真空チャネルトランジスタ
現在普及している電界効果トランジスタは、微細化が進むにつれ、ゲート絶縁膜が薄くなるため、リーク電流が増大する。また、シリコンの電子移動度の限界により、高速化には限界があった。さらに、宇宙空間での使用時には放射線耐性の問題もあった。真空チャネルトランジスタは、それらの問題を解決することができると考えられており、研究開発が進められている。
真空チャネルトランジスタは、シリコントランジスタよりも電子移動度が高いので、より高速なスイッチングが可能となり、テラヘルツ帯での高周波素子として期待される。高温での作動が可能で、放射線に対しても耐性がある反面、作動に伴いソース電極が劣化するので信頼性に劣る。
真空チャネルトランジスタ(英語: Vacuum-channel transistor)は、微細な真空管のような構造を用いることにより、半導体トランジスタとは異なる特性を有するトランジスタである。ソースとドレインの間に微細な隙間を形成し、その微小な空間を飛翔する電子をスイッチングすることにより動作する。