歪みシリコン
21世紀初頭現在の歪みシリコン加工の用途は、高速演算性能が特に求められるPC用や携帯電子機器用のデジタル演算用半導体製品である。用途を制限する要因は、歪みシリコン加工のウェハーのコスト、および当該ウェハーを利用した際の製造技術の複雑さである。すなわち、ウェハーは、歪みシリコン加工自体が加工雰囲気と純度を高度に調整しながら結晶層を成長させる技術や手間が必要となるため高価となる。また、ウェハーを利用する回路の製造手法は、ウエハー上に回路素子を構築する過程でのシリコン回路側へのゲルマニウムの熱拡散を防止する等の工夫が必要となるため複雑となる。
歪みシリコンのアイデアは、2001年のVLSIシンポジウムで米IBM社が2件の論文を発表したことが最初とされる。
Intelは2003年に、この歪シリコンを利用した「P1262」プロセスを発表、実用化を開始した。
2018年、既に部分的に実用化が進んではいるが、各素子ごとでのばらつきが大きく、より大口径、高品質な単結晶バルクの製造が望まれる。