鉅景科技

鉅景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立於2002年。是一間專精於提供SiP和MCP微型化解決方案之IC整合設計公司。2005年鉅景針對消費性電子輕薄短小的訴求，研發MCP系列產品，並於當年度上市銷售；2006年至2008年間，鉅景成功進入數位相機的MCP市場；2008年度MCP產品的銷售更達到12Mpcs。在全球的數位相機MCP市場上，已擁有10%的市場佔有率，是台灣致力於研發MCP和SiP的領導廠商。

2019年，鉅景科技股份有限公司更名為沃福仕股份有限公司，ChipSiP繼續保留為產品品牌，將繼續利用多年來累積深厚微型化系統的設計與整合經驗，為客戶提供多元的客製化需求元件，開拓多樣化的終端產品應用領域，滿足客戶需求為優先，不斷追求創新，堅持最佳品質。我們帶領精實敏捷的專業團隊，將持續與全球客戶、廠商維持穩定信任的合作夥伴關係，在設計整合的服務中努力精進，共同面對機會與挑戰，展現優質的產業競爭力，優化全球性市場的占有率。

## 產品列表

鉅景多年發展SiP和MCP產品，擁有超過10年以上之RF、邏輯等元件設計與整合經驗，並建立龐大之晶圓資料庫與封裝資源整合能力，有效運用SiP技術為客戶提供標準與客製化產品服務。

### MCP系列產品

在2008年5月鉅景發表全球第一個的9X9mm封裝的快閃記憶體(Nand flash)加上動態存取記憶體(DDR/DDRII)的Memory MCP。為滿足客戶需要更多設計空間和彈性的要求，鉅景設計不同容量與規格的Memory MCP供客戶選擇，亦根據客戶需求設計客製化Memory MCP。

● 使用MCP的優點:

- 節省整體物料成本

- 簡化設計流程

#### DSC MCP Product

CT47 NAND Flash+DDR SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT47568SR566｜256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT47128SR566｜512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT47248NS566｜1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT47568SR126｜256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT47248NS126｜1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Ready

CT47488NS126｜2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT47568SR566A｜256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜9x9x1.2｜Request

CT47568SR126A｜256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜9x9x1.2｜Request

CT47128SR126A｜512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜9x9x1.2｜Request

CT48 NAND Flash+DDRII SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT48568SR126｜256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT48248NS126｜1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT48488NS126｜2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT48568SR246｜256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜M/P

CT48128SR246｜512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜Request

CT48248NS246｜1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜M/P

CT48488NS246｜2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜Ready

CT48568SR126A｜256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜M/P

CT48128SR126A｜512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜M/P

CT48248NS126A｜1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜Request

CT48248NS246A｜1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜Ready

CT83 DDRII SDRAM Stack

Part Number｜Description｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT83962C｜4Gb DDRII｜1.8V｜x32｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜2009/7

CT83482D｜2Gb DDRII｜1.8V｜x32｜DDRII667｜FBGA｜10.5x13.5x1.1｜2009/9

CT83242D｜1Gb DDRII｜1.8V｜x32｜DDRII667｜FBGA｜10.5x13.5x1.1｜Request

#### Mobile Phone MCP Product

M71 NOR Flash+pSDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

M71NL03240BGW0P(K)0｜32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜70ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜Ready

M71PL03280BGW0E0｜32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜70ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

M71PL032A0BGW0E0｜32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜70ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

M71PL064A0BGW0E0A｜64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜96ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

M71PL064B0BGW0E0A｜64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜96ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

#### Smart Phone MCP Product

M5D NAND Flash+M-SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

M5D568566B｜256Mb NAND+256Mb M-SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜166MHz｜TFBGA｜9x10.2x1.2｜Request

M5D128566B｜512Mb NAND+256Mb M-SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16｜166MHz｜TFBGA｜9x10.2x1.2｜Request

M5D1G8122B｜1Gb NAND+512Mb M-SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜166MHz｜TFBGA｜11x13x1.2｜Ready

M5D1G6566A｜1Gb NAND+256Mb M-SDRAM｜1.8V｜x16｜25ns｜1.8V｜x16｜166MHz｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜2009/Q3

M5E NAND Flash+M-DDR SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

M5E568562B｜256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜11x13x1.2｜Request

M5E128566(2)B｜512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16/x32｜DDR333｜TFBGA｜11x13x1.2｜Request

M5E1G8566(2)B｜1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16/x32｜DDR333｜TFBGA｜11x13x1.2｜Request

M5E1G8126B｜1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Request

M5E1G8122B｜1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Ready

M5E1G81G2B｜1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Ready

M5E2G81G2B｜2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Ready

M5E4G81G2B｜4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Request

M5E1G6126A｜1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM｜1.8V｜x16｜25ns｜1.8V｜x16｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜2009/Q3

#### Modules MCP Product

CT46 NOR Flash+DDR-SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT46160BB566｜16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8/x16｜70ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Ready

CT46320BB566｜32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8/x16｜70ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜TFBGA｜8x10x1.2｜Request

CT72 NOR Flash+M-SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT72326MT646｜32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM｜1.8V｜x16｜70ns｜1.8V｜x16｜133MHz｜TFBGA｜8x10x1.2｜Request

CT72646MT646｜64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM｜1.8V｜x16｜70ns｜1.8V｜x16｜133MHz｜TFBGA｜8x10x1.2｜Ready

### SiP客製化

#### System In Package(SiP)的優點

1.體積微型化

2.高靈活性的系統設計

3.減少較長的設計週期及功能驗證時間

4.易於整合不同的晶元製程

5.可有效抑制電磁干擾

6.某些不易取得的智財，SiP可用其封裝好的積體電路實現其PoP或PiP的結構

#### SiP開發階段

- 工程樣品階段(三至六個月)

- 量產階段(二至三個月)

#### 應用領域

鉅景專精發展SiP 技術，並運用此技術，鉅景研發一系列不同組合的多晶片封裝記憶體(Memory MCP)產品，適用於消費性電子產品如數位相機，數位攝影機，智慧型手機，多媒體手機以及衛星導航系統。並因應消費性電子商品體積越來越輕薄且需整合更多功能的趨勢下。鉅景持續發展先進memory MCP解決方案並創造SiP產業價值鍊。

## 公司大事紀

- 2019/07：更名為沃福仕股份有限公司
- 2009/04：通過ISO14001:2004認證
- 2008/12：2008年數位相機MCP銷售量超越1千兩百萬顆出貨，市佔率10%。
- 2008/12：鉅景科技於公開市場興櫃，股票代碼3637。
- 2008/12：榮獲勤業眾信亞洲區Fast 500營收成長第十名。
- 2008/08：通過ISO9001:2000認證。
- 2008/07：獲得勤業眾信台灣高科技Fast 50 營收成長評比第二名。
- 2008/04：發表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP產品。
- 2008/01：宣佈以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP進軍高階手機應用市場。
- 2007/12：成功進軍韓國市場，並獲得韓系數位相機領導大廠設計認可，並量產數位相機系列產品。
- 2007/09：發表M71(NOR+pSRAM)MCP產品主攻多媒體手機應用。
- 2007/07：開發CT72(M-NOR+SDRAM)MCP應用於通訊模組客戶端。
- 2007/03：CT48 MCP(10x13mm)產品線，成功設計於美系數位相機品牌廠商。
- 2007/01：研發CT46(NOR+DDR)MCP，並設計使用於數位相機鏡頭模組。
- 2006/06：全球獨家發表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列產品。
- 2006/05：日系品牌大廠使用CT47系列產品，並成功量產其數位相機。
- 2005/09：開發DSC+PDA(CT162)平台。
- 2005/07：研發首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP產品推廣於數位相機市場。
- 2004/12：提供IC設計客戶端SiP服務並研發ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
- 2004/06：協助系統業者開發Car Navigator相關設計應用。
- 2003/12：發表Bus-Multimedia系統平台。
- 2003/03：研發Car-Alarm相關系統設計。
- 2003/03：開發 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆疊)予IPC廠商。
- 2003/04：研發CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推數位相機客戶。
- 2002/02：發表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
- 2002/08：鉅景成立。

## 參考資料

^ http://www.weforce.com.tw

^ 黃繼寬，〈SiP理念日趨普及 鉅景代客戶操刀差異設計〉，《新通訊元件雜誌》2009年6月20日

^ 〈引領台灣SiP產業進入下一個獲利時代〉，《天下雜誌-成長400 7月號》2008年7月

## 基本資料

- 名稱：沃福仕股份有限公司
- 英文名：WeForce.CO., LTD.
- 域：
- 成立：2002
- 總部：臺灣台北縣中和市
- 代表人物：賴淑楓
- 產業：IC設計
- 產品：MCP/SiP
- 首府：新台幣5.07億元（2011年11月）
- 員工人數：55人
- 網站：http://www.weforce.com.tw