三星Exynos

三星Exynos（Samsung Exynos）是韓國三星電子所開發及生產的SoC、基於ARM架構的單片系統。Exynos處理器在創新和性能方面表現出色，集成5G數位通訊和神經處理單元 (NPU)，以迎接5G和AI時代。2011年2月，三星電子正式將自家基於ARM架構處理器品牌命名為Exynos。Exynos由兩個希臘語單詞組合而來：Exypnos和Prasinos，分別代表「智能」與「環保」之意。Exynos系列處理器主要應用在智慧型手機和平板電腦等移動終端上。

2016年安兔兔第二季度的報告指出，Android陣營高跑分手機中多為使用驍龍和Exynos晶片。

## 背景介紹

三星電子在CES 2013上發表了全新的雙四核Exynos 5 Octa 晶片，但當時他們並沒有給出太多的細節。產品將仍舊採用現有的 PowerVR 544MP3 GPU，工作頻率為 533MHz。那就代表說用於 Exynos Dual 中的 ARM Mali T-604 可能無法滿足 Exynos 5 Octa 的需求，而高規格的 T-658 則可能還沒有準備就緒。若是從圖形和 GPU 計算表現推測的話，Exynos 5 Octa 將可能會處於iPad (第三代)（A5X）和iPad (第四代)（A6X）之間。

三星電子向來有為自家設備研發處理器的歷史，一些晶片也用在其它品牌的設備上，例如蘋果前三代iPhone。

## 早期產品

在Exynos命名之前，三星電子的處理器型號夾雜字母和數字，比較複雜難記。不過由於iPhone系列的成功，由三星製造的處理器也獲得了廣泛關注。S5L8900處理器首先應用於2007年發表的第一代iPhone上，其後也使用在iPhone 3G上，該處理器主頻為412MHz，當時搭配的GPU是PowerVR MBX-Lite。比較有名的則是S5PC100處理器，使用在2009年推出的iPhone 3GS和第三代iPod touch上，採用Cortex-A8架構，主頻為667MHz，但是遇到大程序會自動超頻至833MHz。

型號｜半導體技術｜CPU 指令集｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

S3C44B0｜0.25 μm CMOS｜ARMv4｜66 MHz單核ARM7 (ARM7TDMI)｜LCD控制器｜Juice Box

S3C2410｜0.18 μm CMOS｜ARMv4｜200/266 MHz單核ARM9 (ARM920T)｜LCD控制器｜2003｜HP iPAQ H1930/H1937/H1940/rz1717, HP 49g+/48gII/50g, Everex E500, E-TEN InfoTouch P300, Acer n30/n35/d155, Z22 (handheld)|Palm Z22, LG LN600, Typhoon MyGuide 3610 GO

S3C2440｜0.13 μm CMOS｜ARMv4｜300/400 MHz單核ARM9 (ARM920T)｜LCD控制器｜2004｜HP iPAQ rx3115/3415/3417/3715, Everex E900, Airis T470i/920/930, Acer n300/311,Typhoon MyPhone M500,Mio p550/P350/C710 Digi-Walker

S3C2443｜ARMv4｜400/533 MHz單核ARM9 (ARM920T)｜LCD控制器｜4KB iSRAM｜2007｜Asus R300/R600/R700, Mio Digi-Walker (C620T/...), Mio Moov 2xx/3xx, LG LN8xx, JoinTech JPro Mini Laptop JL7220, Navigon 8300/8310

S3C2450｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv5｜400/533 MHz單核ARM9 (ARM926EJ)｜2D圖形加速｜64KB SRAM｜2008｜Mio Moov 500/510/560/S568/580, Getac PS535F, MENQ EasyPC E720/E790, Archos Arnova 10, Hivision PWS0890AW,SMiT MTV-PND530 8GB

S3C2416｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv5｜400 MHz單核ARM9 (ARM926EJ)｜2D圖形加速｜64KB SRAM｜2009｜iconX G310, HP Prime

S5L8900｜Samsung HKMG 90 nm｜ARMv6｜412 MHz單核ARM11｜PowerVR MBX Lite｜eDRAM｜2007｜Apple iPhone、Apple iPhone 3G、Apple iPod touch 1、Apple iPod touch 2

S3C6410｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv6｜533/667/800 MHz單核ARM11｜FIMG 3DSE: 2D/3D圖形加速｜DDR｜2009｜魅族 M8

S5P6442｜Samsung HKMG 45 nm｜ARMv6｜533/667 MHz單核ARM11｜FIMG 3DSE: 2D/3D圖形加速｜2010

S5PC100｜Samsung HKMG 65 nm｜ARMv7｜667/833 MHz單核ARM Cortex-A8｜PowerVR SGX535｜LPDDR2, DDR2｜2009｜Apple iPhone 3GS、Apple iPod touch 3G

## 產品

### Exynos 3系列

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有一款晶片被「追封」了Exynos 3110的名號，它就是S5PC110，代號Hummingbird（蜂鳥）。這款在2009年末推出的晶片採用優化的Cortex-A8架構，它包含了32/32KB數據/指令一級緩存，512KB二級緩存，主頻達到1.0 GHz。擁有獨立的硬解影片子系統PowerVR VXD370，支持 H.264、VC-1、MPEG4等多格式影片格式，最高到1080P。同時內含HDMI1.3接口，能將手機移動產品下載或拍攝的多媒體內容傳送到其它多媒體顯示設備上進行播放。該處理器被用在了Nexus S，魅族M9，三星GT-S8500 Wave，三星Galaxy Tab，三星Galaxy S，蘋果iPhone4（其電路經過少許優化改良）等產品上面。也是Exynos系列中唯一的一款單核的晶片。

SoC｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

型號｜製程｜指令集｜架構｜核心｜頻率 (GHz)

Exynos 3 Single(previously S5PC110, Hummingbird, Exynos 3110)｜45 nm｜ARMv7｜Cortex-A8｜1｜1.0–1.2｜PowerVR SGX540 @ 200 MHz; 3.2 GFLOPS｜32-bit dual-channel 200 MHz LPDDR, LPDDR2, or DDR2｜2010｜1 GHz: :Samsung Galaxy S line, Samsung Wave S8500, Samsung Wave II S8530, Samsung Galaxy Tab, Samsung Droid Charge, Samsung Exhibit 4G, Google Nexus S, Meizu M9, Samsung Stratosphere 1.2 GHz: :Samsung Infuse 4G

Exynos 2 Dual(Exynos 3250)｜45 nm｜Cortex-A7｜2｜1.0｜Mali-400 MP2 @ 400MHz｜暫無資料｜2013｜Samsung Gear 2

Exynos 3 Quad(Exynos 3470)｜28 nm｜Cortex-A7｜4｜1.4｜Mali-400MP4 @ 450 MHz｜32-bit dual-channel LPDDR3｜2014｜Samsung Galaxy S5 Mini, Samsung Galaxy Light,Samsung Galaxy Tab 4

Exynos 3 Quad(Exynos 3475)｜28 nm｜Cortex-A7｜4｜1.3｜Mali-T720 @ 600 MHz｜32-bit dual-channel LPDDR3｜2015｜Samsung Galaxy J2、Samsung Galaxy Folder、Samsung Galaxy On5、Samsung Galaxy On7、Samsung Galaxy Tab E

### Exynos 4系列

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2011年推出的Exynos 4210才是Exynos系列的第一款產品，它之前被人熟知的名字是Orion（獵戶座）。Exynos 4210採用45nm製程，擁有兩枚主頻為1.2 GHz的Cortex-A9通用處理核心，擁有32/32 KB I/D Cache, 1 MB L2 Cache，並且集成ARM Mali-400 MP圖形處理核心。在影片方面，Exynos 4210支持單路WXGA和雙路WSVGA影片輸出，支持HDMI v1.3a高畫質標準，可以拍攝1080p、30fps標準高畫質影片；Exynos 4210提供了6.4GB/s的記憶體帶寬，支持LPDDR2/DDR2/DDR3記憶體。代表產品有三星Galaxy Tab 7.7、Galaxy S II（i9100）、Galaxy Note和魅族MX等。2011年9月發布的Exynos 4212在Exynos 4210的基礎上再加改進：首先製程變為32nm，比起之前的45nm能夠節省超過50%的能源。而且雖然同樣為Cortex-A9架構，但Exynos 4212主頻升至1.5GHz，比起4210更為強勁，3D性能約為後者的2倍，可用在手機及平板電腦上。2012年初，三星正式推出了自家的首款四核移動處理器Exynos 4412。這款新Exynos四核處理器，擁有32nm HKMG（高K金屬柵極技術）製程，支持雙通道LPDDR2 1066。新的32nm HKMG技術可以幫助降低功耗，按照官方的說法，和其前代比會減低20% 的功耗。三星Exynos 4412四核處理器仍然集成Mali-400MP圖形處理器，但三星公司已將這顆圖形處理器主頻由此前的266MHz提升至400MHz，新聞稿指出會比現有的雙核機型整體性能提升60%，圖像處理提升 50%。2012年5月，首款採用Exynos 4412處理器的智慧型手機三星Galaxy S III正式上市，以及於6月上市的魅族MX四核版和12月上市的紐曼N2。

SoC｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

型號｜製程｜指令集｜架構｜核心｜頻率 (GHz)

Exynos 4 Dual 45 nm(Exynos 4210)｜45 nm｜ARMv7｜Cortex-A9｜2｜1.2或1.4｜Mali-400MP4 @ 266 MHz; 10.64 GFLOPS｜LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2011｜1.2 GHz: :Samsung Galaxy S II, Samsung Galaxy Tab 7.0 Plus 1.4 GHz: :Samsung Galaxy Note, Samsung Galaxy Tab 7.7, Hardkernel ODROID-A, Meizu MX 雙核版, Cotton Candy by FXI Tech, ORIGEN 4 Dual

Exynos 4 Dual 32 nm(Exynos 4212)｜32 nm HKMG｜Cortex-A9｜2｜1.5｜Mali-400MP4(quad-core) @ 400 MHz; 16 GFLOPS｜LPDDR2, LPDDR3 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2011｜Meizu MX 2-Core (new 2-core model), Samsung Galaxy Tab 3 8.0,Samsung Galaxy S4 zoom

Exynos 4 Quad(Exynos 4412)｜32 nm HKMG｜Cortex-A9｜4｜1.4｜ARM Mali-400MP4(quad-core) @ 440 MHz ; 17.6 GFLOPS｜32-bit dual-channel 400 MHz LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2012｜Samsung Galaxy Note 10.1, Samsung Galaxy Camera, Lenovo K860, 紐曼N2, Ramos W30HD, Meizu MX 四核版, Hardkernel ODROID-X,ODROID-U,ODROID-Q,ORIGEN 4 Quad,Hyundai T7 Tablet, Samsung Galaxy Pop, Samsung Galaxy Light, Lenovo P700i

Exynos 4 Quad(Exynos 4412 Prime)｜32 nm HKMG｜Cortex-A9｜4｜1.6｜ARM Mali-400MP4(quad-core) @ 533 MHz; 21.32 GFLOPS｜32-bit dual-channel 400 MHz LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 (6.4 GB/sec)｜2012｜Samsung Galaxy S III, Samsung Galaxy Note II, Meizu MX2, Samsung Galaxy Note 8.0, Samsung Galaxy NX, iberry Auxus CoreX4 3G,Hardkernel ODROID-U2,ODROID-X2,ODROID-Q2,Samsung Galaxy Camera 2

### Exynos 5系列

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2011年11月30日，三星電子發布主頻高達2GHz的Exynos5250系統晶片，它採用雙核Cortex-A15構架，主頻高達2GHz，性能十分強勁。三星電子Exynos5250是業界首款採用ARM新雙核Cortex-A15處理器架構設計的產品。Exynos5250將比1.5GHz的Cortex-A9性能快兩倍左右。三星電子表示，Exynos5250將採用32nm製造工藝，和現有Cortex-A9相比，Exynos5250的3D性能將獲得極大提升，比如在某些情況下3D性能提升達4倍之多。另外，三星電子也表示，Exynos5250將支持立體3D顯示，它也支持WQXGA 2560x1600解析度，使其成為理想的下一代智慧型手機處理器。三星Exynos5250晶片已經開始向相關廠商提供樣品，計劃在2012年第二季度大批量出貨。在前年2011年11月底，三星發布了一款型號為Exynos 5250的新型處理器，如今，來自國外媒體的最新消息顯示，三星將推出一款型號為Exynos 5450的處理器，相比Exynos 5250其性能更強。隨著三星四核心新旗艦三星Galaxy S4的不斷曝光，該機所使用的處理器也成為了人們猜測的重點。如果傳言屬實的話，那麼這塊Exynos 5450處理器將以速度最快、功耗最低的特徵贏得更多人青睞。據悉，三星本打算將Exynos 5250晶片植入旗下的智慧型手機和平板電腦，但聽說LG開始自主研發更強勁的四核處理器之後，這也就迫使三星電子不得不放棄最初的想法。三星於2013年中旬推出這款三星Galaxy S4，該機將採用5英寸Super AMOLED全高畫質顯示螢幕，該機將採用三星電子自家生產研發的晶片型號Exynos 5410。

SoC｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

型號｜製程｜指令集｜架構｜核心｜頻率 (GHz)

Exynos 5 Dual(Exynos 5250)｜32 nm HKMG｜ARMv7｜Cortex-A15｜2｜1.7｜ARM Mali-T604MP4@ 533 MHz; 68.224 GFLOPS｜32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3/DDR3 (12.8 GB/sec) or 533 MHz LPDDR2 (8.5 GB/sec)｜2012年第三季度｜Samsung Chromebook XE303C12,Google Nexus 10, Arndale Board,Huins ACHRO 5250 Exynos,Freelander PD800 HD,Voyo A15, HP Chromebook 11, Samsung Homesync

Exynos 5 Octa(Exynos 5410)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7big.LITTLE｜4+4｜1.6–1.2｜IT PowerVR SGX544MP3 @ 480 MHz 49 GFLOPS (532 MHz in some full-screen apps)｜32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3 (12.8 GB/sec)｜2013年第二季度｜Samsung Galaxy S4 I9500,Hardkernel ODROID-XU,Meizu MX3, ZTE Grand S II TD, iBerry CoreX8 3G

Exynos 5 Octa(Exynos 5420)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.8–1.9或1.3｜ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz; 109 GFLOPS｜32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3e (14.9 GB/sec)｜2013年第三季度｜Samsung Chromebook 2 11.6",Samsung Galaxy Note 3,Samsung Galaxy Note 10.1 (2014 Edition), Samsung Galaxy Note Pro 12.2, Samsung Galaxy Tab Pro (12.2 & 10.1), Samsung Galaxy Tab S 8.4, Samsung Galaxy Tab S 10.5, Arndale Octa Board

Exynos 5 Octa(Exynos 5422)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.9-2.11.3–1.5｜ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz (109 Gflops)｜32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3/DDR3 (14.9 GB/sec)｜2014年第二季度｜Samsung Galaxy S5 (SM-G900H),Odroid XU3/XU3-Lite

Exynos 5 Hexa(Exynos 5260)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜2+4｜1.7–1.3｜ARM Mali-T624 MP2@ 600 MHz｜32-bit dual-channel 800 MHz LPDDR3 (12.8 GB/sec)｜2014年第二季度｜Ramos S97, Galaxy Note 3 Neo (announced January, 31st 2014), Samsung Galaxy K zoom

Exynos 5 Octa(Exynos 5430)｜20 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.8–2.0或1.3–1.5｜ARM Mali-T628 MP6 @ 600 MHz; 122 GFLOPS｜32-bit dual-channel 1066 MHz LPDDR3e/DDR3 (17.0 GB/sec)｜2014年第三季度｜Samsung Galaxy Alpha（SM-G850F）, Meizu MX4 Pro，Samsung Galaxy A8（SM-A800F）

Exynos 5 Octa(Exynos 5800)｜28 nm HKMG｜Cortex-A15+Cortex-A7(big.LITTLE with GTS)｜4+4｜2.1–1.3｜ARM Mali-T628 MP6 @ 533 MHz｜32-bit dual-channel 933 MHz LPDDR3/DDR3 (14.9 GB/sec)｜2014年第二季度｜Samsung Chromebook 2 13,3"

### Exynos 7系列

2014年下季度，三星在Exynos官網上公布了Exynos 7 Octa處理器，它是一款64位八核處理器，採用四核Cortex-A57+四核Cortex-A53組成的big.LITTLE架構，配合Mali-T760圖形處理器，整體和Exynos 5433比較接近。Exynos 7 Octa支持HMP（異構多處理）技術，即可以「八核全開」，相對於Exynos 5 Octa（不包括Exynos 5433）將帶來57%的CPU性能提升，Exynos 7 Octa支持三星20nm HKMG工藝。支持臉部甚至眼部識別技術。Exynos 7 Octa支持H.265（HEVC）硬體解碼，支持WQHD（2560*1440）和WQXGA（2560*1600）解析度的輸出。並搭載雙ISP，後置支持最高1600萬（「5K」級別了）像素30幀影片，前置支持最高500萬像素30幀影片。Exynos 7 Octa使用Mali-T760系列圖形處理器，將帶來74%的性能提升，如果這是相對於Exynos 5430上的Mali-T628 MP6的提升的話，這樣的GPU性能將會比Exynos 5433還要強得多。

Exynos 7 Octa最初共有兩款型號：Exynos 7410和Exynos 7420，兩款晶片均為64位CPU。7410採用20nm工藝並支持big.LITTLE GTS技術；7420採用更先進的 14nm FinFET工藝，性能更強。Exynos 7885 為 Exynos 7880的強化版，CPU方面從原本8個A53小核提升到2個A73大核和6個A53小核，GPU方面也提升到較新的Mali-G71MP2。基帶方面支持Cat.11標準，理論下載速度提升到600Mbps，上傳150Mbps。Exynos9610被歸類在Exynos7系列，規格又比Exynos 7885再提升一些。

SoC｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

型號｜製程｜指令集｜架構｜核心｜頻率 (GHz)

Exynos 7 Octa(Exynos 5433/7410)｜20 nm HKMG｜ARMv8-A｜Cortex-A57+Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜1.9–1.3｜Mali-T760 MP6 @ 700 MHz; 206 GFLOPS (FP16)｜32-bits dual-channel 825 MHz LPDDR3 (13.2 GB/s)｜2014年第四季度｜Samsung Galaxy Note 4 (SM-N910C) Samsung Galaxy Note 4 (SM-N910U) Samsung Galaxy Note Edge Korea version (SM-N915S) (SM-N915K) (SM-N915L)、Samsung Galaxy A8 (SM-A800IZ)

Exynos 7 Octa(Exynos 7420)｜14 nmFinFET｜Cortex-A57+Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜2.1–1.5｜Mali-T760 MP8 @ 772 MHz｜32-bit dual-channel 1552 MHz LPDDR4 (24.88 GB/s)｜2015年第一季度｜Samsung Galaxy S6、Samsung Galaxy S6 edge、Samsung Galaxy S6 Edge Plus、Samsung Galaxy Note 5、Meizu Pro 5、Samsung Galaxy A8 (2016)

Exynos 7 Quad(Exynos 7570)｜14 nmFinFET｜Cortex-A53｜4｜1.4｜Mali-T720 MP1｜LPDDR3｜2016年第三季度｜Samsung Galaxy J3 Pro、Samsung Galaxy J4、Samsung Galaxy J6+

Exynos 7 Octa(Exynos 7580)｜28 nmHKMG｜Cortex-A53｜8｜1.6｜Mali-T720 MP2 @ 600 MHz｜64-bit (2x32-bit) dual-channel 933 MHz LPDDR3｜2015年第二季度｜Samsung Galaxy J7、Samsung Galaxy S5 Neo、Samsung Galaxy View、Samsung Galaxy A5 (2016)、Samsung Galaxy A7 (2016)

Exynos 7 Octa(Exynos 7870)｜14 nm LPP｜Cortex-A53｜8｜1.7｜Mali-T830 MP2 @ 700Mhz｜32-bit Single-channel 933 MHz LPDDR3｜2016年第一季度｜Samsung Galaxy J7(2016)、Samsung Galaxy J7 Prime、SAMSUNG Galaxy J7 Pro、Samsung Galaxy A3(2017)、Samsung Galaxy A6 (2018)、Samsung Galaxy J6

Exynos 5 Hexa (Exynos 7872)｜14 nm LPP｜Cortex-A73+Cortex-A53｜2+4｜2.0-1.6｜Mali-G71 MP1 @ 1.2Ghz｜64-bit (2x32-bit) dual-channel LPDDR3｜2018年第一季度｜Meizu M6s (魅族 魅藍S6)

Exynos 7 Octa (Exynos 7880)｜14nm LPP｜Cortex-A53｜8｜1.87｜Mali-T830 MP3 @ 950Mhz｜64-bit (2x32-bit) dual-channel 1033MHz LPDDR3 (14.9 GB/sec)｜2016年｜Samsung Galaxy A7(2017)、Samsung Galaxy A5(2017)

Exynos 7 Octa (Exynos 7885)｜14nm｜Cortex-A73+Cortex-A53｜2+6｜2.2-1.6｜Mali-G71 MP2｜64-bit (2×32-bit) Dual-channel LPDDR4X｜2018年第一季度｜Samsung Galaxy A8(2018)、SAMSUNG Galaxy A7 (2018)、Samsung Galaxy A8+(2018)

Exynos 7 Series (Exynos 9610)｜10nm FinFET｜Cortex-A73+Cortex-A53｜4+4｜2.3-1.7｜Mali-G72 MP3｜64-bit (2×32-bit) Dual-channel LPDDR4X｜?｜Samsung Galaxy A50

### Exynos 800系列

2015年11月11日，三星在Exynos官網上正式公布新一代旗艦處理器Exynos 8890的部分資料。14mm FinFET LPP工藝製造，八核心big.LITTLE架構設計，首次採用四個自主定製的大核心（代號「貓鼬」的Samsung Mongoose，或稱Samsung Exynos M1）+四個Cortex A53小核心，算是半自主架構。相比上一代Exynos 7420，性能提升30%以上，功耗降低10%。核心頻率方面沒有公布，GPU為Mali-T880，但後綴是「MP12」，開了12個核心（完整16個），性能自然有大幅度提升。基帶方面與Snapdragon 820一樣，支持Cat.12/Cat.13標準，理論下載速度提升到600Mbps，上傳150Mbps。

SoC｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

型號｜製程｜指令集｜架構｜核心｜頻率(GHz)

Exynos 8 OctaExynos M1(Exynos 8890)｜14 nmFinFET｜ARMv8-A｜Exynos M1+Cortex-A53 (big.LITTLE with GTS)｜4+4｜2.3–1.6｜Mali-T880 MP12 @ 664,4 GFLOPS (FP16)Mali-T880 MP14（高級版） Mali-T880 MP10 (Meizu Pro6 Plus 64GB Version)｜64-bit dual-channel LPDDR4｜2016年第一季度｜Samsung Galaxy S7/S7 Edge/Note FE (國際版、韓版) Samsung Galaxy Note 7(停產) Meizu PRO6 Plus(64GB版為Mali-T880MP10 128GB版為Mali-T880MP12)

Exynos 880｜8nm LPP｜Cortex-A77 + Cortex-A55｜2 + 6｜2.0-1.8｜Mali-G76 MP5｜LPDDR4X｜2020 Q2｜vivo Y51s、vivo Y70s

### Exynos 900系列

2017年2月，三星在Exynos官網上正式公布新一代旗艦處理器Exynos 8895的部分資料，並納入Exynos9系列。10nm FinFET LPE工藝製造，八核心big.LITTLE架構設計，仍然採用四個自主定製的大核心Exynos M2 +四個Cortex A53小核心，算是半自主架構。相比上一代Exynos 8890，性能提升27%以上，功耗降低40%。核心頻率方面沒有公布，GPU為Mali-G71，但後綴是「MP20」，開了20個核心（完整32個），跟上一代比較，性能提升60%以上。基帶方面與Snapdragon 835一樣，支持Cat.13/Cat.16標準，理論下載速度提升到1Gbps，上傳150Mbps。

SoC｜CPU｜GPU｜記憶體技術｜供貨時間｜應用裝置

型號｜製程｜指令集｜架構｜核心｜頻率(GHz)

Exynos 9 OctaExynos M2(Exynos 8895)｜10 nmFinFETLPE｜ARM架構｜Exynos M2 +Cortex-A53｜4+4｜2.3-1.7｜Mali-G71 MP20｜64-bit dual-channel LPDDR4X｜2017年第一季度｜三星Galaxy S8/S8+/Note 8 (國際版、韓版)、Meizu 15 Plus

Exynos 9 Series Exynos M3(Exynos 9810)｜10 nmFinFET LPP｜ARMv8.2-A｜Exynos M3 +Cortex-A55｜4+4｜2.9-1.9｜Mali-G72 MP18｜64-bit dual-channel LPDDR4X｜2018年第一季度｜三星Galaxy S9/S9+ (國際版、韓版)、三星Galaxy Note 9、三星Galaxy Note10 Lite

Exynos 9 Series 9820｜8nm LPP｜Exynos M4 (2 Cores) + Cortex-A75 (2 Cores) + Cortex-A55 (4 Cores)｜2+2+4｜2.7-1.9｜Mali-G76 MP12 @ 702 Mhz｜64-bit (4×16-bit) Quad-channel LPDDR4X｜2019年Q1｜三星Galaxy S10/S10+（國際版、韓版）

Exynos 9 Series 9825｜8nm LPU｜2.7-1.9｜Mali-G76 MP12 @ 754 Mhz｜2019年Q3｜三星Galaxy Note 10/10+（韓國、國際版本和5G版本）

Exynos 980｜8nm LPP｜ARM Cortex-A77 + Cortex-A55｜2 + 6｜2.2-1.8｜Mali G76 MP5｜LPDDR4X｜2019年Q4｜vivo X30、vivo X30 Pro、三星Galaxy A71 5G、vivo S6

Exynos 990｜7nm LPP(EUV)｜Exynos M5 +ARM Cortex-A76 + Cortex-A55｜2+2+4｜Mali G77 MP11｜LPDDR5｜2020年Q1｜三星Galaxy S20、三星Galaxy S20+、三星Galaxy S20 Ultra

### Exynos 1000系列

Exynos 10系列於2020年11月12日發佈。

SoC｜中央處理器 (ARM架構)｜GPU｜記憶體技術｜人工智慧加速器｜Modem｜連接性｜發佈時間｜應用裝置

型號｜半導體製程｜裸晶 Size (mm2)｜µarch｜頻率(赫茲)｜Performance GFLOPS (FP32)｜Type｜Bus width (位元)｜電腦裝置頻寬列表 (吉字節/s)

Exynos 1080｜5納米 LPE (EUV)｜1 + 3 + 4 cores (2.8 GHz ARM Cortex-A78 + 2.6 GHz Cortex-A78 + 2.0 GHz Cortex-A55)｜Mali G78 MP10｜LPDDR4XLPDDR5｜LTE DL: Cat.18 1200 Mbit/s, 6CA, 256-QAM UL: Cat.18 200 Mbit/s, 2CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 1.28Gbit/s 5G NR mmWave DL: 3.67Gbit/s UL: 3.67Gbit/s｜Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax｜2020 Q4｜vivo X60/vivo X60 Pro、vivo X70 Pro

Exynos 1280｜5納米LPE (EUV)｜2 + 6 cores (2.4GHz ARM Cortex-A78 + 2.0GHz Cortex-A55)｜Mali G68 MP5

### Exynos 2000系列

Exynos 2000系列於2021年1月12日發佈。

SoC｜中央處理器 (ARM架構)｜GPU｜記憶體技術｜人工智慧加速器｜Modem｜連接性｜發佈時間｜應用裝置

型號｜半導體製程｜裸晶 Size (mm2)｜µarch｜頻率(赫茲)｜Performance GFLOPS (FP32)｜Type｜Bus width (位元)｜電腦裝置頻寬列表 (吉字節/s)

Exynos 2100｜5nm LPE (EUV)｜1 + 3 + 4 cores (2.9 GHz Cortex-X1 + 2.8 GHz Cortex-A78 + 2.2 GHz Cortex-A55)｜Mali G78 MP14｜854｜1530｜LPDDR5｜64-bit (4×16-bit) 四通道｜3200 MHz (51.2GB/s)｜Triple NPU + DSP (26 TOPs)｜LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM UL: Cat.18 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 1.92Gbit/s 5G NR mmWave DL: 7.35Gbit/s UL: 3.67Gbit/s

Q1 2021｜、Samsung Galaxy S21、Samsung Galaxy S21+、Samsung Galaxy S21 Ultra

Exynos 2200 (S5E9925)｜4 nm (4LPE) (EUV)｜99.9｜1 + 3 + 4 cores (2.8 GHz Cortex-X2 + 2.5 GHz Cortex-A710 + 1.8 GHz Cortex-A510)｜Samsung Xclipse 920 (RDNA 2)｜1306｜1003｜Dual NPU + DSP｜LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM UL: Cat.22 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 5.1Gbit/s UL: 2.55Gbit/s 5G NR mmWave DL: 7.35Gbit/s UL: 3.67Gbit/s｜Bluetooth 5.2, Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac/ax｜Q1 2022｜、Samsung Galaxy S22、Samsung Galaxy S22+、Samsung Galaxy S22 Ultra

Exynos 2400 (S5E9945)｜4 nm (4LPP+) (EUV)｜1 + 2 + 3 + 4 cores (3.2 GHz Cortex-X4 + 2.9 GHz Cortex-A720 + 2.6 GHz Cortex-A720 + 1.95 GHz Cortex-A520)｜Xclipse 940(RDNA 3)768:48:32:126 WGP)｜1109｜3,407｜LPDDR5X｜17K MAC NPU(2-GNPU+2-SNPU)和DSP + DSP｜LTE DL: Cat.24 3000 Mbit/s, 8CA, 1024-QAM UL: Cat.22 422 Mbit/s, 4CA, 256-QAM 5G NR Sub-6 GHz DL: 9.64 Gbit/s UL: 2.55 Gbit/s 5G NR mmWave DL: 12.1 Gbit/s UL: 3.67 Gbit/s｜Q1 2024｜、三星Galaxy S24、三星Galaxy S24+

## 基本資料

- 日語原文：Samsung Exynos
- 產品化：2000年至今
- CPU主頻範圍：66
- CPU主頻範圍：MHz
- CPU主頻範圍：2.73
- CPU主頻範圍：GHz
- manuf1：三星電子
- 製作工藝/製程：90nm
- 製作工藝/製程：4nm
- 指令集架構：、ARMv4、ARMv5、ARMv6、ARMv7、ARM8-A
- 微架構：、Cortex A7、Cortex A8、Cortex A9、Cortex A15、Cortex A53、Cortex A55、Cortex A57、Cortex A73、Cortex A75、Exynos Mongoose 1 (M1)、Exynos Mongoose 2 (M2)、Exynos Mongoose 3 (M3)、Exynos Mongoose 4 (M4)、Exynos Mongoose 5 (M5)
- 核心數量：、1（Single）、2（Dual）、4（Quad）、6（Hexa）、8（Octa）