成長接合型トランジスタ
これにより1957年4月から試作を開始した。同時期には合金型の高周波特性はドリフトトランジスタによって格段に向上していた。
1957年5月に半導体の不良品の原因を究明する過程で江崎玲於奈によってドーパントの燐濃度が高すぎるとエミッタとベースの接合がトンネル接合になってしまう事が発見され、これを基にトンネルダイオード(エサキダイオード)が開発された。トンネル接合が生じた原因はトランジスタの組み立て工程においてベースの電極を取り出すために溶着される細い金線にはガリウムが含まれていたので溶着部の溶融再結晶化部分には大量のガリウムが含まれ、高濃度のN型とP型が接触することになり、金線の溶着部がエミッタからコレクタにまたがっていた事が原因だった。エミッタの濃度を適切にすれば溶着部の燐濃度が高くてもトンネル接合の形成を防げる事が判明した。そのために精密な濃度の燐を添加するためにインジウムと燐の合金を添加した。
一時期は高周波用トランジスタとして大量に生産されたものの、生産性と高周波特性に優れたプレーナー型トランジスタが普及すると廃れた。