Si貫通電極
TSVは誘電体によってシリコン・サブストレートから金属接点が離されるために、それがサブストレートに対して容量結合のように振る舞う。今後、(例えば、GHz、またはそれ以上の)高速動作では、この容量性結合インピーダンスが劇的に減少してしまい、隣り合うTSV同士の望まないクロストークが生じてしまう。