トンネル磁気抵抗効果
である。
TMR効果の大きさはトンネル磁気抵抗比(TMR比)で表される。これは磁化が反平行時の抵抗値と、平行時の抵抗値の比で定義される。これは2つの強磁性体電極の伝導電子のスピン偏極率 P 1 , P 2 {\displaystyle P_{1},P_{2}} を用いて表され、更に、電気抵抗は磁気抵抗のアナロジーであるので、磁化が平行時の低電気抵抗 R P {\displaystyle R_{\rm {P}}} と磁化が反平行時の高電気抵抗 R A P {\displaystyle R_{\rm {AP}}} で書ける。
T M R r a t i o = R A P − R P R P = Γ P − Γ A P Γ A P = 2 P 1 P 2 1 − P 1 P 2 {\displaystyle {\rm {TMR_{ratio}}}={\frac {R_{\rm {AP}}-R_{\rm {P}}}{R_{\rm {P}}}}={\frac {\Gamma _{\rm {P}}-\Gamma _{\rm {AP}}}{\Gamma _{\rm {AP}}}}={\frac {2P_{1}P_{2}}{1-P_{1}P_{2}}}}