フォトニック結晶
従来の半導体レーザーの概念では、大面積コヒーレント発振は極めて困難であるが、フォトニック結晶により初めて可能になることが示された。これは、2次元フォトニック結晶のバンド端における光の群速度零を利用したもの。現在、単一縦横モードで真円形状の面発光レーザーが室温連続で40mW以上の出力で動作するところまで示され、産業化の初期段階に入りつつある。
バイアススパッタリングの特性を利用する自己成形プロセスが日本で開発された。バルク人工誘電体であって、通過帯やバンドギャップを目的に応じて自由に設計し分ける。自由にパタン化できる特徴があり、撮像素子、光ディスクの記録再生素子、計測システム、通信デバイスなどに幅広い応用がある。産業化の初期段階に入りつつある。