伊賀健一
1956年 呉市立宮原中学校卒業
1959年 広島大学附属高等学校卒業
1963年 東京工業大学理工学部電気工学課程卒業
1965年 東京工業大学大学院理工学研究科電気工学専攻修士課程修了
1968年 東京工業大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士課程修了
1968年 東京工業大学精密工学研究所 助手
1973年 東京工業大学精密工学研究所 助教授
1979年 ベル研究所 客員研究員( - 1980年)
1984年 東京工業大学精密工学研究所 教授
1995年 精密工学研究所 所長( - 1998年)
1999年 東京工業大学 図書館長( - 2001年)
2001年 定年退職、東京工業大学 名誉教授
2001年 日本学術振興会 理事( - 2007年)
2001年 工学院大学 客員教授( - 2007年)
2003年 電子情報通信学会 会長( - 2004年)
2007年 東京工業大学 学長( - 2012年)
2014年 一橋大学 監事( - 2016年)
2022年 東京工業大学 栄誉教授http://www.somuka.titech.ac.jp/reiki_int/reiki_honbun/x385RG00000131.html
最初の考えは、モノリシックプロセス[2000IGA] [2008IGA] [2018IGA]によって半導体レーザーを製作することであった。もう1つの考慮事項は、単一モードレーザー、つまり横モードと縦モードをどのように単一するかであった。
1976年頃、短い共振器の半導体レーザーを作成して自由スペクトル範囲(FSR)を広げることにより、動的な単一モード機能を維持する可能性に興味を持っていた。結論として、共振器の長さを50 μm未満にする必要があることを示した。3番目の問題は、レーザー発振周波数をどのように制御するかであった。これは層の厚さを正確に制御することで克服できると考えた。
主なブレークスルーは、1982年に明確なVCSELモードを実証した10μm共振器VCSELの製作である。つまり、単一モード、円形ビーム、および直線偏光[1982MOT]を確認した。中央部分は10μmのレーザー共振器となっている。ついで、共振器長7μmのAlGaAs / GaAs VCSELで、室温で6mAという小さなパルスしきい値電流を報告した[1987IGA]。
最初の室温連続波(CW)動作は、GaAsシステムを使用して小山二三夫と伊賀健一によって1988年に達成された[1988KOY],[1989KOY]。この実験は、デバイスとして設計された半導体レーザーとしてのVCSELの工業的可能性を初めて実証したものとなった。
また1993年には,馬場俊彦と伊賀健一らによって波長1,300 nmのVCSELでも室温のCWを達成している[1993BAB]。