钜景科技

钜景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立于2002年。是一间专精于提供SiP和MCP微型化解决方案之IC整合设计公司。2005年钜景针对消费性电子轻薄短小的诉求，研发MCP系列产品，并于当年度上市销售；2006年至2008年间，钜景成功进入数码相机的MCP市场；2008年度MCP产品的销售更达到12Mpcs。在全球的数码相机MCP市场上，已拥有10%的市场占有率，是台湾致力于研发MCP和SiP的领导厂商。

2019年，钜景科技股份有限公司更名为沃福仕股份有限公司，ChipSiP继续保留为产品品牌，将继续利用多年来累积深厚微型化系统的设计与整合经验，为客户提供多元的客制化需求元件，开拓多样化的终端产品应用领域，满足客户需求为优先，不断追求创新，坚持最佳品质。我们带领精实敏捷的专业团队，将持续与全球客户、厂商维持稳定信任的合作伙伴关系，在设计整合的服务中努力精进，共同面对机会与挑战，展现优质的产业竞争力，优化全球性市场的占有率。

## 产品列表

钜景多年发展SiP和MCP产品，拥有超过10年以上之RF、逻辑等元件设计与整合经验，并建立庞大之晶圆数据库与封装资源整合能力，有效运用SiP技术为客户提供标准与客制化产品服务。

### MCP系列产品

在2008年5月钜景发表全球第一个的9X9mm封装的闪存(Nand flash)加上动态存取内存(DDR/DDRII)的Memory MCP。为满足客户需要更多设计空间和弹性的要求，钜景设计不同容量与规格的Memory MCP供客户选择，亦根据客户需求设计客制化Memory MCP。

● 使用MCP的优点:

- 节省整体物料成本

- 简化设计流程

#### DSC MCP Product

CT47 NAND Flash+DDR SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT47568SR566｜256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT47128SR566｜512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT47248NS566｜1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT47568SR126｜256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT47248NS126｜1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Ready

CT47488NS126｜2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT47568SR566A｜256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜9x9x1.2｜Request

CT47568SR126A｜256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜9x9x1.2｜Request

CT47128SR126A｜512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜9x9x1.2｜Request

CT48 NAND Flash+DDRII SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT48568SR126｜256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT48248NS126｜1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜Request

CT48488NS126｜2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜M/P

CT48568SR246｜256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜M/P

CT48128SR246｜512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜Request

CT48248NS246｜1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜M/P

CT48488NS246｜2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜10x13x1.2｜Ready

CT48568SR126A｜256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜M/P

CT48128SR126A｜512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜M/P

CT48248NS126A｜1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜Request

CT48248NS246A｜1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDRII667｜TFBGA｜9x9x1.2｜Ready

CT83 DDRII SDRAM Stack

Part Number｜Description｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT83962C｜4Gb DDRII｜1.8V｜x32｜DDRII667｜FBGA｜10x13x1.4｜2009/7

CT83482D｜2Gb DDRII｜1.8V｜x32｜DDRII667｜FBGA｜10.5x13.5x1.1｜2009/9

CT83242D｜1Gb DDRII｜1.8V｜x32｜DDRII667｜FBGA｜10.5x13.5x1.1｜Request

#### Mobile Phone MCP Product

M71 NOR Flash+pSDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

M71NL03240BGW0P(K)0｜32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜70ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜Ready

M71PL03280BGW0E0｜32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜70ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

M71PL032A0BGW0E0｜32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜70ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

M71PL064A0BGW0E0A｜64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜96ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

M71PL064B0BGW0E0A｜64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM｜3.3V｜x16｜96ns｜3.3V｜x16｜70ns｜TFBGA｜7x9x1.2｜2009/8

#### Smart Phone MCP Product

M5D NAND Flash+M-SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

M5D568566B｜256Mb NAND+256Mb M-SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x16｜166MHz｜TFBGA｜9x10.2x1.2｜Request

M5D128566B｜512Mb NAND+256Mb M-SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16｜166MHz｜TFBGA｜9x10.2x1.2｜Request

M5D1G8122B｜1Gb NAND+512Mb M-SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜166MHz｜TFBGA｜11x13x1.2｜Ready

M5D1G6566A｜1Gb NAND+256Mb M-SDRAM｜1.8V｜x16｜25ns｜1.8V｜x16｜166MHz｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜2009/Q3

M5E NAND Flash+M-DDR SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

M5E568562B｜256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜50ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜11x13x1.2｜Request

M5E128566(2)B｜512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜30ns｜1.8V｜x16/x32｜DDR333｜TFBGA｜11x13x1.2｜Request

M5E1G8566(2)B｜1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16/x32｜DDR333｜TFBGA｜11x13x1.2｜Request

M5E1G8126B｜1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x16｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Request

M5E1G8122B｜1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Ready

M5E1G81G2B｜1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Ready

M5E2G81G2B｜2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Ready

M5E4G81G2B｜4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM｜3.3V｜x8｜25ns｜1.8V｜x32｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜Request

M5E1G6126A｜1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM｜1.8V｜x16｜25ns｜1.8V｜x16｜DDR333｜TFBGA｜10.5x13x1.2｜2009/Q3

#### Modules MCP Product

CT46 NOR Flash+DDR-SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT46160BB566｜16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8/x16｜70ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜FBGA｜10x13x1.4｜Ready

CT46320BB566｜32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM｜3.3V｜x8/x16｜70ns｜2.5V｜x16｜DDR400｜TFBGA｜8x10x1.2｜Request

CT72 NOR Flash+M-SDRAM

Part Number｜Description｜Flash Voltage｜Flash Width｜Flash Speed｜DRAM/RAM Voltage ｜DRAM/RAM Width｜DRAM/RAM Speed｜Package｜Outline｜Available

CT72326MT646｜32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM｜1.8V｜x16｜70ns｜1.8V｜x16｜133MHz｜TFBGA｜8x10x1.2｜Request

CT72646MT646｜64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM｜1.8V｜x16｜70ns｜1.8V｜x16｜133MHz｜TFBGA｜8x10x1.2｜Ready

### SiP客制化

#### System In Package(SiP)的优点

1.体积微型化

2.高灵活性的系统设计

3.减少较长的设计周期及功能验证时间

4.易于整合不同的芯片制程

5.可有效抑制电磁干扰

6.某些不易取得的智财，SiP可用其封装好的积体电路实现其PoP或PiP的结构

#### SiP开发阶段

- 工程样品阶段(三至六个月)

- 量产阶段(二至三个月)

#### 应用领域

钜景专精发展SiP 技术，并运用此技术，钜景研发一系列不同组合的多芯片封装内存(Memory MCP)产品，适用于消费性电子产品如数码相机，数位摄影机，智能手机，多媒体手机以及卫星导航系统。并因应消费性电子商品体积越来越轻薄且需整合更多功能的趋势下。钜景持续发展先进memory MCP解决方案并创造SiP产业价值炼。

## 公司大事纪

- 2019/07：更名为沃福仕股份有限公司
- 2009/04：通过ISO14001:2004认证
- 2008/12：2008年数码相机MCP销售量超越1千两百万颗出货，市占率10%。
- 2008/12：钜景科技于公开市场兴柜，股票代码3637。
- 2008/12：荣获勤业众信亚洲区Fast 500营收成长第十名。
- 2008/08：通过ISO9001:2000认证。
- 2008/07：获得勤业众信台湾高科技Fast 50 营收成长评比第二名。
- 2008/04：发表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP产品。
- 2008/01：宣布以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP进军高阶手机应用市场。
- 2007/12：成功进军韩国市场，并获得韩系数码相机领导大厂设计认可，并量产数码相机系列产品。
- 2007/09：发表M71(NOR+pSRAM)MCP产品主攻多媒体手机应用。
- 2007/07：开发CT72(M-NOR+SDRAM)MCP应用于通讯模组客户端。
- 2007/03：CT48 MCP(10x13mm)产品线，成功设计于美系数码相机品牌厂商。
- 2007/01：研发CT46(NOR+DDR)MCP，并设计使用于数码相机镜头模组。
- 2006/06：全球独家发表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列产品。
- 2006/05：日系品牌大厂使用CT47系列产品，并成功量产其数码相机。
- 2005/09：开发DSC+PDA(CT162)平台。
- 2005/07：研发首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP产品推广于数码相机市场。
- 2004/12：提供IC设计客户端SiP服务并研发ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
- 2004/06：协助系统业者开发Car Navigator相关设计应用。
- 2003/12：发表Bus-Multimedia系统平台。
- 2003/03：研发Car-Alarm相关系统设计。
- 2003/03：开发 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆叠)予IPC厂商。
- 2003/04：研发CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推数码相机客户。
- 2002/02：发表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
- 2002/08：钜景成立。

## 参考资料

^ http://www.weforce.com.tw

^ 黄继宽，〈SiP理念日趋普及 钜景代客户操刀差异设计〉，《新通讯元件杂志》2009年6月20日

^ 〈引领台湾SiP产业进入下一个获利时代〉，《天下杂志-成长400 7月号》2008年7月

## 基本资料

- 名称：沃福仕股份有限公司
- 英文名：WeForce.CO., LTD.
- 域：

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- 成立：2002
- 总部：台湾台北县中和市
- 代表人物：赖淑枫
- 产业：IC设计
- 产品：MCP/SiP
- 首府：新台币5.07亿元（2011年11月）
- 员工人数：55人
- 网站：http://www.weforce.com.tw