圧抵抗効果
機械的な負荷を加えたことによる金属素子の電気抵抗の変化は1856年にケルビンによって初めて発見された。単結晶シリコンがアナログ・デジタル回路の設計に使われる物質の一つとして選ばれるようになると、1954年にC. S. Smithによって、シリコンとゲルマニウムの大きな圧抵抗効果が初めて発見された。それ以降、圧力センサーや歪みセンサーとして広く使われるようになった。