オーミック接触
オーミック接触とショットキー障壁はどちらもショットキー障壁高さに依存する。ショットキー障壁高さは、電子が半導体から金属へ移動するために必要な余分のエネルギーのしきい値を決める。両方の方向に簡単に電子が通れる(オーミック接触)のためには、障壁高さは少なくとも接合界面のいくつかの部分において小さくなければならない。良いオーミック接触(低抵抗)を作るためには、障壁高さはすべての部分で小さい必要があり、さらに界面は電子を反射してはいけない。
金属と半導体の間のショットキー障壁高さは、金属-真空仕事関数と半導体-真空電子親和力の差に比例するショットキー=モット則によってナイーブに予言される。実際は、多くの金属-半導体界面は予想された程度ほどはこのルールに従わない。その代わり、金属に対する半導体結晶の化学的な末端はバンドギャップ内に電子状態を作る。この金属誘起ギャップ状態の性質と電子の占有は、バンドギャップの中心をフェルミ準位にピン止めし、フェルミ準位のピン止めとして知られる。