NAND型フラッシュメモリ
フラッシュメモリにも寿命がある。書き換え可能回数に上限があるほか、記録内容の保持期間も有限(最大で10年から数十年)であり、劣化により書き込んだ情報はいつか失われる。また回路構造上、NOR型よりもNAND型の方が劣化が進みやすい。また、データを常に記録するような用途で使用すると、特性上急激な劣化(不良ブロック)が発生し、製品寿命が著しく短くなることが予測されるという。
情報の書き込みは、量子トンネル効果により電子を浮遊ゲート内に注入することで行われる。回路基板であるN型半導体を接地電位にし、微小な電流によって制御ゲートに書き込み電圧を印加する。浮遊ゲート内に蓄積された電子が情報を記憶する。
書き込みはページ単位で行われ、同一ページ内の全てのセルに対して、同時に制御ゲートに書き込み電圧を印加することで書き込み動作が行われる。
消去はブロック単位で行われ、消去動作はP型半導体層に電圧をかけて浮遊ゲートから電子を引き抜くことで行われる。