ビア (電子回路)
Type IV-b: Plugged & covered via, sealed with non-conductive material and covered with wet solder mask on both sides
Type V: Filled via, filled with non-conductive paste
Type VI-a: Filled & covered via, covered with dry film or wet solder mask on one side
Type VI-b: Filled & covered via, covered with dry film or wet solder mask on both sides
Type VII: Filled & capped via, filled with non-conductive paste and overplated on both sides
集積回路(IC)設計において、ビアとは、異なる層間の導電接続を可能にする絶縁酸化膜の小さな開口部のことである。シリコンウェーハまたはダイを完全に貫通する集積回路上のビアは、スルーチップ・ビアまたはスルーシリコン・ビア(through-silicon via、TSV)と呼ばれる。ガラス貫通ビア(through-glass vias、TGV)は、シリコン・パッケージに比べてガラス・パッケージの電気的損失が少ないことから、コーニング・グラス社によって半導体パッケージ向けに研究されてきた。最下層の金属と拡散またはポリを接続するビアは、通常「コンタクト」と呼ばれる。
↑ Through-holes per core. It is possible, though more expensive, to create blind or buried vias by using additional cores and lamination steps. It is also possible to backdrill and remove the plating from one side through to the desired layer, which leaves the physical hole as a through-hole, but creates the electrical equivalent of a blind via. If a PCB needs enough layers to justify blind and buried vias, it is probably also using small enough traces packed tightly enough to require (laser-drilled) microvias.
メッキスルーホール、この部分には多層基板に8つある(拡大写真)。
CADによる二層メッキスルーホールの設計、ビアの EDAによる配置。下層 – 赤上層 – 青
メッキスルーホールのメッキ:上 – 上層下 – 下層
多層ビアのクロスカット断面
小さな金属製の円がビア
穴が見えない埋設ビア