小山政俊
半導体微細構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出センサーの開発
InAs系ヘテロ構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発
GaSb/InAsヘテロ接合に1.55umを用いたテラヘルツ波の放射素子の開発 - 大阪大学レーザー科学研究所との共同研究
ZnO-TFTへのHeプラズマ処理の効果
酸化物半導体表面のプラズマ処理に関する研究
酸化物/窒化物半導体ハイブリッド構造を用いた新規デバイスの開発
シリコン基板を用いたGa2O3-HEMTの開発
ミストCVD法によって成長した(111)3C-SiCテンプレート基板上ε-Ga2O3薄膜の熱的安定性 〜 次世代パワー半導体の開発
半導体装置の製造方法 - 住友電工デバイスイノベーションとの特許
主な国際会議での発表は、
33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020):「Structural Analysis and Characterization of Bilayer AZO Thin Film Transistor by SolutionProcess」
MSR Fall Meeting 2019(ボストン):「Large-Area Chemically Synthesized Molybdenum Disulfide with Aqueous Thermolysis Method」