Rapidus
経済産業省は、5月に合意した日米の半導体協力基本原則に基づいた両国間での共同研究を見据え、次世代半導体研究を行う組織として「最先端半導体技術センター(LSTC)」を設立することを決定している。これにより研究開発拠点としてのLSTC、将来的な量産製造拠点としてのRapidus、両輪での日本の次世代半導体量産基盤の構築を目指すとしている。
2022年12月13日、IBMとの提携を発表。この時点では大量生産技術の確立していないGAAトランジスタプロセス(2nm世代プロセス)製品の製造技術をライセンス購入することとなった。IBMは前年2nm製品の開発に成功していたが、自社では半導体の大規模生産は行っておらず、技術のライセンス供与先を探していた。微細化技術を生かした製品開発では、韓国のサムスン電子が2022年にGAAトランジスタプロセス(3nm世代プロセス)で量産を開始、台湾の最大手台湾積体電路製造(TSMC)は2025年にGAAトランジスタプロセス(2nm世代プロセス)の量産化を発表しており、先行企業を追いかけることとなった。