X 射線光電子能譜學（英文：，簡稱）是一種用於測定材料中元素構成、實驗式，以及其中所含元素化學態和電子態的定量能譜技術。這種技術用 X 射線照射所要分析的材料，同時測量從材料表面以下 1 奈米到 10 奈米範圍內逸出電子的動能和數量，從而得到 X 射線光電子能譜。X 射線光電子能譜技術需要在超高真空環境下進行。在幾十個毫巴氣壓下分析樣品的常壓 XPS 技術也有所發展。 XPS 是一種表面化學分析技術，可以用來分析金屬材料在特定狀態下或在一些加工處理後的表面化學。這些加工處理方法包括空氣或超高真空中的壓裂、切割、刮削，用於清除某些表面汙染的離子束蝕刻，為研究受熱時的變化而置於加熱環境，置於可反應的氣體或溶劑環境，置於離子注入環境，以及置於紫外線照射環境等。 XPS 也被稱作 ESCA，這是化學分析用電子能譜學的簡稱。 XPS 能夠檢測到所有原子序數大於等於 3 的元素（即包括鋰及所有比鋰重的元素），而不能檢測到氫和氦。 對大多數元素而言的檢出限大約為千分之幾，在特定條件下檢出極限也有可能達到百萬分之幾，例如元素在表面高度集中或需要長時間的累積時間。 XPS 被廣泛應用於分析無機化合物、合金、半導體、聚合物、元素、催化劑、玻璃、陶瓷、染料、紙、墨水、木材、化妝品、牙齒、骨骼、移植物、生物材料、油脂、膠水等。 XPS 可以用來測量： 表面的元素構成（通常範圍為 1 奈米到 10 奈米） 純淨材料的實驗式 不純淨表面的雜質的元素構成 表面每一種元素的化學態和電子態 表面元素構成的均勻性 進行 X 射線光電子能譜技術可以採用商業公司或個人製造的 XPS 系統，也可採用一個基於同步加速器的光源和一臺特別設計的電子分析器組合而成。商業公司製造的 XPS 系統通常採用光束長度為 20 至 200 微米的單色鋁 Kα 線，或者採用 10 至 30 微米的複色鎂射線。某些經特殊設計的少數 XPS 系統可以用於分析高溫或低溫下的揮發性液體和氣體材料，以及在壓強大約為 1 託的真空下進行工作，但這類 XPS 系統通常都相對少見。 由於對特定波長的 X 射線，其能量是已知的，對於每一個出射電子所具有的電子結合能可以由下面公式求出： E_text binding E_text photon left E_text kinetic phiright 其中 E_text binding 是電子結合能，E_text photon 是所用的 X 射線的光子的能量，E_text kinetic 是被測量到的電子的動能，phi 是能譜儀（而不是材料）的功函式，與材料表面相關。這一公式是基於歐內斯特盧瑟福在 1914 年的工作得來的。 XPS 的歷史 1887 年，海因裡希魯道夫赫茲發現了光電效應但沒有對此提出合理的解釋。1905 年，愛因斯坦解釋了該現象，併為此獲得了 1921 年的諾貝爾物理學獎。兩年後的 1907 年，用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球（電子能量分析儀）和照像平版做實驗來記錄寬頻發射電子和速度的函式關係，他的實驗事實上記錄了人類第一條 X 射線光電子能譜。其他研究者如亨利莫塞萊、羅林遜和羅賓遜等人則分別獨立進行了多項實驗，試圖研究這些寬頻所包含的細節內容。 XPS 的研究由於戰爭而中止，瑞典物理學家凱西格巴恩和他在烏普薩拉的研究小組於第二次世界大戰後，在研發 XPS 裝置中獲得了多項重大進展，並於 1954 年獲得了氯化鈉的首條高能高分辨 X 射線光電子能譜，顯示了 XPS 技術的強大潛力。1967 年之後的幾年間，西格巴恩就 XPS 技術發表了一系列學術成果，使 XPS 的應用被世人所公認。在與西格巴恩的合作下，美國惠普公司於 1969 年製造了世界上首臺商業單色 X 射線光電子能譜儀。1981 年西格巴恩獲得諾貝爾物理學獎，以表彰他將 XPS 發展為一個重要分析技術所作出的傑出貢獻。 XPS 的物理原理 XPS 的原理為利用 X 射線照射樣品，激發原子的內層電子及價電子，使其發射出來，激發出來的電子稱為光電子。透過測量不同能量的光電子的數目，以結合能或光電子的動能（結合能，Binding Energy Eb，Ebhv 光子能量Ek（光電子動能）w（功函式））為橫座標，相對強度（countss）為縱座標可做出光電子能譜圖，從而獲得試樣有關資訊。因 X 射線光電子能譜學對化學分析極為有用，還被稱為化學分析用電子能譜學（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）。 XPS 系統的元件 一臺標準商業化的 XPS 系統的主要元件包括： X 射線源（包括經過單色化和未經單色化的 X 射線源，通常利用鋁或鎂作為靶材） 超高真空腔室及相應的真空泵組（腔室通常用高 μ 材料，即磁導率較高的材料，以遮蔽外界磁場） 適度真空的樣品腔室 電子收集透鏡（提高電子收集率，從而提高譜圖質量） 電子能量分析儀（記錄不同能量的光電子的數目） 離子槍或團簇槍（透過離子濺射或團簇濺射去除表面汙染或做深度剖析） 樣品臺及其操控裝置 此外，部分商業化裝置還可根據客戶要求加裝 俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy AES） 拉曼光譜（Raman Spectra） 真空斷裂臺（在真空中對樣品進行解理） 高壓反應腔室等 用途和功能 XPS 主要功能有三個： 確定樣品表面 101nm 厚度內的元素種類（除氫和氦） 確定元素的相對百分比含量 元素的化學環境（價態等） 透過儀器操作及資料處理，還可獲得以下資訊： 樣品表面的元素分佈圖 樣品表面同種元素的不同價態分佈圖 其中解析度主要受 X 射線光斑大小限制（現在已經達到 101 微米量級） 加裝了其它裝置後（如離子槍），還可以獲得： 元素的組成、百分比及化學環境隨深度的變化關係 高階系統的功能 測量元素組分在樣品表面的均勻度（line profiling，或 mapping） 透過離子束蝕刻，測量元素組分與深度的關係（depth profiling） 透過傾斜樣品，測量元素組分與深度的關係（角分辨 XPS） 化學態和化學位移 XPS 中的化學位移（chemical shift），不同於核磁共振譜中的化學位移，指的是光電子能譜中同一種原子的峰由於所處化學環境的不同，在能量方向上的微小位移。化學位移是一種初態效應（Initial State Effect），即內層的空穴生成之前就存在的效應。因為化學位移的位移量一般在 1eV 到 10eV 不等，所以只有在能量方向上解析度較高的 XPS 才能觀測得到。 化學位移的原理可以有如下理解：對於某能級的電子，其電子結合能（Electron binding energy）由它與原子核之間的庫倫力和其他電子的（Screening effect）共同決定。由於化學鍵的形成過程中牽涉到電子轉移，原子中電子的密度分佈也會隨之改變，進而影響到電子的結合能。一般來說，更多的電子會增強遮蔽效應，造成電子結合能的降低，使對應的峰向能量較低的方向移動。 右圖是 X 射線光電子能譜在矽的 2p 峰附近的區間，所測量的樣品為氧化後的矽晶圓。紅色的曲線為測得的原始資料，可以透過曲線擬合分解為五個峰，分別對應矽原子在此樣品中所處的五種化學態（從 A 到 E）。最左邊的 E 峰（10367 eV）對應的是位於氧化程度最高的 SiO2 中的矽原子；D 峰（10272 eV）對應著氧化程度次之的 Si2O3 。A 峰（9969 eV）和 B 峰（10030 eV）對應的是未被氧化的矽原子；之所以分裂成兩個峰是因為電子在 2p 軌道上的自旋 軌道效應。實驗資料表明，代表 2p12 電子的 B 峰與代表 2p32 電子的 A 峰的強度之比總是會有 1：2 的關係。 在 XPS 中，不同峰的強度還可以用來定量分析對應化學態的出現程度。右圖中矽的氧化態對應的峰（C 峰、D 峰和 E 峰）中，E 峰最為明顯，表明 SiO2 是此樣品中的矽的最常見的氧化態。 除此之外，碳原子也常常在 XPS 中被選作研究物件。若將碳原子所處的不同化學態按照在它們光電子能譜中呈現的峰所處的能量從低到高排列，則有以下順序（目標原子已經以粗體標出）：碳化物（C2） 矽酮（SiCH3） 亞甲基 甲基 烴（CH2CH2、CH3CH2 或 CHCH） 胺（CH2NH2） 醇（COH） 酮（CO） 酯（COOR） 碳酸根（CO32） 單氟烴（CFHCH2） 雙氟烴（CF2CH2） 三氟烴（CH2CF3）。 使用 XPS 的工業 該技術的應用可概括為以下幾個領域： 聚合物和粘合劑 多相催化 The reaction network in propane oxidation over phasepure MoVTeNb M1 oxide catalysts Journal of Catalysis 2014 311 369385 httpscoreacukdownloadpdf210625575pdf Surface chemistry of phasepure M1 MoVTeNb oxide during operation in selective oxidation of propane to acrylic acid Journal of Catalysis 2012 285 4860 httpspurempgderestitemsitem_1108560_8componentfile_1402724content 光催化 冶金 微電子httpswwwresearchgatenetpublication222937560_Thin_films_and_interfaces_in_microelectronics_Composition_and_chemistry_as_function_of_depth 減少汙染物的研究 8 腐蝕現象 固體表面的一般表徵。 XPS 常規限制 量化精確度與精密度 對於均勻的固態物質，XPS 既便捷又有極高的量化精確度的特點，使其被廣泛地用於測定材料的實驗式。 量化精確度可被分為兩類：絕對量化與相對量化。前者一般需要使用認證過的（或被單獨檢驗過的）標準樣品，所以比較有挑戰性，也比較少見。 相對量化則較為普遍。這種量化牽涉到一個集合中許多樣品的相互比較。在這個集合中，一種或多種的分析物處於變化狀態，同時其他所有的組分（樣品矩陣）保持不變。 量化精確度取決於許多引數，例如：信噪比，峰強，相對敏感度因子的精確度，電子透射函式的修正，表面體積的均勻度，電子平均自由程的能量相關性的修正，以及分析中樣品的損壞程度。 在最佳條件下，由 XPS 主峰計算出的（at）值的量化精確度為 9095（單個主峰）。若使用高質量的控制協議，精確度還能進一步提升。 在通常的工作條件下，當表面為期望中的材料和雜質的混合物時，準確度在 8090 不等（以原子百分比為單位）。 對於較弱的 XPS 訊號（強度為最強訊號的 1020），其量化精確度為真實值的 6080，且取決於對信噪比的最佳化（例如）的程度。 量化精密度（參見準確與精密）是在量化結果的正式報告中必須考慮的東西。標準的統計檢驗，如用於比較平均值的學生 t 檢驗，應被用於確定一組重複測量結果的平均值的置信水平，以及多組不同結果的比較上。一般來說，p 值（學生 t 檢驗的一個輸出）在 005 以下意味著置信度 95 在其領域中獲得承認且引起注意。 分析時段 探測限制 分析區域限制 測量部位取決於儀器的設計形態。最小分析面積從 10 微米到 200 微米。單色的 x 射線光束直徑的最大尺寸為 1 毫米到 5 毫米。非單色 x 射線光束直徑的最大尺寸為 10 毫米到 50 毫米。 樣品大小限制 大多數儀器可測量的樣品尺寸為 1x1 釐米到 3x3 釐米，最新的儀器可測量最大尺寸為直徑為 300 毫米的圓片和 30x30 釐米的樣品。 通常 XY 方向的限制不是很大，而在 Z 軸方向，很多 XPS 裝置在樣品臺下方加裝了磁場產生裝置以提高計數率，因此厚度通常限制在 5 毫米以下。 分析中降解 XPS 材料常規分析 分析細節 電荷補償技術 絕緣樣品表面的光電子發射引起正的靜電荷（h）， 使樣品出現一穩定的表面電勢 Vs，它對光電子逃離有束縛作用，使譜線發生位移，還會使譜峰展寬、畸變。 當用非單色化的 X 射線源激發光電發射時，在樣品的附近有足夠的低能電子提供，使其有效地中和樣品，從而獲得高質量的 XPS 譜圖。當用單色 X 射線源時，在靠近樣品附近不會產生這麼大量的低能電子，所以無法中和樣品上的荷電。事實上，由於單色器的 X 射線線寬比非單色的 X 射線窄的多，更需要有效的荷電補償。荷電補償在分析區域內也必須均勻，以防 XPS 譜峰展寬。 儘管如此，並不代表這對於 XPS 使用的 X 射線，使用非單色化的 X 射線要優於單色化的。使用單色化的 X 射線可以使譜線便窄，得到更多的化學訊號資訊；同時也可以除去 X 射線譜中干擾的部分，即 X 射線伴峰（衛星峰）和軔致輻射產生的連續背景。使用單色器可以將 X 射線聚焦成小束斑，即可以實現高靈敏度的小面積 XPS（SAX）測量，或者可在同一個穩定性稍差的樣品上進行多點測試。 所以對於荷電效應的補償有時候顯得非常重要。當必須進行荷電補償時，正確的方法是給樣品補償低能電子（e），但通常無法達到精確的電荷平衡，多餘的電子在樣品表面產生均勻的、大小已知的負電。然後在資料處理時，將峰移至正確的位置。此種技術可以將荷電差異或者不均勻荷電減到最小。但是難以用某一種方法徹底消除。用於荷電補償的電子束應該是低能電子以避免損傷樣品的表面，但必須有足夠高的通量，以充分地補償荷電。典型的電子能量小於 5eV。 然而，在實際的 XPS 分析中，一般採用內標法進行校準，而非進行荷電效應補償。最常用的方法是用真空系統中最常見的有機汙染碳 C 1s 的電子結合能為 2846 eV 進行校準，這種方法方便快捷。當然，對於有時候也可以採用穩定的化學元素 Au Pt In Ar 等，透過在樣品表面蒸鍍 Au 或 Pt 等元素（BEAu4f72840eVBEPt4f72711eV，用金和 Pt 來做荷電校正；或者有人將樣品壓入 In 片，用 In 來做校正；或者將 Ar 離子注入到樣品表面，用 Ar2p 來做校正。所謂的校正，就是所有的元素以它為標準，比如碳元素 C 每個元素都要加上或減去碳 C 的訊號峰移動的 ev。 樣品製備 資料處理 峰值擬合 參見 紫外光電子能譜學（Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy UPS） 相關方法 ARPES 角分辨光電子能譜學 UPS 紫外光電子能譜學 for gases aka PES PES for solid surfaces aka UPS ZEKE AES 俄歇電子能譜學 參考資料 延伸閱讀 Annotated Handbooks of Monochromatic XPS Spectra PDF of Volumes 1 and 2 BVCrist published by XPS International LLC 2005 Mountain View CA USA Handbooks of Monochromatic XPS Spectra Volumes 15 BVCrist published by XPS International LLC 2004 Mountain View CA USA Surface Analysis by Auger and Xray Photoelectron Spectroscopy ed JTGrant and DBriggs published by IM Publications 2003 Chichester UK Practical Surface Analysis by Auger and Xray Photoelectron Spectroscopy 2nd edition ed MPSeah and DBriggs published by Wiley Sons 1992 Chichester UK Practical Surface Analysis by Auger and Xray Photoelectron Spectroscopy ed MPSeah and DBriggs published by Wiley Sons 1983 Chichester UK ISBN 047126279X Surface Chemical Analysis Vocabulary ISO 18115 2001 International Organisation for Standardisation ISO TC201 Switzerland Handbook of Xray Photoelectron Spectroscopy JFMoulder WFStickle PESobol and KDBomben published by PerkinElmer Corp 1992 Eden Prairie MN USA Handbook of Xray Photoelectron Spectroscopy CDWagner WMRiggs LEDavis JFMoulder and GEMullenberg published by PerkinElmer Corp 1979 Eden Prairie MN USA 外部連結 The Science of Spectroscopy supported by NASA Spectroscopy education wiki and films introduction to light its uses in NASA space science astronomy medicine health environmental research and consumer products Category 原子物理學 Category 分子物理學 Category 光譜學 Category 表面化學 Category 表面分析技術