半導體材料是一類固體材料，其導電性介於導體和絕緣體之間，屬於半導體。 發展 1833 年，英國的法拉第發現硫化銀是半導體材料，因為它的電阻隨著溫度上升而降低。 1874 年，德國的布勞恩注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關，這就是半導體的整流作用。 1947 年 12 月 23 日，巴丁與布拉坦進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器，電晶體正式發明。 1958 年 9 月 12 日，美國的基爾比，細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊 pn 接面做為電容，製造出一個震盪器電路。 分類 以原料分為： 元素半導體材料：以單一元素組成的半導體，屬於這一材料的有硼、金剛石、鍺、矽、灰錫、銻、硒、碲等，其中以鍺、矽、錫研究較早，製備工藝相對成熟。 zhcn 複合半導體；zhtw 化合物半導體 材料：由兩種或兩種以上無機物化合成的半導體，種類繁多，已知的二元化合物就有數百種。 三五半導體：由 Ⅲ 族元素（如 Al、Ga、In）和 Ⅴ 族元素（如 P、As、Sb）組成，比如砷化鎵；它們都具有閃鋅礦結構，在應用方面僅次於 Ge、Si。 二六半導體：ⅡB 族元素（如 Zn、Cd、Hg）和 Ⅵ 族元素（如 S、Se、Te）組成的化合物，是一些重要的光電材料；硫化鋅、碲化鎘、碲化汞具有閃鋅礦結構。 四四半導體：碳化矽和矽鍺合金都具有閃鋅礦結構。 有機半導體：同時是有機物質的半導體。 列表 半導體材料列表 族 元素 化學式 能隙 eV 直接帶隙和間接帶隙 IV 1 矽 Si 112 間接帶隙 IV 1 Germanium Ge 067 間接帶隙 IV 1 C 547 間接帶隙 IV 1 錫，αSn Sn 0SH Groves CR Pidgeon AW Ewald RJ Wagner Journal of Physics and Chemistry of Solids Volume 31 Issue 9 September 1970 Pages 20312049 1970 Interband magnetoreflection of αSn 半金屬 能帶理論 IV 2 碳化矽，3CSiC SiC 23 間接帶隙 IV 2 碳化矽，4HSiC SiC 33 間接帶隙 IV 2 碳化矽，SiC 30 間接帶隙 VI 1 硫，硫的同素異形體 S8 26 VI 1 硒 Se 183 20 間接帶隙 VI 1 硒 Se 205 間接帶隙 VI 1 碲 Te 033 IIIV 2 氮化硼，cubic BN 636 間接帶隙 IIIV 2 氮化硼，hexagonal BN 596 quasidirect IIIV 2 氮化硼 BN 55 IIIV 2 磷化硼 BP 21 間接帶隙 IIIV 2 砷化硼 BAs 182 直接帶隙 IIIV 2 砷化硼 B12As2 347 間接帶隙 IIIV 2 氮化鋁 AlN 628 直接帶隙 IIIV 2 磷化鋁 AlP 245 間接帶隙 IIIV 2 砷化鋁 AlAs 216 間接帶隙 IIIV 2 銻化鋁 AlSb 1622 直接帶隙 direct IIIV 2 氮化鎵 GaN 344 直接帶隙 IIIV 2 磷化鎵 GaP 226 間接帶隙 IIIV 2 GaAs 142 直接帶隙 IIIV 2 銻化鎵 GaSb 073 直接帶隙 IIIV 2 氮化銦 InN 07 直接帶隙 IIIV 2 磷化銦 InP 135 直接帶隙 IIIV 2 砷化銦 InAs 036 直接帶隙 IIIV 2 銻化銦 InSb 017 直接帶隙 IIVI 2 硒化鎘 CdSe 174 直接帶隙 IIVI 2 硫化鎘 CdS 242 直接帶隙 IIVI 2 碲化鎘 CdTe 149 直接帶隙 IIVI 2 氧化鋅 ZnO 337 直接帶隙 IIVI 2 硒化鋅 ZnSe 27 直接帶隙 IIVI 2 硫化鋅 ZnS 354391 直接帶隙 IIVI 2 碲化鋅 ZnTe 23 直接帶隙 IVII 2 氯化亞銅 CuCl 34 直接帶隙 IVI 2 Cu2S 12 間接帶隙 IVVI 2 硒化鉛 PbSe 026 直接帶隙 IVVI 2 硫化鉛 PbS 037 IVVI 2 碲化鉛 PbTe 032 IVVI 2 硫化亞錫 SnS 1310 直接帶隙 間接帶隙 IVVI 2 二硫化錫 SnS2 22 IVVI 2 碲化亞錫 SnTe 018 IVVI 3 Pb1xSnxTe 0029 VVI 2 碲化鉍 Bi2Te3 013 IIV 2 磷化鎘 Cd3P2 05 IIV 2 砷化鎘 Cd3As2 0 IIV 2 磷化鋅 Zn3P2 15 直接帶隙 IIV 2 二磷化鋅 ZnP2 21 IIV 2 砷化鋅 Zn3As2 10 IIV 2 銻化鋅 Zn3Sb2 氧 2 二氧化鈦，銳鈦礦 TiO2 320 間接帶隙 氧 2 二氧化鈦，金紅石 TiO2 30 直接帶隙 氧 2 二氧化鈦，板鈦礦 TiO2 326 氧 2 氧化亞銅 Cu2O 217 氧 2 氧化銅 CuO 12 氧 2 二氧化鈾 UO2 13 氧 2 二氧化錫 SnO2 37 氧 3 鈦酸鋇 BaTiO3 3 氧 3 鈦酸鍶 SrTiO3 33 氧 3 鈮酸鋰 LiNbO3 4 VVI 2 monoclinic 二氧化釩 VO2 07 光學帶隙 2 碘化鉛 PbI2 24 2 二硫化鉬 MoS2 123 eV 2H 間接帶隙 2 GaSe 21 間接帶隙 2 硒化銦 InSe 126235 eV 直接帶隙 2D 間接帶隙 2 硫化亞錫 SnS 15 eV 直接帶隙 2 硫化鉍 Bi2S3 13 Magnetic diluted DMS B G Yacobi Semiconductor materials an introduction to basic principles Springer 2003 3 GaMnAs Magnetic diluted DMS 3 Lead manganese telluride PbMnTe 4 Lanthanum calcium manganate La07Ca03MnO3 2 氧化亞鐵 FeO 22 2 一氧化鎳 NiO 3640 直接帶隙 Synthesis and Characterization of NanoDimensional Nickelous Oxide NiO Semiconductor S Chakrabarty and K ChatterjeeSynthesis and Room Temperature Magnetic Behavior of Nickel Oxide Nanocrystallites Kwanruthai Wongsaproma and Santi Maensiri b 2 EuO 2 硫化亞銪 EuS 2 溴化鉻 CrBr3 其它 3 CIS CuInSe2 1 直接帶隙 其它 3 Silver gallium sulfide AgGaS2 其它 3 Zinc silicon phosphide ZnSiP2 20 其它 2 三硫化二砷 雌黃 As2S3 27 直接帶隙 其它 2 硫化砷 雄黃 As4S4 其它 2 PtSi 其它 2 碘化鉍 BiI3 其它 2 碘化汞 HgI2 其它 2 溴化亞鉈 TlBr 268 其它 2 硫化銀 Ag2S 09 其它 2 FeS2 095 其它 4 CZTS Cu2ZnSnS4 149 直接帶隙 其它 4 CZAS Cu118Zn040Sb190S72 22 直接帶隙 其它 3 Copper tin sulfide CTS Cu2SnS3 091 直接帶隙 合金表 半導體材料合金列表 族 元素 材料 化學式 能隙 eV 能隙 eV 直接帶隙和間接帶隙 族 元素 材料 化學式 下 上 直接帶隙和間接帶隙 IVVI 3 Pb1xSnxTe 0 029 IV 2 矽鍺 Si1xGex 067 111 直接帶隙 間接帶隙 IV 2 Si1xSnx 10 111 間接帶隙 IIIV 3 AlxGa1xAs 142 216 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 3 InxGa1xAs 036 143 直接帶隙 IIIV 3 磷化銦鎵 InxGa1xP 135 226 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 3 AlxIn1xAs 036 216 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 3 AlxGa1xSb 07 161 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 3 AlxIn1xSb 017 161 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 3 Gallium arsenide nitride GaAsN IIIV 3 GaAsP 143 226 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 3 AlAsSb 161 216 間接帶隙 IIIV 3 GaAsSb 07 142 直接帶隙 IIIV 3 AlGaN 344 628 直接帶隙 IIIV 3 AlGaP 226 245 間接帶隙 IIIV 3 InGaN 2 34 直接帶隙 IIIV 3 InAsSb 017 036 直接帶隙 IIIV 3 InGaSb 017 07 直接帶隙 IIIV 4 AlGaInP 直接帶隙 間接帶隙 IIIV 4 Aluminium gallium arsenide phosphide AlGaAsP IIIV 4 InGaAsP IIIV 4 InGaAsSb IIIV 4 InAsSbP IIIV 4 Aluminium indium arsenide phosphide AlInAsP IIIV 4 Aluminium gallium arsenide nitride AlGaAsN IIIV 4 Indium gallium arsenide nitride InGaAsN IIIV 4 Indium aluminium arsenide nitride InAlAsN IIIV 4 Gallium arsenide antimonide nitride GaAsSbN IIIV 5 Gallium indium nitride arsenide antimonide GaInNAsSb IIIV 5 GaInAsSbP IIVI 3 碲化鋅鎘，CZT CdZnTe 14 22 直接帶隙 IIVI 3 HgCdTe 0 15 IIVI 3 HgZnTe 0 225 IIVI 3 Mercury zinc selenide HgZnSe IIV 4 Zn1xCdx 3 P1yAsy 2 0 15 其它 4 CIGS Cu InGa Se2 1 17 直接帶隙 參見 有機半導體 參考文獻