中川明夫
BiCMOS制御回路に横型DMOSのパワー段を搭載した10Vから60V耐圧のパワーICは近年、車載用、民生用のモータ制御や電源、オーディオ用ICとして広く使われている。従来、これに搭載される横型DMOSは電流密度が高くなると耐圧が低下する欠点があった。中川はパワーIC開発チームを率いてこの改善にあたり、同チームは1998年にAdaptive Resurf技術(高抵抗ドリフト層の不純物濃度をドレイン側で高くする構造)を考案し、大電流が流れても耐圧が劣化しない横型MOS構造を世界で初めて開発し、特許を取得した。この構造はBiCDパワーICとして製品化され、車載用ブレーキシステムなど種々の分野のパワーICで使われ、世界的な標準技術になっている。