ハイブリッドπモデル
高周波モデルは仮想端子B 'の導入により、ベース拡がり抵抗r bb (ベース電極とエミッタ下のベースの活性領域との間のバルク抵抗)およびr b' e (ベース領域での少数キャリアの再結合を補うために必要なベース電流を表すための抵抗)を別々に表現することができる。 C eはベース内の少数キャリア蓄積を表す拡散容量である。