湯之上隆
島田市立島田第三小学校、静岡大学教育学部附属島田中学校、静岡県立清水東高等学校理数科卒業。
1981年4月、京都大学農学部に入学。
1983年4月、京都大学理学部数学科に転学部。
1985年3月、京都大学理学部物理学科を卒業。
1985年、京大工学部原子核工学科の修士課程に進学。大阪府泉南郡熊取町にある原子炉実験所で超冷中性子を研究テーマに選ぶ。
1987年3月、京都大学大学院工学研究科修士課程原子核工学専攻を修了。
1987年4月、日立製作所に入社。最初の配属先は東京国分寺市の中央研究所。最初の研究テーマは半導体の微細加工に用いるドライエッチング装置のプラズマダメージの研究。次に荷電粒子を用いない中性粒子によるドライエッチング装置の研究開発を行う。
1995年、半導体事業部の武蔵工場に異動。プロセス技術開発部のドライエッチング・グループに所属し、4~16M-DRAMの生産技術と、強誘電体メモリー「FeRAM」の開発に関わる。特にFeRAM用電極材料のプラチナ(Pt)エッチングに成功した。
1998年、デバイス開発センタへ異動。プロセス開発部のドライエッチング・グループに所属し、Cu/Low-kデユアルダマシン配線加工技術の開発と、1G-DRAM用微細加工技術の開発に関わった。
2000年 ?月、日立とNECによるDRAM合弁会社、エルピーダメモリへ、ドライエッチング・グループリーダーとして出向(出向社員800人中、志願者は湯之上ただ一人だった)。 1月、京都大学より、工学博士。