MOSダイオード
↑ ダイオードと言ってもこの場合は整流作用がある訳ではなく、ゲート電極とシリコン基板電極と言う二つの電極を持つデバイスと言う意味である。
↑ B.L.アンダーソン『半導体デバイスの基礎(中)』2012年、488頁
↑ B.L.アンダーソン『半導体デバイスの基礎(中)』2012年、614頁
↑ S. M. Szeの Physics of Semiconductor Devices によると、第一版では "nonequilibium condition" と表現されているが(p435)、第二版では "deep depletions" となっている(p372)。
↑ 両極の動作電位が(正の)電源の前後であれば、Pチャネルを使うようにアレンジするなど。
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