サイリスタ
三菱電機が独時に開発した自己消弧素子で、Gate Assisted Turn-off Thyristorの頭文字からGATTとも呼ぶ。一般の高速サイリスタと後述のゲートターンオフサイリスタの中間に位置するものである。
元々は、高周波焼入れ装置や溶解炉用の誘導加熱用高周波電源装置の省エネルギー化を目的として開発された素子である。1982年、帝都高速度交通営団(現東京地下鉄)が開発を進めていた高周波分巻チョッパ制御(4象限チョッパ)の試作品に、スイッチング素子として試験採用されたが、実際に同制御方式を採用する予定だった営団01系電車が製造段階に入る頃には後述のゲートターンオフサイリスタが主流となりつつあったため、同制御方式はもとより電子部品としても実用化されずに消滅した。
Gate Commutated Turn-off thyristorの頭文字からGCTサイリスタとも呼ばれる。三菱電機が1995年に世界に先駆けて開発したもので、GTOサイリスタのゲートを中心に改良したものである。スナバ回路が不要となって低損失化を実現したほか、インダクタンスの低減によりスイッチング周波数が10倍となった。サイリスタとゲートドライブとのインダクタンスは1/100ほどまで低減されている。またターンオン時の電流上昇率に対する耐量が向上し、アノードリアクトルも不要となる。近年はPIN接合やSiC(Silicon Carbide: 炭化ケイ素)を用い、110kVA級の容量を持つインバータ装置が関西電力と英Cree社の共同開発によって実現されている。逆導通形 (Reverce conducting GCT: RGCT) や電圧形インバータとして逆導電形もラインナップされている。
現在の用途はもっぱら圧延機の駆動用だが、これをさらに改良したIntegrated GCT (IGCT) サイリスタを用いた高速列車が韓国高速鉄道KTXの次世代車両HSR-350xとして試作された。時速352.4km/hを記録したが、素子の破壊を繰り返したためIGBTへの移行を検討している(最終的にIGCTを採用)。