自己整合ゲート
これにより、従来技術や他の材料で作られた自己整合ゲートでは実現不可能な新しいタイプのデバイスを作ることができる。特に重要なデバイスとして結合電荷素子(CCD)がある。CCDが用いられる例としてはイメージセンサやシリコン浮遊ゲート構造を使った不揮発性メモリデバイスがある。これらのデバイスは、固体エレクトロニクスが作れる機能を劇的に拡げた。
自己整合ゲート技術を可能にしたイノベーション
自己整合ゲートを作るために必要とされたあるイノベーションとして、以下がある。
ゲートを作る新しいプロセス。
アモルファスシリコンから多結晶シリコンへの切り替え。アモルファスシリコンは、酸化物表面での段差で壊れるためである。
多結晶シリコンをエッチングする方法(フォトリソグラフィ)。
シリコン中に存在する不純物を低減する方法。
これらのイノベーション以前では、自己整合ゲートはメタルゲートデバイスで実証されたが、シリコンゲートデバイスは大きなインパクトを与えた。