カール・フロッシュ
さらにフロッシュとデリックは、酸化膜にあけた細い穴を利用して、下地のシリコンに少数電荷キャリアをドープする方法を示した。1957年、フロッシュと デリックは彼らの発見を発表した。その後、ジャン・ヘルニによって、ドーピング層が酸化膜の下で横方向に広がったときに敏感な pn接合を保護する酸化膜の重要性が認識されるなど様々な改善がなされた。フェアチャイルドセミコンダクターにいたヘルニは フロッシュ と デリック のメモをショックレー半導体研究所の科学者経由で受け取った(フロッシュ と デリックの論文のプレプリントが ショックレーによって 1956年12月に会社で回覧された)。
最終居住地はニュージャージー州サミット。息子のピーター・フロッシュ(1937-2011)はバークレー校とユニオンカレッジの化学教授を務めた。 フロッシュはサラトガ郡(ニューヨーク州)のボールストンスパのブリッグス墓地に埋葬されている。