撮像管
Heimannの商標である。光電面はカドミウムセレン (CdSe) 。
ターゲット材料に光導電体Sb2S3を使用し光導電面に電荷を蓄積する蓄積型撮像管である。1950年代にRCAのPK WeimerとSV ForgueとRR Goodrichによって開発された。当初は光導電体にセレンやシリコンダイオードアレイが使用された。
NHK放送技術研究所と日立製作所が開発した超高感度撮像管である。光電面はa-Se。
HARP管 ハイビジョンに対応したスーパーHARPカメラ