北京市高级人民法院
行 政 判 决 书
（2018）京行终1562号
上诉人（原审原告）瑞昱半导体股份有限公司，住所地台湾地区新竹县。
法定代表人叶南宏，董事长。
委托代理人刘军，广东君之泉律师事务所律师。
被上诉人（原审被告）国家知识产权局专利复审委员会，住所地北京市海淀区。
法定代表人葛树，副主任。
委托代理人袁丽颖，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人刘利芳，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
原审第三人希捷科技（苏州）有限公司，住所地江苏省苏州市苏州工业园区。
法定代表人肯尼思·马萨罗尼，董事长。
委托代理人董巍，北京市磐石律师事务所律师。
委托代理人高伟，北京市磐石律师事务所专利代理人。
上诉人瑞昱半导体股份有限公司（简称瑞昱公司）因发明专利权无效行政纠纷一案，不服北京市第一中级人民法院（2015）一中行（知）初字第1220号行政判决，向本院提出上诉。本院2018年3月30日受理本案后，依法组成合议庭，于2018年5月10日公开开庭进行了审理。上诉人瑞昱公司的委托代理人刘军，被上诉人国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人袁丽颖、刘利芳到庭参加了诉讼。原审第三人希捷科技（苏州）有限公司（简称希捷公司）经本院传票传唤，无正当理由未到庭，不影响本案审理。本案现已审理终结。
本案涉及国家知识产权局于2007年12月26日授权公告的名称为“集成电路焊线垫片的结构及其形成方法”的03119512.1号发明专利（简称本专利），申请日为2003年3月07日，专利权人为瑞昱公司。针对本专利权，希捷公司于2013年5月17日向专利复审委员会提出无效宣告请求。专利复审委员会于2014年3月27日作出第22606号无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），宣告本专利权部分无效，在权利要求7、8的基础上维持专利权有效。瑞昱公司不服被诉决定，依法提起行政诉讼。
北京市第一中级人民法院认为：被诉决定关于本专利权利1-6新颖性的认定有误，应予纠正。被诉决定关于本专利权利要求9-10不具备创造性的认定事实清楚，适用法律正确，予以支持。
北京市第一中级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第一、二项规定，判决：一、撤销专利复审委员会作出的被诉决定；二、专利复审委员会重新作出审查决定。
瑞昱公司不服原审判决，向本院提出上诉，请求改判关于本专利权利要求9、10不具备创造性的结论。其上诉理由是：原审判决关于对比文件4中隔离框架的水平部分122的认定是错误的。因为：1、可传导材料本身并不具有屏蔽噪声/杂讯的功能。2、下导电层不连接固定电位与下导电层连接固定电位不是“屏蔽效果强弱不同而已”，而是无屏蔽效果和有屏蔽效果的区别。对比文件4与本专利权利要求9所要解决的技术问题属于不同技术领域的不同问题，对比文件4给出的技术启示应当是：需要寻找一种更好的抗应力材质或者需要寻找一种更好的框架结构，即使退一步，如果对比文件4中的框架结构若根据对比文件3连接至一个固定电位，也会产生进一步问题，使得焊垫130上的信号产生严重影响。所属领域技术人员在看到对比文件4的结构下，会在技术上排斥连接一个固定电位的作法。对比文件3结合到对比文件4不仅无法解决现有的技术问题，反而制造更严重的问题。本专利权利要求9并非显而易见，具备创造性。
专利复审委员会、希捷公司服从原审判决。
经审理查明：
本专利为国家知识产权局于2007年12月26日授权公告的名称为“集成电路焊线垫片的结构及其形成方法”的03119512.1号发明专利，申请日为2003年3月07日，专利权人为瑞昱公司。授权公告的权利要求书内容如下：
“1.一种集成电路焊线垫片的结构，设置于一绝缘层中，其特征在于：该集成电路焊线垫片的结构包括：
一下导电层，设于该绝缘层内适当位置处，并连接至一固定电位；
一复合层结构，设于该绝缘层之上，而与该下导电层之间并未形成电性连接，该复合层结构由至少一层导电层与至少一层导电连接层交互层叠组成；以及
一焊垫导电层，设于该复合层结构之上。
2.如权利要求1所述集成电路焊线垫片的结构，其特征在于；该复合层结构的最上层导电层的面积小于该焊垫导电层的面积。
3.如权利要求1所述集成电路焊线垫片的结构，其特征在于；该焊垫导电层是多边形形状结构。
4.如权利要求1所述集成电路焊线垫片的结构，其特征在于；该下导电层隔离该基板耦合的噪声。
5.如权利要求1所述集成电路焊线垫片的结构，其特征在于；该复合层结构的导电层是栅状结构或为蜂巢状结构。
6.如权利要求1所述集成电路焊线垫片的结构，其特征在于；该导电连接层还包含有复数个通孔以及复数个插塞。
7.一种集成电路焊线垫片的结构，设置于一绝缘层中，其特征在于：该集成电路焊线垫片的结构包括：
一复合层结构，设于该绝缘层之上，该复合层结构由至少一层导电层与至少一层导电连接层交互层叠所组成；
一焊垫导电层，设于该复合层结构之上；
一第一堆栈结构，设于该复合层结构的一侧并与该复合层结构并未形成电性连接，该第一堆栈结构由复数层第一导电层与复数层第一导电连接层交互层迭所组成；
一第二堆栈结构，设于该复合层结构的另一侧并与该复合层结构并未形成电性连接，该第二堆栈结构由复数层第二导电层与复数层第二导电连接层交互层迭所组成；以及
一下导电层，与该第一堆栈结构及该第二堆栈结构形成电性连接但与该复合层结构并未形成电性连接，其中该下导电层、该第一堆栈结构、及该第二堆栈结构共同形成一U形结构而包围该复合层结构；
其中该复合层结构中的导电层的面积小于该焊垫导电层，以提供降低该集成电路焊线垫片的结构等效电容值。
8.一种集成电路焊线垫片的结构，设置于一绝缘层中，其特征在于：该集成电路焊线垫片的结构包括：
一复合层结构，设于该绝缘层之上，该复合层结构由至少一层导电层与至少一层导电连接层交互层叠所组成；
一焊垫导电层，设于该复合层结构之上；
一第一堆栈结构，设于该复合层结构的一侧并与该复合层结构并未形成电性连接，该第一堆栈结构由复数层第一导电层与复数层第一导电连接层交互层迭所组成；
一第二堆栈结构，设于该复合层结构的另一侧并与该复合层结构并未形成电性连接，该第二堆栈结构由复数层第二导电层与复数层第二导电连接层交互层迭所组成；以及
一下导电层，与该第一堆栈结构及该第二堆栈结构形成电性连接但与该复合层结构并未形成电性连接；
其中该焊垫导电层是多边形结构，而该复合层结构的该导电层是栅状结构或蜂巢状结构，以提供降低该集成电路焊线垫片的结构等效电容值。
9.一种集成电路焊线垫片的形成方法，其特征在于：包含下列步骤：
（a）提供设有一绝缘层的一基板；
（b）于该绝缘层内适当位置处形成连接至一固定电位的一下导电层；
（c）于该绝缘层之上形成由至少一层导电层与至少一层导电连接层交互层叠所组成的一复合层结构，其中该复合层结构与该下导电层之间并未形成电性连接；以及
（d）于该复合层结构之上形成面积大于该复合层结构的导电层面积的一焊垫导电层。
10.如权利要求9所述集成电路焊线垫片的形成方法，其特征在于：该步骤（c）的导电连接层还包含有复数个通孔以及复数个通孔插塞。”
针对本专利权，希捷公司于2013年5月17日向专利复审委员会提出无效宣告请求，并提交了以下附件作为证据：
附件1：专利号为ZL03119512.1的中国发明专利说明书复印件，共2份，每份13页（即本专利授权公告文本）；
附件2：申请号为ZL03119512.1的中国发明专利申请公开说明书复印件，共2份，每份13页（即本专利申请的公开文本）；
附件3：专利号为ZL03119512.1的中国发明专利的审查档案，共2份，每份22页；
附件4：美国专利US6787928B1，授权公告日为2004年9月7日，共2份，每份9页（即本专利的美国同族专利文件）；
附件5：美国专利申请公开文件US2001/0010407A1，公开日为2001年8月2日，共2份，每份18页（简称对比文件1）；
附件6：日本专利公开特许公报P2000-299319A，公开日为2000年10月24日，共2份，每份8页（简称对比文件2）；
附件7：美国专利US6023095A，授权公告日为2000年2月8日，共2份，每份14页（简称对比文件3）；
附件8：美国专利申请公开文件US2002/0145206A1，公开日为2002年10月10日，共2份，每份15页（简称对比文件4）；
附件9：美国专利US6163075A，授权公告日为2000年12月19日，共2份，每份23页（简称对比文件5）。
对比文件1公开了一种用于半导体器件的低电容焊垫，对比文件1中的实施例1具体公开了以下技术特征（参见对比文件1译文第[0046]、附图11、12）：金属层1110、1120、1130、1140（相当于本专利的导电层）与通孔插塞1114、1124、1134、1144（相当于本专利的导电连接层），位于金属层1150（相当于本专利中的焊垫导电层）下方，所述金属层1150的面积大于金属层1110、1120、1130、1140的面积；对比文件1中实施例2具体公开了以下技术特征（参见对比文件1译文第[0049]、[0053]、[0054]段，及附图17、23）基底30上形成有元件32，例如场效应晶体管；金属层51、52、53、54、55和56形成于元件32之上的介电层60中，其中介电层60充当隔离和框架以堆叠金属层51、52、53、54、55和56；其中金属层53被设计为平面层，并被用于作为例如电源线；金属层55通过通孔插塞75与金属层56耦合，金属层56，设于金属层55之上，且被钝化层80所覆盖，钝化层80包括一个焊垫开口82，该开口将金属层56的一部分暴露在外；金属层55的面积小于金属层56的面积；该实施例中的焊垫布局是为了基底上被金属层重叠的面积，以降低焊垫的寄生电容，避免剥离现象的产生，焊垫布局可以基于多种符合该理念的单元形状进行设计；金属层55的布局包括蜂巢状结构。
对比文件3公开了一种减少电极焊盘及元件之间噪声转移的电极焊盘机构及其制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见其译文第1页第3段，及附图1A、1B）：基板1上的层间绝缘层10，位于层间绝缘层10之上的信号输入输出焊盘14，位于层间绝缘层10内且位于信号输入输出焊盘14下方的噪声屏蔽导电层17，其中导电层17通过接触塞11a与GND焊盘电性连接，所述GND焊盘的电压应用到导电层17上。
对比文件4公开了一种半导体器件的焊垫互连结构，具体公开了以下技术特征（参见对比文件4译文第[0001]、[0022]-[0025]、[0030]、[0031]段，及附图4B）：绝缘层121位于半导体基底120上，第一传导层的水平传导部分122设置在该绝缘层121上；焊垫顶部150A（相当于本专利中的焊垫导电层）被形成在插塞152（相当于本专利中的导电连接层）上方，焊垫较低的部分150B（相当于本专利中的导电层）位于第二层间介电膜124B中（插塞152和焊垫较低的部分150B形成相当于本专利中的复合层结构）；隔离框架的水平部分122被设置在半导体基底120上方，一垂直隔离框架154被设置在该第一层间介电膜124中；垂直隔离框架可以包括一较低部分154A垂直地延伸通过第一层间介电膜124A，以及一较高部分154B，形成于该较低部分154A之上，其垂直地延伸通过第二层间介电膜124B。对比文件4另公开了一种半导体器件的焊垫互连结构及其制作方法，并具体公开了（参见对比文件4译文第[0001]、[0022]-[0025]、[0030]、[0031]段，及附图2A-2C）：在半导体基底120上形成绝缘层121，并在基板120上形成层间介电膜124；在该绝缘层121上方设置第一传导层的水平传导部分122（相当于本专利中下导电层）；在第二层间介电膜124B中形成焊垫顶部150A（相当于本专利中的焊垫导电层），并在第二层间介电膜124B中与第一传导层的水平传导部分122相互隔离地形成插塞152（相当于本专利中的导电连接层）和焊垫较低的部分150B（相当于本专利中的导电层，其中插塞152和焊垫较低的部分150B形成相当于本专利中的复合层结构）。
对比文件5涉及一种生产常规多层导线结构的方法，其具体公开了以下技术特征（参见其译文第1-2页，附图31-37）：在层间绝缘膜41上形成金属膜，然后使用蚀刻技术将其进行图案化处理，以形成第一层导线9，第一层导线9通过第一层过孔金属8电连接到半导体基板1的每一个功能元件，并进而形成第二层导线11、第二层过孔金属10，以及第三层导线13、第三层过孔金属12。
希捷公司认为：（1）附件2、3证明本专利权利要求1-10在实质审查程序中的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，因而不符合2001年施行的《中华人民共和国专利法）简称专利法第三十三条的规定；（2）权利要求1-10得不到说明书的支持，因而不符合专利法第二十六条第四款的规定；（3）权利要求1-10保护范围不清楚，因而不符合2002年施行的《中华人民共和国专利法实施细则》（简称专利法实施细则）第二十条第一款的规定；（4）附件1、4证明独立权利要求1、7、8、9因缺少必要技术特征而不符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定，在此前提下，从属权利要求2-6、10也同样地缺少必要技术特征，因而不符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定；（5）本专利说明书公开不充分，导致本领域技术人员无法实施该技术方案，因此不符合专利法第二十六条第三款的规定；（6）权利要求1-6相对于对比文件1的实施例2不具备新颖性；权利要求5的“导电层是栅状结构”的技术方案相对于对比文件1的实施例2不具备创造性；（7）权利要求1-6相对于对比文件1的实施例1与对比文件2的结合，或者对比文件1的实施例1与对比文件3的结合不具备创造性；（8）权利要求7、8相对于对比文件1实施例2、对比文件4和公知常识的结合不具备创造性；（9）权利要求7、8相对于对比文件4、对比文件1实施例1和公知常识的结合，或者对比文件4、对比文件1实施例1和对比文件5的结合不具备创造性；（10）权利要求9、10相对于对比文件4、对比文件1实施例1和对比文件2的结合，或者对比文件4、对比文件1实施例1和对比文件3的结合不具备创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会受理了上述无效宣告请求，于2013年6月3日向双方当事人发出无效宣告请求受理通知书，并随无效宣告请求受理通知书将希捷公司提交的无效宣告请求书及其附件清单所列附件的副本转送瑞昱公司，要求瑞昱公司在一个月内陈述意见，并告知瑞昱公司，若对中文译文的内容有异议，应当在一个月内提出，否则视为无异议。
希捷公司于2013年6月9日向专利复审委员会补充提交了上述对比文件1-5的部分段落的中文译文。
专利复审委员会于2013年6月20日向瑞昱公司发送转送文件通知书，将希捷公司补充提交的对比文件1-5的部分段落的中文译文转送瑞昱公司。
针对上述无效宣告请求，瑞昱公司于2013年07月18日向专利复审委员会提交了意见陈述书，并提交了上述对比文件2、4的原文和部分中文译文，瑞昱公司认为：（1）对希捷公司提交的对比文件2、4的中文译文有异议，应当以己方提交的译文为准；（2）权利要求1-10在答复审查意见通知书时所作的修改均可以根据原说明书或权利要求书的记载直接地、毫无疑义地确定，因此权利要求1-10的修改均符合专利法第三十三条的规定；（3）权利要求1-10均以说明书为依据，能够得到说明书的支持，因此符合专利法第二十六条第四款的规定；（4）权利要求1-10的技术方案均已清楚地表述了请求保护的范围，因此符合专利法实施细则第二十条第一款的规定；（5）独立权利要求1、7、8、9已经记载了解决技术问题的必要技术特征，因此符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定，从属权利要求2-6、10也相应地不缺少必要技术特征，因此符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定；（6）本领域技术人员根据本专利说明书的记载，可以清楚地理解本发明的内容，因此符合专利法第二十六条第三款的规定；（7）权利要求1与对比文件1的技术方案和所解决的技术问题存在较大差异，因此权利要求1相对于对比文件1具备新颖性；在权利要求1具备创造性的情况下，其从属权利要求2-6也相应地具备创造性；（8）对比文件2与权利要求1的技术领域、解决的技术问题和采取的技术手段均不相同，对比文件3与权利要求1解决的技术问题、采取的技术手段不同，因此，对比文件2、3均无法与对比文件1相互结合，因此也无法破坏权利要求1的创造性；在权利要求1具备创造性的情况下，其从属权利要求2-6也相应地具备创造性；（9）对比文件4与权利要求7、8解决的技术问题、采取的技术手段不同，因此对比文件4无法与对比文件1、或对比文件1、5结合，因此也无法破坏权利要求7、8的创造性；（10）对比文件2与权利要求9的技术领域、解决的技术问题和采取的技术手段均不相同，对比文件4与权利要求9解决的技术问题、采取的技术手段不同，因此，对比文件4既无法与对比文件1、2相互结合，也无法与对比文件1、3相互结合，因此也无法破坏权利要求9的创造性；在权利要求9具备创造性的情况下，其从属权利要求10也相应地具备创造性。
专利复审委员会于2013年9月13日向希捷公司发出转送文件通知书，将瑞昱公司于2013年7月18日提交的意见陈述书以及对比文件2、4的原文及部分中文译文转送希捷公司。并于2013年9月25日向双方当事人发出无效宣告请求口头审理通知书，定于2013年10月14日对本案进行口头审理。
希捷公司于2013年9月29日提交意见陈述书，其中表示：（1）对于瑞昱公司提交的对比文件2、4的中文译文的具体内容没有异议；（2）对于瑞昱公司陈述的针对本专利的全部无效宣告理由均不成立的意见，均不认同。
瑞昱公司于2013年9月30日提交意见陈述书，表示因瑞昱公司方的原因，请求将口头审理延期举行。
口头审理如期举行，双方当事人均委托代理人参加了口头审理。在口头审理中，专利复审委员会将希捷公司2013年09月29日提交的意见陈述书传送瑞昱公司。瑞昱公司对希捷公司所提交的附件1-9的真实性没有异议，双方认可对比文件1、3、5的译文以希捷公司提交的为准，对比文件2、4的译文以瑞昱公司提交的为准。希捷公司明确表示关于权利要求1-10不符合专利法第三十三条、专利法第二十六条第三、四款、专利法实施细则第二十条第一款，专利法实施细则第二十一条第二款的意见与请求书的书面意见一致，双方就以上理由充分陈述了意见。专利复审委员会告知双方当事人，关于新颖性、创造性的无效理由的辩论将在第二次口头审理中进行。
专利复审委员会于2013年10月18日向双方当事人发出无效宣告请求口头审理通知书，定于2013年11月15日对本案进行第二次口头审理。
第二次口头审理如期举行，双方当事人均委托代理人参加了口头审理。在第二次口头审理中，希捷公司明确其新颖性、创造性的理由与请求书书面意见一致。瑞昱公司当庭提交陈述意见的书面补充，供专利复审委员会参考。专利复审委员会当庭将其转交希捷公司，希捷公司接收该文件并针对该文件进行了意见陈述。双方就权利要求1-10的新颖性、创造性充分陈述了意见。
希捷公司于2013年11月20日提交了意见陈述书，针对口头审理当庭专利权人陈述的对比文件的技术领域以及相互结合启示的理由陈述了意见。
专利复审委员会于2014年3月27日作出被诉决定。该决定认为：
1.关于审查基础
瑞昱公司在无效宣告程序中没有对授权文本进行修改，因此本决定以本专利授权公告时的权利要求第1-10项、说明书第1-5页、说明书附图第1-5页、摘要和摘要附图作为审查基础。
2.关于证据和现有技术
瑞昱公司对希捷公司提交的附件1-9的真实性均没有异议，其中附件5-9（即对比文件1-5）均是在本专利申请日之前公开的专利文献，并且瑞昱公司对希捷公司提交的附件5、7、9的中文译文的准确性没有异议，希捷公司认可瑞昱公司提交的附件6、8的中文译文，因此附件5-9能够作为评述本专利创造性的现有技术，附件5、7、9的中文译文以希捷公司提交的为准，附件6、8的中文译文以瑞昱公司提交的为准。
3.关于权利要求1-6
3-1.关于权利要求1
权利要求1请求保护一种集成电路焊线垫片的结构。公开日为2001年8月2日的美国专利申请公开文件US2001/0010407A1（即对比文件1）涉及一种用于半导体器件的低电容焊垫，其要解决的问题是：减小焊垫的寄生电容，以及避免剥离现象的发生。
对比文件1的实施例2已经公开了权利要求1的全部技术特征，两者的技术方案实质上相同，并且对比文件1也属于半导体器件的焊接领域，其所要解决的技术问题和预期的技术效果均与本专利权利要求1的技术方案相同，因此，权利要求1相对于对比文件1不具备专利法第二十二条第二款规定的新颖性。
3-2.关于权利要求2-6
权利要求2引用权利要求1，其附加技术特征也已被对比文件1的实施例2所公开（参见对比文件1附图23）。因此，在其引用的权利要求1不具备新颖性的情况下，权利要求2也不具备专利法第二十二条第二款规定的新颖性。
权利要求3引用权利要求1，其附加技术特征也已被对比文件1的实施例2所公开（参见对比文件1译文第[0054]段，及附图17）。因此，在其引用的权利要求1不具备新颖性的情况下，权利要求3也不具备专利法第二十二条第二款规定的新颖性。
权利要求4引用权利要求1，其附加技术特征也已被对比文件1的实施例2所公开（参见对比文件1译文第[0053]段，及附图23）。由于呈平面状的金属层53、54作为电源线，必然被连接到固定电位，其必然可以隔离基板耦合的噪声，由此，对比文件1实施例2隐含公开了上述附加技术特征，因此，在其引用的权利要求1不具备新颖性的情况下，权利要求4也不具备专利法第二十二条第二款规定的新颖性。
权利要求5引用权利要求1，其附加技术特征也已被对比文件1的实施例2所公开（参见对比文件1译文第[0054]段，及附图17）。因此，在其引用的权利要求1不具备新颖性的情况下，权利要求5的“导电层是蜂巢状结构”的技术方案也不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。而在对比文件1给出的金属层55的各种布局的教导下，本领域技术人员容易想到将所述金属层55设计为栅状结构，因此，权利要求5的“导电层是栅状结构”的技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求6引用权利要求1，其附加技术特征已被对比文件1实施例2所公开（参见对比文件1译文第[0053]、[0054]段，及附图23）。而将金属层55和通孔插塞75进行重复设置，以形成复数个通孔以及复数个插塞，属于惯用手段的直接置换，因此，在其引用的权利要求1不具备新颖性的情况下，权利要求6也不具备专利法第二十二条第二款规定的新颖性。
鉴于已经得到权利要求1-6不具备专利法第二十二条第二、三款规定的新颖性、创造性的结论，对于针对权利要求1-6的其他无效宣告理由，不再赘述。
4.关于权利要求7-10
4-1.关于专利法第三十三条
专利复审委员会认为：权利要求7-10所作的修改符合专利法第三十三条的规定。
4-2、关于专利法第二十六条第四款
专利复审委员会认为：权利要求7-10能够得到说明书支持，因而符合专利法第二十六条第四款的规定。
4-3．关于专利法实施细则第二十条第一款
专利复审委员会认为：权利要求7-10符合专利法实施细则第二十条第一款的规定。
4-4.关于专利法实施细则第二十一条第二款
专利复审委员会认为：权利要求7-10不缺少解决所述技术问题的必要技术特征，因而符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定。
4-5.关于专利法第二十六条第三款
专利复审委员会认为：对于本领域技术人员来说，结合本领域的公知的技术常识，本专利说明书已经对发明进行了充分公开，符合专利法第二十六条第三款的规定。
4-6．关于专利法第二十二条第三款
专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果权利要求的技术方案相对于对比文件存在区别特征，所述区别特征未被其他对比文件公开且没有依据显示其属于公知常识，并且包含所述区别特征的技术方案取得了有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
4-6-1．关于权利要求7
（1）权利要求7请求保护一种集成电路焊线垫片的结构，对比文件1公开了一种用于半导体器件的低电容焊垫。将权利要求7的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：权利要求7中还具有第一堆栈结构和第二堆栈结构，以及与第一堆栈结构和第二堆栈结构形成电性连但与复合层结构并未形成电性连接的下导电层，所述下导电层与第一、第二堆栈结构一起形成U形结构包围所述复合层结构。
公开日为2002年10月10日美国专利申请公开文件US2002/0145206A1（即对比文件4）公开了一种半导体器件的焊垫互连结构。对比文件4并未公开位于复合层结构两侧的第一、第二堆栈结构，因而也没有公开下导电层与第一、第二堆栈结构形成的U形结构的技术特征，对比文件4中的隔离框架结构所起的作用是防止裂缝扩展到集成电路的周围区域，其作用也与本专利中复数个导电层与复数个导电连接层层层堆叠而形成第一、第二堆栈结构进而传导电讯的作用并不相同，因此，本领域技术人员也无法从对比文件4中获得技术启示，也没有任何依据显示上述区别技术特征属于本领域的公知常识，由此，权利要求7的技术方案相对于对比文件1（实施例2）、对比文件4、以及本领域公知常识具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
（2）如前所述，对比文件4公开了一种半导体器件的焊垫互连结构，其并未公开位于复合层结构两侧的第一、第二堆栈结构，因而也没有公开下导电层与第一、第二堆栈结构形成的U形结构的技术特征，对比文件4中的隔离框架结构所起的作用是防止裂缝扩展到集成电路的周围区域，其作用也与本专利中复数个导电层与复数个导电连接层层层堆叠而形成第一、第二堆栈结构进而传导电讯的作用并不相同。
对比文件1的实施例1涉及一种用于半导体器件的低电容焊垫，但对比文件1的实施例1没有公开位于复合层结构两侧的第一、第二堆栈结构，因而也没有公开下导电层与第一、第二堆栈结构形成的U形结构的技术特征。
授权公告日为2000年12月19日的美国专利US6163075A（即对比文件5）涉及一种生产常规多层导线结构的方法，虽然希捷公司认为对比文件5中所述多个导电层和多个过孔金属层堆叠相当于本专利中的堆栈结构，但本专利中的堆栈结构是位于复合层结构两侧的，其作用是与下导电层电性连接并由此传导电讯，可见对比文件5也并未公开位于复合层结构两侧的第一、第二堆栈结构，因而也没有公开下导电层与第一、第二堆栈结构形成的U形结构的技术特征，也没有任何证据显示其属于本领域的公知常识。
综上所述，权利要求7的技术方案相对于对比文件4、对比文件1（实施例1）、和本领域公知常识或者对比文件4、对比文件1（实施例1）和对比文件5均具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
4-6-2.关于权利要求8
希捷公司关于权利要求8的创造性评述理由与权利要求7的基本相同，因此，基于与前述4-6-1相同的理由，（1）对比文件1（实施例2）、对比文件4均未公开位于复合层结构两侧的第一、第二堆栈结构，因而也没有公开下导电层与第一、第二堆栈结构电性连接而与复合层结构并未电性连接的技术特征，因此，权利要求8的技术方案相对于对比文件1（实施例2）、对比文件4具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备专利法第二十二条第三款规定的创造性；（2）对比文件4、对比文件1（实施例1）和对比文件5均未公开位于复合层结构两侧的第一、第二堆栈结构，因而也没有公开下导电层与第一、第二堆栈结构电性连接而与复合层结构并未电性连接的技术特征，因此，权利要求8的技术方案相对于对比文件4、对比文件1（实施例1）、本领域公知常识或者对比文件4、对比文件1（实施例1）和对比文件5具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
4-6-3．关于权利要求9
权利要求9请求保护一种集成电路焊线垫片的形成方法，对比文件4公开了一种半导体器件的焊垫互连结构及其制作方法。将权利要求9的技术方案与对比文件4公开的内容相比，其区别在于：（1）权利要求9中下导电层连接至一固定电位；（2）权利要求9中焊垫导电层的面积大于复合层结构的导电层的面积。可见，相对于对比文件4权利要求9实际所要解决的技术问题是防止来自基板的噪声，以及减小焊盘的等效电容。
对于上述区别（1），授权公告日为2000年2月8日的美国专利US6023095A（即对比文件3）涉及一种减少电极焊盘及元件之间噪声转移的电极焊盘机构及其制造方法。对比文件3公开了上述区别特征（1），并且其所起的作用也是防止来自基板的噪声，因此可以认为对比文件3给出了将其结合到对比文件4的技术启示。
对于上述区别（2），如前所述，对比文件1的实施例1公开了金属层1150（相当于本专利中的焊垫导电层）的面积大于金属层1110、1120、1130、1140（相当于本专利的复合层结构的导电层）的面积。对比文件1的实施例1公开了上述区别特征（2），并且其所起的作用也是减小焊盘的等效电容，因此对比文件1的实施例1给出将其结合到对比文件4的技术启示。
综上所述，对本领域技术人员来说，在对比文件4的基础上结合对比文件3和对比文件1（实施例1）得到权利要求9的技术方案是显而易见的，权利要求9并不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
4-6-4．关于权利要求10
权利要求10引用权利要求9，其附加技术特征已被对比文件4公开。对比文件4所述插塞152即公开了本专利的通孔和通孔插塞，而将其进行重复设置，以形成复数个通孔以及复数个插塞，属于惯用手段的直接置换，因此，在其引用的权利要求9不具备创造性的情况下，从属权利要求10也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
据此，专利复审委员会宣告本专利权部分无效，在授权公告的权利要求7、8的基础上维持专利权有效。
瑞昱公司不服被诉决定，向北京市第一中级人民法院提起行政诉讼。在一审庭审过程中，瑞昱公司陈述：一、其对被诉决定作出的行政程序无异议；二、对被诉决定的案由部分均无异议；三、本专利权利要求9与对比文件4相比，还存在一个区别特征，即下导电层。
以上事实有本专利授权公告文本、对比文件1-5、无效宣告请求书、意见陈述书、被诉决定以及当事人陈述等证据在案佐证。
本院认为：
本案争议焦点在于本专利权利要求9、10是否具备创造性。
根据专利法第二十二条第三款的规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。发明有突出的实质性特点，是指对所属领域的技术人员来说，发明相对于现有技术是非显而易见的。发明有显著的进步，是指发明与现有技术相比能够产生有益的技术效果。在判断一项权利要求的创造性时，如果该权利要求的技术方案和最接近的现有技术相比存在区别技术特征，而现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的技术启示，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
本专利权利要求9限定了一种集成电路焊线垫片的形成方法，通过所述方法，形成了焊线垫片的结构。对比文件4公开了一种半导体器件的焊垫互连结构，虽然对比文件4是为了解决应力问题，但是对于所属领域技术人员而言，其电学方面的特性是客观存在的。对比文件4中的122采用可传导材料制成，本身除了具备力学领域的功能，另具有屏蔽电磁波的功能，与权利要求9中的下导电层连接至一固定电位在整体技术方案中的功能作用是相近的，即均具有屏蔽来自半导体基板的噪音的作用，只是屏蔽效果强弱不同而已。被诉决定认定对比文件4的水平传导部分122对应于本专利权利要求9中的下导电层并无不当。
被诉决定中确定的权利要求9与对比文件4的区别特征（1）为权利要求9中下导电层连接至一固定电位，此区别特征所能到达的技术效果即是增强电磁屏蔽的效果，由此确定本专利解决的技术问题之一即为防止来自基板的噪声。区别特征（2）为权利要求9焊垫导电层的面积大于复合层结构的导电层的面积，由此确定的本专利解决的第二个技术问题即减小焊盘的等效电容。
对于上述区别特征（1），对比文件3涉及一种减少电极焊盘及元件之间噪声转移的电极焊盘机构及其制造方法，该技术方案中：基板1上的层间绝缘层10相当于本专利的绝缘层，位于层间绝缘层10之上的信号输入输出焊盘14相当于本专利的焊垫导电层，位于层间绝缘层10内且位于信号输入输出焊盘14下方的噪声屏蔽导电层17相当于本专利中的下导电层，其中导电层17通过接触塞11a与GND焊盘电性连接，所述GND焊盘的电压应用到导电层17上。可见对比文件3公开了上述区别特征（1），并且其所起的作用也是防止来自基板的噪声，对于所属领域技术人员而言，并不存在将对比文件3结合到对比文件4的技术障碍，可以得到相应的技术启示。
对于上述区别（2），对比文件1的实施例1公开了金属层1150（相当于本专利中的焊垫导电层）的面积大于金属层1110、1120、1130、1140（相当于本专利的复合层结构的导电层）的面积的技术特征。可见对比文件1的实施例1公开了上述区别特征（2），并且其所起的作用也是减小焊盘的等效电容，因此对比文件1的实施例1给出将其结合到对比文件4的技术启示。
因此，对于所属领域技术人员而言，在对比文件4的基础上结合对比文件3和对比文件1（实施例1）得到权利要求9的技术方案是显而易见的，权利要求9并不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求10引用权利要求9，其附加技术特征已被对比文件4公开（参见对比文件4附图4B）：焊垫顶部150A（相当于本专利中的焊垫导电层）被形成在插塞152（相当于本专利中的导电连接层）上方。所述插塞152即公开了本专利的通孔和通孔插塞，而将其进行重复设置，以形成复数个通孔以及复数个插塞，属于惯用手段的直接置换，因此，在其引用的权利要求9不具备创造性的情况下，从属权利要求10也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
综上所述，瑞昱公司的上诉理由缺乏事实和法律依据，对其上诉请求本院不予支持。原审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：
驳回上诉，维持原判。
一审案件受理费一百元，由国家知识产权局专利复审委员会负担（于本判决生效之日起七日内交纳）。二审案件受理费一百元，由瑞昱半导体股份有限公司负担（已交纳）。
本判决为终审判决。
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