ダイオード
PN間に電気抵抗の大きな半導体層をはさみ少数キャリア蓄積効果を大きくし逆回復時間を長くしたものである。順方向バイアス時に高周波交流を通過させる性質があることを利用し、空中線のバンド切り替えなど高周波スイッチングに用いられる。pn接合で順方向電圧から逆方向に電圧の極性が変化するとき、注入によってn領域に蓄積されるホールの一部がp領域に逆流して、ある時間(蓄積時間)だけ大きいパルス電流を流す。pn層に挟まれたi層が、この蓄積時間を短くするために働く。
レーザー光線を発生させるもの。半導体レーザーとも呼ばれる。