聯華電子股份有限公司，簡稱聯電，是臺灣一家從事晶圓代工的公司，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案包括邏輯 混合訊號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI 及 BCD。 聯電大部分的十二吋和八吋晶圓廠及研發中心位於臺灣，另有數座晶圓廠位在亞洲其他地區。聯電現共有十二座晶圓廠，月產能總計約 85 萬片，主要為八吋成熟製程晶圓，且全部晶片產品皆符合汽車業的 IATF 16949 認證。聯電總部位於臺灣新竹科學園區，另在中國大陸、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設有服務據點，目前全球約有 20000 名員工。 成立 1970 年代，臺灣工業技術研究院決定發展積體電路產業，邀請美國無線電公司（RCA）研究室主任潘文淵籌備計畫。1974 年 7 月，潘文淵完成「積體 電路計畫草案」，經濟部長孫運璿於 8 月 17 日核定該計畫。在潘文淵的主導下，從 RCA 公司引入「互補式金氧半導體」（CMOS）技術，並在工研院成立電子工業研究發展中心，全力發展積體電路技術。 1977 年 10 月，工研院建立了臺灣第一座積體電路示範工廠，開始生產 75 微米製程晶圓。成立僅六個月的時間，產品良率就已高達七成，遠高於技轉母廠 RCA 的五成，使臺灣一舉躍升全球第三大電子錶輸出國。為了使技術產業化，工研院於於 1980 年 5 月 22 日與交通銀行、中華開發、光華投資公司與東元、聲寶、華泰、華新麗華等公司出資五億臺幣成立積體電路工廠，首任董事長一職則由工研院第 2 任院長方賢齊擔任。由於主要股東中華開發、光華投資、華新麗華、華泰電子的名字都有一個「華」字，故新公司命名為「聯華電子」，為臺灣第一間半導體製造公司。聯電成立後，工研院將 4 吋晶圓技術及研發團隊移轉給聯電，其中即包含後來擔任聯電董事長的曹興誠。而聯電也在成立不久後，即躍升東南亞最大的積體電路製造商。1985 年 7 月，聯電正式於臺灣證券交易所公開上市，為臺灣第一家上市的半導體公司。 發展 建立初期 聯電建立之初，以承接工廠的垂直整合製造（IDM）為主，同時進行晶圓代工、 IC 設計、儲存等三大業務。1981 年，工研院電子所副所長曹興誠擔任聯電總經理，意識到臺灣電子市場受限，開始思考晶圓代工的可能性，因此於 1984 年前往美國，與當時擔任臺灣科技顧問的張忠謀提出晶圓代工的想法，但當時張忠謀並未贊同此一作法。1985 年，張忠謀回臺擔任工研院院長，並兼任聯電董事長。然而，張忠謀於 1987 年成立的「臺灣積體電路公司」（臺積電）卻率先實踐了晶圓代工的商業模式，這讓曹興誠認為自己的想法遭到剽竊，也種下兩人之間的心結。1991 年，曹興誠以「競業迴避」為由，聯合其他董事要求張忠謀辭去董事長一職，從此揭開臺灣晶圓雙雄爭霸的序幕。 轉型專業晶圓代工 1995 年，儘管當時晶圓代工的業務僅佔聯電營收的三分之一，曹興誠仍決定放棄經營自有品牌，將聯電從事專業晶圓代工。為了籌措建廠資金，聯電與美國、加拿大等地的 11 家 IC 設計公司合資成立聯誠、 聯瑞、聯嘉 3 家 8 吋晶圓代工公司。但相較臺積電獨立建廠經營晶圓代工，聯電與其他 IC 廠合資設廠的做法，造成客戶因此擔心設計圖外流，因此客戶群多以中小型 IC 設計廠為主。於是聯電將旗下的 IC 設計部門分出去成立聯發科技、聯詠科技、聯陽半導體、智原科技、聯笙電子、聯傑國際，而這些廠商後來也都成為臺灣重要的 IC 設計廠，其中聯發科和聯詠更躋身全球前 10 大 IC 製造商。同時曹興誠為了縮小與臺積電的差距，於 1999 年進行「聯電五合一」的方案，合併集團旗下聯誠、聯嘉、聯瑞及和泰 4 家晶圓代工公司。合併後的聯電產能達到了臺積電的 85，全球市佔更從原先的 10 提升至 35，接近臺積電 45 的市佔率，大幅縮小了與臺積電的差距。然而自 2000 年後，聯電與臺積電的差距再次拉開。 發展簡歷 1998 年：為了擴廠需求，取得合泰半導體晶圓廠。此外，為了擴充套件海外市場，取得新日鐵半導體 UMC Japan 部分股權。 1999 年：在臺南科學園區興建 12 吋晶圓廠 2000 年：聯電集團進行跨世紀五合一（聯電 聯誠 聯瑞 聯嘉 合泰五合一）聯電集團五合一策略邏輯 作者：朱博湧 2000 年 1 月號《遠見雜誌第 163 期》，並於紐約證券交易所掛牌上市，產出半導體業界首批銅製程晶片及第一顆 013 微米製程 IC。 2004 年：聯電旗下新加坡 12 吋晶圓廠邁入量產階段，並完成矽統半導體購併案。 2008 年：獲道瓊永續性指數列為成份股之一。 2009 年：正式完全收購新日鐵半導體股權，並納入子公司 UMCJ。 2010 年：聯電成立三十週年。 2013 年：取得中國大陸蘇州和艦科技晶圓廠。 2014 年：入股富士通的新晶圓代工公司。 2015 年：於中國大陸廈門轉投資設立的聯芯積體電路製造廠正式動工聯電吃補 和艦砸 613 億元人民幣入股聯芯 記者：高振誠 2015 年 1 月 28 日 ETtoday 新聞雲。 2017 年：聯電宣佈不再追逐 14 奈米以下先進製程。 2018 年：聯電宣佈將以不超過 5763 億元日圓（約新臺幣 160 億元）的金額，完全收購已持有 159％股權的日本三重富士通半導體（Mie Fujitsu Semiconductor，MIFS），2019 年 10 月 1 日完成股權轉讓。將公司更名為日本聯合半導體，成為聯電全資子公司。 2020 年：聯電成立四十週年。聯電與美國司法部達成認罪協議，以解決 2018 年涉及與晉華積體電路盜竊美光科技專利的商業機密案件。 2021 年：連續 14 年入選道瓊永續性指數（Dow Jones Sustainability Indices DJSI）之「世界指數 DJSIWorld」成分股，也同時入選新興市場成分股（DJSIEmerging Markets）。 2021 年加入由氣候組織和碳揭露專案提出的「RE100」倡議，訂定 2025 年 25、2030 年 50、2050 年 100 之三階段使用再生能源目標，以及在 2050 年達成淨零碳排，為全球第二家加入 RE100 的半導體企業。 2021 年：美光與聯電針對專利訴訟宣佈全球和解，雙方各自撤回向對方提出之訴訟。 晶圓廠 晶圓廠 奈米 地點 晶圓直徑 每月晶圓產量 聯穎光電 450－350 奈米 新竹 150 公釐 31000 Fab 8AB 500－250 奈米 新竹 200 公釐 87000 Fab 8C 350－110 奈米 新竹 200 公釐 37000 Fab 8D 130－90 奈米 新竹 200 公釐 31000 Fab 8E 500－180 奈米 新竹 200 公釐 37000 Fab 8F 180－150 奈米 新竹 200 公釐 40000 Fab 8S 180－110 奈米 新竹 200 公釐 31000 Fab 8N（和艦） 500110 奈米 蘇州 200 公釐 76000 Fab 12A 130－14 奈米 臺南 300 公釐 87000 Fab 12i 130－40 奈米 300 公釐 53000 Fab 12X （聯芯） 40－28 奈米 廈門 300 公釐 19000 Fab 12M （USJC） 90－40 奈米 三重 300 公釐 33000 轉投資與子公司 緣由 聯華電子一方面為了掌握客戶穩定的需求，一方面又企圖主導當時半導體市場的走向，而在此過程中兼顧保持利潤，會把聯電內部的單位獨立出來成立子公司，因此發展出所謂的「聯電模式」，也會與客戶發展夥伴關係成立不少合資公司，而這些合資公司及子公司，又會因應市場當時狀況及夥伴間關係的變動而有所調整。 主要轉投資 聯發科技 聯詠科技 智原科技 智微科技 原相科技 聯陽半導體 矽統科技 聯相光電 聯景光電（已於 2015 年 7 月 1 日與茂迪光電合併，成為被消滅公司） 聯京光電 聯穎光電（於原本的聯電 6A 廠，創新一路 10 號） 蘇州和艦科技（持有 8688 股權） 日本聯合半導體（原三重富士通半導體） 聯芯積體電路製造 廈門 有限公司 相關條目 電子專業製造服務 晶圓代工 司法週刊 參考資料 外部連結 聯華電子 U Category 臺灣半導體公司 U 2 U U U U Category 聯電集團