ニューロモルフィック・エンジニアリング
2006年には、ジョージア工科大学の研究者が、フィールドプログラマブルニューラルアレイを発表した。このチップは、脳内の神経細胞のチャネル・イオン特性をモデル化するために、MOSFETゲート上の電荷をプログラムできるようにした、ますます複雑になるフローティングゲート・トランジスタのアレイの最初のものであり、シリコンでプログラム可能な神経細胞アレイの最初の事例の1つであった。
2011年11月、MITの研究者グループは、400個のトランジスタと標準的なCMOS製造技術を使用して、2つのニューロン間のシナプスにおけるアナログのイオンベースの通信を模倣するコンピュータチップを作成した。
2012年6月、パデュー大学のスピントロニクス研究者は、横型スピンバルブ(英語版)とメモリスタを使用したニューロ・モルフィック・チップの設計に関する論文を発表した。彼らは、このアーキテクチャがニューロンと同様に機能するため、脳の処理を再現する方法の検証に利用できると主張している。さらに、これらのチップは従来のチップに比べて大幅にエネルギー効率が向上している。
HP研究所(英語版)で行われたモット・メモリスタ(Mott memristor)の研究では、モット・メモリスタは不揮発性であるが、相転移温度を大幅に下回る温度では揮発性の挙動を示すことが明らかになり、ニューロンの挙動を模倣した生物学的な着想によるデバイスであるニューリスタの製造に利用できることが示された。