絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。