半導体レーザー
1953年: ドイツのフォン・ノイマンが半導体レーザーのアイディアを講演や友人宛の手紙などで発表した
1957年: 4月に東北大学の渡辺寧、西澤潤一が、半導体レーザーのアイデアを特許出願し、特許される(特公昭35-13787)11月にゴードン・グールドは、自分の研究ノートに装置の図面と簡単な式とレーザー(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation:輻射の誘導放出による光増幅)という言葉を記した。
1958年: ベル電話研究所のアーサー・シャウロウとチャールズ・タウンズは、レーザーの特許を出願。
1960年:3月、米国特許庁はシャウロウとタウンズにアメリカ合衆国特許第 2,929,922号としてレーザーの特許を与えた。
1962年: GE・IBM・MITの共同研究によって、ホモ接合構造による半導体レーザーの低温パルス発振に成功した。ニック・ホロニアックが半導体レーザーによる可視光の発振に成功した
1963年: ヘテロ接合によるレーザの低閾値化の提案(ハーバート・クレーマー)