POWER8
製造プロセス 22 nm SOI
動作周波数 3.0 - 4.1 GHz
ソケット当り 最大2チップ (DCM当り 最大2チップ)
チップ当り 最大6コア(ソケット当り 6, 8, 10, 12コア)
コア当り 最大8SMT (チップ当り 最大48SMT、ソケット当り 最大96SMT))
L1キャッシュ 最大64KB
L2キャッシュ 最大512KB
L3キャッシュ 最大96MB(ソケット当り、eDRAM)
L4キャッシュ 最大16MB(コントローラ当り、eDRAM)
メモリバンド幅 230 - 410 GB/秒