速度飽和
飽和速度は、半導体デバイスの設計において非常に重要なパラメータであり、特にMOSFET(MOS型電界効果トランジスタ)は、ほとんどすべての現代の集積回路の基本的な構成要素となっており、例えば、Siでは1×10 cm/s、GaAsでは 1.2×10 cm/s程度の値である。キャリア速度が飽和する典型的な電界強度は、通常10-100kV/cmのオーダーである。