三星Exynos

三星Exynos（Samsung Exynos）是韩国三星电子所开发及生产的SoC、基于ARM架构的单片系统。Exynos处理器在创新和性能方面表现出色，集成5G数位通讯和神经处理单元 (NPU)，以迎接5G和AI时代。2011年2月，三星电子正式将自家基于ARM架构处理器品牌命名为Exynos。Exynos由两个希腊语单词组合而来：Exypnos和Prasinos，分别代表“智能”与“环保”之意。Exynos系列处理器主要应用在智能手机和平板电脑等移动终端上。

2016年安兔兔第二季度的报告指出，Android阵营高跑分手机中多为使用骁龙和Exynos芯片。

## 背景介绍

三星电子在CES 2013上发表了全新的双四核Exynos 5 Octa 芯片，但当时他们并没有给出太多的细节。产品将仍旧采用现有的 PowerVR 544MP3 GPU，工作频率为 533MHz。那就代表说用于 Exynos Dual 中的 ARM Mali T-604 可能无法满足 Exynos 5 Octa 的需求，而高规格的 T-658 则可能还没有准备就绪。若是从图形和 GPU 计算表现推测的话，Exynos 5 Octa 将可能会处于iPad (第三代)（A5X）和iPad (第四代)（A6X）之间。

三星电子向来有为自家设备研发处理器的历史，一些芯片也用在其它品牌的设备上，例如苹果前三代iPhone。

## 早期产品

在Exynos命名之前，三星电子的处理器型号夹杂字母和数字，比较复杂难记。不过由于iPhone系列的成功，由三星制造的处理器也获得了广泛关注。S5L8900处理器首先应用于2007年发表的第一代iPhone上，其后也使用在iPhone 3G上，该处理器主频为412MHz，当时搭配的GPU是PowerVR MBX-Lite。比较有名的则是S5PC100处理器，使用在2009年推出的iPhone 3GS和第三代iPod touch上，采用Cortex-A8架构，主频为667MHz，但是遇到大程序会自动超频至833MHz。

型号｜半导体技术｜CPU 指令集｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

S3C44B0｜0.25 μm CMOS｜ARMv4｜66 MHz单核ARM7 (ARM7TDMI)｜LCD控制器｜Juice Box

S3C2410｜0.18 μm CMOS｜ARMv4｜200/266 MHz单核ARM9 (ARM920T)｜LCD控制器｜2003｜HP iPAQ H1930/H1937/H1940/rz1717, HP 49g+/48gII/50g, Everex E500, E-TEN InfoTouch P300, Acer n30/n35/d155, Z22 (handheld)|Palm Z22, LG LN600, Typhoon MyGuide 3610 GO

S3C2440｜0.13 μm CMOS｜ARMv4｜300/400 MHz单核ARM9 (ARM920T)｜LCD控制器｜2004｜HP iPAQ rx3115/3415/3417/3715, Everex E900, Airis T470i/920/930, Acer n300/311,Typhoon MyPhone M500,Mio p550/P350/C710 Digi-Walker

S3C2443｜ARMv4｜400/533 MHz单核ARM9 (ARM920T)｜LCD控制器｜4KB iSRAM｜2007｜Asus R300/R600/R700, Mio Digi-Walker (C620T/...), Mio Moov 2xx/3xx, LG LN8xx, JoinTech JPro Mini Laptop JL7220, Navigon 8300/8310

S3C2450｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv5｜400/533 MHz单核ARM9 (ARM926EJ)｜2D图形加速｜64KB SRAM｜2008｜Mio Moov 500/510/560/S568/580, Getac PS535F, MENQ EasyPC E720/E790, Archos Arnova 10, Hivision PWS0890AW,SMiT MTV-PND530 8GB

S3C2416｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv5｜400 MHz单核ARM9 (ARM926EJ)｜2D图形加速｜64KB SRAM｜2009｜iconX G310, HP Prime

S5L8900｜Samsung HKMG 90 nm｜ARMv6｜412 MHz单核ARM11｜PowerVR MBX Lite｜eDRAM｜2007｜Apple iPhone、Apple iPhone 3G、Apple iPod touch 1、Apple iPod touch 2

S3C6410｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv6｜533/667/800 MHz单核ARM11｜FIMG 3DSE: 2D/3D图形加速｜DDR｜2009｜魅族 M8

S5P6442｜Samsung HKMG 45 nm｜ARMv6｜533/667 MHz单核ARM11｜FIMG 3DSE: 2D/3D图形加速｜2010

S5PC100｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv7｜667/833 MHz单核ARM Cortex-A8｜PowerVR SGX535｜LPDDR2, DDR2｜2009｜Apple iPhone 3GS、Apple iPod touch 3G

## 产品

### Exynos 3系列

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有一款芯片被“追封”了Exynos 3110的名号，它就是S5PC110，代号Hummingbird（蜂鸟）。这款在2009年末推出的芯片采用优化的Cortex-A8架构，它包含了32/32KB数据/指令一级缓存，512KB二级缓存，主频达到1.0 GHz。拥有独立的硬解视频子系统PowerVR VXD370，支持 H.264、VC-1、MPEG4等多格式视频格式，最高到1080P。同时内含HDMI1.3接口，能将手机移动产品下载或拍摄的多媒体内容传送到其它多媒体显示设备上进行播放。该处理器被用在了Nexus S，魅族M9，三星GT-S8500 Wave，三星Galaxy Tab，三星Galaxy S，苹果iPhone4（其电路经过少许优化改良）等产品上面。也是Exynos系列中唯一的一款单核的芯片。

SoC｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

型号｜制程｜指令集｜架构｜核心｜频率 (GHz)

Exynos 3 Single(previously S5PC110, Hummingbird, Exynos 3110)｜45 nm｜ARMv7｜Cortex-A8｜1｜1.0–1.2｜PowerVR SGX540 @ 200 MHz; 3.2 GFLOPS｜32-bit dual-channel 200 MHz LPDDR, LPDDR2, or DDR2｜2010｜1 GHz: :Samsung Galaxy S line, Samsung Wave S8500, Samsung Wave II S8530, Samsung Galaxy Tab, Samsung Droid Charge, Samsung Exhibit 4G, Google Nexus S, Meizu M9, Samsung Stratosphere 1.2 GHz: :Samsung Infuse 4G

Exynos 2 Dual(Exynos 3250)｜45 nm｜Cortex-A7｜2｜1.0｜Mali-400 MP2 @ 400MHz｜暂无资料｜2013｜Samsung Gear 2

Exynos 3 Quad(Exynos 3470)｜28 nm｜Cortex-A7｜4｜1.4｜Mali-400MP4 @ 450 MHz｜32-bit dual-channel LPDDR3｜2014｜Samsung Galaxy S5 Mini, Samsung Galaxy Light,Samsung Galaxy Tab 4

Exynos 3 Quad(Exynos 3475)｜28 nm｜Cortex-A7｜4｜1.3｜Mali-T720 @ 600 MHz｜32-bit dual-channel LPDDR3｜2015｜Samsung Galaxy J2、Samsung Galaxy Folder、Samsung Galaxy On5、Samsung Galaxy On7、Samsung Galaxy Tab E

### Exynos 4系列

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2011年推出的Exynos 4210才是Exynos系列的第一款产品，它之前被人熟知的名字是Orion（猎户座）。Exynos 4210采用45nm制程，拥有两枚主频为1.2 GHz的Cortex-A9通用处理核心，拥有32/32 KB I/D Cache, 1 MB L2 Cache，并且集成ARM Mali-400 MP图形处理核心。在视频方面，Exynos 4210支持单路WXGA和双路WSVGA视频输出，支持HDMI v1.3a高清标准，可以拍摄1080p、30fps标准高清视频；Exynos 4210提供了6.4GB/s的内存带宽，支持LPDDR2/DDR2/DDR3内存。代表产品有三星Galaxy Tab 7.7、Galaxy S II（i9100）、Galaxy Note和魅族MX等。2011年9月发布的Exynos 4212在Exynos 4210的基础上再加改进：首先制程变为32nm，比起之前的45nm能够节省超过50%的能源。而且虽然同样为Cortex-A9架构，但Exynos 4212主频升至1.5GHz，比起4210更为强劲，3D性能约为后者的2倍，可用在手机及平板电脑上。2012年初，三星正式推出了自家的首款四核移动处理器Exynos 4412。这款新Exynos四核处理器，拥有32nm HKMG（高K金属栅极技术）制程，支持双通道LPDDR2 1066。新的32nm HKMG技术可以帮助降低功耗，按照官方的说法，和其前代比会减低20% 的功耗。三星Exynos 4412四核处理器仍然集成Mali-400MP图形处理器，但三星公司已将这颗图形处理器主频由此前的266MHz提升至400MHz，新闻稿指出会比现有的双核机型整体性能提升60%，图像处理提升 50%。2012年5月，首款采用Exynos 4412处理器的智能手机三星Galaxy S III正式上市，以及于6月上市的魅族MX四核版和12月上市的纽曼N2。

SoC｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

型号｜制程｜指令集｜架构｜核心｜频率 (GHz)

Exynos 4 Dual 45 nm(Exynos 4210)｜45 nm｜ARMv7｜Cortex-A9｜2｜1.2或1.4｜Mali-400MP4 @ 266 MHz; 10.64 GFLOPS｜LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2011｜1.2 GHz: :Samsung Galaxy S II, Samsung Galaxy Tab 7.0 Plus 1.4 GHz: :Samsung Galaxy Note, Samsung Galaxy Tab 7.7, Hardkernel ODROID-A, Meizu MX 双核版, Cotton Candy by FXI Tech, ORIGEN 4 Dual

Exynos 4 Dual 32 nm(Exynos 4212)｜32 nm HKMG｜Cortex-A9｜2｜1.5｜Mali-400MP4(quad-core) @ 400 MHz; 16 GFLOPS｜LPDDR2, LPDDR3 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2011｜Meizu MX 2-Core (new 2-core model), Samsung Galaxy Tab 3 8.0,Samsung Galaxy S4 zoom

Exynos 4 Quad(Exynos 4412)｜32 nm HKMG｜Cortex-A9｜4｜1.4｜ARM Mali-400MP4(quad-core) @ 440 MHz ; 17.6 GFLOPS｜32-bit dual-channel 400 MHz LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2012｜Samsung Galaxy Note 10.1, Samsung Galaxy Camera, Lenovo K860, 纽曼N2, Ramos W30HD, Meizu MX 四核版, Hardkernel ODROID-X,ODROID-U,ODROID-Q,ORIGEN 4 Quad,Hyundai T7 Tablet, Samsung Galaxy Pop, Samsung Galaxy Light, Lenovo P700i

Exynos 4 Quad(Exynos 4412 Prime)｜32 nm HKMG｜Cortex-A9｜4｜1.6｜ARM Mali-400MP4(quad-core) @ 533 MHz; 21.32 GFLOPS｜32-bit dual-channel 400 MHz LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2012｜Samsung Galaxy S III, Samsung Galaxy Note II, Meizu MX2, Samsung Galaxy Note 8.0, Samsung Galaxy NX, iberry Auxus CoreX4 3G,Hardkernel ODROID-U2,ODROID-X2,ODROID-Q2,Samsung Galaxy Camera 2

### Exynos 5系列

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2011年11月30日，三星电子发布主频高达2GHz的Exynos5250系统芯片，它采用双核Cortex-A15构架，主频高达2GHz，性能十分强劲。三星电子Exynos5250是业界首款采用ARM新双核Cortex-A15处理器架构设计的产品。Exynos5250将比1.5GHz的Cortex-A9性能快两倍左右。三星电子表示，Exynos5250将采用32nm制造工艺，和现有Cortex-A9相比，Exynos5250的3D性能将获得极大提升，比如在某些情况下3D性能提升达4倍之多。另外，三星电子也表示，Exynos5250将支持立体3D显示，它也支持WQXGA 2560x1600分辨率，使其成为理想的下一代智能手机处理器。三星Exynos5250芯片已经开始向相关厂商提供样品，计划在2012年第二季度大批量出货。在前年2011年11月底，三星发布了一款型号为Exynos 5250的新型处理器，如今，来自国外媒体的最新消息显示，三星将推出一款型号为Exynos 5450的处理器，相比Exynos 5250其性能更强。随着三星四核心新旗舰三星Galaxy S4的不断曝光，该机所使用的处理器也成为了人们猜测的重点。如果传言属实的话，那么这块Exynos 5450处理器将以速度最快、功耗最低的特征赢得更多人青睐。据悉，三星本打算将Exynos 5250芯片植入旗下的智能手机和平板电脑，但听说LG开始自主研发更强劲的四核处理器之后，这也就迫使三星电子不得不放弃最初的想法。三星于2013年中旬推出这款三星Galaxy S4，该机将采用5英寸Super AMOLED全高清显示屏，该机将采用三星电子自家生产研发的芯片型号Exynos 5410。

SoC｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

型号｜制程｜指令集｜架构｜核心｜频率 (GHz)

Exynos 5 Dual(Exynos 5250)｜32 nm HKMG｜ARMv7｜Cortex-A15｜2｜1.7｜ARM Mali-T604MP4@ 533 MHz; 68.224 GFLOPS｜32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3/DDR3 (12.8 GB/sec) or 533 MHz LPDDR2 (8.5 GB/sec)｜2012年第三季度｜Samsung Chromebook XE303C12,Google Nexus 10, Arndale Board,Huins ACHRO 5250 Exynos,Freelander PD800 HD,Voyo A15, HP Chromebook 11, Samsung Homesync

Exynos 5 Octa(Exynos 5410)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7big.LITTLE｜4+4｜1.6–1.2｜IT PowerVR SGX544MP3 @ 480 MHz 49 GFLOPS (532 MHz in some full-screen apps)｜32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3 (12.8 GB/sec)｜2013年第二季度｜Samsung Galaxy S4 I9500,Hardkernel ODROID-XU,Meizu MX3, ZTE Grand S II TD, iBerry CoreX8 3G

Exynos 5 Octa(Exynos 5420)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.8–1.9或1.3｜ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz; 109 GFLOPS｜32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3e (14.9 GB/sec)｜2013年第三季度｜Samsung Chromebook 2 11.6",Samsung Galaxy Note 3,Samsung Galaxy Note 10.1 (2014 Edition), Samsung Galaxy Note Pro 12.2, Samsung Galaxy Tab Pro (12.2 & 10.1), Samsung Galaxy Tab S 8.4, Samsung Galaxy Tab S 10.5, Arndale Octa Board

Exynos 5 Octa(Exynos 5422)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.9-2.11.3–1.5｜ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz (109 Gflops)｜32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3/DDR3 (14.9 GB/sec)｜2014年第二季度｜Samsung Galaxy S5 (SM-G900H),Odroid XU3/XU3-Lite

Exynos 5 Hexa(Exynos 5260)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜2+4｜1.7–1.3｜ARM Mali-T624 MP2@ 600 MHz｜32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3 (12.8 GB/sec)｜2014年第二季度｜Ramos S97, Galaxy Note 3 Neo (announced January, 31st 2014), Samsung Galaxy K zoom

Exynos 5 Octa(Exynos 5430)｜20 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.8–2.0或1.3–1.5｜ARM Mali-T628 MP6 @ 600 MHz; 122 GFLOPS｜32-bit dual-channel 1066 MHz LPDDR3e/DDR3 (17.0 GB/sec)｜2014年第三季度｜Samsung Galaxy Alpha（SM-G850F）, Meizu MX4 Pro，Samsung Galaxy A8（SM-A800F）

Exynos 5 Octa(Exynos 5800)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜4+4｜2.1–1.3｜ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz｜32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3/DDR3 (14.9 GB/sec)｜2014年第二季度｜Samsung Chromebook 2 13,3"

### Exynos 7系列

2014年下季度，三星在Exynos官网上公布了Exynos 7 Octa处理器，它是一款64位八核处理器，采用四核Cortex-A57+四核Cortex-A53组成的big.LITTLE架构，配合Mali-T760图形处理器，整体和Exynos 5433比较接近。Exynos 7 Octa支持HMP（异构多处理）技术，即可以“八核全开”，相对于Exynos 5 Octa（不包括Exynos 5433）将带来57%的CPU性能提升，Exynos 7 Octa支持三星20nm HKMG工艺。支持脸部甚至眼部识别技术。Exynos 7 Octa支持H.265（HEVC）硬件解码，支持WQHD（2560*1440）和WQXGA（2560*1600）分辨率的输出。并搭载双ISP，后置支持最高1600万（“5K”级别了）像素30帧视频，前置支持最高500万像素30帧视频。Exynos 7 Octa使用Mali-T760系列图形处理器，将带来74%的性能提升，如果这是相对于Exynos 5430上的Mali-T628 MP6的提升的话，这样的GPU性能将会比Exynos 5433还要强得多。

Exynos 7 Octa最初共有两款型号：Exynos 7410和Exynos 7420，两款芯片均为64位CPU。7410采用20nm工艺并支持big.LITTLE GTS技术；7420采用更先进的 14nm FinFET工艺，性能更强。Exynos 7885 为 Exynos 7880的强化版，CPU方面从原本8个A53小核提升到2个A73大核和6个A53小核，GPU方面也提升到较新的Mali-G71MP2。基带方面支持Cat.11标准，理论下载速度提升到600Mbps，上传150Mbps。Exynos9610被归类在Exynos7系列，规格又比Exynos 7885再提升一些。

SoC｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

型号｜制程｜指令集｜架构｜核心｜频率 (GHz)

Exynos 7 Octa(Exynos 5433/7410)｜20 nm HKMG｜ARMv8-A｜Cortex-A57+Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.9–1.3｜Mali-T760 MP6 @ 700 MHz; 206 GFLOPS (FP16)｜32-bits dual-channel 825 MHz LPDDR3 (13.2 GB/s)｜2014年第四季度｜Samsung Galaxy Note 4 (SM-N910C) Samsung Galaxy Note 4 (SM-N910U) Samsung Galaxy Note Edge Korea version (SM-N915S) (SM-N915K) (SM-N915L)、Samsung Galaxy A8 (SM-A800IZ)

Exynos 7 Octa(Exynos 7420)｜14 nmFinFET｜Cortex-A57+Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜2.1–1.5｜Mali-T760 MP8 @ 772 MHz｜32-bit dual-channel 1552 MHz LPDDR4 (24.88 GB/s)｜2015年第一季度｜Samsung Galaxy S6、Samsung Galaxy S6 edge、Samsung Galaxy S6 Edge Plus、Samsung Galaxy Note 5、Meizu Pro 5、Samsung Galaxy A8 (2016)

Exynos 7 Quad(Exynos 7570)｜14 nmFinFET｜Cortex-A53｜4｜1.4｜Mali-T720 MP1｜LPDDR3｜2016年第三季度｜Samsung Galaxy J3 Pro、Samsung Galaxy J4、Samsung Galaxy J6+

Exynos 7 Octa(Exynos 7580)｜28 nmHKMG｜Cortex-A53｜8｜1.6｜Mali-T720 MP2 @ 600 MHz｜64-bit (2x32-bit) dual-channel 933 MHz LPDDR3｜2015年第二季度｜Samsung Galaxy J7、Samsung Galaxy S5 Neo、Samsung Galaxy View、Samsung Galaxy A5 (2016)、Samsung Galaxy A7 (2016)

Exynos 7 Octa(Exynos 7870)｜14 nm LPP｜Cortex-A53｜8｜1.7｜Mali-T830 MP2 @ 700Mhz｜32-bit Single-channel 933 MHz LPDDR3｜2016年第一季度｜Samsung Galaxy J7(2016)、Samsung Galaxy J7 Prime、SAMSUNG Galaxy J7 Pro、Samsung Galaxy A3(2017)、Samsung Galaxy A6 (2018)、Samsung Galaxy J6

Exynos 5 Hexa (Exynos 7872)｜14 nm LPP｜Cortex-A73+Cortex-A53｜2+4｜2.0-1.6｜Mali-G71 MP1 @ 1.2Ghz｜64-bit (2x32-bit) dual-channel LPDDR3｜2018年第一季度｜Meizu M6s (魅族 魅蓝S6)

Exynos 7 Octa (Exynos 7880)｜14nm LPP｜Cortex-A53｜8｜1.87｜Mali-T830 MP3 @ 950Mhz｜64-bit (2x32-bit) dual-channel 1033MHz LPDDR3 (14.9 GB/sec)｜2016年｜Samsung Galaxy A7(2017)、Samsung Galaxy A5(2017)

Exynos 7 Octa (Exynos 7885)｜14nm｜Cortex-A73+Cortex-A53｜2+6｜2.2-1.6｜Mali-G71 MP2｜64-bit (2×32-bit) Dual-channel LPDDR4X｜2018年第一季度｜Samsung Galaxy A8(2018)、SAMSUNG Galaxy A7 (2018)、Samsung Galaxy A8+(2018)

Exynos 7 Series (Exynos 9610)｜10nm FinFET｜Cortex-A73+Cortex-A53｜4+4｜2.3-1.7｜Mali-G72 MP3｜64-bit (2×32-bit) Dual-channel LPDDR4X｜?｜Samsung Galaxy A50

### Exynos 800系列

2015年11月11日，三星在Exynos官网上正式公布新一代旗舰处理器Exynos 8890的部分资料。14mm FinFET LPP工艺制造，八核心big.LITTLE架构设计，首次采用四个自主定制的大核心（代号“猫鼬”的Samsung Mongoose，或称Samsung Exynos M1）+四个Cortex A53小核心，算是半自主架构。相比上一代Exynos 7420，性能提升30%以上，功耗降低10%。核心频率方面没有公布，GPU为Mali-T880，但后缀是“MP12”，开了12个核心（完整16个），性能自然有大幅度提升。基带方面与Snapdragon 820一样，支持Cat.12/Cat.13标准，理论下载速度提升到600Mbps，上传150Mbps。

SoC｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

型号｜制程｜指令集｜架构｜核心｜频率(GHz)

Exynos 8 OctaExynos M1(Exynos 8890)｜14 nmFinFET｜ARMv8-A｜Exynos M1+Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜2.3–1.6｜Mali-T880 MP12 @ 664,4 GFLOPS (FP16)Mali-T880 MP14（高级版） Mali-T880 MP10 (Meizu Pro6 Plus 64GB Version)｜64-bit dual-channel LPDDR4｜2016年第一季度｜Samsung Galaxy S7/S7 Edge/Note FE (国际版、韩版) Samsung Galaxy Note 7(停产) Meizu PRO6 Plus(64GB版为Mali-T880MP10 128GB版为Mali-T880MP12)

Exynos 880｜8nm LPP｜Cortex-A77 + Cortex-A55｜2 + 6｜2.0-1.8｜Mali-G76 MP5｜LPDDR4X｜2020 Q2｜vivo Y51s、vivo Y70s

### Exynos 900系列

2017年2月，三星在Exynos官网上正式公布新一代旗舰处理器Exynos 8895的部分资料，并纳入Exynos9系列。10nm FinFET LPE工艺制造，八核心big.LITTLE架构设计，仍然采用四个自主定制的大核心Exynos M2 +四个Cortex A53小核心，算是半自主架构。相比上一代Exynos 8890，性能提升27%以上，功耗降低40%。核心频率方面没有公布，GPU为Mali-G71，但后缀是“MP20”，开了20个核心（完整32个），跟上一代比较，性能提升60%以上。基带方面与Snapdragon 835一样，支持Cat.13/Cat.16标准，理论下载速度提升到1Gbps，上传150Mbps。

SoC｜CPU｜GPU｜内存技术｜供货时间｜应用装置

型号｜制程｜指令集｜架构｜核心｜频率(GHz)

Exynos 9 OctaExynos M2(Exynos 8895)｜10 nmFinFETLPE｜ARM架构｜Exynos M2 +Cortex-A53｜4+4｜2.3-1.7｜Mali-G71 MP20｜64-bit dual-channel LPDDR4X｜2017年第一季度｜三星Galaxy S8/S8+/Note 8 (国际版、韩版)、Meizu 15 Plus

Exynos 9 Series Exynos M3(Exynos 9810)｜10 nmFinFET LPP｜ARMv8.2-A｜Exynos M3 +Cortex-A55｜4+4｜2.9-1.9｜Mali-G72 MP18｜64-bit dual-channel LPDDR4X｜2018年第一季度｜三星Galaxy S9/S9+ (国际版、韩版)、三星Galaxy Note 9、三星Galaxy Note10 Lite

Exynos 9 Series 9820｜8nm LPP｜Exynos M4 (2 Cores) + Cortex-A75 (2 Cores) + Cortex-A55 (4 Cores)｜2+2+4｜2.7-1.9｜Mali-G76 MP12 @ 702 Mhz｜64-bit (4×16-bit) Quad-channel LPDDR4X｜2019年Q1｜三星Galaxy S10/S10+（国际版、韩版）

Exynos 9 Series 9825｜8nm LPU｜2.7-1.9｜Mali-G76 MP12 @ 754 Mhz｜2019年Q3｜三星Galaxy Note 10/10+（韩国、国际版本和5G版本）

Exynos 980｜8nm LPP｜ARM Cortex-A77 + Cortex-A55｜2 + 6｜2.2-1.8｜Mali G76 MP5｜LPDDR4X｜2019年Q4｜vivo X30、vivo X30 Pro、三星Galaxy A71 5G、vivo S6

Exynos 990｜7nm LPP(EUV)｜Exynos M5 +ARM Cortex-A76 + Cortex-A55｜2+2+4｜Mali G77 MP11｜LPDDR5｜2020年Q1｜三星Galaxy S20、三星Galaxy S20+、三星Galaxy S20 Ultra

### Exynos 1000系列

Exynos 10系列于2020年11月12日发布。

SoC｜中央处理器 (ARM架构)｜GPU｜内存技术｜人工智能加速器｜Modem｜连接性｜发布时间｜应用装置

型号｜半导体制程｜裸晶 Size (mm2)｜µarch｜频率(赫兹)｜Performance GFLOPS (FP32)｜Type｜Bus width (位元)｜电脑装置带宽列表 (吉字节/s)

Exynos 1080｜5纳米 LPE (EUV)｜1 + 3 + 4 cores (2.8 GHz ARM Cortex-A78 + 2.6 GHz Cortex-A78 + 2.0 GHz Cortex-A55)｜Mali G78 MP10｜LPDDR4XLPDDR5｜LTE DL: Cat.18 1200 Mbit/s, 6CA, 256-QAM UL: Cat.18 200 Mbit/s, 2CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 1.28Gbit/s 5G NR mmWave DL: 3.67Gbit/s UL: 3.67Gbit/s｜Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax｜2020 Q4｜vivo X60/vivo X60 Pro、vivo X70 Pro

Exynos 1280｜5纳米LPE (EUV)｜2 + 6 cores (2.4GHz ARM Cortex-A78 + 2.0GHz Cortex-A55)｜Mali G68 MP5

### Exynos 2000系列

Exynos 2000系列于2021年1月12日发布。

SoC｜中央处理器 (ARM架构)｜GPU｜内存技术｜人工智能加速器｜Modem｜连接性｜发布时间｜应用装置

型号｜半导体制程｜裸晶 Size (mm2)｜µarch｜频率(赫兹)｜Performance GFLOPS (FP32)｜Type｜Bus width (位元)｜电脑装置带宽列表 (吉字节/s)

Exynos 2100｜5nm LPE (EUV)｜1 + 3 + 4 cores (2.9 GHz Cortex-X1 + 2.8 GHz Cortex-A78 + 2.2 GHz Cortex-A55)｜Mali G78 MP14｜854｜1530｜LPDDR5｜64-bit (4×16-bit) 四通道｜3200 MHz (51.2GB/s)｜Triple NPU + DSP (26 TOPs)｜LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM UL: Cat.18 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 1.92Gbit/s 5G NR mmWave DL: 7.35Gbit/s UL: 3.67Gbit/s

Q1 2021｜、Samsung Galaxy S21、Samsung Galaxy S21+、Samsung Galaxy S21 Ultra

Exynos 2200 (S5E9925)｜4 nm (4LPE) (EUV)｜99.9｜1 + 3 + 4 cores (2.8 GHz Cortex-X2 + 2.5 GHz Cortex-A710 + 1.8 GHz Cortex-A510)｜Samsung Xclipse 920 (RDNA 2)｜1306｜1003｜Dual NPU + DSP｜LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM UL: Cat.22 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 2.55Gbit/s 5G NR mmWave DL: 7.35Gbit/s UL: 3.67Gbit/s｜Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax｜Q1 2022｜、Samsung Galaxy S22、Samsung Galaxy S22+、Samsung Galaxy S22 Ultra

Exynos 2400 (S5E9945)｜4 nm (4LPP+) (EUV)｜1 + 2 + 3 + 4 cores (3.2 GHz Cortex-X4 + 2.9 GHz Cortex-A720 + 2.6 GHz Cortex-A720 + 1.95 GHz Cortex-A520)｜Xclipse 940(RDNA 3)768:48:32:126 WGP)｜1109｜3,407｜LPDDR5X｜17K MAC NPU(2-GNPU+2-SNPU)和DSP + DSP｜LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM UL: Cat.22 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 9.64 Gbit/s UL: 2.55 Gbit/s 5G NR mmWave DL: 12.1 Gbit/s UL: 3.67 Gbit/s｜Q1 2024｜、三星Galaxy S24、三星Galaxy S24+

## 基本资料

- 日语原文：Samsung Exynos
- 产品化：2000年至今
- CPU主频范围：66
- CPU主频范围：MHz
- CPU主频范围：2.73
- CPU主频范围：GHz
- manuf1：三星电子
- 制作工艺/制程：90nm
- 制作工艺/制程：4nm
- 指令集架构：、ARMv4、ARMv5、ARMv6、ARMv7、ARM8-A
- 微架构：、Cortex A7、Cortex A8、Cortex A9、Cortex A15、Cortex A53、Cortex A55、Cortex A57、Cortex A73、Cortex A75、Exynos Mongoose 1 (M1)、Exynos Mongoose 2 (M2)、Exynos Mongoose 3 (M3)、Exynos Mongoose 4 (M4)、Exynos Mongoose 5 (M5)
- 核心数量：、1（Single）、2（Dual）、4（Quad）、6（Hexa）、8（Octa）