強誘電体メモリ
電源を切っても室温で10年間以上に亘る残留分極(データ)保持(リテンション)特性
science-forum.co.jp/podbooks/0166.htm。
“FRAMとは”. 富士通. 2014年10月1日閲覧。
“FRAMの品質・信頼性保証”. 富士通. 2014年10月1日閲覧。
“AD00-00015-4.pdf” (PDF). 富士通セミコンダクター. 2014年10月1日閲覧。
小柳光正 編『次世代半導体メモリの最新技術』シーエムシー出版、2009年2月。ISBN 978-4-88231-992-4。http://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=3151。
小柳光正 編『次世代半導体メモリの最新技術』(普及版)シーエムシー出版、2013年9月6日。ISBN 978-4-7813-0735-0。http://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=4468。
堀内かほり. “次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (上)”. ITpro. 日経BP. 2003年10月8日閲覧。
堀内かほり. “次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (中)”. ITpro. 日経BP. 2003年10月8日閲覧。
堀内かほり. “次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (下)”. ITpro. 日経BP. 2003年10月9日閲覧。