ヒ化ホウ素
ヒ化ホウ素はIII-V族半導体であり、格子定数は0.4777 nm、間接バンドギャップは1.82 eVと測定される。920°Cを超えると、B12As2に分解すると報告されている。融点は2076°Cである。熱伝導率は非常に高く、300Kで約1300 W/(m・K)である。
基本的な物理的性質は、以下のように測定されている。
バンドギャップ:1.82 eV
屈折率:657 nmで3.29
弾性率:326 GPa
熱膨張率:3.85×10/K
ヒ化ガリウムと合金を作ることができ、三元及び四元の半導体となる。