在電磁學裡，介電質響應外電場的施加而電極化的衡量，稱為電容率。在非真空中由於介電質被電極化，在物質內部的總電場會減小。電容率關係到介電質傳輸（或容許）電場的能力。電容率衡量電場怎樣影響介電質，怎樣被介電質影響。電容率又稱為「絕對電容率」。 在國際單位制中，電容率的測量單位是法拉每公尺（Fm）。真空的電容率，稱為真空電容率，或「真空介電常數」，標記為 varepsilon_0。varepsilon_0。 概念 電位移 mathbf D 的定義式為 mathbf D stackrel text def varepsilon_0 mathbf E mathbf P； 其中，mathbf E 是電場，mathbf P 是電極化強度。 對於均向性的、線性的、均勻介電質，電極化強度 mathbf P 與電場 mathbf E 成正比： mathbf Pchi_text e varepsilon_0 mathbf E； 其中，chi_text e 是電極化率 所以，電位移與電場的關係方程式為 mathbf Dvarepsilon mathbf E； 其中，varepsilon 是電容率。 假若，介電質是異向性的，則電容率是一個二階張量，可用矩陣來表示。 一般而言，電容率不是常數，可以隨著在介電質內的位置而改變，隨著電場的頻率、溼度、溫度或其它引數而改變。對於一個非線性介電質，電容率有可能會隨著電場強度而改變。當電容率是頻率的函式時，它的數值有可能是實數，也有可能是複數。 真空電容率 真空電容率 varepsilon_0 的意義是電位移 D_0 與電場 E_0 在真空裡的比值，其值的定義式如下： varepsilon_0 stackrel text def frac 1c2mu_0 frac 1359502071494727056pi Fmapprox 8854 187 817 times 10 12 Fm 其中，c 是光波在真空中的光速國際標準組織和現在通常的做法，是根據的規則，標記光波在真空的光速為 c_0。在原先的 1983 年建議裡，符號 c 被用於這用途。參閱 NIST Special Publication 330 Appendix 2 p 45 ，mu_0 是真空磁導率。其中，真空磁導率的定義值為 mu_04pi times 10 7 TmA。 在國際單位制裡，常數 c 和 mu_0 都是準確值（參閱 NIST ）。所以，關於公尺或安培這些物理量單位的數值設定，不能採用定義方式，而必須設計精密的實驗來測量計算求得。由於 pi 是個無理數，varepsilon_0 的數值只能夠以近似值來表示。 真空電容率 varepsilon_0 也出現於庫侖定律，是庫侖常數 k frac 14pivarepsilon_0 的一部份。所以，庫侖常數 k 也是一個準確值。 對於線性介質，電容率與真空電容率的比率，稱為相對電容率 varepsilon_text r： varepsilon_text rfrac varepsilonvarepsilon_0 請注意，這公式只有在靜止的、零頻率的狀況才成立。 對於各向異性材料，相對電容率是個張量；對於各向同性材料，相對電容率是個標量。 介質的電容率 對於常見的案例，均向性介質，mathbf D 和 mathbf E 是平行的向量，電容率 varepsilon 是會造成雙折射的二階張量。介質的電容率和磁導率 mu，共同地決定了，電磁波透過介質時的相速度 v_text p： varepsilon mu frac 1v_text p2 對於線性介電質，電極化強度 mathbf P 與電場 mathbf E 成正比： mathbf Pchi_text e varepsilon_0 mathbf E 將這方程式代入電位移的定義式，可以得到電位移與電場的關係式： mathbf D 1chi_text e varepsilon_0mathbf E 所以，電容率與電極化率的關係式為 varepsilon1chi_text evarepsilon_0 複值電容率 一般物質對於含時外電場的響應，跟真空的響應大不相同。一般物質的響應，通常跟外電場的頻率有關。這屬性反映出一個事實，那就是，由於物質具有質量，物質的電極化響應無法瞬時的跟上外電場。響應總是必需合乎因果關係，這需求可以以相位差來表達。因此，電容率時常以複函式來表達（複數允許同步的設定大小值和相位），而這複函式的引數為外電場頻率 omega：varepsilon rightarrow widehat varepsilonomega。這樣，電容率的關係式為 D_0mathrm e mathrm i omega t widehat varepsilonomega E_0 mathrm e mathrm i omega t 其中，D_0 和 E_0 分別是電位移和電場的振幅。 請注意，時間相關性專案的正負號選擇（指數函式的指數的正負號），決定了電容率虛值部份的正負號常規。在這裡採用的正負號慣用於物理學；在工程學裡，必須逆反所有虛值部份的正負號。 一個介電質對於靜電場的響應，是由電容率的低頻率極限來描述，又稱為「靜電容率」varepsilon_text s： varepsilon_text s lim_omega rightarrow 0 widehat varepsilonomega 在高頻率極限，複電容率一般標記為 varepsilon_infty。當頻率等於或超過電漿頻率時，介電質的物理行為近似理想金屬，可以用自由電子模型來計算。對於低頻率交流電場，靜電容率是個很好的近似。隨著頻率的增高，可測量到的相位差 delta 開始出現於 mathbf D 和 mathbf E 之間。出現時候的頻率跟溫度、介質種類有關。在中等的電場強度 E_0 狀況，mathbf D 和 mathbf E 保持成正比： widehat varepsilon frac D_0E_0mathrm emathrm idelta varepsilonmathrm emathrm idelta 由於介質對於交流電場的響應特徵是複電容率，為了更詳細的分析其物理性質，很自然地，必須分離其實數和虛值部份，通常寫為： widehat varepsilonomega varepsilonomega mathrm ivarepsilon omega frac D_0E_0 left cosdelta mathrm isindelta right 其中，虛值部份 varepsilon 關係到能量的耗散，而實值部份 varepsilon 則關係到能量的儲存。 由於複電容率是一個發生於多重頻率的色散現象的疊加，其描述必須能夠兼顧到這些色散現象。因此，複電容率通常會是一個相當複雜的、引數為頻率的函式，稱為「介電函式」。電容率 widehat varepsilon 的極點必須匹配虛值部份為正值的頻率，因此滿足克拉莫 克若尼關係式。但是，在一般作業的狹窄頻率值域內，電容率可以近似為跟頻率無關，或者以適當的模型函式為近似。 物質分類 依據電容率和電導率 sigma，物質可以大致分為三類：導體、介電質、其它一般介質。高損耗物質會抑制電磁波的傳播。通常，這些物質的 frac sigmaomegavarepsilongg1，可以被視為優良導體。無損耗或低損耗物質，frac sigmaomegavarepsilonll1，可以被視為介電質。其它不包括在這兩種限制內的物質，被分類為一般介質。完美介電質是電導率等於 0 的物質，通常只允許有小量的位移電流存在。這種物質儲存和歸還電能的性質就好像理想電容器一樣。 高損耗介質 對於高損耗介質案例，當傳導電流不能被忽略時，總電流密度 J_text tot 是 J_text tot J_text c J_text d sigma E mathrm i omega varepsilon E mathrm i omega widehat varepsilon E 其中，J_c 是傳導電流密度，J_d 是位移電流密度，sigma 是介質的電導率，varepsilon 是介質電容率的實值部分，widehat varepsilon 是介質的複電容率。 位移電流跟外電場 E 的頻率 omega 有關。假若外電場是個靜電場，則位移電流等於 0。 採用這形式論，複電容率定義為 widehat varepsilon varepsilon mathrm ifrac sigmaomega 通常，介電質對於電磁能量有幾種不同的吸收機制。受到這幾種吸收機制的影響，隨著頻率的改變，電容率函式的樣子也會有所改變 例：壓電材料。 弛豫效應發生於永久偶極分子和感應偶極分子。當頻率較低的時候，電場的變化很慢。這允許偶極子足夠的時間，對於任意時候的電場，都能夠達成平衡狀態。假若，因為介質的黏滯性，偶極子無法跟上頻率較高的電場，電場能量就會被吸收，由而導致能量耗散。偶極子的這種弛豫機制稱為介電質弛豫。理想偶極子的弛豫機制可以用經典的德拜弛豫來描述。 共振效應是由原子、離子、電子等等的旋轉或振動產生的。在它們特徵吸收頻率的附近，可以觀察到這些程式。 上述兩種效應時常會合併起來，使得電容器產生非線性效應。例如，當一個充電很久的電容器被短暫地放電時，它無法完全放電的效應稱為「介電質吸收」。一個理想電容器，經過放電後，電壓應該是 0 伏特。但是，實際的電容器會餘留一些電壓，稱為「殘餘電壓」。有些介電質，像各種不同的聚合物薄膜，殘餘電壓小於原本電壓的 12。但是，電解電容器或超高電容器的殘餘電壓可能會高達 1525。 量子詮釋 在量子力學裡，電容率可以用發生於原子層次和分子層次的量子作用來解釋。 在較低頻率區域，極性介電質的分子會被外電場電極化，因而誘發出週期性轉動。例如，在微波頻率區域，微波場促使物質內的水分子做週期性轉動。水分子與周邊分子的相互碰撞產生了熱能，使得含水分物質的溫度增高。這就是為什麼微波爐可以很有效率地將含有水分的物質加熱。水的電容率的虛值部分（吸收指數）有兩個最大值，一個位於微波頻率區域，另一個位於遠紫外線（UV）頻率區域。這兩個共振頻率都高於微波爐的操作頻率。 在中間頻率區域，高過促使轉動的頻率區域，又遠低於能夠直接影響電子運動的頻率區域，能量是以共振的分子振動形式被吸收。對於水介質，這是吸收指數開始顯著地下降的區域。吸收指數的最低值是在藍光頻率區域（可見光譜段）。這就是為什麼日光不會傷害像眼睛一類的含水生物組織。 在高頻率區域（像遠紫外線頻率或更高頻率），分子無法弛豫。這時，能量完全地被原子吸收，因而激發電子，使電子躍遷至更高能級，甚至遊離出原子。擁有這頻率的電磁波會導致遊離輻射。 雖然，從開始到最後，對於物質的介電行為，做一個完全的計算機模擬，是一個可行之計。但是，這方法還沒有得到廣泛的使用。替代地，科學家接受現象模型為一個足以勝任的方法，可以用來捕捉實驗行為。德拜弛豫和德拜勞侖茲模型都是很優秀的模型。 測量 物質的電容率可以用幾種靜電測量方法來得到。使用各種各樣的方法，在廣泛頻率值域內，任何頻率的複電容率都可以正確地評估出來。這頻率值域覆蓋接近 21 個數量級的大小值，從 106 到 1015 赫茲。另外，使用低溫恆溫器和烤爐，科學家可以測量出，在不同的溫度狀況下，物質的介電性質。 橢圓偏振技術可以用在紅外線頻段和可見光頻段。 也有一些方法用於介電常數的測量。介電常數在微波的範圍可以由共振方法測量。 參閱 高斯定律 磁化率 馬克士威方程組 克勞修斯 莫索提方程式 參考文獻 進階閱讀 Theory of Electric Polarization Dielectric Polarization CJF Böttcher ISBN 0444415793 Dielectrics and Waves edited by A von Hippel Arthur R ISBN 0890068038 Dielectric Materials and Applications edited by Arthur von Hippel ISBN 0890068054 D D D ltDielektrinė skvarba plWzględna przenikalność elektryczna