ホットキャリア注入
酸化膜での移動キャリアが存在すると、デバイス特性を長期的に劇的に変化させる物理的ダメージプロセスの引き金となる。ダメージの蓄積によって最終的に閾値電圧のシフトなどの主要パラメーターを不合格にする。ホットキャリア注入によるダメージの蓄積によって引き起こされるデバイス特性の劣化は、ホットキャリア劣化と呼ばれる。
集積回路の耐用年数は、MOSデバイス自身の寿命によって影響される。最小限のデバイスからなる集積回路の耐用年数が短くならないために、MOSデバイスのホットキャリア注入による劣化を理解する必要がある。ホットキャリア注入による劣化を正確に特徴化できないと、最終的に保証やサポートなどのビジネスコストに影響を与え、ファンドリやIC製造メーカーの売り上げにインパクトを与える。