原子層堆積
ALDはフィンランドにおいてALE(Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシ)として、旧ソ連においてML(Molecular Layering:分子積層)としてそれぞれ別々に開発された。
1960年代、Stanislav Ivanovich KoltsovはValentin Borisovich Aleskovskiiらと共にレニングラード工科大学(LTI:Leningrad Technological Institute、現在のサンクトペテルブルク工科大学)において、ALDの原理を開発した。その目的は、1952年に発表された Valentinの博士論文中で「仮説の枠組み」として造られた理論的考察を実験により確立することであった。実験は金属塩化物の反応及び水と多孔質シリカで始められ、すぐに他の基板材料への平面薄膜形成へと発展した。 1965年にAleskovskiiとKoltsovはこの新技術に対しMolecular Layering:分子積層と名付けることを提案した。MLの原理は1971年にKoltsovの博士論文において要約された。MLの研究活動は基礎化学研究から多孔質触媒や吸着材、マイクロエレクトロニクス用途のフィラーの応用研究まで多岐にわたっていた。
磁気記録ヘッドでは、微粒子を着磁させハードディスク上に磁化パターンを形成するために電界を利用している。Al2O3 ALDは絶縁体の均一薄膜形成に使われている。ALDを使うことで、高精度で絶縁膜厚をコントロールすることができる。これにより更に高精度なパターン形成ができ、より高品質なレコーディングが可能となる。
原子層堆積、または原子層堆積法(ALD:Atomic layer deposition)は気相の連続的な化学反応を利用した薄膜形成技術である。化学気相成長(CVD: chemical vapor deposition)の1分類とされる。多くの場合、ALDは2種類のプリカーサ(前駆体)と呼ばれる化学物質を用いて行われる。プリカーサは1種ずつ、連続的かつ自己制御的に対象物表面に反応する。それぞれのプリカーサへの暴露を順番に繰り返し行うことで、薄膜は徐々に形成される。ALDは半導体デバイス製造において重要なプロセスであり、装置の一部はナノマテリアル合成にも利用可能である。1974年にフィンランドのトゥオモ・スントラ博士によって実用化された。