中川明夫
(2) 高電圧を印加した時、素子に流れる電流はMOSゲートから供給される電子の飽和電流がPNPトランジスタで増幅されることで決まるので、MOSゲートの電子飽和電流を一定値に制限し、素子電流を上記のラッチアップする電流値JL以下に制限することで、実質上ラッチアップを防止できることを見出した。
これにより世界で初めてラッチアップしないIGBTの開発に成功した。この技術を用いて、1985年に大電流IGBTモジュールを世界に先駆けて製品化した。また、ノンラッチアップ構造の基本特許を国内および米国、欧州で取得し、IGBTの事業を成功に導いた。
1986年には1800Vの高耐圧IGBTをシリコン直接接合技術を用いて開発し、IGBT高耐圧化の目処を立てた。
このノンラッチアップIGBTの基本概念は事実上の標準技術として世界のほとんどのIGBTで採用されている。最近では6kVまでの高耐圧化が進み、JRや新幹線で高耐圧IGBTが採用され、GTOを置き換えるに至った。
ノンラッチアップIGBTの開発に対して、2010年9月IEEE WILLIAM E. NEWELL POWER ELECTRONICS AWARDを受賞。
国内特許100件以上、米国特許190件以上を取得
表彰歴
平成2年 3月 大河内記念技術賞(IGBT技術開発に関して)
平成7年10月 関東地方発明奨励賞
平成9年 7月 東芝社長特別表彰(パワーデバイスシミュレータの実用化とIGBTの製品化)
平成10年 5月 ISPSD Award(SOIパワーICの論文に関してISPSD学会より表彰)
平成10年 10月 関東地方発明表彰 神奈川県知事賞(IGBT特許に関して)
平成12年 SEMI Leadership Award受賞
平成16年 1月 関東地方発明奨励賞(横型DMOSに関する特許に関して)
平成22年 9月 IEEE WILLIAM E. NEWELL POWER ELECTRONICS AWARDの受賞