VCSEL
QE-21, No. 10, pp. 1666-1674, Oct. 1985.
[1985ASA] M. Asada and Y. Suematsu, IEEE J. QE, vol. QE-21, p. 434(1985)
[1986ASA] M. Asada, Y. Miyamoto and Y. Suematsu, “Gain and the threshold of three-dimensional quantum-box lasers”, IEEE J. Quantum Electron., Vol. QE-22, pp.1915-1921, 1986.
[1988IGA] K. Iga, F. Koyama, and S. Kinoshita: “Surface emitting semiconductor laser,” IEEE J. Quant. Electron., vol. QE-24, no.9, pp. 1845-1855, Sept. (1988).
[1989KOY] F. Koyama, S. Kinoshita, and K. Iga: “Room-temperature continuous wave lasing characteristics of GaAs vertical cavity surface-emitting laser,” Appl. Phys. Lett. vol. 55, no. 3, pp.221-222 (1989).
面発光レーザー研究開発の進展をたどったのが、下記のマイルストーン表である。
1977年 - 東京工業大学の伊賀健一により考案された
1979年 - 最初の電流注入VCSEL (77 K, pulsed)
1987年 - 6 mA VCSEL実現
1987年 - VCSELと呼称
1988年 - 最初の室温CW
1988年 - 半導体DBR
1989年 - QW VCSEL
1989年 - Micro-post QW レーザーRT CW(ベル研究所)
1989年 - Periodic gain提案(カリフォルニア大学サンタバーバラ校)
1990年 - AlGaAs酸化法(イリノイ大学)
1992年 - VCSEL機械的波長掃引法
1995年- 低しきい値化の競争Ith < 0.1 mA
1995年 - MEMS波長掃引VCSEL (USB)
1996年 - プロトン注入VCSELで商用化(ハネウェル)
1999年 - VCSEL LAN 2000