舛岡富士雄
東芝に入社後、高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、営業職を志願し、アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。結局全然売る事ができず、1年もたたずに営業職からは外される。しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品はないのか」という言葉から、性能の向上ばかり考えず、需要に見合った機能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、あえて性能を落としてコストを1⁄4以下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。
K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs." Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. "A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs." Electron Devices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka.
1943年 群馬県高崎市出身。
1962年 群馬県立高崎高等学校卒。
1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。西澤潤一に師事する。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。
1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。
1971年 同博士後期課程修了。工学博士(東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』)。株式会社東芝に入社。
1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。
1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。
1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。
1996年 東北大学電気通信研究所教授。
2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。