காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு
{{Chembox
 | ImageFile = Ga(acac)3.png
 | ImageSize = 
 | ImageAlt = 
 | IUPACName = &lt;nowiki&gt;(Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]gallanyloxypent-3-en-2-one&lt;/nowiki&gt;
 | OtherNames = காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு
 |Section1={{Chembox Identifiers
 | CASNo = 14405-43-7
 | PubChem = 16717626
 | SMILES = }}
 |Section2={{Chembox Properties
 | Formula = GaC&lt;sub&gt;15&lt;/sub&gt;H&lt;sub&gt;21&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;6&lt;/sub&gt;
 | MolarMass = 367.05 கி/மோல்
 | Appearance = வெண் திண்மம்
 | Density = 1.42 கி/செ.மீ&lt;sup&gt;3&lt;/sup&gt;
 | MeltingPt = 
 | BoilingPt = 
 | Solubility = }}
 |Section3={{Chembox Hazards
 | MainHazards = 
 | FlashPt = 
 | AutoignitionPt = }}
 }}
 
 '''காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு''' (''Gallium acetylacetonate'') என்பது Ga(C&lt;sub&gt;5&lt;/sub&gt;H&lt;sub&gt;7&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;)&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; என்ற [[மூலக்கூற்று வாய்பாடு|மூலக்கூற்று வாய்பாட்டால்]] விவரிக்கப்படும் ஒரு [[கரிம வேதியியல்]] [[சேர்மம்|சேர்மமாகும்.]] இந்த அணைவுச் சேர்மத்தை சுருக்கமாக Ga(acac)&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; என்ற வாய்பாட்டாலும் அடையாளப்படுத்தலாம். மூன்று அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு ஈந்தணைவிகளைக்  கொண்ட இந்த காலியம் அணைவுச் சேர்மம்  ஆராய்ச்சியில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. மூலக்கூறு D3 சமச்சீர்நிலையைக் கொண்டுள்ளது. மற்ற எண்முக திரிசு(அசிட்டைலசிட்டோனேட்டு)களுடன் ஒத்த வடிவமைப்பைக் கொண்டுள்ளது.&lt;ref&gt;{{cite journal|doi=10.1107/S0567740874004833|title=Tris(acetylacetonato)gallium(III)|journal=Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry|volume=30|issue=5|pages=1364–1366|year=1974|last1=Dymock|first1=K.|last2=Palenik|first2=G. J.|doi-access=|bibcode=1974AcCrB..30.1364D }}&lt;/ref&gt;  
 
 ==பயன்கள்==
 காலியம் ஆக்சைடு மெல்லிய படலங்களை   அணுவடுக்குப் படிகப்படலவியல் மூலம் தண்ணீர் அல்லது ஓசோனை முன்னோடிச் சேர்மமாக காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டுடன் சேர்ப்பதன் மூலம் உருவாக்க முடியும்.&lt;ref name=&quot;ALE&quot;&gt;{{cite journal | doi = 10.1039/JM9960600027 | title = Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy | date = 1996 | last1 = Nieminen | first1 = Minna | last2 = Niinistö | first2 = Lauri | last3 = Rauhala | first3 = Eero | journal = J. Mater. Chem. | volume = 6 | pages = 27–31 }}&lt;/ref&gt; காலியம் அசிட்டைலசிட்டோனேட்டைப் பயன்படுத்தி உயர் தூய்மையான காலியம் நைட்ரைடு நுண் கம்பிகள் மற்றும் நுண் ஊசிகளை குறைந்த வெப்பநிலை வளர்ச்சிக்கும் பயன்படுத்தப்படலாம்.&lt;ref name=&quot;GaN&quot;&gt;{{cite journal | doi = 10.1021/jp026152t | title = Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires | date = 2002 | last1 = Chang | first1 = Ko-Wei | last2 = Wu | first2 = Jih-Jen | journal = The Journal of Physical Chemistry B | volume = 106 | issue = 32 | pages = 7796–7799 }}&lt;/ref&gt;&lt;ref name=&quot;VLS&quot;&gt;{{cite journal | doi = 10.1007/s00339-003-2229-y | title = Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor | date = 2003 | last1 = Chang | first1 = K.-W. | last2 = Wu | first2 = J.-J. | journal = Applied Physics A: Materials Science &amp; Processing | volume = 77 | issue = 6 | pages = 769–774 | bibcode = 2003ApPhA..77..769C }}&lt;/ref&gt;
 
 ==மேற்கோள்கள்==
 {{Reflist}}
 {{காலியம் சேர்மங்கள்}}
 [[பகுப்பு:காலியம் சேர்மங்கள்]]