5ナノメートル
(十分に大きな電極間の)シリコン表面に束縛されたリン原子を用いた単原子トランジスタ(英語版)が作製された 。このトランジスタは360ピコメートルトランジスタと呼ばれた。これはリン原子のファンデルワールス半径の2倍であり、シリコンまでの共有結合半径はより小さい 。これより小さなトランジスタを作るには、より原子半径の小さい元素を使うか、電子や陽子などの亜原子粒子を用いる必要がある。
2016年、バークレー研究所の研究者は1nmゲートのトランジスタを作製した 。この電界効果トランジスタは、チャネル材料としてMoS2を用い、またカーボンナノチューブがチャネルを反転させるために用いられた。有効チャネル長は約1nmである。しかしドレイン-ソース・ピッチはもっと大きく、マイクロメートルサイズである。
2018年、カールスルーエ工科大学の研究者は単原子ゲートのトランジスタを作製した。
半導体製造において、国際半導体技術ロードマップは5ナノメートルノードを7ナノメートルノードの後のテクノロジーノードとして定義している。