ஆஃபினியம் டைசல்பைடு
{{chembox
 | Verifiedfields = changed
 | Watchedfields = changed
 | verifiedrevid = 444652607
 | Name = ஆஃபினியம் டைசல்பைடு
 | ImageFile = HfS2chips.jpg
 | ImageFile2 = HfS2 structure.png
 | ImageSize = 240px
 | ImageSize2 = 240px
 | ImageName =
 | IUPACName = ஆஃபினியம் டைசல்பைடு
 | OtherNames =
 |Section1={{Chembox Identifiers
 | ChemSpiderID_Ref = {{chemspidercite|correct|chemspider}}
 | ChemSpiderID = 8374205
 | InChI =
 | InChIKey =
 | ChEBI_Ref = {{ebicite|correct|EBI}}
 | ChEBI =
 | SMILES = S=[Hf]=S
 | StdInChI_Ref = {{stdinchicite|correct|chemspider}}
 | StdInChI = 1S/Hf.2S
 | StdInChIKey_Ref = {{stdinchicite|correct|chemspider}}
 | StdInChIKey =
 | CASNo = 18855-94-2
 | CASNo_Ref = {{cascite|correct|CAS}}
 | RTECS =
 | PubChem = 101811522
   }}
 |Section2={{Chembox Properties
 | Formula = HfS&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;
 | MolarMass = 246.62 கி/மோல்&lt;ref name=b92&gt;{{RubberBible92nd|page=4.66}}&lt;/ref&gt;
 | Appearance = பழுப்பு நிற திண்மம்
 | Density = 6.03 கி/செ.மீ&lt;sup&gt;3&lt;/sup&gt;&lt;ref name=b92/&gt;
 | MeltingPtC =
 | BandGap = ~1.8 eV (மறைமுகம்)&lt;ref&gt;{{cite journal|title=Indirect absorption edge of ZrS&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; and HfS&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;|url=https://archive.org/details/sim_solid-state-communications_1987-07_63_4/page/315|journal=Solid State Communications|volume=63|issue=4|pages=315|doi=10.1016/0038-1098(87)90916-1|year=1987|last1=Terashima|first1=K.|last2=Imai|first2=I.|bibcode=1987SSCom..63..315T}}&lt;/ref&gt;
 | MeltingPt_notes =
 | Solubility =
 | SolubleOther =
 | MagSus =
   }}
 |Section3={{Chembox Structure
 | CrystalStruct = [[பியர்சன் குறியீடு|hP3]], [[இடக்குழு|P{{overline|3}}m1]], No 164&lt;ref name=str&gt;{{Cite journal | doi = 10.1016/0022-4596(84)90176-2| title =Anomalies in the properties of Hf(S&lt;sub&gt;2−x&lt;/sub&gt;Te&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;)&lt;sub&gt;1-y&lt;/sub&gt; and Hf(Se&lt;sub&gt;2−x&lt;/sub&gt;Te&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;)&lt;sub&gt;1-y&lt;/sub&gt; near the metal-insulator transition| journal =Journal of Solid State Chemistry| volume =54| issue =3| pages =438| year =1984| last1 =Hodul| first1 =David T.| last2 =Stacy| first2 =Angelica M.| bibcode =1984JSSCh..54..438H}}&lt;/ref&gt;
 | LattConst_a = 0.363 நானோமீட்டர்
 | LattConst_c =  0.584 நானோமீட்டர்
 | UnitCellFormulas = 1
 | Coordination =
   }}
 |Section7={{Chembox Hazards
 | ExternalSDS =
 | EUClass =
 | RPhrases =
 | SPhrases =
 | NFPA-H =
 | NFPA-F =
 | NFPA-R =
 | FlashPt =
   }}
 |Section8={{Chembox Related
 | OtherAnions = ஆஃபினியம் டையாக்சைடு
 | OtherCations = தங்குதன் டைசல்பைடு&lt;br/&gt;[[மாலிப்டினம் டை சல்பைடு]]
 | OtherFunction =
 | OtherFunction_label =
   }}
 }}
 
 '''ஆஃபினியம் டைசல்பைடு''' ''(Hafnium disulfide)'' என்பது HfS&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;  என்ற [[மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு|மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால்]] விவரிக்கப்படும் ஒரு [[கனிம வேதியியல்]] [[சேர்மம்|சேர்மமாகும்]]. [[ஆஃபினியம்]] மற்றும் [[கந்தகம்]] ஆகிய இரண்டு தனிமங்களும் சேர்ந்து உருவாகும் இச்சேர்மத்தை ஆஃபினியம் இருசல்பைடு என்றும் அழைக்கலாம். ஆஃபினியம் டைசல்பைடு சேர்மம் ஓர் அடுக்கு டைசால்கோசெனைடு என்று வகைப்படுத்தப்படுகிறது. இவ்வேதிப் பொருளின் சில அணு அடுக்குகளை நிலையான சிகாட்ச் பட்டை நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி உரித்துப் பிரிக்க முடியும். புல விளைவு திரிதடையத்தை உருவாக்குவதற்குப் பயன்படுத்தலாம்&lt;ref&gt;{{cite journal|doi=10.1038/srep22277|title=Few-layer HfS&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; transistors|journal=Scientific Reports|volume=6|pages=22277|year=2016|last1=Kanazawa|first1=Toru|last2=Amemiya|first2=Tomohiro|last3=Ishikawa|first3=Atsushi|last4=Upadhyaya|first4=Vikrant|last5=Tsuruta|first5=Kenji|last6=Tanaka|first6=Takuo|last7=Miyamoto|first7=Yasuyuki|pmid=26926098|pmc=4772098|bibcode=2016NatSR...622277K}}&lt;/ref&gt;. நீர்ம நிலை பிரித்தெடுத்தலைப் பயன்படுத்தி ஆஃபினியம் டைசல்பைடு அதிக அளவில் தயாரித்தல் முறையை விளக்க முடியும். இம்முறையில்  நிலையான ஆஃபினியம் டைசல்பைடு செதில்கள் உருவாகின்றன&lt;ref&gt;{{cite journal|last1=Kaur|first1=Harneet|title=High Yield Synthesis and Chemical Exfoliation of Two-Dimensional Layered Hafnium Disulphide|journal=Nano Research|arxiv=1611.00895|doi=10.1007/s12274-017-1636-x|year=2017}}&lt;/ref&gt; 500 முதல் 1300 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலையில் [[ஐதரசன் சல்பைடு|ஐதரசன் சல்பைடையும்]] ஆஃபினியம் ஆக்சைடையும் வினைபுரியச் செய்தால் ஆஃபினியம் டைசல்பைடு தூளையும் தயாரிக்கலாம்&lt;ref&gt;{{Cite journal|last=Kaminskii|first=B. T.|last2=Prokof'eva|first2=G. N.|last3=Plygunov|first3=A. S.|last4=Galitskii|first4=P. A.|date=1973-07-01|title=Manufacture of zirconium and hafnium sulfide powders|journal=Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics|volume=12|issue=7|pages=521–524|doi=10.1007/BF00796747}}&lt;/ref&gt;.. 
 
 == மேற்கோள்கள் ==
 {{Reflist}} 
 {{Commons category|Hafnium disulfide|ஆஃபினியம் டைசல்பைடு}}
 
 {{ஆஃபினியம் சேர்மங்கள்}}
 {{சல்பைடுகள்}}
 
 [[பகுப்பு:ஆஃபினியம் சேர்மங்கள்]]
 [[பகுப்பு:சல்பைடுகள்]]