DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション
メモリデバイスがDLL オンモードで動作中にプリチャージパワーダウン (Precharge Power Down) で一時的にDLLをオフにしたときに非同期ODTモードが選択される。非同期ODTモード中、ODTピンからのコントロールはアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) 時間の遅延は発生しない。 最小RTT オン時間 (tAONPDmin) はODT ハイからメモリデバイスがHi-Z状態からODT抵抗をオンに切り替え始めるタイミング、最大RTT オン時間 (tAONPDmax) はODT ハイからメモリデバイスがODT抵抗を完全にオンにしたタイミングである。逆に最小RTT オフ時間 (tAOFPDmin) はODT ハイからメモリデバイスがODT抵抗をオフに切り替え始めたタイミング、最大RTT オフ時間 (tAOFPDmax) はODT ハイからメモリデバイスが完全にHi-Z状態になったタイミングである。
非同期ODTタイミングパラメタは以下のように規定されている。
ライト時の終端抵抗 (RTT Write)
アディティブレイテンシを利用することでデータバスを効率的に活用できるようになる。アクティブコマンドからリード/ライトコマンドの入力が可能になるまでにtRCD時間が必要である。このtRCDのためにリード/ライトコマンドと別のバンクに対するアクティブコマンドの競合が発生することがある。この競合を避けるために別のバンクに対するアクティブコマンドの入力が1サイクル遅らせると、データを連続的にリード/ライトできないサイクルが発生する。このようなサイクルをバブル (bubble) と言う。バブルが発生するとデータバスに無駄な空きが生じ、データ転送効率が低下する。そこでDDR2 SDRAMからポステッドCAS (Posted CAS) が採用された。ポステッドCASとはtRCD期間中の任意のタイミングに次のリード/ライトコマンドを入力できるようにする機能である。入力したリード/ライトコマンドはデバイス内部で保持され一定期間後に有効となる。