分子線エピタキシー法
原理自体は単純で、高真空中において、原料を蒸発させるなどして基板表面に照射して堆積させ、薄膜の形で成長させる。
特徴としては、
超高真空(10Pa(10Torr)程度)下で成長を行うため、MOCVD法に比べて成長速度を遅くできる。また製膜温度も低くできる場合がある
各セルのシャッターにより、成長方向、組成分布を厳密にコントロールできる
RHEEDにより、成長しながらのその場観察が行える
数Å(10nm)オーダーの、単原子層レベルでの成長が可能であり、条件に気をつければ、1原子層ごとに異なる原子を面方位関係を保ったまま堆積させ(エピタキシャル成長)、単結晶の人工格子を作成することができる。
複数の原料を独立に制御することで、原子比のよく制御された合金膜を作成することもできる。
などが挙げられる。
また短所としては、超高真空状態の維持が難しいなどの理由で、量産向きの蒸着法ではないことが挙げられる。