熱CVD
熱CVD法は、高純度の薄膜が形成できる、被覆性が良い、装置構成が比較的簡易、プラズマによる損傷が無い、選択成長が可能、などの長所を有する。一方短所としては、利用できる製膜温度や基板・原料ガスに制約があること、低温では膜の質が落ちやすい、などが挙げられる。
CVD装置の構成には幾つか種類があり、下記のような特徴で分類される。
反応室全体を加熱する(ホットウォール型)、基板台のみを加熱して反応室は冷却する(コールドウォール型)
横型(構造が簡易)、縦型(温度分布、応答速度、ガスの流量制御などに優れる)
バッチ処理(複数枚を同時に処理)、枚葉式(一枚ずつ処理)、連続処理(コンベア式)
圧力(加圧/常圧/減圧)
触媒の利用(触媒CVD法)
有機金属原料の利用(MOCVD法)
熱反応下において原料ガスと酸化剤または還元剤を混合し、希望する材料を生成する。原料比と反応温度、反応容器設計により反応が決定される。