ホウ素の同素体
Gmelin handbook of inorganic and organometallic chemistry: B Boron, Supplement 2 (8th ed.). Berlin: Springer-Verlag. pp. 1–112 (60–61). ISBN 3540934480.
↑ Other (different) phase diagrams have been reported:, Shirai, K. (2010). “Electronic structures and mechanical properties of boron and boron-rich crystals (part 2)”. Journal of Superhard Materials 2 (5): 336–345 (337). doi:10.3103/S1063457610050059. ; Parakhonskiy, G.; Dubrovinskaia, N.; Bykova, E.; Wirth, R.; Dubrovinsky, L. (2011). “Experimental pressure-temperature phase diagram of boron: resolving the long-standing enigma”. Scientific Reports 1 (96): 1–7 (2). Bibcode: 2011NatSR...1E..96P. doi:10.1038/srep00096.
β-菱面体ホウ素は105から108個のホウ素原子を含んだ単位格子を有する。格子中のホウ素の大部分は正20面体のB12クラスターおよび五角錐のB6クラスターを形成しており、B12クラスターを構成する原子の一部を共有し合った侵入型クラスターであるB28や、B6が3つ合わさった形を持つデルタ多面体B10クラスターなども形成されている。さらに、B12クラスターを中心としてその周囲にB6クラスターが集まった球状のB84クラスターも形成され、それは菱面体格子の頂点部分に位置している。菱面体の中央には単体のホウ素原子が存在している。B28クラスターは菱面体格子の対角線上に位置しており、格子の中央にある単独のホウ素原子との間でB28-B-B28鎖が形成されている。B10クラスターもまた、格子の中央で単独のホウ素原子とB10-B-B10鎖を形成している。B12クラスターは格子の{100}面に平行に広がっており、B12クラスターとB28クラスターは{111}面に平行に広がっている。
β-菱面体ホウ素はp型半導体であり、そのバンドギャップは1.56 eVである。β-菱面体ホウ素は空間充填率が0.