佐々木昭夫 (工学者)
研究内容は混晶半導体の物理と光デバイス。
1.混晶半導体研究の先駆者
AlxGa1-xAs、GaAs1-xPx 等では、構成比率xは可変であり、構成半導体のAlAs、GaAs、GaP の性質は保存されており、さらに元素配列に不規則の存在が考えられる。こうした事柄はAlAs、GaAs、GaP、ZnSiP2等の化合物半導体と全く異なるものであり、新しい範疇の半導体とすることを学会等で啓蒙を行い(科研費特定研究混晶エレクトロニクス)、「混晶半導体」と名付けることを提唱した。当初、専門家から異論が唱えられていたが、現在、周知され専門書、教科書にも用いられている。その後、不規則性の存在を示す理論的研究を行った。その内容は、米国大学院の教科書に紹介されている (A. Rockett, The Materials Science of Semiconductors, Springer)。
2.不規則超格子の研究
ミクロの原子配列がマクロの新しい特性を創出することを、超格子の層幅、層電位を不規則にすることにより、発光特性の増大することを示した(三菱財団研究助成)。これは、人工によるAnderson Localizationの実現と考えられている。
3.量子ドットの先駆的研究
GaAs上にInAsを成長させた時にできる凸状の性質を調べ、量子ドットに使用できることを提唱する(結晶成長学会論文賞)。
4.光、電子デバイスの直接集積による新デバイスの研究
ホトトランジスタと発光ダイオードを集積し光増幅機能素子を作製した(電子情報通信学会業績賞)。
5.液晶大形表示の研究
レーザ書込みにより、液晶分子の規則、不規則配列を利用した大形ディスプレイの実演を行った。
6.シンポジュームの設立
電子材料シンポジウム (Electronic Materials Symposium, EMS) を設立し、EMS賞を設けた。2019年現在で38回の開催。電子材料関係者に広く討論の場を提供し、若手人材育成に貢献してきた。EMS賞は若手研究者の奨励となっている。