低温同時焼成セラミックス
従来の電子材料用セラミックスは1500°C以上で焼成するため、タングステンやモリブデンなどの耐火性の金属がつかわれてきた。これらは比較的導体抵抗が高いため、信号伝播遅延などの問題が生じた。これを解決するため、アルミナにガラス系の成分を混ぜることにより焼成温度を900°C程度に下げ、導体抵抗の低い銀や銅を使うことが可能となった。コンデンサやインダクタなどを基板内に作り込むことにより、小型化にも寄与する。