井上正崇
超格子構造を用いたデバイス 〜高速電子とホットエレクトロン効果の応用
半導体超薄膜の成長と物性評価
InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送
酸化亜鉛(ZnO)トランジスターの開発とバイオセンサー応用
単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法:特開2003-165793 - 科学技術振興事業団(現:科学技術振興機構, JST)への特許