サムコ
LS-CVD(Liquid Source Chemical Vapor Deposition:液体ソースCVD) - カソードカップリング方式のプラズマCVD装置。SiH4に比べて安全な液体原料TEOSを気化させ、プラズマ中のイオンを利用できる。そして、カソード側のシース電界で得られるイオンエネルギーを制御することで、応力、膜密度などを制御し、カバレージ性が得られる。カソード方式では、自己バイアスによるイオンアシストで成膜するため、アノード方式に比べ、低温下での成膜が可能。
トルネードICP - ICPエッチング装置の中核となるコイル部分を3次元構造にしたICPコイル。コイル配置に自由度を持たせることで、高均一なプラズマを生成することができる。GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の加工から、Siや各種金属薄膜の加工が可能。
ボッシュプロセス - 等方性エッチングと保護膜の堆積の二つのステップを交互に繰り返すことで、シリコンの深掘りを高速かつ高アスペクト比で実現したエッチング技術。エッチングにはSF6、保護膜にはC4F8が主に使用され、高い選択比を保持し、高異方性エッチングを可能にする。サムコはドイツのロバート・ボッシュ社によって1992年に開発されたボッシュプロセスのライセンスを、2003年にサムコは日本の半導体製造装置メーカーで初めて取得した。ボッシュプロセスは、加速度センサー、ジャイロセンサー等の自動車部品分野、μTAS等の医療機器分野、3次元デバイス等のMEMS市場で幅広く使用されている。