EEPROM
EEPROMに記憶させた情報について、書き換え回数の限界と情報を保持できる期間の限界が存在する。
書き換えの際、フローティングゲートMOSFETのゲート酸化膜は徐々に捉えた電子を蓄えていく。捉えられた電子が電界を発生することでそれがフローティングゲートに印加され、0と1を表す電圧の差が徐々に縮まっていく。ある十分な回数書き換えを行うとその差が判別できなくなり、そのセルの内容が0なのか1なのかわからなくなる。一般にメーカーはこのような問題が発生する書き換え回数を 10 かそれ以上としている。
フローティングゲートに注入された電子は、特に温度が上がると不導体を通り抜けて漂うようになり、蓄えた電荷が徐々に失われ、最終的にはセルの記憶が消去された状態になる。メーカーによれば、記憶したデータが保持される期間は10年かそれ以上だという。
EEPROMは厳密にはメモリチップでないチップに必要に迫られて組み込まれることがある。例えばリアルタイムクロック、デジタル・ポテンショメータ、デジタル温度センサなどでは、校正情報などの電源を切った際に保持する必要があるデータをチップ内蔵のEEPROMに格納している。
インフィニオン・テクノロジーズ
三菱電機
NXPセミコンダクターズ
オン・セミコンダクター
ルネサス エレクトロニクス
ローム
サムスン電子
STマイクロエレクトロニクス
セイコーインスツル
マイクロチップ・テクノロジー