マルチゲート素子
全周ゲートFET(GAA FET)は、チャンネル部分の全側面をゲート材で囲む点を除けば、FinFET と同じようなコンセプトである。GAA FET は、設計によって、2つまたは3つの有効なゲートを持つことになる。GAA FET はシリコン・ナノワイヤーの周囲に構築することに成功した。