基板接合
基板を密着させ圧力と熱を加えることにより、接合面で原子の拡散が起こり接合される。シリコン基板を拡散接合する場合はまず基板を洗浄し、表面をわずかに酸化させる処理を行う。酸化させることで表面が親水性になり水素結合により接合した状態になる。炉に入れて1000°C程度まで加熱することで水分子が除去され強固な接合状態になる。