இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு
{{Chembox
 &lt;!-- Images --&gt;| Name           = 
 | ImageFile      = NaCl_polyhedra.svg
 | ImageSize      = 
 | ImageAlt       = &lt;!-- Names --&gt;
 | IUPACName      = இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு&lt;/br&gt;Scandium nitride
 | OtherNames     = அசானிலிடின் இசுக்காண்டியம்&lt;br&gt;நைட்ரிடோ இசுக்காண்டியம்
 &lt;!-- Sections --&gt;| SystematicName = 
 | Section1       = {{Chembox Identifiers
 | CASNo = 25764-12-9
 | PubChem = 117629
 | EC_number = 247-247-2
 | ChemSpiderID = 105117
 | StdInChI = InChI=1S/N.Sc
 | StdInChIKey = CUOITRGULIVMPC-UHFFFAOYSA-N
 | SMILES = N#[Sc]
   }}
 | Section2       = {{Chembox Properties
 | Formula = ScN
 | MolarMass = 58.963
 | Appearance =
 | Density = 4.4 கி/செ.மீ&lt;sup&gt;3&lt;/sup&gt;
 | MeltingPtC = 2600
 | MeltingPt_notes =
 | BoilingPt = 
 | Solubility =
   }}
 | Section3       = {{Chembox Hazards
 | MainHazards =
 | NFPA-F = 
 | NFPA-H = 
 | NFPA-R = 
 | NFPA-S = 
 | AutoignitionPt = 
 | GHSPictograms = {{GHS07}}
 | GHSSignalWord = அபாயம்
 | HPhrases = {{H-phrases|228}}
 | PPhrases = 
   }}
 | Section4       = 
 | Section5       = 
 | Section6       = 
 | Section9       = {{Chembox Related
 | OtherAnions    = [[இசுக்காண்டியம் பாசுபைடு]] &lt;br&gt; இசுக்காண்டியம் ஆர்சினைடு &lt;br&gt; இசுக்காண்டியம் ஆண்டிமோனைடு &lt;br&gt; இசுக்காண்டியம் பிசுமுத்தைடு
 | OtherCations   = [[இட்ரியம் நைட்ரைடு]] &lt;br&gt; லித்துவேத்தியம் நைட்ரைடு
 | OtherFunction  = 
 | OtherFunction_label = 
 | OtherCompounds = 
   }}
 }}
 
 '''இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு''' (''Scandium nitride'') என்பது  ScN என்ற [[மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு|மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால்]] விவரிக்கப்படும் ஒரு [[கனிம வேதியியல்]] [[சேர்மம்|சேர்மமாகும்.]] [[இசுக்காண்டியம்]] நேர்மின் அயனியும் [[நைட்ரைடு]] எதிர்மின் அயனியும் சேர்ந்து உருவாகும் இந்த இருமச் சேர்மம்  III-V மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளி குறைக்கடத்தியாக வகைப்படுத்தப்படுகிறது. தங்குதன் படலத்தின் மீது பதங்கமாதல் மற்றும் மறு ஒடுக்கம் மூலம் இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு படிகங்களாக வளர்கிறது.&lt;ref name=&quot;JMS2004&quot;&gt;{{cite journal |last1=Gu |first1=Zheng |last2=Edgar |first2=J H |last3=Pomeroy |first3=J |last4=Kuball |first4=M |last5=Coffey |first5=D W |title=Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride |journal= Journal of Materials Science: Materials in Electronics|date=August 2004 |volume=15 |issue=8 |pages=555–559 |doi=10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c |s2cid=98462001 }}&lt;/ref&gt; 0.451 நானோமீட்டரின் அடுக்கு குணக மாறிலியுடன்  0.9 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளியும் 2 முதல் 2.4 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு வரையான நேரடி ஆற்றல் இடைவெளியும் கொண்ட ஒரு பாறை-உப்பு படிக அமைப்பை இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு கொண்டுள்ளது.&lt;ref name=&quot;JMS2004&quot; /&gt;&lt;ref name=&quot;:0&quot;&gt;{{Cite journal|last1=Biswas|first1=Bidesh|last2=Saha|first2=Bivas|date=2019-02-14|title=Development of semiconducting ScN|url=http://dx.doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.020301|journal=Physical Review Materials|volume=3|issue=2|page=020301 |doi=10.1103/physrevmaterials.3.020301|bibcode=2019PhRvM...3b0301B |s2cid=139544303 |issn=2475-9953}}&lt;/ref&gt; [[நைட்ரசன்]] வாயுவை [[இண்டியம்]]-[[இசுக்காண்டியம்]] உருகல் மூலம் கரைத்து இந்த படிகங்களை தயாரிக்க முடியும். மேக்னட்ரான் தெறிப்புப்பூச்சு போன்ற பிற படிவு முறைகளிலும் இப்படிகங்களை தயாரிக்க முடியும்.&lt;ref name=&quot;:0&quot; /&gt;&lt;ref&gt;{{cite journal |last1=Zhang |first1=Guodong |last2=Kawamura |first2=Fumio |last3=Oshima |first3=Yuichi |last4=Villora |first4=Encarnacion |last5=Shimamura |first5=Kiyoshi |title=Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts |journal=International Journal of Applied Ceramic Technology |date=4 August 2016 |volume=13 |issue=6 |pages=1134–1138 |doi=10.1111/ijac.12576 }}&lt;/ref&gt; சிலிக்கான் டை ஆக்சைடு (SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;) அல்லது ஆபினியம் டை ஆக்சைடு (HfO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;) அடி மூலக்கூறில் உள்ள குறைக்கடத்திகளுக்கு இசுக்காண்டியம்  நைட்ரைடு ஒரு பயனுள்ள நுழைவாயிலாகும்.&lt;ref&gt;{{cite journal |last1=Yang |first1=Hyundoek |last2=Heo |first2=Sungho |last3=Lee |first3=Dongkyu |last4=Choi |first4=Sangmoo |last5=Hwang |first5=Hyunsang |title=Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; and HfO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; |journal=Japanese Journal of Applied Physics |date=13 January 2006 |volume=45 |issue=2 |pages=L83–L85 |doi=10.1143/JJAP.45.L83 |bibcode=2006JaJAP..45L..83Y |s2cid=121206924 }}&lt;/ref&gt;
 
 &lt;!--https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092702560600348X--&gt;
 &lt;!--https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cm048667y--&gt;
 &lt;!--https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2015/dt/c4dt02892a#!divAbstract--&gt;
 &lt;!--https://www.diva-portal.org/smash/get/diva2:573765/FULLTEXT01.pdf--&gt;
 &lt;!--https://spiral.imperial.ac.uk/bitstream/10044/1/43378/1/Tsui-HCL-2016-PhD-Thesis.pdf--&gt;
 ==மேற்கோள்கள்==
 {{reflist}}
 
 [[பகுப்பு:இசுக்காண்டியம் சேர்மங்கள்]]