SDRAM
リードバースト割り込みは任意のアクティブなバンクで起きうるが、プリチャージ・コマンドがリードバーストに割り込むのは、それが同じバンクに対するものか全バンクに対するものだった場合だけである。異なるバンクへのプリチャージ・コマンドはリードバーストに割り込まない。
ライト・コマンドでリードバーストに割り込むことも可能だが、やや難しい。ライトの際にはDQ線でSDRAMに書き込むデータを示す必要があるため、メモリコントローラはDQM信号を使ってSDRAMの出力を抑制する必要がある。DQMによるリードデータ抑制の効果は2サイクル遅延するが、ライトデータへの効果は即座に現れる。したがってライト・コマンドの少なくとも2サイクル前にDQMをアサートしてリードデータをマスクする必要があるが、ライト・コマンドを発行する時点にはDQMを下げておく必要がある。その間はわずか2サイクルであり、微妙なタイミング調整を必要とする。クロック周波数が高い場合は3サイクルを必要とすることもある。
自動プリチャージ付きのリード・コマンドの場合、プリチャージはコマンドに割り込むのと同じサイクルで開始される。
一般には揮発性メモリの内容は電源が切れた途端消えてしまうものと考えるが、実はSDRAMの記憶した内容は電源を切ってもすぐには消えず、完全に消えるまでには時間がかかる。それでも常温では数秒で消えてしまうが、より低温では数分にまで消えるのを延ばすことができる。そこで、この事実を利用して直前まで動作していたメモリ上のデータを復元して盗むという手法が考えられる。これを「コールド・ブート攻撃」あるいは「アイスマン攻撃」などと呼ぶこともある。
メモリコントローラが別のロウにアクセスする必要が生じると、まずそのロウの所属するバンクのセンスアンプをアイドル状態に戻す必要があり、その後に次のロウにアクセスする準備をする。これを「プリチャージ」と称し、「ロウを閉じる」と呼ぶ。プリチャージは独立したコマンドとして実行することもあるし、リードまたはライトの際に自動的に行うこともある。プリチャージにも時間がかかり、ロウ・プリチャージ遅延または tRP と呼ぶ。指定したバンクが完全にアイドル状態となるまでにかかる時間であり、その後に次のアクティブ・コマンドを受け付けられるようになる。
ロウを活性化すると副作用としてリフレッシュが行われるが、それにも時間がかかる。これを最小ロウアクセス時間 tRAS と呼び、あるロウをアクティブ・コマンドで開いた後からプリチャージ・コマンドで閉じることができるようになるまでの間に生じる遅延時間として現れる(言い換えると、アクティブ・コマンドとプリチャージ・コマンドの間でカラムアドレスを出すこと以外は何もしなくても遅延時間が発生する)。しかし、通常アクティブ・コマンドの後にはリードまたはライトを行うので、性能にはほとんど影響を及ぼさない。リード・ライトの動作の方が tRAS よりも長いからである。