不揮発性メモリ
磁気抵抗RAM (MRAM) は1995年ごろから実用化研究が進んでいる不揮発性メモリで、トンネル磁気抵抗効果と呼ばれる現象を応用している。不揮発性、データ保持期間が長い、読み書きが高速、低価格など、メモリに求められる特徴を全て備えており、MRAMは有望な技術と目されている。
Everspin Technologies(フリースケール・セミコンダクタからのスピンオフ)の 4Mbit MRAM などの第一世代のMRAMは電流磁場方式の書き込みを採用していた。現在開発が進んでいる第二世代では、Crocus Technology の Thermal Assisted Switching (TAS) 方式と Crocus、ハイニックス、IBMなど複数の企業が採用している Spin Torque Transfer (STT) 方式がある。