金田寛
専門は、半導体とイオン性結晶固体の欠陥量子物性であり、光学的、弾性的、誘電的、および電気的物性をカバーする。特に半導体シリコンを中心とする電子材料科学と工学の分野において多くの研究成果を生み出した。
1997年には、東北大学名誉教授角野浩二らとともに、国際会議“The Forum on the Science and Technology of Siicon Materials”(和文名称:シリコン材料の科学と技術フォーラム、略称:シリコンフォーラム)を創設した。
2005年頃までは、シリコン結晶中の酸素不純物による赤外、および遠赤外光吸収の理論的研究に従事した。この間、酸素の局在振動とトンネル運動との結合を取り入れた量子力学モデルを世界で初めて定式化した。このモデルによって、酸素に起因する欠陥物性の定量的な解明が可能となった。特に、この理論(Phys. Rev. Vol.42, pp.9650-9656 (1990))によって当時わかっていた光学的な実験データを統一的に説明することに成功した。この理論モデルは、それを拡張することによって、1990年以後に発見される新しい実験データも合わせて、全データを統一的に説明できることがほぼ実証された。