ヒ化ホウ素
二十面体構造を持つB12As2を含む亜ヒ化物もある。ホウ素原子と2原子からなるAs-As鎖の集合体で、R3m空間群の菱面体である。広いバンドギャップ(3.47 eV)で、放射による損傷に対して自己治癒能を持つ半導体になる。炭化ケイ素等の基質上で成長させられる。太陽電池への応用も提案されているが、この目的では今のところ使われていない。