ウルトラRAM
充電されたFGは真偽値「0」として、そして充電切れは真偽値「1」として定義される。プログラムと消去サイクル(それぞれがFGの充電と放電である)はCGで±2.55V以内(≤)の電圧パルスを使用する。
サブμm平面図法サイズのInAsチャネル・トランジスタおよび100 mV/dec未満のサブスレッショルド変動(subthreshold swing)が以前に実証されている。したがって、ランカスター(大)チームが設計したデバイスの閾値電圧窓が350mVであるため、ノーマリー=オフ・チャネルの実装に伴い(真偽値)0/1しかないウルトラRAMの電流比を3ディケード倍に改善することが期待される。チャネルの注意深い修正を通じた0/1比のそのような改善は、メモリアレイを奇抜な高密度RAMアーキテクチャにより構築されることを可能にするだろう。