結晶は、周波数2倍器として使用される。より低い電力では、KTPが使用される。利用可能な出力電力は、最大5000ミリワットである。 最良の研究環境で得られた結果の一部では、473ナノメートルのレーザー放射を生成するための変換効率は、943ナノメートルのレーザー放射を、473ナノメートルのレーザー放射に変換する際に、10から15パーセントとなったが、非効率的である。実用の際の有用性をかんがみれば、これをさらに低くすることができよう。