埋込フォトダイオード
CCDと同様の完全電荷転送能力、残像のない特徴を持ち、かつ、In-pixel Anti-blooming 機能、高周波数電子シャッター機能とCMOSイメージセンサーには不可欠な、Gloabal Shutter 機能を装備した受光素子の発明であった。それが1975年の発明から44年後の2019年になり初めてSONYは実用量産化に成功した。ソニーのホームページにも「裏面照射型CMOSイメージセンサーに採用されたPinned Photodiode」 と題してCMOSイメージセンサーの発明の歴史がより詳細に解説されている。
また、「戦後日本のイノベーション100選」には「1979年には寺西信一(当時 NEC)が、白傷や暗電流を大幅に低減し、残像や転送ノイズを解消する埋込フォトダイオード(Pinned Photodiode)を発明した」 と改良開発努力が進められてきた経緯が示されているが、あくまで改良であり、発明とは言えない。この発明協会の記載は事実誤認記載、MISLEADINGな記載である。日本の恥をさらけ出している。