ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイドから作られたショットキーダイオードは、シリコンのショットキーダイオードよりも逆漏れ電流が少ないだけでなく、より高い降伏電圧を示す。 その反面、順方向電圧が高い(25度で1.4から1.8 V)という欠点がある。 2011年現在、降伏電圧が1700 Vまでの品種を製造者から購入可能であった。
シリコンカーバイドは、高い熱伝導率を持つので、そのスイッチング特性と熱特性が温度から受ける影響は小さい。 特殊なパッケージのシリコンカーバイド・ショットキーダイオードは、接合部が500 K(摂氏約200度)以上の温度でも動作可能であり、航空宇宙用途において受動的放射冷却を可能とする。
ショットキーダイオードが液体金属の滴(例えば、水銀)とそれに接触した半導体(例えば、シリコン)で形成されているときにエレクトロウェッティングが観察できる。 半導体のドーピング種別と密度に依存し、水銀の滴に加えた電圧の強さと方向に従って水銀の滴は広がる。 この効果は「ショットキー・エレクトロウェッティング」と呼ばれる。
半導体のドーピングを増加させると、空乏層の幅が減少する。 特定の幅より減少すると、電荷キャリアが空乏層を通り抜けることができる。 ドーピングレベルを非常に高くすると、そのショットキー接合はもはや整流器として動作せず、オーミック接触になる。 このことは、オーミック接触とダイオードの同時形成のために使用できる。シリサイドと低濃度にドーピングされたn型領域の間にダイオードが形成され、シリサイドと高濃度にドーピングされたn型あるいはp型領域の間にオーミック接触が形成されるからである。 ただし、シリサイドと低濃度にドーピングされたp型領域の間の接触は問題を起こす。オーミック接触としてはあまりにも抵抗値が高く、ダイオードとしては順方向電圧が低すぎるので、逆漏れ電流が多すぎるという結果になるからである。
ショットキー接触のエッジはかなり鋭いので、強い電界の勾配がその周囲に現れ、逆ブレークダウン電圧(降伏電圧)の閾値の大きさを制限する。 ガードリングから金属被覆法(メタライゼーション)まで電界の勾配を広げるために様々な戦略が使用される。 ガードリングは貴重なダイの面積を消費してしまうので、主に大きな高電圧ダイオードのために使われる。 一方、金属被覆法は主に小さな低電圧ダイオードに使われる。