HBT
HBTは、基本的にはnpn型バイポーラトランジスタの応用形と位置づけられるが、エミッタ層とベース層の材料に特徴がある。高速動作のためにはベース層を薄くし、キャリア濃度を上げると効果的であるが、エミッタ層においてバンドギャップが広い材料を用い、ベース層にはバンドギャップが狭い材料を選び、動作時にはエミッタからベースへの拡散電流がベース領域で失われることなくコレクタへ流れるようにする一方で、ベースからエミッタへの拡散電流を価電子帯のヘテロ接合により阻止するように工夫した構造となっている。
また、ヘテロ構造の特徴としてエミッタからベースに注入される電子がバリスティック輸送されることにより高速動作する可能性についてHerbert Kroemerが1950sの研究から提案され、HBTを含むヘテロ接合の先駆的研究に対し2000年にノーベル物理学賞を受賞している。通常のHBT動作は、バリスティックというより熱平衡(キャリア拡散と電位計算)モデルにてほぼ解析することができる。