美光科技

美光科技公司（Micron Technology, Inc.）是一家美国跨国半导体公司，设计与制造电脑内存和资料储存产品，主力包括动态随机存取内存（以下简称为DRAM）、闪存、高带宽内存与固态硬盘。公司于1978年创立于美国爱达荷州波夕，是美国唯一的主要电脑内存制造商。

美光长期以Crucial（中国大陆译英睿达）品牌行销消费性内存与固态硬盘，并以子品牌Ballistix锁定电竞市场，然而在人工智能带动资料中心内存需求大幅成长后，公司于2026年2月结束消费业务、聚焦企业与资料中心市场。美光曾与英特尔合资成立IM Flash Technologies生产NAND型闪存，并于2006年至2017年间拥有记忆卡品牌雷克沙。桑贾伊·梅洛特拉自2017年起出任美光总裁兼首席执行官。

美光的营运深受内存产业景气循环影响，价格与获利随景气循环剧烈波动：2023财政年度因产业低谷出现逾58亿美元的净亏损，执行长形容为内存业十三年来最严峻的衰退。随后在人工智能需求带动下大幅回升，2025财政年度营收达373.8亿美元的历来新高，较前一年成长近五成；2026年5月26日，美光股价单日上涨约一成九，市值首度突破1兆美元。

在地缘政治层面，美光是美中科技角力的焦点之一。2017年，美光控告中国大陆与台湾业者窃取其DRAM营业秘密；2023年，中国大陆以国家安全为由禁止关键资讯基础设施采购其产品，外界多视为对美方半导体出口管制的报复。另一方面，身为唯一的美国本土内存制造商，美光借由美国《芯片与科学法案》的补助，于美国本土及新加坡、日本、印度等地展开总额逾2000亿美元的扩厂投资。

## 历史

### 创立与美日内存大战（1978年–1980年代）

美光于1978年10月5日创立于爱达荷州波夕。三名离开莫斯泰克的设计工程师沃德·帕金森（Ward Parkinson）、丹尼斯·威尔逊（Dennis Wilson）与道格·皮特曼（Doug Pitman），连同沃德的双胞胎兄弟、原任华尔街律师的乔·帕金森，在一间牙医诊所的地下室里以四人之姿创办这家半导体设计顾问公司。公司起步时仅有约900万美元资本，远低于半导体业通常认为至少需要1亿美元的门槛。创业资金来自当地多位爱达荷州商人，其中以马铃薯事业致富的亿万富翁J·R·辛普劳（J. R. Simplot）为最重要的投资人；据《芯片战争》作者克里斯·米勒记述，辛普劳最初投入约100万美元，最终增值为价值十亿美元的持股。1981年，公司由设计顾问转型为制造商，第一座晶圆厂落成并开始生产64K DRAM芯片。

1984年，美光在那斯达克挂牌上市，当年以8400万美元营收创造2900万美元的税后盈余。然而随即而来的内存价格大幅下跌，公司经营一度陷入困难。1980年代中期，美光在日本厂商主导的市场中艰困经营：面对日本业者的低价倾销，美光奉行“以最低成本生产最高品质产品”的经营哲学，凭借较小的晶粒面积压低成本，其芯片一度较摩托罗拉的产品小四成、较日立小一成五。1985年秋，美光带头对六家日本电子公司提起价值3亿美元的反倾销与反垄断诉讼。美国商务部其后于1986年6月应美光请愿，对日本DRAM展开反倾销调查；该争端最终促成1986年的《美日半导体贸易协定》。

### 规模扩张与多角化（1990年代–2011年）

1994年，创办人乔·帕金森卸任首席执行官，由史蒂夫·阿普尔顿接任董事长兼首席执行官，主导公司其后十余年的扩张。1990年代后期，美光趁个人电脑普及的荣景持续透过并购壮大规模。同样在1996年，美光成立消费部门“Crucial Technology”，首度直接向终端消费者销售内存升级模组，标志其正式跨入消费市场，此即日后Crucial品牌的起点。美光在这段期间规模最大的并购，是1998年10月收购德州仪器的半导体内存事业。依交易条件，德州仪器取得约2890万股美光股票（价值约8.81亿美元）、约7.4亿美元的票据与一笔2.1亿美元的次顺位票据；美光则一举取得意大利阿韦扎诺、美国德州理查森，以及新加坡、日本等地的晶圆厂与封测设施，大幅扩充其全球产能与客户基础。

进入二十一世纪，美光由制程技术创新驱动成长，并逐步跨足闪存与消费产品。2000年代初，公司工程师古尔捷·辛格·桑杜等人投入原子层沉积高介电常数薄膜的研发，协助DRAM以更低成本量产；桑杜并开创出间距加倍制程，大幅缩小NAND闪存的线宽。

2006年，美光与英特尔合资成立IM Flash Technologies，双方各投入约12亿美元，于犹他州里海生产NAND闪存；这项合资其后成为两家公司共同开发新型内存的平台，并于2015年发表号称速度远胜传统闪存的3D XPoint技术。同年6月，美光以约8.5亿美元收购快闪记忆卡制造商雷克沙。2008年金融海啸期间，内存售价大幅下跌，美光宣布两年内裁员一成五（当时全球约有23,500名员工），并暂停部分NAND产能。2010年2月，美光宣布以约12.7亿美元的全股票交易收购由英特尔、意法半导体与私募基金共同持有的闪存商Numonyx，并于同年5月完成交割，进一步扩大其NOR与NAND闪存版图。

### 整并、领导更迭与人工智能转型（2012年至今）

<image>

2012年2月3日，执行长阿普尔顿驾驶实验性飞机自波夕机场起飞后不久坠毁身亡，得年51岁，营运长马克·德肯随即接任首席执行官。同年7月，美光宣布收购尔必达。这家日本最后的主要DRAM厂在社长坂本幸雄主导下于2012年初声请破产保护，为当时日本史上规模最大的制造业破产案之一。整笔交易总对价约2000亿日圆（约25亿美元），其中取得尔必达百分之百股权的对价约600亿日圆（约7.5亿美元），其余为分期至2019年支付的款项。2013年7月收购完成后，美光连同尔必达与其在台合资厂瑞晶电子（Rexchip）每月可多产逾18.5万片300毫米晶圆，产能增加约45%，全球DRAM市占升至约25%、与SK海力士相当而仅次于三星的42%。透过尔必达，美光成为苹果公司iPhone与iPad的重要内存供应商。2016年12月，美光以约40亿美元完成对台湾华亚科技的全面收购；华亚科原为南亚科技与英飞凌（后由奇梦达承接）于2003年成立的合资厂，美光自2008年起即持有其部分股权。经过这一轮整并，全球DRAM市场形成三星、SK海力士与美光三强鼎立的格局。

2017年4月，美光宣布由晟碟共同创办人桑贾伊·梅洛特拉接替马克·德肯出任总裁兼首席执行官，自同年5月8日生效。同年6月，美光结束雷克沙的零售业务，该品牌其后由中国深圳的闪存业者江波龙收购。2021年3月，美光宣布终止与英特尔合作开发的3D XPoint内存，并于同年10月将里海晶圆厂以9亿美元现金售予德州仪器。

2020年代中期，人工智能运算对高带宽内存的需求成为美光成长的主要动力。随着美国《芯片与科学法案》通过，美光宣布在美国本土及海外投入大笔资金扩厂。2025年12月，美光宣布退出以Crucial品牌经营的消费内存业务，将产能转向资料中心与企业客户。执行阶层称公司产能“供不应求”，并预估高带宽内存的潜在市场规模到2028年将达1000亿美元、年复合成长率约四成；2026年的HBM产能更已全数透过协议锁定。2026年5月26日，受人工智能内存需求带动，美光股价单日上涨约一成九，市值首度突破1兆美元；投资银行瑞银同步将其目标价自每股535美元上调至1,625美元。

## 产品与技术

<image>

<image>

美光的核心产品是两大类半导体内存。内存采晶圆厂大量生产，属高度标准化的商品，价格与获利随供需大幅波动而呈现明显的景气循环，是美光营运的一大特征；公司在2023财政年度的低谷一度净亏损逾58亿美元。

### 动态随机存取内存

DRAM是美光营收占比最高的产品。在这个由三星电子、SK海力士与美光主导的寡占市场中，据TrendForce统计，2025年第四季三星以36%的DRAM营收市占居首，SK海力士为32.1%，美光则为22.4%。制程技术上，DRAM厂商约自2010年代中期起不再公布实际奈米数，改以世代代号标示。美光以希腊字母标示的10奈米级世代包括1α（1-alpha，2021年量产）、1β（1-beta，2022年）与1γ（1-gamma，2025年，即10奈米级第六代）。美光是三大DRAM厂中最晚导入极紫外光微影者，1α与1β世代均以深紫外光多重曝光达成，直到2025年的1γ世代才将EUV用于量产；该世代率先于日本与台湾的晶圆厂导入，美光并宣称为业界首家送出1γ DRAM样品的厂商。

### NAND闪存

NAND闪存方面，美光在堆叠层数上一度居于领先。2022年，美光推出业界首款232层3D NAND，单位面积位元密度较前一代176层产品高出逾45%，单颗芯片容量达1 Tb。其后的世代改采取代式闸极（replacement gate）结构（以金属字元线取代多晶硅），降低字元线电阻并支援更高层数堆叠，第九代（G9）NAND于2024年7月量产，率先应用于Micron 2650 NVMe固态硬盘。不过在NAND整体营收市占上，据TrendForce统计，美光2025年第二季约为13.3%，居第四位。

### 高带宽内存

高带宽内存是2020年代美光成长最迅速的产品线。2024年2月，美光宣布量产供辉达H200加速器使用的24 GB八层HBM3E，打破SK海力士先前的独家供应，并标榜功耗较对手低三成。其后推出的12层（12-Hi）HBM3E较业界标准的八层版本容量增加五成、功耗降低约两成，并同时供应辉达的Blackwell平台与AMD的MI350加速器。在下一代HBM4上，美光于2026年第一季进入量产，供应辉达的Vera Rubin平台，宣称每接脚资料传输率逾每秒11 Gb、带宽超过每秒2.8 TB，为HBM3E的2.3倍。在需求强劲下，美光表示2026年的HBM产能已全数透过协议锁定价格与数量。

### 绘图内存

美光在绘图内存（GDDR）领域占有独特地位。2020年9月，美光与辉达合作，于GeForce RTX 3090与RTX 3080绘图卡上首发GDDR6X，并透过四阶脉冲振幅调变达成领先业界的带宽。GDDR6X未经JEDEC标准化，且由美光独家为辉达生产。2024年，美光推出采用PAM3讯号的GDDR7，每接脚资料速率达每秒32 Gb。

### 制程技术与研发

美光的制程创新长期由技术院士古尔捷·辛格·桑杜主导。桑杜自2000年起推动原子层沉积高介电常数薄膜，使DRAM电容得以微缩，并发明间距加倍制程，大幅缩小NAND的线宽；他持有逾1300项美国专利，是美国史上最多产的发明人之一。2025年2月，美光成为业界首家出货采用EUV的1γ DRAM样品的厂商，较前一代每片晶圆位元产出提升逾30%。

### 固态硬盘与消费品牌

美光也生产企业级与消费级固态硬盘。2026年，美光的9650系列量产，成为业界首款以PCIe Gen6界面大量出货的资料中心固态硬盘，循序读取速度达每秒28,000 MB。在消费市场方面，源自1996年消费部门的Crucial品牌经营消费级DRAM模组与固态硬盘近三十年，并自称是最早直接向消费者销售内存的公司，亦以子品牌Ballistix锁定电竞客群（已于2022年停止）；随着公司聚焦人工智能与资料中心，Crucial于2026年2月正式退场。

## 全球设施

截至2026年，美光在全球设有15座制造厂、13座客户实验室与21处设计中心，分布于美国、印度、日本、马来西亚、新加坡、台湾与中国等七个国家或地区。大致而言，先进DRAM的晶圆制造集中于台湾、日本与美国，NAND晶圆制造以新加坡为核心，封装测试则分布于台湾、新加坡、中国西安与印度等地。

### 美国

美光位于爱达荷州波夕的总部同时设有DRAM晶圆厂与研发中心。2022年宣布的波夕新厂是美国二十年来首座新建的内存制造厂，预计2027年下半年量产。2025年6月，美光宣布在美国的投资承诺总额扩大至约2000亿美元，其中约1500亿美元用于制造、500亿美元用于研发，预计创造约9万个直接与间接职位。维吉尼亚州马纳萨斯（Manassas）厂生产1α DRAM，主要供应工业、汽车、国防、航太与医疗等需长期供货的关键产业，并获《芯片法案》2.75亿美元补助以扩产。在纽约州克莱，美光于2022年10月宣布规划投资约1000亿美元、兴建大型晶圆厂园区。2024年12月，美国商务部依《芯片法案》核定提供美光最高61.65亿美元的直接补助（纽约46亿、爱达荷15亿美元）；其后美光将约12亿美元由纽约转拨爱达荷以加速第二座厂，纽约首座厂的量产则延至2030年。犹他州里海厂原为IM Flash合资厂与3D XPoint的生产基地，已于2021年以9亿美元售予德州仪器。

### 台湾

<image>

台湾是美光全球最大的制造基地，也是其DRAM生产的核心。据美光台湾董事长卢东晖表示，美光逾六成的DRAM晶圆在台湾制造，台湾为其全球最大的生产据点。美光于2017年宣布在台湾设立“DRAM卓越中心”（Center of Excellence），并称台湾是其最大的外商投资者与雇主。截至2026年1月，美光在台累计投资达新台币1.4兆元（约438.8亿美元），为台湾最大的外商投资者；其在台员工由2020年代初的逾万人持续成长，并计划于2026年底增至约15,000人，行政院长卓荣泰称台湾是美光全球最大的制造基地。

美光在台湾的厂区源自一连串对台湾内存业者的收购。2013年，美光透过收购日本尔必达，一并取得位于台中的瑞晶电子；2016年，美光以约40亿美元全资收购华亚科技；2017年再以约8920万美元标下达鸿先进科技的资产，作为后段封装测试基地。其台中厂区（含A3厂）生产先进制程DRAM，为美光最早量产1γ制程的基地之一。2023年启用的台中四厂导入先进封装测试（AATT），支援HBM3E产能，使台湾成为美光唯一能进行HBM垂直整合的生产基地；执行长梅洛特拉称“台湾美光会是这一切的核心”。

2026年1月，美光宣布以18亿美元现金收购力积电位于苗栗铜锣的P5厂区，并于同年3月完成交割；该厂拥有约30万平方英尺的300毫米无尘室、距台中厂区约15英里，预计2028财政年度起支援具规模的量产，美光并计划于2026财政年度底前动工兴建第二座晶圆厂。在政府支持上，台湾经济部于2025年底透过“A+企业创新研发计划”核定补助美光新台币47亿元（总经费117.54亿元），预估可衍生逾8000亿元产值与逾2万个就业机会。不过，在美国《芯片法案》推动制造回流的政策下，美光开始将部分DRAM产能自台湾分散至海外其他地区；集邦科技分析师王豫琪指出，美光当前DRAM产能“仍以台湾为重心”，但在政策导向下“台湾的产出比重预期可能逐年减少”。

### 其他亚洲据点

新加坡是美光重要的NAND生产基地。2025年初，美光于当地动工兴建一座高带宽内存先进封装厂，投资约70亿美元、预计2026年投产，是新加坡首座同类设施；2026年1月，美光进一步宣布投资约240亿美元扩建新加坡的NAND晶圆产能。日本广岛厂生产先进DRAM，并引进EUV技术，这也是EUV首次在日本用于量产；2025年9月，日本经济产业省宣布为广岛厂导入1γ制程与HBM的投资提供最高5360亿日圆的补贴，美光在当地的总投资规模上看1.5兆日圆；有报导指美光规划在广岛兴建一座约96亿美元的HBM新厂。美光在中国西安设有封装测试厂，2023年宣布投资约43亿人民币（约6亿美元），并收购力成科技的西安厂房资产、新增约500个职位。2026年，美光在印度古吉拉特邦萨南德的封装测试厂开幕，为印度首座商用半导体封测厂，投资约27.5亿美元，将美光全球制造网络的DRAM与NAND晶圆加工为成品。

## 供应链与合作伙伴

作为整合元件制造商，美光自行设计并生产芯片，但其先进制程高度仰赖少数半导体设备供应商，包括微影设备龙头艾司摩尔以及应用材料、科林研发、东京威力科创等。美光的首套EUV设备于2024年装设于日本厂，并计划于日本与台湾的晶圆厂陆续增设。2026年3月，美光与应用材料宣布合作，结合应用材料位于硅谷、规划投资约50亿美元的EPIC研发中心与美光在波夕的创新中心，共同开发次世代人工智能内存。

在下游，美光与人工智能芯片商建立紧密的供应关系，其HBM产品供应辉达与AMD的加速器。美光与英特尔的合作则历时较久：两家公司2006年合资成立IM Flash生产NAND，2015年共同发表3D XPoint内存；2018年双方终止共同开发，美光以约15亿美元买断英特尔在合资企业中的股权。

## 市场与竞争

### 主要客户与区域市场

美光的客户涵盖个人电脑、服务器、智能手机、汽车与工业等领域的设备制造商与云端服务业者，营收相对集中于少数大型客户，据其向美国证券交易委员会提交的年报，前十大客户合计约占其营收的半数。随着人工智能兴起，美光的营收结构明显向资料中心倾斜：公司于2025年宣布退出Crucial消费业务、全力转向企业与资料中心市场，其云端内存部门营收在该年某季较去年同期成长达213%。在高带宽内存方面，辉达与AMD等绘图处理器与特殊应用芯片业者是主要买家，美光表示已向四家GPU与ASIC客户大量出货HBM，其HBM3E与HBM4分别打入辉达的H200、Blackwell与Vera Rubin平台以及AMD的MI350加速器。在行动与消费领域，美光长期供应苹果公司等品牌的内存，然而随策略重心转向资料中心，消费性业务比重已下降。

地理上，美国、台湾、中国大陆与其他亚洲市场长期是美光重要的营收来源地。中国大陆市场在2023年的禁令后快速萎缩：美光来自中国大陆的营收约34亿美元、约占总营收的12%，公司并于2025年宣布退出在中国的服务器芯片业务，使相关营收进一步流向三星、SK海力士与中国本土厂商。为分散地缘政治风险，美光近年逐步将DRAM产能自台湾分散至日本与美国等地；集邦科技分析师王豫琪指出，美光当前DRAM产能“仍以台湾为重心”，但在美国政策导向下“台湾的产出比重预期可能逐年减少”。

### 竞争格局

<image>

美光是全球DRAM市场的三大厂之一，与三星电子、SK海力士共同形成寡占格局。其DRAM营收市占约在二至三成之间，并在2020年代中期人工智能需求带动下回升，2025年第三季升至25.7%、单季提升3.7个百分点，缩小与两家韩国对手的差距。在资本支出上，吸取2017年至2018年因激进扩产而引发崩跌的教训，美光与同业同样转趋重视产能纪律、将投资导向制程升级与先进封装；然而据TrendForce估计，美光是2026年DRAM资本支出最积极的业者，年增约两成三至约135亿美元。在制程上，美光在2025年率先送出采用EUV的第六代（1γ）DRAM样品，扭转其先前在EUV导入上落后对手的形象；同期SK海力士以1b制程生产HBM4，三星则力图改采更先进的1c节点以缩小差距（三家厂商命名体系不同：美光1α/1β/1γ约略对应SK海力士与三星的1a/1b/1c，同一字母代表同一世代）。

高带宽内存是美光近年最关键的成长动力，也是其与对手竞争最激烈的战场。美光进入HBM市场较晚、市占偏低，据Counterpoint Research统计，2025年第二季美光约占HBM市场的21%，落后居首的SK海力士（62%），但已超越三星（17%）。为突围，美光以低功耗与良率作为差异化策略：其HBM3E功耗估计较对手低约三成，12层版本较业界标准八层容量增加五成、功耗降低约两成。2024年，美光率先量产供辉达H200使用的HBM3E、打破SK海力士先前的独家供应，其后并打入辉达Blackwell与AMD MI350平台。相较之下，居领先的SK海力士凭借MR-MUF封装技术与和台积电合作制造逻辑基底晶粒（base die）的策略长期居于领先，三星则因HBM3E多次未通过辉达认证而一度受挫；Counterpoint分析师崔正具（Choi Jeong-ku）认为，三星的HBM销售“似已在2025年第一季触底并出现回升迹象”，但要夺回市占“关键在于通过辉达严苛的品质测试”。

进入次世代HBM4，美光于2026年第一季宣布量产，供应辉达的Vera Rubin平台。美光的HBM4竞争力一度引发分析师分歧：研究机构SemiAnalysis因美光自制基底晶粒的速度表现不佳，将其对辉达HBM4的供给预估下修至零；瑞穗证券分析师乔丹·克莱因（Jordan Klein）则持相反看法，认为“向辉达或AMD供应HBM4并非零和赛局，需求超过供给”，预期包括美光在内的三家业者最终都将通过认证并出货。整体而言，TrendForce预期SK海力士仍可维持逾五成市占，美光与三星的后续表现则取决于良率与产能的改善。展望未来，随着辉达推动16层HBM，美光等业者面临更高的技术门槛，韩国半导体产业协会副会长安基铉（Ahn Ki-hyun）即指出“由12层转进16层在技术上远比由8层转12层困难”，各家的封装路线选择将左右后续胜负。

美光在HBM上的落后，部分源自2010年代初的一场内存标准之争。2011年，美光与三星电子等业者发起“混合内存立方体联盟”，推动一种名为混合内存立方体（以下简称HMC）的3D堆叠内存：它将多片DRAM晶粒以硅通孔堆叠于一片逻辑基底晶粒之上，由逻辑层负责定序、刷新、错误更正与对外封包化的高速串列界面。首批产品于2013年问世，单颗带宽达每秒160 GB、约为当时DDR3模组的15倍，每位元耗能并降低约七成。然而HMC最终不敌对手阵营的HBM：HBM透过硅中介层紧贴运算芯片、延迟与整合度更佳，又被JEDEC采为产业标准并获辉达、AMD等GPU业者采用，HMC则因内存距运算芯片较远而失去部分优势。美光遂于2018年放弃HMC、转投HBM与GDDR；此一押注被视为使其在HBM起步落后SK海力士与三星，直到近年才急起直追。HMC的实际采用仅限于少数高效能运算产品，如富士通的SPARC64 XIfx处理器。

在NAND闪存市场，美光则面对三星、SK海力士（含其收购的Solidigm）、铠侠与SanDisk等对手的竞争，2025年市占约一成三、居第四。此外，获中国政府大力支持的本土厂商长江存储与长鑫存储正快速崛起，积极扩张产能，逐步侵蚀既有大厂的市占，被视为长期威胁。

## 公司事务

### 领导层与治理

美光于德拉瓦州注册、总部设于爱达荷州波夕，采单一董事会制。2025年1月，长期担任董事长的罗伯特·斯威兹（Robert E. Switz）退休，改由总裁兼执行长桑贾伊·梅洛特拉兼任董事长，并由林恩·杜格尔（Lynn A. Dugle）出任首席独立董事。其八名董事中有七名为独立董事，成员包括前英特尔执行长鲍勃·史旺等；董事会下设审计、薪酬、治理与永续、财务，以及在科技业中较为少见、专责监督资安与实体安全的“安全委员会”。

执行领导团队由梅洛特拉领军。梅洛特拉是闪存商晟碟的共同创办人，曾带领晟碟成长为财星500大企业、并于2016年以约190亿美元出售予威腾，2017年起执掌美光，持有逾70项专利，并于2022年获选美国国家工程院院士；其2024财政年度总薪酬约3006万美元。团队其他主要成员包括财务长马克·墨菲（Mark Murphy）、全球营运执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）、技术与产品长史考特·德波尔（Scott DeBoer）、业务长苏米特·萨达纳（Sumit Sadana）、人资长阿普丽尔·阿恩岑（April Arnzen）与法务长麦可·雷（Michael Ray）等。2025年，美光将营运重组为云端内存、核心资料中心、行动与用户端、汽车与嵌入式四大事业部，以对应人工智能带动的市场区隔，各事业部均向萨达纳汇报。

美光股票于那斯达克挂牌（代号MU），并为纳斯达克100指数与标准普尔500指数成分股。美光的股权主要由机构投资人持有，截至2023年底，最大股东先锋集团与贝莱德分别持股约8.6%与7.7%。美光在全球设有约二十家法律实体子公司，涵盖新加坡、日本、台湾、马来西亚、英国、荷兰与印度等地。

### 财务

年度｜营收｜净利

2025｜37,378｜8,539

2024｜25,111｜778

2023｜15,540｜−5,833

2022｜30,758｜8,687

2021｜27,705｜5,861

美光的获利呈现显著的景气循环。2018财政年度，公司因内存价格上涨缔造逾141亿美元的净利；2023财政年度则因产业低谷，营收由前一年的307.6亿美元下降至155.4亿美元，并出现约58.3亿美元的净亏损，执行长形容为内存业十三年来最严峻的衰退。随后在人工智能需求带动下，美光营收大幅回升，2025财政年度营收达373.8亿美元、较前一年的251.1亿美元成长约49%，公认会计原则净利85.4亿美元，营业现金流175.3亿美元，毛利率回升至约四成。

美光的营运高度资本与研发密集。为维持制程竞争力，公司每年投入可观的研究发展经费与资本支出；在人工智能需求快速成长下，其2026财政年度的资本支出计划由原先的180亿美元上修至约200亿美元，主要投入HBM与先进DRAM产能。随着人工智能带动“内存超级循环”，分析机构普遍上调对美光的展望：市场研究机构Aletheia Capital于2026年中预估，内存在人工智能硬件系统中的价值占比将由2025年的四成中段升至2027年的七成以上，HBM平均售价亦可能在2027年较前一年翻倍。

### 永续发展

2022年，美光承诺在2050年前使其全球营运（范畴一）与外购能源（范畴二）达到净零排放，并设定到2030年将范畴一排放较2020年基准减少42%的目标。美光已使马来西亚营运采用100%再生能源，并计划于2025年底前使美国营运亦全面采用再生电力；据其2024年永续报告，2023年范畴一排放较2020年基准减少约11%。

### 员工与企业文化

截至2026年，美光在全球约有56,000名员工，营运据点涵盖15座制造厂、13座客户实验室与21处设计中心，分布于美国、印度、日本、马来西亚、新加坡、台湾与中国等七个国家或地区。公司总部所在的爱达荷州波夕是其发源地与最大研发基地，美光长年是当地最重要的民间雇主之一，其扩厂计划对地方经济具显著影响。在台湾，美光自1994年设立办公室以来持续深耕，员工已逾万人，并计划增至约15,000人。

### 荣誉与奖项

美光长期重视专利布局，据公司资料累计获得逾六万项专利，并名列2026年《财富》美国500大企业第125名。公司技术院士古尔捷·辛格·桑杜于2018年获颁IEEE安德鲁·葛洛夫奖，以表彰其对使DRAM与NAND内存芯片得以微缩的硅CMOS制程技术之杰出贡献。2023年，执行长梅洛特拉获半导体产业协会颁发象征业界最高荣誉的罗伯特·诺伊斯奖（Robert N. Noyce Award）。美光并于2025年重新入选克拉里维特的“全球百大创新机构”。

## 出口管制与地缘政治

身为唯一的美国本土主要内存制造商，美光长期处于美中科技角力的核心。执行长梅洛特拉曾称，公司“具备掌握人工智能机遇的独特地位”；美国商务部亦以“唯一的美国本土内存制造商”形容其战略地位。战略暨国际研究中心的分析指出，由于高带宽内存是人工智能运算的关键瓶颈，“管制HBM技术可能比仅管制绘图处理器更为有效”，凸显美光等内存厂在AI供应链中的枢纽地位。智库新美国安全中心则指出，华府正设法扶植美光等本土内存业者，以避免过度依赖三星与SK海力士、加深对外国供应的倚赖。

### 芯片法案与在美投资

<image>

为强化美国本土的内存制造，美光成为《芯片与科学法案》的主要受益者之一。2024年12月，美国商务部核定提供其最高61.65亿美元的直接补助。2025年6月，美光进一步将在美投资承诺扩大至约2000亿美元，涵盖爱达荷州与纽约州的晶圆厂以及维吉尼亚州的扩产。美国政府表示，此举可望使美国尖端内存制造的全球占比由当时不到2%提升至2035年的约一成；白宫并强调尖端内存芯片对人工智能等先进技术至关重要。美光在日本、新加坡与印度的扩厂，亦多获当地政府补贴与政策支持，反映各国在地缘政治下对内存供应链安全的重视。

### 福建晋华与联华电子案

2017年12月，美光在美国加州北区联邦地方法院控告联华电子与中国国有企业福建晋华窃取其DRAM营业秘密。2018年7月，福州中级人民法院反向裁定美光部分产品在中国侵权并一度发出禁售令，美光法务副总约尔·波本（Joel Poppen）回应称“对福州法院的裁定感到失望”，并指其程序有失公正。同年10月，美国商务部将福建晋华列入实体清单，理由是其“对美国国家安全利益构成重大风险”；11月，美国司法部依《经济间谍法》对福建晋华、联华电子等提起刑事起诉，时任司法部长杰夫·塞申斯称“全球DRAM供应市场价值近500亿美元，美光掌握其中约两成至两成五”，并表示“够了就是够了”。2020年10月，联华电子认罪并同意支付6000万美元罚金，副司法部长杰佛瑞·罗森（Jeffrey Rosen）称“联电窃取美国内存领导者的营业秘密，以助中国达成内存自给自足的战略目标”。2023年12月，美光与福建晋华达成全球和解、互撤所有诉讼；2024年2月，旧金山联邦地院法官麦馨·切斯尼在无陪审团审判中认定检方证据不足，判决福建晋华无罪。

### 中国市场禁令与长江存储诉讼

2023年5月21日，中国国家网信办以美光产品“存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险”为由，要求中国国内关键资讯基础设施的运营者停止采购美光产品。网信办并未具体说明所发现的风险细节。战略暨国际研究中心的分析认为，许多美国观察家与决策者视此举为对美方限制中国取得先进半导体技术的“报复”，并评估禁令对美光的实际损害有限，更可能意在离间美国与韩国。同年11月，中国内存大厂长江存储在美国加州法院控告美光侵害其八项3D NAND专利，并于2024年7月另案主张美光侵害其十一项专利。受中国禁令影响，美光于2025年宣布退出在中国的服务器芯片业务；美光来自中国大陆的营收约为34亿美元，约占其总营收的12%，此举被认为有利于三星、SK海力士及长江存储、长鑫存储等对手。

## 争议

### DRAM价格操纵

2000年代初，美国司法部侦办一起跨国DRAM价格操纵卡特尔，认定多家业者在1999年至2002年间共谋抬价。英飞凌于2004年认罪并支付1.6亿美元罚金；美光则因率先检举并配合调查而取得宽恕、未遭刑事处罚。戴尔创办人麦可·戴尔曾将涉案业者形容为“卡特尔”。2018年，中国市场监管机构对三星、美光与SK海力士展开反垄断调查，称握有“大量证据”，三家业者当时合计约占全球DRAM市场九成。在美国，多名采购商提起的反垄断集体诉讼则于2022年遭联邦上诉法院判三家业者胜诉。

### 兰巴斯专利诉讼

美光与内存技术授权商兰巴斯的诉讼战延续逾十年，核心争点在于兰巴斯是否于参与JEDEC标准制定时隐匿其专利布局。2008年，美国哥伦比亚特区巡回上诉法院在兰巴斯诉联邦贸易委员会一案中，撤销联邦贸易委员会对兰巴斯垄断的认定。另一方面，在美光与兰巴斯于德拉瓦州的诉讼中，法院认定兰巴斯在预期兴讼之际销毁大量文件（其“销毁日”活动估计毁弃9000至18000磅文件、并抹除1269卷备份磁带中除一卷外的全部资料），构成证据湮灭。

### Netlist专利诉讼

2024年5月，美国德州东区联邦地方法院的陪审团认定美光的DDR4内存模组产品故意侵害Netlist公司的两项专利，判美光须赔偿约4.45亿美元（其中一项专利2000万美元、另一项4.25亿美元）。陪审团并认定美光属故意侵权，法官可据此将赔偿额最多提高至三倍。该判决于2025年6月经法院维持。

## 基本资料

- 日语原文：美光科技公司
- 英文名：Micron Technology, Inc.
- 说明：美光位于圣荷西的园区
- 公司类型：上市公司
- 股票代号：MU、纳斯达克100指数成分股、标准普尔500指数成分股
- 产业：半导体
- 成立：1978年10月5日，美国爱达荷州波夕
- 创办人：沃德·帕金森、乔·帕金森、丹尼斯·威尔逊、道格·皮特曼
- 总部：美国爱达荷州波夕
- 业务范围：全球
- 代表人物：桑贾伊·梅洛特拉（董事长、总裁兼执行长）、马克·墨菲（财务长）
- 产品：动态随机存取内存、闪存、高带宽内存、固态硬盘
- 营收：374亿（2025年）
- 息税前利润：97.7亿（2025年）
- 净利润：85.4亿（2025年）
- 总资产：828亿（2025年）
- 资产净值：542亿（2025年）
- 所有权者：先锋集团（约8.6%）、贝莱德（约7.7%）
- 员工人数：约56,000人（2026年）