中村修二

中村修二（1954年5月22日），生于日本爱媛县的美籍日裔电子工程学家，商业用高亮度蓝色发光二极管与青紫色激光二极管的发明者，世称“蓝光之父”。现任美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、爱媛大学客座教授。文化勋章获得者。文化功劳者。

2014年，中村凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来节能明亮的白色光源”与赤崎勇、天野浩共同获得诺贝尔物理学奖，晋身继南部阳一郎之后的第2位美国籍日裔诺贝尔奖得主。

中村是日本唯一同时拥有诺贝尔奖、富兰克林奖章、查尔斯·斯塔克·德雷珀奖、全球能源奖、全美发明家殿堂这5大荣誉的科学家。

## 主要成就

1993年，中村修二对名古屋大学的赤崎勇、天野浩师徒有关p型GaN（氮化镓）的早期贡献，提出正确的理论解释，并独立发明以InGaN（基于氮化铟镓）晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD方法（Two flow MOCVD），使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化，开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。

## 生平

### 出身、求学

1954年5月22日，中村修二诞生于爱媛县西宇和郡四滨村。1965年迁居兵库县尼崎市，后来就读爱媛县立大洲高等学校普通科，亦参加排球社。1973年毕业后，原欲投考物理科系，但出于“就业不易”的考量，最终选择没有物理系的德岛大学。1977年从工学部电气工程科毕业，1979年获得同校工学硕士学位。完成学业后，中村原定进入京瓷公司。但为照顾大学时代出生的小孩，改入邻近的日亚化学工业（日亚化）公司，在开发课工作。

### 日亚化时期

中村就职后，竭力主张开发蓝色激光二极管的前景，日亚化因此拨给中村3亿日圆的研发经费。1987年至1988年9月，中村赴美国佛罗里达大学留学一年，回到日亚化投入2亿日圆着手改造有机金属化学气相沉积法装置。尽管受到公司新社长的反对，但中村仍坚持进行研究活动。

1993年，中村发明双流式MOCVD方法，日亚化得以量产实用级高亮度蓝色发光二极管，并取得LED照明市场的全球独霸地位，其后数年获利达数千亿日圆。翌年以论文“InGaN高亮度蓝色LED的相关研究”取得德岛大学论文博士学位（工学）。1995年，他成功实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲振荡。

1999年，中村离职，翌年应杨祖佑之邀担任加州大学圣塔芭芭拉分校材料工学院教授。

### 中村判决

中村修二发明的双流式MOCVD方法即通称的404专利。中村赴美后，围绕着专利与专利转让问题，中村与日亚化展开了一系列诉讼。2004年1月30日，中村正式控告日亚化，要求补偿发明的对价。一审法庭基于“中村的发明贡献不小于一半”的判断，判决日亚化需支付200亿日圆。但东京高等法院最终在2005年1月11日做出“建议和解”的裁决，日亚化支付中村8亿4000万日圆，自此买断中村在该公司的所有发明。当日，中村修二及其律师在记者会抨击“日本司法制度很烂”。

2014年11月3日，中村因获颁文化勋章返国召开记者会，自道“希望与日亚化修复关系”，但未如愿。

### 学界活动

赴美成为加州大学教授之后，中村修二亦陆续兼任信州大学（2002年）、爱媛大学（2006年）客座教授，以及复旦大学（2009年）顾问教授。

2005年，中村发明可以简单地将水光电解取出氢气的方法。2007年1月，他宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。

中村修二名列2002年汤森路透引文桂冠奖，并在2014年与赤崎勇、天野浩同获诺贝尔物理学奖。天野教授其时谦称：“中村先生是实验之神，迅速推进蓝光LED的实用化。让氮化镓材料受到重视的最大功臣，除了中村没有第二个人。”根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：

- 赤崎：以低温沉积氮化铝（AIN）缓冲制成高品质GaN
- 天野：实现pn结GaN
- 中村：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于InGaN，但官方文件未载）

## 荣誉

- 1994年：应用物理学会论文奖
- 1996年：IEEE/LEOS 工程成就奖
- 1996年：仁科芳雄奖
- 1997年：大河内纪念奖
- 1997年：MRS Medal Award
- 1998年：IEEE Jack A. Morton Award
- 1998年：C&C奖
- 1998年：British Rank Prize
- 2000年：本田奖
- 2000年：Carl Zeis Research Award
- 2001年：朝日奖
- 2002年：武田奖（与赤崎勇、天野浩）
- 2002年：富兰克林奖章
- 2006年9月8日：千禧年科技奖
- 2008年：阿斯图里亚斯亲王奖学术・技术研究部门
- 2008年：香港科技大学工程学荣誉博士
- 2009年：哈维奖
- 2011年9月：第63回艾美奖技术开发部门
- 2014年：诺贝尔物理学奖（与赤崎勇、天野浩）
- 2014年：文化勋章·文化功劳者（与天野浩）
- 2015年：查尔斯·斯塔克·德雷珀奖
- 2015年：大洲市荣誉市民
- 2015年：全球能源奖（继吉野彰之后，日本第二人）为了他发明，商业化和发展节能的白色LED照明技术
- 2015年：全美发明家殿堂（继远藤章之后，日本第二人）
- 2020年：NAS Award for the Industrial Application of Science
- 2021年：Queen Elizabeth Prize for Engineering

## 发言

在2014年《日本经济新闻》的专访中，中村解释自己为何入籍美国：

要从事这方面研究，没有美国国籍就无法获得军方的预算，同时无法从事与军方相关的研究。因此我取得了公民权。

对此，京都大学教授山中伸弥在《日经商务周刊》表示：

我认为中村先生带着很大的勇气来主张自己应有的权利。现在他正站在美国的讲台上执教。作为一名日本人，对此我感到很失落。如果日本的年轻人能够跟随开发出了伟大技术的研究人员学习，让其后继有人，那该多好啊！

2015年5月3日，中村修二在一场与JAXA负责人川口淳一郎的对谈中表示，江崎玲于奈（1973年诺贝尔物理学奖得主）是他“尤其尊敬的人物”。江崎发明了对LED至为重要的超晶格。

## 外部链接

- Professor Shuji Nakamura
- UCSB教授の中村氏が日亜化学工业を提诉
- 仕事力/“理系の仕事は世界の要请だ”中村修二が语る仕事/asahi.com 【1】、 【2】、 【3】、 【4】
- Tech総研 http://next.rikunabi.com/tech/docs/ct_s03600.jsp?p=000001、http://next.rikunabi.com/tech/docs/ct_s03600.jsp?p=000460&tcs=kanren、http://next.rikunabi.com/tech/docs/ct_s03600.jsp?p=001299&tcs=kanren
- Science Portal “科学者になる方法”/“自分の考えで生き、自分の好きなことをやろう”
- 产総研 “サイエンスが好きな米国、嫌いな日本”
- 英文校正エナゴ 研究者インタビュー “英语での初讲义。紧张して気绝しそうでした。”
- Tech-On! 青色LEDの発明者 中村修二氏に闻く “仆が会社をやめたわけ”
- 日経ビジネス “国を作り替えないと日本に外国人は来ない”【前编】、 “文系が金持ちの国は后进国”【后编】 ※需注册（免费）

## 基本资料

- 日语原文：中村修二、中村 修二（なかむら しゅうじ）
- 出生日期：1954年5月22日
- 出生地：日本爱媛县西宇和郡四滨村（现伊方町）
- 居住地：美国
- 国籍：美国（2005/2006年之后）
- 研究领域：电子工程
- 机构：日亚化学工业、加州大学圣塔芭芭拉分校、中央研究院
- 母校：德岛大学
- 知名于：发明实用级高亮度蓝色发光二极管、青紫色激光二极管
- 获奖：IEEE/LEOS 工程成就奖（1996）、仁科芳雄奖（1996）、IEEE Jack A. Morton Award（1998）、British Rank Prize（1998）、富兰克林奖章（2002）、千禧年科技奖（2006）、阿斯图里亚斯亲王奖学术・技术研究部门（2008）、哈维奖（2009）、诺贝尔物理学奖（2014）、文化勋章（2014）、文化功劳者（2014）、查尔斯·斯塔克·德雷珀奖（2015）、全球能源奖（2015）、全美发明家殿堂（2015）