போரான் ஆர்சினைடு
{{Chembox|Name=போரான் ஆர்சினைடு&lt;/br&gt; Boron Arsenide
 |ImageFile=Boron-arsenide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
 |ImageFile2=B12As2_3D_side_view.jpg
 |ImageName=BAs|ImageCaption=BAs
 |ImageCaption2=B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;
 |Section1={{Chembox Identifiers
 | CASNo_Ref = {{cascite|correct|??}}
 | CASNo = 12005-69-5
 | ChemSpiderID = 8461243
  }}|Section2={{Chembox Properties
 | Formula = BAs or B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;
 | MolarMass = 85.733 கி/மோல்
 | Appearance =
 | Density = 5.22 கி/செ.மீ&lt;sup&gt;3&lt;/sup&gt;, திண்மம்
 | Solubility = கரையாது
 | MeltingPtC = 2027
 | BoilingPtC = 
 | BandGap = 1.50 எலக்ட்ரான் வோல்ட்(BAs); 3.47 எலக்ட்ரான் வோல்ட்(B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;)
  }}|Section4={{Chembox Thermochemistry
 | DeltaHf = 
 | Entropy = 
  }}|Section7={{Chembox Hazards
 | EUClass = N/A
 | RPhrases =
 | SPhrases = 
  }}|Section8={{Chembox Related
 | OtherAnions = [[போரான் நைட்ரைடு]]&lt;br /&gt;[[போரான் பாஸ்பைடு]]&lt;br /&gt;[[போரான் ஆண்டிமோனைடு]]
 | OtherCations = [[அலுமினியம் ஆர்சினைடு]]&lt;br /&gt;[[காலியம் ஆர்சினைடு]]&lt;br /&gt;[[இண்டியம் ஆர்சினைடு]]
  }}|verifiedrevid=428779018}}
 '''போரான் ஆர்சினைடு '''(Boron arsenide) BAs என்ற [[மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு|மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டை]] உடைய [[வேதிச் சேர்மம்]] ஆகும். உபஆர்சினைடு B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2 &lt;/sub&gt;உட்பட வேறு பல போரான் ஆர்சினைடுகளும் அறியப்பட்டுள்ளன.&lt;ref name=&quot;Bristol&quot;&gt;{{cite web|url=http://spectra.phy.bris.ac.uk/research_semiconductor.asp |title=Semiconductor Research |publisher=University Bristol, Applied Spectroscopy Group |url-status=dead|archiveurl=https://web.archive.org/web/20140201195303/http://spectra.phy.bris.ac.uk/research_semiconductor.asp |archivedate=2014-02-01 |df= }}&lt;/ref&gt;
 
 == பண்புகள் ==
 இது தொகுதி III முதல் தொகுதி V வரையுள்ள தனிமங்களில் 0.477 நேனோமீட்டர் மதிப்புள்ள படிகக்கூடு மாறிலியையும், தோராயமாக 1.5 இலத்திரன் வோல்ட்டு மதிப்புள்ள மறைமுக பட்டை இடைவெளியையும் கொண்டுள்ள கன சதுர (இசுபாலரைட்டு) [[குறைக்கடத்தி]] ஆகும்.&lt;ref&gt;{{cite journal | last1 = Hart | first1 = G. L. W. | last2 = Zunger | first2 = A. | year = 2000 |title = Electronic Structure of BAs and Boride III-V Alloys | journal = Physical Review B | volume = 62 | issue = 20 | pages = 13522–13537 | doi = 10.1103/PhysRevB.62.13522 | arxiv = cond-mat/0009063 }}&lt;/ref&gt;  இச்சேர்மமானது [[காலியம் ஆர்சினைடு]]டன் உலோகக்கலவையாக்க செயல்முறைக்குட்படுத்தப்பட்டு மூவிணைய மற்றும் நான்கிணைய குறைக்கடத்திகளைத் தருகிறது.&lt;ref name=&quot;APL2000&quot;&gt;J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, R. C. Reedy, A. B. Swartzlander, B. M. Keyes, and A. G. Norman, &quot;BGaInAs alloys lattice matched to GaAs,&quot; ''Applied Phys. Lett. 76'', No. 11, 13 Mar. 2000.&lt;/ref&gt; கனசதுர BAs ஆனது, 920&amp;nbsp;°செல்சியசு வெப்பநிலைக்கு அதிகமாக வெப்பப்படுத்தும் போது சிதைவடைந்து உபஆர்சினைடுகளைத் B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; தருகிறது.&lt;ref&gt;T. L. Chu and A. E. Hyslop, ''J. Electrochem. Soc.'', Vol. 121, 412 (1974).&lt;/ref&gt;
 
 == போரான் உபஆர்சினைடு ==
 போரான் ஆர்சினைடு இருபதுமுக போரைடுகள் உள்ளிட்ட, உபஆர்சினைடுகளாகவும் B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; கிடைக்கின்றது. &lt;ref name =&quot;Bristol&quot; /&gt;இது ''R-3m'' வெளித் தொகுதியை சார்ந்த  போரான் கொத்துகள் மற்றும் இரு அணு As-As தொடர் ஆகியவற்றை அடித்தளமாகக் கொண்டு  சாய்சதுர அமைப்பைப் பெற்றுள்ளது. இது அகன்ற பட்டை இடைவெளியைக் கொண்ட (3.47 இலத்திரன் வோல்ட்) குறைக்கடத்தியாகும். இது தன்னைத்தானே கதிரியக்க பாதிப்பிலிருந்து சுயமாக சரிசெய்து கொள்ளும் அசாதாரணத் திறனைக் கொண்டுள்ளது.&lt;ref&gt;M. Carrard, D. Emin, and L. Zuppiroli, ''Phys. Rev. B'', Vol. 51, 11270 (1995).&lt;/ref&gt; இந்த வடிவமானது சிலிகான் கார்பைடுகள் போன்ற அடித்தளங்களின் மீது வளர்க்கப்படலாம்.&lt;ref&gt;{{cite journal | doi = 10.1063/1.2945635 | last1 = Chen | first1 = H. | year=2008 | last2 = Wang | first2 = G. | last3 = Dudley | first3 = M. | last4 = Xu | first4 = Z. | last5 = Edgar | first5 = J. H. | last6 = Batten | first6 = T. | last7 = Kuball | first7 = M. | last8 = Zhang | first8 = L. | last9 = Zhu | first9 = Y. | title = Single-Crystalline B&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;As&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; on m-plane (1-100)15R-SiC | journal = Applied Physics Letters | volume = 92 | issue = 23 | page = 231917 }}&lt;/ref&gt;
 
 ==பயன்பாடுகள்==
 போரான் ஆர்சினைடு [[சூரிய மின்கலம்]] புனைவுக்கான பொருளாகப்  பயன்படுத்தப்பட முன்மொழியப்பட்டது. &lt;ref name=&quot;APL2000&quot; /&gt;&lt;ref&gt;Boone, J. L. and Vandoren, T. P., ''Boron arsenide thin film solar cell development, ''Final Report, Eagle-Picher Industries, Inc., Miami, OK.  [http://adsabs.harvard.edu/abs/1980STIN...8114445B abstract] (retrieved May 15, 2014)&lt;/ref&gt; இருப்பினும் தற்போது இச்சேர்மம் இந்நோக்கத்திற்காக பயன்படுத்தப்படவில்லை.
 
 கப்பற்படை ஆய்வு சோதனைக்கூடம் மற்றும் [[பாஸ்டன் கல்லூரி|பாஸ்டன் கல்லூரியினர்]] இணைந்த குழுவானது கனசதுர போரான் ஆர்சினைடின் கணக்கிடப்பட்ட [[வெப்ப கடத்துத் திறன்|வெப்ப கடத்துத்திறனானது]] குறிப்பிடத்தக்க அளவிற்கு அதிகமாக இருந்ததாக கண்டறிந்தது. [[அறை வெப்பநிலை]]யில், இதன் வெப்ப கடத்துத்திறனானது, κ, 1000 [[வாட்டு (அலகு)|வாட்டு]]/([[மீ]]•[[கெல்வின்]]), என்ற அளவில், [[வைரம்]] மற்றும் [[கிராஃபைட்|கிராஃபைட்டுடன்]] ஒப்பிடக்கூடிய அளவாகவும், உயர் வெப்பநிலைகளில் வைரத்தின் வெப்ப கடத்துதிறனை மிஞ்சுவதாகவும் ஆய்வாளர்கள் எல்.லிண்ட்சே, டி.ஏ.பிரோயிடோ மற்றும் டி.எல். ரெய்னெக் ஆகியோர் தெரிவித்துள்ளனர். &lt;ref&gt;Phys.org news, [http://phys.org/news/2013-07-competitor-diamond-thermal-conductor.html An unlikely competitor for diamond as the best thermal conductor], Jul 08, 2013 (retrieved May 15, 2014)&lt;/ref&gt;&lt;ref&gt;[https://archive.today/20130708131450/http://prl.aps.org/accepted/af075YcePb515b4aa5d94106e9323d92d822fd4f7/ First-principles determination of ultrahigh thermal conductivity of boron arsenide: A competitor for diamond?]&lt;/ref&gt;
 
 == மேற்கோள்கள் ==
 
 [[பகுப்பு:ஆர்சினைடுகள்]]