チャネル長変調
教科書では、アクティブモードチャネル長変調でのチャネル長変調は通常Shichman–Hodgesモデルを用いて記述され、かつての技術においてのみ正確である。 ここで I D {\displaystyle I_{D}} = ドレイン電流、 K n ′ {\displaystyle K'_{n}} = 相互コンダクタンス係数と呼ばれる技術パラメータ、W ,L = MOSFETの幅と長さ、 V G S {\displaystyle V_{GS}} = ゲート-ソース電圧、 V t h {\displaystyle V_{th}} =閾値電圧、 V D S {\displaystyle V_{DS}} = ドレイン-ソース電圧、 V D S , s a t = V G S − V t h {\displaystyle V_{DS,sat}=V_{GS}-V_{th}} 、λ = チャネル長変調パラメータである。 古典的なShichman–Hodgesモデルでは、 V t h {\displaystyle V_{th}} はデバイス定数であり、長チャネルのトランジスタの現実を反映している。