質量作用の法則 (半導体)
熱平衡の場合、自由電子濃度 n {\displaystyle n} と自由正孔濃度 p {\displaystyle p} の積は真性キャリア濃度 n i {\displaystyle n_{i}} の二乗に等しい。 真性キャリア濃度は、温度の関数である。
半導体における質量作法の法則の式は、
n p = n i 2 {\displaystyle np=n_{i}^{2}}
で表される。