DDR3 SDRAM
オンダイターミネーション信号 (On Die Termination:ODT)。ODTがハイで内蔵する終端抵抗が有効になる。ODTはDQ, DQS, DQS#, DMTDQS# NUDQS#のみ供給され、それ以外の入力ピン (CKE, CS#, RAS#, CAS#, WE#, ODT, RESET#, BA0-BA2 A0-A13) には供給されない。
DDR3 SDRAM (Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。
2007年頃からパーソナルコンピュータの主記憶装置などに用いられるようになり、2010年後半まで市場の主流として各種デバイスで用いられた。スマートデバイスなどの組み込み向けとしても、2013年以降の高性能品(ARM Cortex-A15など)に使われるようになった。インテルはNehalemマイクロアーキテクチャ(2008年)から使用している。
DDR3 SDRAM コンポーネント 非同期RESETピンの導入 システムレベルフライト時間補正のサポート On-DIMMミラーフレンドリーなDRAMのピンアウト CWL(CASライトレイテンシ) per clock ピンの導入 On-die I/O キャリブレーションエンジン READおよびWRITEキャリブレーション
DDR3 モジュール Fly-by command/address/control bus with on-DIMM termination 精密なキャリブレーションレジスタ 後方非互換性 DDR3モジュールはDDR2ソケットにかみ合わない; DIMMモジュールやマザーボードにダメージを与えかねないため
DDR2に対する長所 広帯域によるパフォーマンスアップ。1600MT/sまで標準化される ナノ秒レベルでレイテンシが改善される 低消費電力でより高いパフォーマンスを発揮する(ノートパソコンではバッテリー稼働時間の向上が見込める) 低消費電力に対する拡張機能
DDR2に対する欠点 一般的に、広帯域化、高クロック化すると消費電力が増大する。ただしDDR2→DDR3間に関しては高帯域化と同時に駆動電圧が引き下げられているため、全体としてほぼ同水準といえる。