北京市高级人民法院
行 政 判 决 书
(2017)京行终1409号
上诉人（原审被告）国家知识产权局专利复审委员会，住所地北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦。
法定代表人葛树，副主任。
委托代理人罗慧晶，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人吴风静，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
被上诉人（原审原告）广州新视界光电科技有限公司，住所地广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号。
法定代表人李小放，总经理。
委托代理人赵红蕊，女，1982年月19日出生，北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙）专利代理人，住广州市天河区五山路***号华工南新村**栋***房。
委托代理人李洪濛，男，1990年7月15日出生，广州新视界光电科技有限公司员工，住广州市海珠区江南西路10号1104房。
上诉人国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案,不服北京知识产权法院（2015）京知行初字第5440号行政判决，向本院提起上诉。本院于2017年3月10日受理本案后,依法组成合议庭进行了审理。2017年4月24日，上诉人专利复审委员会的委托代理人罗慧晶、吴风静，被上诉人广州新视界光电科技有限公司（简称广州新视界公司）的委托代理人赵蕊红、李洪濛到本院接受了询问。本案现已审理终结。
北京知识产权法院查明：本案涉及名称为“金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法”申请号为201310564204.3的发明专利申请（简称本申请）。本申请的申请人为广州新视界公司，申请日为2013年11月14日，公开日为2014年1月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2014年7月28日以本申请权利要求1-10不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款的规定为由作出了驳回决定。驳回决定所依据的文本为：申请日2013年11月14日提交的权利要求第1-10项，说明书第1-12页，说明书附图第1-4页，说明书摘要和摘要附图。
驳回决定中引用了两篇对比文件，即：
对比文件1：CN103236443A，公开日为2013年8月7日。对比文件1具体公开了如下技术特征（说明书第[0010)－[0087]段，权利要求1-10，附图1-7）：所述步骤a中衬底设置为具有缓冲层的玻璃衬底或者具有水氧阻隔层的柔性衬底；当所述衬底为柔性衬底时，柔性衬底具体设置为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺或者金属箔柔性衬底；所述步骤a中在衬底上制备并图形化金属导电层所使用的金属为铝、铜、钼、钛、银、金、钽、钨、铬单质或铝合金；所述金属导电层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜、银薄膜、金薄膜、钽薄膜、钨薄膜、铬薄膜或铝合金薄膜；或者是由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜；所述金属导电层的厚度设置为100nm至2000nm；所述金属导电层作为金属氧化物薄膜晶体管栅极；所述步骤b中的所述第一绝缘薄膜的厚度为50nm至500nm；所述第一绝缘薄膜为氧化硅、氮化硅、氧化铝、五氧化二钽或氧化镱绝缘薄膜的单层薄膜，或者是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜；所述步骤c中的所述有源层厚度为20nm至200nm；构成所述有源层的半导体材料是金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z=1，M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种或两种以上的任意组合；所述步骤e中沉积所述金属层所使用的金属为铝、铜、钼、钛单质，或由以上金属单质作为主体的合金材料；所述金属层为单层铝薄膜、铜薄膜、钼薄膜、钛薄膜或由以上金属单质作为主体的合金材料膜，或者由以上单层金属薄膜构成的两层以上的薄膜；所述金属层的厚度为100nm-2000nm；所述钝化层的厚度为50nm-2000nm；所述钝化层为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镱、聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯单层薄膜，或者是由以上材料的任意组合构成的两层以上的薄膜。
对比文件2：EP0883169A2，公开日为1998年12月9日。对比文件2公开了一种薄膜晶体管的制备方法，并具体披露了以下技术特征（说明书第1栏第5行-第3栏第18行，附图1-2）：在衬底10上制备并图形化栅极材料形成栅极（图1）；在栅极材料层上形成氮化硅层1作为栅极绝缘层；在栅极绝缘层1上沉积非掺杂的非晶硅形成的半导体层作为有源层；在有源层上沉积蚀刻停止层3（即背沟道刻蚀保护层），此蚀刻停止层为半导体材料，可以为非掺杂的微晶硅构成；在蚀刻停止层3上沉积层4和层5，其中层5为接点金属化部，然后对层4和层5进行图形化，作为源、漏电极图形，在对层4、层5进行图形化时并不对刻蚀保护层进行腐蚀，而全面的保留蚀刻停止层3。
驳回决定中认为：（A）独立权利要求1请求保护一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。权利要求1与对比文件1之间的区别技术特征在于：沉积方法是物理气相沉积。而上述沉积方法属于本领域的公知常识，因此，权利要求1相对对比文件1和公知常识的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。（B）从属权利要求2的一部分附加技术特征在对比文件1中公开，一部分附加技术特征属于本领域的公知常识，其他部分附加技术特征在对比文件2中公开且作用相同；从属权利要求3-5、7-9的附加技术特征在对比文件1中公开；从属权利要求6的附加技术特征属于本领域的公知常识；因此，从属权利要求2-9也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。（C）独立权利要求10请求保护一种金属氧化物薄膜晶体管。其采用如权利要求1-9任意一项所述的方法制备。对比文件1公开了一种金属氧化物薄膜晶体管，当权利要求1-9任意一项的方法不具备创造性时，权利要求10也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
广州新视界公司不服上述驳回决定，于2014年11月7日向专利复审委员会提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括权利要求第1-9项，具体的修改是：将权利要求1中的技术特征“非金属薄膜”修改为“无定型碳单质薄膜”，删除权利要求2，对权利要求的序号编号进行了适应性修改。
复审请求的主要理由是：（1）本申请权利要求1中的背沟道刻蚀保护层是不导电的碳膜；对比文件1中是以有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层，有机导电薄膜为导电性薄膜。采用绝缘性的材料作为保护层，会因为通常情况下不能满足载流子在源漏电极与有源层之间流动而常常会被排除掉。本申请权利要求1中利用薄膜的隧穿效应克服了上述问题才实现载流子在源漏电极与有源层之间的流动。因此，本申请的技术方案绝非是普通的联想、替换可以得到的，而是针对技术问题作出的创造性劳动成果；（2）对比文件2中的刻蚀停止层由微晶非晶且非掺杂硅形成，用以保护作为有源层的半导体层，其硅为微晶非晶结构。本领域技术人员无法根据对比文件2的记载得到采用不定型碳膜作为保护层，利用绝缘层的隧穿效应实现工作状态下载流子的导通通道。
修改后的权利要求1内容如下：
“1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；
b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；
c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；
d.在所述有源层上使用物理气相沉积方法沉积无定型碳单质薄膜作为背沟道刻蚀保护层；
e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后对所述金属层进行图形化作为源、漏电极图形；
f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。”
经形式审查合格，专利复审委员会于2014年12月1日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：广州光电公司将驳回决定所涉及权利要求1中技术特征“非金属薄膜”修改为“无定形碳单质薄膜”。而对比文件1说明书中至少0017，0067段中公开了“采用富勒烯、碳纳米管、石墨烯形成背沟道刻蚀保护层”。而对于富勒烯来说，其为C60，是一种碳的同素异形体，仅由碳一种元素组成，碳纳米管、石墨烯同样为碳的同素异形体，仅由碳一种元素组成，因此公开了碳单质薄膜这一特征，针对“无定形”来说，无定形碳也为碳的同素异形体，因此本领域技术人员完全能从对比文件1中所公开技术方案得到技术启示，利用常规技术手段，将碳单质薄膜形成为无定形态，这属于公知常识，因而坚持驳回决定。
随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。
专利复审委员会于2015年2月10日向广州光电公司发出复审通知书，所依据的文本为：广州光电公司于2014年11月7日提交的权利要求第1-9项，申请日2013年11月14日提交的说明书第1-12页，说明书附图第1-4页，说明书摘要和摘要附图。复审通知书所引用的对比文件与驳回决定相同，指出：（A）权利要求1请求保护一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。权利要求1与对比文件2之间的区别技术特征为：（1）薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且栅极为图形化金属导电层得到的，有源层为沉积金属氧化物薄膜并图形化得到的，金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺还包括在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层的工艺；（2）背沟道刻蚀保护层为使用物理气相沉积方法形成的无定型碳单质薄膜；其中，区别技术特征（1）在对比文件1中公开，且作用相同，区别技术特征（2）属于本领域的公知常识，因此，权利要求1不具备专利法第二十二条第三款所规定的创造性。（B）从属权利要求2-5的附加技术特征属于本领域的公知常识，从属权利要求6-8的附加技术特征在对比文件1中公开；因此，从属权利要求2-8也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。（C）独立权利要求9请求保护一种金属氧化物薄膜晶体管，其采用如权利要求1-8任意一项所述的方法制备。当权利要求1-8任意一项的方法不具备创造性时，采用如权利要求1-8任意一项所述的方法制备而成的金属氧化物薄膜晶体管，也不具备专利法第二十二条第三款所规定的创造性。（D）关于广州新视界公司的意见陈述，专利复审委员会认为：本申请的发明目的在于提供一种制造工艺简单、成本低廉且稳定性高的薄膜晶体管以及制备方法，其核心技术手段在于采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，在整个的制备工艺中不对该背沟道刻蚀保护层进行图形化，从而得到，在简化工艺的同时，有效防止刻蚀源、漏电极过程中对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，提高器件的稳定性的技术效果，而对比文件2公开了采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，且在整个的制备工艺中不对该背沟道刻蚀保护层进行图形化的技术方案，即公开了本申请的发明构思，而且由于对比文件2公开了采用非掺杂微晶硅膜来形成背沟道刻蚀保护层，无定型碳单质薄膜、非掺杂微晶硅膜都是本领域常用的非金属单质薄膜，本领域技术人员是会容易想到使用无定型碳单质薄膜来形成相同功能的器件的；尽管本申请的各项权利要求与对比文件2存在多处区别，但上述区别均属于本领域的公知常识或常规选择，其组合也属于本领域根据需要作出的简单组合，其效果也是本领域技术人员可以合理预期的，并未带来任何预料不到的技术效果，广州新视界公司的意见不具有说服力，专利复审委员会不予支持。
广州新视界公司于2015年3月25日提交了意见陈述书，没有对申请文件进行任何修改，仅意见陈述认为：本领域的公知常识是选择导电性材料作为保护层，不导电的绝缘性保护层不适合作为保护层；专利复审委员会认为由非掺杂微晶硅替换为无定型碳单质薄膜，如果是常规选择的话，二者在性能上应该接近，在其作为的功能作用方面应该是一致的；本申请采用非导电的保护层利用薄膜的隧穿效应克服了现有技术的问题，绝非是普通的联想、替换可以得到的。因此权利要求1具备创造性。
在上述程序的基础上，专利复审委员会认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定，于2015年7月6日作出第92633号复审请求审查决定（简称被诉决定），该决定认定：
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于：（1）薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且栅极为图形化金属导电层得到的，有源层为沉积金属氧化物薄膜并图形化得到的，金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺还包括在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层的工艺；（2）背沟道刻蚀保护层为使用物理气相沉积方法形成的无定型碳单质薄膜；
基于区别技术特征（1），本申请权利要求1实际解决的技术问题为：如何具体化金属氧化物薄膜晶体管的制造步骤。对比文件1公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，并具体披露了如下技术特征：（说明书[0010]－[0087]段，权利要求1-10，附图1-7）：提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括：在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层（权利要求1），在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。至此，区别技术特征（1）已经在对比文件1中公开，且上述特征在对比文件1中的作用与其在本申请中相同，都是用来提供金属氧化物薄膜晶体管的具体制造工艺，即对比文件1给出了将相应特征结合到对比文件2的技术启示。
基于区别技术特征（2），本申请权利要求1实际解决的技术问题为：如何选择其他可选的背沟道刻蚀保护层的材料。
本领域中，无定型碳单质薄膜、非掺杂微晶硅膜都是本领域常用的非金属单质薄膜，它们都较惯常使用的有机导电薄膜性能稳定、粘附性更好，在薄膜晶体管的制备工艺中无需多余的蚀刻步骤简化了工艺等优点，因而，无论选择哪种材料作为背沟道刻蚀保护层都是本领域常用的技术手段，因而，在对比文件2已经公开了采用非掺杂微晶硅膜来形成背沟道刻蚀保护层的基础上，本领域技术人员是会容易想到使用无定型碳单质薄膜来形成相同功能的器件的；而物理气相沉积法是半导体领域形成膜层的常用方法，因而采用上述常用沉积方法来沉积无定型碳单质薄膜也是本领域常用的技术手段。
综上，在对比文件2的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，权利要求1不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.权利要求2-8不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
对于复审请求人的意见陈述，经审查，合议组认为：
首先，对比文件2所公开的非掺杂微晶硅作为一种本征材料，是一种导电性极弱的非金属单质薄膜，根据非掺杂微晶硅自身的性质以及对比文件2所公开的薄膜晶体管的结构可知，蚀刻停止层3在器件的非工作状态下，是不能够将源漏两极进行电连通的，在器件的工作状态下，可以实现电子的有效流动，这与本申请中无定型碳单质薄膜的相关性质是高度一致的。
其次，就“无定型碳单质薄膜”本身而言，其可以是类钻石无定型碳单质薄膜或是类石墨无定型碳单质薄膜，或者是两者的混合，而上述两种无定型碳单质薄膜的导电性能差异较大；虽然本申请的结构决定了能够使得本申请薄膜晶体管正常工作的无定型碳单质薄膜，应该是导电性极弱或者是不具备导电性的薄膜，但直接将本申请中的“无定型碳单质薄膜”认定为属于绝缘体并进而认为其性质与非掺杂微晶硅相差迥异，是不客观的。
第三，本申请的发明目的在于提供一种制造工艺简单、成本低廉且稳定性高的薄膜晶体管以及制备方法，其核心技术手段在于采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，在整个的制备工艺中不对该背沟道刻蚀保护层进行图形化，从而得到，在简化工艺的同时，有效防止刻蚀源、漏电极过程中对金属氧化物薄膜晶体管背沟道造成的损伤，提高器件的稳定性的技术效果，而对比文件2公开了采用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，且在整个的制备工艺中不对该背沟道刻蚀保护层进行图形化的技术方案，即公开了本申请的发明构思，而且由于对比文件2公开了采用非掺杂微晶硅膜来形成背沟道刻蚀保护层，无定型碳单质薄膜、非掺杂微晶硅膜都是本领域常用的非金属单质薄膜，本领域技术人员是会容易想到使用无定型碳单质薄膜来形成相同功能的器件的；尽管本申请的各项权利要求与对比文件2存在多处区别，但上述区别均属于本领域的公知常识或常规选择，其组合也属于本领域根据需要作出的简单组合，其效果也是本领域技术人员可以合理预期的，并未带来任何预料不到的技术效果。综上，专利复审委员会作出被诉决定，决定：维持国家知识产权局的驳回决定。
北京知识产权法院认为：广州新视界公司认为，国家知识产权局将对比文件1作为最接近的现有技术，专利复审委员会将对比文件2作为最接近的现有技术，而因为本申请是在对比文件1的基础上进行的改进，因此，专利复审委员会将对比文件2作为最接近的现有技术并不适当。对比文件2公开了一种薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域，本申请系一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，亦涉及半导体技术领域，可见二者的技术领域相近；本申请说明书记载了其技术方案所能解决的技术问题和带来的有益效果是“提供一种稳定性好、制备工艺简单、成本低廉的金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺”，对比文件2说明书记载了其技术方案所能解决的技术问题和带来的有益效果是“可以完全省略刻蚀停止层的整体成型步骤，相对于原来的刻蚀停止层制造方法更加简单”，可见，二者要解决的技术问题部分相近。虽然对比文件2所要解决的技术问题与本申请不完全相同，但其客观上公开了上述本申请对现有技术作出贡献的技术特征，同时也公开了本申请权利要求1中的大部分技术特征，因此可以认为对比文件2与本申请是最密切相关的，专利复审委员会认定其为本申请最接近的现有技术并无不当。
广州新视界公司认可，在将对比文件2作为最接近的现有技术的前提下，本申请权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于：（1）薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且栅极为图形化金属导电层得到的，有源层为沉积金属氧化物薄膜并图形化得到的，金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺还包括在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层的工艺；（2）背沟道刻蚀保护层为使用物理气相沉积方法形成的无定型碳单质薄膜。关于要解决的技术问题，本申请权利要求1的技术方案设置的背沟道刻蚀保护层采用了不同的材料，这也是区别技术特征（2）的实质内容，专利复审委员会据此认定了本申请解决的技术问题（2）为如何选择其他可选的背沟道刻蚀保护层的材料，但确定本申请所要解决的技术问题时，不能仅仅局限于对权利要求字面上差别的理解，而应当结合说明书中的记载，分析权利要求所要求保护的技术方案与最接近现有技术的差别，以及区别技术特征在本申请权利要求所要求保护的技术方案中所起的作用，来确定本申请权利要求实际解决的技术问题。因此，本申请权利要求1实际解决的技术问题应当是：选择何种材料作为背沟道刻蚀保护层才能实现保护有源层不被刻蚀的同时又能使源、漏电极与有源层导通。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开的也是一种金属氧化物薄膜晶体管，其具体公开内容为：提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括：在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层，在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。该对比文件公开的内容包含了区别技术特征（1），上述内容在对比文件1技术方案中起到的作用与本申请权利要求1的技术方案中作用的相同，都是金属氧化物薄膜晶体管的具体制造工艺，且对比文件1与对比文件2都属于薄膜晶体管制造领域。综上，对比文件1给出了将区别技术特征（1）与对比文件2的技术方案结合的启示。
对于区别技术特征（2），即“背沟道刻蚀保护层为使用物理气相沉积方法形成的无定型碳单质薄膜”，对比文件2中采用了非掺杂的微晶硅构成刻蚀停止层。被诉决定中认为“无定型碳单质薄膜、非掺杂微晶硅膜都是本领域常用的非金属单质薄膜”，“无论选择哪种材料作为背沟道刻蚀保护层都是本领域常用的技术手段，因而，在对比文件2已经公开了采用非掺杂微晶硅膜来形成背沟道刻蚀保护层的基础上，本领域技术人员是会容易想到使用无定型碳单质薄膜来形成相同功能的器件的”。但为了在薄膜晶体管图形化刻蚀时保护半导体构成的有源层，简化工艺，本申请权利要求1与对比文件2都是在薄膜晶体管的有源层之上沉积一层背沟道刻蚀保护层（刻蚀停止层），本申请采用的是无定型碳单质薄膜构成背沟道刻蚀保护层，而对比文件2采用的是非掺杂微晶硅构成刻蚀停止层。晶体管工作时需要源、漏电极与有源层保持导通状态，但为了保护有源层，本申请与对比文件2在源、漏电极与有源层之间采用不具有导电性的材料设置了保护层，源、漏电极与有源层不能直接接触，这将会导致晶体管不能正常工作。为了解决这一问题，势必需要采取技术措施保证在晶体管工作时源、漏电极与有源层能处于导通状态。对比文件2中采用的非掺杂微晶硅刻蚀保护层本身并不能实现源、漏电极与有源层之间的导通，因此设置了掺氮非晶硅层作为源极和漏极接点层，掺氮非晶硅层与非掺杂微晶硅层共同作用实现欧姆接触，进而实现源、漏电极与有源层之间的导通；而本申请权利要求1的技术方案采用的是无定型碳单质薄膜作为背沟道刻蚀保护层，其是利用电子的隧穿效应，在工作状态时加上电压后，源、漏电极中部分电子能直接越过该保护层到达有源层而实现源、漏电极与有源层导通。
至于专利复审委员会辩称本申请权利要求1仅记载了背沟道刻蚀保护层而没有限定中间是否有其它层，看不出来到底是包括还是不包括连接层。对此，法院认为，本申请修改后权利要求1记载的是“一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤”，接着分别记载了各步骤，本申请其他权利要求并未增加其他步骤，再结合本申请说明书，该特征应当理解为仅依次包括权利要求1特征中记载的步骤而在其中并未设置专利复审委员会所称的连接层，这也是因为本申请技术方案与对比文件2技术方案采用的原理不同而导致的两技术方案结构上的区别。
判断对比文件或者现有技术对权利要求与最接近现有技术的区别技术特征是否具有启示时应当基于权利要求的整体技术方案，而不应当仅仅局限于权利要求字面的描述。本案中，微晶硅层与无定型碳单质都是碳族元素，也都是本领域常用的碳元素和硅元素的同素异形体，但这些同素异形体之间依然存在着物理和化学性质上的差别。本申请技术方案正是利用了无定型碳单质特有的一些性质，提出了与对比文件2不同的解决源、漏电极与有源层之间导/通的技术问题的方案，二者的发明构思不同。因此，由于本申请权利要求1的技术方案与对比文件2的技术方案采用的原理和结构不同，本申请提供了一种与对比文件2技术构思不同的技术方案来解决同样的技术问题，因此具有显著的进步。由于两技术方案的技术构思并不相同，背沟道刻蚀保护层与刻蚀保护层的作用也不尽相同，因此，对比文件2并未给出将本申请权利要求1的区别技术特征应用到最接近现有技术的启示，即本领域普通技术人员并无动机将对比文件2中的非掺杂微晶硅层替换为无定型碳单质层。因此，本申请权利要求1的技术方案具有突出的实质性特点。
综上，本申请权利要求1与对比文件2技术方案中实现源、漏电极与有源层导通的原理与设置的结构都不尽相同，在对比文件2内容已公开的情况下，并不能简单得出区别技术特征（2）就是本领域常用的技术手段，而本领域普通技术人员就有动机将该区别技术特征与对比文件2结合的结论，故本申请权利要求1的技术方案相对于对比文件1和对比文件2具有显著的进步与突出的实质性特点，符合专利法第二十二条第三款规定的创造性，被诉决定对此认定错误，不予支持。
二、本申请权利要求2-9是否具备创造性
由于专利复审委员会在被诉决定中认定，在引用的权利要求不具备创造性的前提下，由于权利要求2-9的附加技术特征也不具备创造性。因此，在引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2-9也不具备创造性。故此，当从属权利要求2-9引用的权利要求1具备创造性时，专利复审委员会应当据此对从属权利要求2-9是否具备创造性重新予以评述。
北京知识产权法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第一项之规定，判决：一、撤销被诉决定；二、专利复审委员会在重新作出复审请求审查决定。
专利复审委员会不服原审判决，向本院提起上诉，请求：撤销原审判决，维持被诉决定。其主要上诉理由是：1、根据欧姆接触的原理和对比文件2的构造可知，该技术方案中的非掺杂微晶硅层（层3）并非欧姆接触层，欧姆接触通路只能建立到掺氮非晶硅层（层3）和非掺杂微晶硅（层4）的界面位置，导电粒子想要通过几乎没有导电性的层3只能隧穿。因此，对比文件2客观上采用了与本申请相同的技术手段，即使用非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层，在整个的制备工艺中不对该背沟道刻蚀保护层进行图形化，从而简化工艺，并有效防止刻蚀缘、漏电极过程中对背沟道造成损伤，因此，对比文件2采用的发明构思与本申请相同。2、本申请说明书实施例1公开了非金属薄膜可以使硅薄膜、碳薄膜，实施例3公开了无定形硅单质、实施例4公开了氮化碳，以上实施例均未有各种不同非金属薄膜原理及效果上的差异，因此，原审判决认定本申请技术方案利用了无定形碳单质的特有性质，提出了与对比文件2不同的解决方案是错误的。3、对比文件2公开的层4是一种连接层结构，该结构是一种公知的对于金属源漏电极的优化，连接层结构的存在不会改变晶体管中各个功能层工作的机理，也不会对前后步骤产生任何影响，因此，权利要求1的技术特征已经被对比文件2公开。
广州新视界公司服从原审判决。
本案审理查明，原审判决已查明的事实属实，有本申请的权利要求书、说明书、对比文件1、2、被诉决定及当事人陈述等证据在案佐证，本院予以确认。
另查：在二审审理过程中，广州新视界公司认可对比文件2中发生欧姆接触的是层4和层5。
上述事实有当事人陈述等证据在案佐证。
本院认为，专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。所谓实质性特点是指对本领域的技术人员来说，该发明或者实用新型相对于现有技术是非显而易见的，所谓进步是指该发明或者实用新型与现有技术相比能够产生有益的技术效果。判断发明或实用新型对本领域的技术人员来说是否显而易见，要确定的是现有技术整体上是否存在某种技术启示，即现有技术中是否给出将该发明或者实用新型的区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域的技术人员在面对相应的技术问题时，有动机改进最接近的现有技术并获得该发明或者实用新型专利技术。
本申请与最接近的现有技术即对比文件2相比，其区别特征在于：（1）薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，且栅极为图形化金属导电层得到的，有源层为沉积金属氧化物薄膜并图形化得到的，金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺还包括在源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层的工艺；（2）背沟道刻蚀保护层为使用物理气相沉积方法形成的无定型碳单质薄膜。其中区别特征（1）已经被对比文件1公开，对此，各方当事人均不持异议，本院予以确认。本案的争议焦点在于区别特征（2）是否为现有技术公开及给出结合的启示。为此，应当首先确定本申请所要解决的技术问题，此后从现有技术出发，判断是否存在将上述区别技术特征应用到现有技术以便解决所要解决的技术问题的启示。
首先，确定本申请所要解决的技术问题。根据本申请与对比文件2的区别特征（2）可知本申请要解决的技术问题是选取背沟道刻蚀保护层的材料。而该可选取的材料应当既无需被刻蚀又能导通源、漏电极。
其次，从现有技术即对比文件2的技术方案出发，判断是否能获得将区别特征（2）与之结合的技术启示。
无定形碳与非掺杂微晶硅膜性质相近，都属于非金属单质膜，本申请说明书中也记载了使用无定形硅单质薄膜作为背沟道刻蚀保护层，因此，本院认为，原审判决认定本申请利用了无定形碳单质特有的性质缺乏事实依据。
对比文件2采用非掺杂微晶硅作为刻蚀停止层，其本身导电性较差，一般情况下不会导通源、漏电极，对此，对比文件2的刻蚀停止层并未图形化刻蚀可予以佐证。然而晶体管工作时需要源、漏电极与有源层保持导通状态。尽管对比文件2中发生欧姆接触的是连源、漏电极与连接层，本院认为，原审判决关于连接层与刻蚀保护层共同作用形成实现欧姆接触，从而解决刻蚀保护层导通源、漏极的问题属于认定事实错误。但在对比文件2并未公开该刻蚀停止层实现晶体管工作原理的情况下，本领域技术人员根据该现有技术只能获知在非掺杂微晶硅作为刻蚀停止层之上设置掺氮非晶硅层可以实现既不刻蚀背沟道保护层又能导通源、漏电极的技术效果。在评判本申请是否具备创造性时，应当整体考虑现有技术的技术方案，判断从现有技术出发获得本申请技术方案的可能性。专利复审委员会虽然主张掺氮非晶硅层是常见的对源、漏极进行优化的连接层，但并不能举证证明对比文件2的技术方案在没有该连接层的情况下能否实现，即现有技术并没有给出没有连接层而且刻蚀保护层无需刻蚀的技术方案。本领域技术人员从现有技术出发，无法通过单纯的材料替换获得本申请的技术方案。因此，本申请的技术方案对本领域技术人员而言并非显而易见，对比文件2并未给出将区别特征（2）与之结合获得本申请技术方案的启示。本申请权利要求1具备创造性，专利复审委员会的相关上诉理由不能成立。
在本申请权利要求1具备创造性的基础上，专利复审委员会应当对从属权利要求2-9是否具备创造性重新予以评述。
综上，原审判决认定事实清楚，适用法律正确，程序合法，本院予以维持。上诉人专利复审委员会的上诉理由缺乏事实和法律依据，对其上诉请求本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：
驳回上诉，维持原判。
一审案件受理费一百元，由国家知识产权局专利复审委员会负担（于本判决生效之日起七日内交纳）；二审案件受理费一百元，由国家知识产权局专利复审委员会负担（已交纳）。
本判决为终审判决。
审判长 岑宏宇
审判员 戴怡婷
审判员 马 军
二〇一七年九月八日
书记员 王婉晨