浮遊ゲートMOSFET
初期条件は固定されていなければ未知であるため、通常の状況下では回路での浮遊ノードはエラーを示す。 ここから2つの問題が生じる。 第一に、これらの回路をシミュレートするのが簡単ではなくなる。 第二に、未知の電荷量が製造プロセス中に浮遊ゲートでトラップされ続け、FG電圧の初期条件が未知となる。
コンピュータシミュレーションのために提案された多くの解決法の中で、最も見込みのある手法の1つがRodriguez-Villegasによって提案されたInitial Transient Analysis (ITA) である。FGはゼロボルト、または製造プロセス後に測定されるFGにトラップされた電荷量に基づいた電圧にセットされる。 transient analysisは供給電圧を最終値にセットして行われ、アウトプットが正常に発展する。
FGの値はこのとき抽出され、後の小信号シミュレーションで使われ、非常に高い値のインダクタを用いた浮遊ゲートへ電圧供給を最初のFG値につなげる。
最初の浮遊ゲートMOSFETは1967年にKahngとジィーによって報告された。最初のFGMOSの応用は、EEPROM、EPROM、フラッシュメモリでのデジタルデータの保存であった。
1989年にインテルはETANNチップでのアナログ不揮発性メモリ素子としてFGMOSを使い、他のデジタルメモリではなくFGMOSデバイスを使う可能性を示した。
現在の多くのFGMOS回路開発の基礎作りをした3つの研究がある。
ThomsenとBrookeによる標準的なCMOSダブルポリプロセスでの電子トンネル効果の実証。これにより特殊な製造プロセスを使わずにFGMOS回路を調査できるようになった。
柴田と大見によるνMOSまたはニューロンMOS回路のアプローチ。これは線形計算でキャパシタを使うインスピレーションと枠組みを最初に与えた。彼らはデバイス特性ではなくFG回路特性に注目した。電荷を等しくするためにUV光を、またはMOSFETスイッチを開閉することでシミュレートされたFG素子を使った。
Carver Meadの適応網膜(adaptive retina) は適応回路技術の骨格としてUV光による連続動作FG書込み/消去技術の最初の例を与えた。