广东省深圳市中级人民法院
民 事 判 决 书
（2012）深中法知民初字第398号
原告泉芯电子技术(深圳)有限公司，住所地广东省深圳市南山区深南大道10128号南山软件园西塔楼2405-2409。
法定代表人CHAOGANGHUANG（黄朝刚），该公司董事长。
委托诉讼代理人吴浩，男，汉族，1969年9月30日出生，住所广东省深圳市福田区，系该公司职员。
被告深圳市锦汇鑫科技有限公司，住所地广东省深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房201栋4楼西半部A25-2。
法定代表人陈瑞良，该公司总经理。
委托诉讼代理人郑拥军，北京市世纪（上海）律师事务所律师。
被告南京微盟电子有限公司，住所地江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号1号楼5楼。
法定代表人刘晋平，该公司董事长。
委托诉讼代理人王桂滨，江苏锋行律师事务所律师。
委托诉讼代理人张洪俞，男，汉族，1980年1月30日出生，住所江苏省南京市鼓楼区，系该公司职员。
原告泉芯电子技术(深圳)有限公司诉被告深圳市锦汇鑫科技有限公司（以下简称深圳锦汇鑫公司）、南京微盟电子有限公司（以下简称南京微盟公司）侵害集成电路布图设计专有权纠纷一案，本院依法组成合议庭公开开庭审理了本案，原告的委托诉讼代理人吴浩，被告深圳锦汇鑫公司的委托诉讼代理人郑拥军，被告南京微盟公司的委托诉讼代理人王桂滨、张洪俞到庭参加诉讼。本案现已审理终结。
原告向本院提出诉讼请求，请求判令：一、两被告立即停止侵害原告BS．09500630．3号QX2304集成电路布图设计专有权的行为，并销毁所有侵权产品；二、被告赔偿原告经济损失及为制止被告侵权行为而支付的合理费用共计人民币3000000元；三、被告承担本案的诉讼费；四、被告南京微盟公司对上述债务承担连带责任。事实与理由：
QX2304升压DC／DC转换器芯片(以下简称QX2304芯片)系原告研发用于电子设备电源电压转换器的配件产品，2009年1月15日完成布图设计创作，2009年6月10日首次投入商业利用，2010年6月24日获得国家知识产权局颁发的《集成电路布图设计登记证书》，登记号为BS．09500630．3号。2011年下半年，原告发现被告在市场上及网站上广告宣传并低价销售ME2180芯片，2012年3月9日，原告与南山区公证处的公证员一起到被告深圳锦汇鑫公司的经营场所购买了2000片涉案ME2180芯片，经原告委托鉴定，发现被告生产、销售的ME2180芯片与原告QX2304芯片的布图设计相同，两者属相同产品。被告也宣称ME2180产品系依据对QX2304芯片产品进行反向工程分析后得出的布图设计进行生产的。原告研发QX2304芯片花费了巨大的人力、物力、财力，自投产后，市场前景非常乐观。但是，自从被告生产、销售ME2180产品后，原告被迫降价销售，由此遭受了一系列损失。被告未经许可，复制并商业利用原告享有专有权的布图设计，侵犯了原告集成电路布图设计专有权。
本案庭审时原告明确，被告深圳锦汇鑫公司具体实施了商业利用中的销售行为，被告南京微盟公司具体实施了复制布图设计及商业利用中的销售行为。
被告深圳锦汇鑫公司答辩称，答辩人是从市场上购买的被控侵权产品，有合法来源。在主观上，答辩人不知道被答辩人集成电路布图设计专有权的存在，也不知道被控侵权产品涉嫌侵犯被答辩人的集成电路布图设计专有权。被答辩人应追究另一被告的侵权责任。
被告南京微盟公司答辩称，被答辩人的起诉没有事实和法律依据，属于恶意诉讼。被答辩人的布图设计与答辩人的布图设计不同，故答辩人没有侵犯被答辩人的集成电路布图设计专有权。
当事人围绕诉讼请求依法提交了证据，本院组织当事人进行了证据交换和质证。对当事人无异议的证据，本院予以确认并在卷佐证；对有争议的证据，各当事人进行陈述与说明，本院认定如下：
原告为证明其诉讼主张，向本院提交了如下证据材料：1、国家知识产权局第3389号集成电路布图设计登记证书；2、集成电路布图设计版图层次说明；3、布图设计结构、技术、功能简要说明；4、芯片评估单。以上证据欲证明原告享有涉案集成电路布图设计专有权。5、被告南京微盟公司官网；6、深圳市南山公证处（2012）深南证字第3407号、4523号公证书。7、泉芯QX2304与微盟ME2180版图对比说明。以上证据欲证明被告实施了侵害原告集成电路布图设计专用权的行为。8、公证费发票；9、与律师签订的委托代理合同。以上证据欲证明其维权的成本支出。两被告对原告提交的证据1证明的内容提出质疑，认为该登记证书的权利人与原告的名称、地址不一致，原告也未进行注录登记事项的变更。两被告对原告其他证据的真实性和关联性不予认可。
本院对原告提交的证据1、2、3、5、6的真实性予以认可。
被告深圳锦汇鑫公司为支持其抗辩主张，向本院提交了如下证据材料：1、QQ聊天记录纸质件；2、与深圳市乐雅电子有限公司之间的采购单（含传真件）；3、与深圳市乐雅电子有限公司之间的送货单；4、与深圳市乐雅电子有限公司之间的收款收据；5、与倪文君之间的收据；6、倪文君英文名片。以上证据欲证明被告深圳锦汇鑫公司销售涉案被控侵权产品有合法来源。原告否认被告深圳锦汇鑫公司上述证据的真实性和关联性。被告南京微盟公司否认曾向被告深圳锦汇鑫公司销售涉案被控侵权产品。
本院对被告深圳锦汇鑫公司提交的证据2、3、4、5、6的真实性予以认可。
被告南京微盟公司为支持其抗辩主张，向本院提交了如下证据材料：1、ME2180集成电路布图设计登记证书；2、ME2180集成电路版图；3、ME2180集成电路布图设计登记申请结构、技术、功能简要说明；4、ME2180和QX2304版图布局设计对比；5、ME2180和QX2304版图布局各层级详细对比。以上证据欲证明被告南京微盟公司有自己的布图设计专有权，被控侵权产品的布图设计与原告主张权利的布图设计不同。原告否认被告南京微盟公司上述证据的真实性和关联性。被告深圳锦汇鑫公司认可被告南京微盟公司上述证据的真实性和关联性。
本院对被告南京微盟公司提交的证据1、3的真实性予以认可。
在案件审理的过程中，基于原、被告双方的申请，以及为了查明本案所涉及的技术事实，本院委托北京芯愿景软件技术有限公司进行司法鉴定，北京芯愿景软件技术有限公司接受委托分别做出C28BVS.1128-28、C33BVS.1128-28、1114-3QVS.C28B、1114-3QVS.C33B、1114-3QVS.1128-28五份布图设计相似度验证报告。本院委托北京紫图知识产权司法鉴定中心进行司法鉴定，北京紫图知识产权司法鉴定中心为此分别做出北京紫图[2014]知鉴字第122号鉴定意见和北京紫图[2017]知鉴字第18号《补充鉴定意见书》。经过庭审质证，本院对上述司法鉴定报告的真实性、关联性和合法性予以确认，并作为本案的定案证据予以采信。
根据双方当事人对证据的质证及庭审陈述，本院认定如下事实：
一、原告涉案集成电路布图设计备案登记的情况
2010年6月24日，国家知识产权局向原告颁发第3389号《集成电路布图设计登记证书》，该布图设计登记证书记载，布图设计权利人为原告深圳市泉芯电子技术有限公司，布图设计名称为QX2304，布图设计登记号为BS.09500630.3，布图设计申请日为2009年8月22日，布图设计颁证日为2010年6月24日，布图设计创作完成日为2009年1月15日，布图设计首次投入商业利用日为2009年6月10日。
在案件审理过程中，原告向本院申请调取原告在国家知识产权局备案的电子版布图设计及芯片样品。为了查明案件事实，本院向国家知识产权局调取原告在国家知识产权局备案的布图设计芯片样品，并用优盘拷贝了原告备案的电子版布图设计。经查，原告在国家知识产权局备案的BS.09500630.3号芯片的型号有两种，分别为QX2304L28E、QX2304L33E，本院分别调取了上述型号的芯片各1个。原告称，其上述在国家知识产权局备案的QX2304L28E、QX2304L33E型芯片的布图设计是相同的，二者只是芯片的电压不同，QX2304L28E适用的电压为2.8伏，QX2304L33E适用的电压为3.3伏。被告南京微盟公司否认原告的该主张，称，在同一个备案登记的布图设计基础上，不可能有两种芯片。
二、被告涉案集成电路布图设计备案登记的情况
2011年10月28日，国家知识产权局向被告颁发第4991号《集成电路布图设计登记证书》，该布图设计登记证书记载，布图设计权利人为被告南京微盟电子有限公司，布图设计名称为ME2180，布图设计登记号为BS.11500561.7，布图设计申请日为2011年6月10日，布图设计颁证日为2011年10月28日，布图设计创作完成日为2010年10月31日。被告南京微盟公司还向本院提交了其ME2180布图设计的版图、登记申请结构、技术、功能简要说明。
在案件审理过程中，被告向本院申请调取被告在国家知识产权局备案的电子版布图设计及芯片样品。为了查明案件事实，本院向国家知识产权局调取被告在国家知识产权局备案的布图设计芯片样品。
三、原告指控两被告侵权的表现形式及购买被控侵权产品的过程
原告指控被告深圳锦汇鑫公司以销售的商业利用方式侵犯其集成电路布图设计专有权，指控被告南京微盟公司以复制、销售的商业利用方式侵犯其集成电路布图设计专有权，为证明上述事实，原告提交了深圳市南山公证处出具的（2012）深南证字第3407号公证书，该公证书载明如下事实：
2012年3月9日上午十时二十分，原告的委托代理人倪文君与深圳市南山公证处公证员史某和公证人员张某来到深圳市福田区华强北上步工业区201栋4A25-2室挂有“深圳市锦汇鑫科技有限公司”门牌字样的场所，原告的委托代理人倪文君以普通消费者的身份向该公司购买了两圆盘ME2180A28PG芯片，总共两千个，单价为0.4元，并当场取得盖有“深圳市锦汇鑫科技有限公司财务专用章”字样的收据一张，收据号码为7002667。上述公证购买的两圆盘ME2180A28PG芯片的封面标有“南京微盟电子有限公司”字样，TYPE（型号）：ME2180A28PG，DATE（生产日期）：2011/07/17。被告深圳锦汇鑫公司认可曾向倪文君销售过两盘芯片。被告南京微盟公司认可从被控侵权芯片张贴的标签信息来看是其公司生产的芯片产品。
当庭拆封公证购买的两袋被控侵权产品，其中一个包装袋所封存的芯片圆盘完好无损，而另一个包装袋所封存的芯片圆盘已拆封。从公证书所附照片来看，先有两袋封存完好的芯片圆盘照片；翻页后的照片显示两盘芯片圆盘其中一盘已拆封；接着翻页的照片显示有单个芯片实物的照片。本院将未拆封的一盘芯片圆盘通过封条进行查封，并作为本案被控侵权布图设计进行对比的对象。
两被告均不认可上述被控侵权芯片中的布图设计与原告在国家知识产权局备案的布图设计相同。同时，被告南京微盟公司还抗辩称，其亦在国家知识产权局进行了布图设计登记，被控侵权的布图设计使用的是其享有专有权的布图设计，因此，被告南京微盟公司没有侵犯原告涉案的布图设计专有权。
四、被控侵权产品的布图设计与原告涉案布图设计进行司法鉴定对比及相关司法鉴定对比的情况
（一）被控侵权产品的布图设计分别与原、被告备案芯片的布图设计进行对比，以及原告与被告备案芯片的布图设计进行对比的司法鉴定情况
为了查明案件事实，原、被告向法院提出司法鉴定申请，要求对下列事项进行司法鉴定：1、被控侵权产品中随机抽取的芯片布图设计与原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图设计是否一致？2、被控侵权产品中随机抽取的芯片布图设计与被告南京微盟电子有限公司在国家知识产权局备案的ME2180样品布图设计是否一致？3、原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图设计与被告南京微盟电子有限公司在国家知识产权局备案的ME2180样品布图设计是否相同？
原、被告双方共同选定北京芯愿景软件技术有限公司对上述事项进行司法鉴定，基于法院的司法鉴定委托，北京芯愿景软件技术有限公司分别做出C28BVS.1128-28、C33BVS.1128-28、1114-3QVS.C28B、1114-3QVS.C33B、1114-3QVS.1128-28五份相似度验证报告。在上述相似度验证报告中，北京芯愿景软件技术有限公司将原告在国家知识产权局备案的型号为QX2304L28E、QX2304L33E的芯片，分别编号为C28B、C33B；将被告在国家知识产权局备案的ME2180芯片样品编号为1114-3Q；将被控侵权产品（芯片）编号为1128-28。
上述C28BVS.1128-28相似度验证报告的结论为：芯片1128-28（被控侵权产品）和芯片C28B（原告备案的芯片之一）版图相似度为62.72%。
上述C33BVS.1128-28相似度验证报告的结论为：芯片1128-28（被控侵权产品）和芯片C33B（原告备案的芯片之二）版图相似度为68.51%。
上述1114-3QVS.C28B相似度验证报告的结论为：芯片C28B（原告备案的芯片之一）和芯片1114-3Q（被告备案的芯片）版图相似度为68.01%。
上述1114-3QVS.C33B相似度验证报告的结论为：芯片C33B（原告备案的芯片之二）和芯片1114-3Q（被告备案的芯片）版图相似度为63.02%。
上述1114-3QVS.1128-28相似度验证报告的结论为：芯片1128-28（被控侵权产品）和芯片1114-3Q（被告备案的芯片）版图相似度为91.94%。
原告向北京芯愿景软件技术有限公司预支付司法鉴定费5万元。被告向北京芯愿景软件技术有限公司预支付司法鉴定费5万元
（二）对原告选定的部分布图设计与被控侵权产品相应布图设计是否相同进行对比，以及该部分布图设计是否具有独创性进行司法鉴定的情况
在案件审理的过程中，原告申请对下列事项做补充鉴定：1、原告所称其创新部分的布图设计是否与其在本案中主张享有专有权的布图设计相对应部分相同？2、原告所称其创新部分的布图设计与被告被控侵权产品的相应布图设计是否相同或实质性相似？3、如上述第1项存在相同或实质性相似，则原告对该相同或实质性相似部分的布图设计是否具有独创性？4、原告与被告布图设计整体概貌图是否相同或实质性相似？5、如上述第4项存在相同或实质性相似，则原告整体布图设计概貌是否具有独创性。后原告放弃对上述第4、5申请事项的鉴定。
原告为司法鉴定的需要提交了《泉芯QX2304独创性说明及其与微盟ME2108的版图对比》，内容涉及原告固定其所称的创新部分的布图设计以及独创性说明。在上述说明中，原告称，其选定的D布图设计区域包含2个非门，一个schmitt触发器和一个下拉开关管，此区域不连通，没有任何功能，即该布图实现的功能并不是最初设计的功能，因此该布图的目的是用于识别抄袭。被告提交了抗辩证据材料，欲证明原告所固定的布图设计不具有独创性。
原、被告双方共同选定北京紫图知识产权司法鉴定中心对上述事项进行司法鉴定。北京紫图知识产权司法鉴定中心接受本院的委托。基于查明案件事实的需要，2015年3月27日，本院组织原、被告双方在北京紫图知识产权司法鉴定中心召开技术听证会。2015年10月26日，北京紫图知识产权司法鉴定中心做出北京紫图[2014]知鉴字第122号鉴定意见，结论如下：
1、原告所称其创新部分的布图设计是否与其在本案中主张享有专有权的布图设计相对应部分相同？
原告所称其创新部分的布图设计在其2015年6月8日提供的《泉芯QX2304独创性说明及其与微盟ME2108的版图对比》（简称“原告独创性说明”）中明确：“本文将QX2304的创新电路模块划分为8个模块，其中A、B、C、G、H、M这6个电路模块是新增加的模块，E、I这两个电路模块是在传统电路上改进的模块，而D区域是用来识别抄袭的‘陷阱电路’”。
原告在本案中主张享有专有权的布图设计一是依据“芯愿景”提供的国家知识产权局备案的QX2304芯片（登记号：BS09500630.3）的剖片图像（简称“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”），该芯片为两个样品芯片分别为样品一编号为：C28B（QX2304L28E）和样品二编号为：C33B（QX2304L33E），两样品剖片图像M2层左下角均显示为QX2305；另一个是“芯愿景”提供的原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图（bmp格式图片，该图片像素有限，放大后有失真）（简称“芯愿景提供的原告电子版图片”）。
1.1A区域：同步功率管PMOS；B区域：与同步管PMOS并联的二极管；C区域：电感电流过零比较电路。A区域包含一个沟道总宽度为36600um，沟道长度为1um的曲栅状PMOS管；B区域包含5个长度为101.15um，宽度为4.1um，面积为414.715um2的二极管；C区域包含了一个差动比较器，一个与门和两个上拉开关管；A、B、C区域是因为采用内置二极管所新增加的布图设计。
对比分析：“原告独创性说明”中的A、B、C区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
1.2Ｄ区域：“陷阱电路”。包含了2个非门，一个schmitt触发器和一个下拉开关管。此部分版图是用于识别抄袭，在法律上是证明被告接触性的实质证据，此区域不连通，没有任何功能。
对比分析：“原告独创性说明”中的Ｄ区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
１.3E区域：PMOS同步功率管驱动与NMOS开关功能管驱动。包含了2个2输入与门，1个2输入或门，4个非门，两个MOS驱动缓冲器。
对比分析：“原告独创性说明”中的E区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
1.4G区域：软启动电路。包含了1个差动比较器，1个2输入或门，1个非门。
对比分析：“原告独创性说明”中的G区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，而“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B中缺少相对应的部分，因此不相同。
1.5H区域：OSC振荡电路。包含了4个非门、2个反向器、2个schmitt触发器、1个3输入与非门和一个下拉开关管。
对比分析：“原告独创性说明”中的H区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分中个别器件数量有所不同，因此不相同。
1.6I区域：基准产生电路。包含了9个PNP三极管，一个非门。
对比分析：“原告独创性说明”中的I区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
1.7M区域：过零检测latch电路。包含了一个带复位端的D触发器，6个非门，1个2输入或门，一个下拉开关管，一个PMOS恒流源。
对比分析：“原告独创性说明”中的M区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
2、原告所称其创新部分的布图设计与被告被控侵权产品的相应布图设计是否相同或实质性相似？
被告被控侵权产品：泉芯电子技术（深圳）有限公司公证购买的未拆封被控侵权产品样品1128_28以下简称：（样品28）；南京微盟电子有限公司在国家知识产权局登记的集成电路布图设计（登记号：BS11500561.7）的芯片样品1114_3Q以下简称：（样品3Q）。“芯愿景”对两个芯片样品进行了剖析，并提供了剖片图像（以下称为“芯愿景提供的被告芯片剖片图像”），因为（样品28）和（样品3Q）在所对比的区域（指的是A、B、C、D、E、G、H、I、M九个区域）的集成电路布图设计相同，下面只需以（样品28）进行对比判断。
2.1A区域：同步功率管PMOS；B区域：与同步管PMOS并联的二极管；C区域：电感电流过零比较电路。A区域包含一个沟道总宽度为36600um，沟道长度为1um的曲栅状PMOS管；B区域包含5个长度为101.15um，宽度为4.1um，面积为414.715um2的二极管；C区域包含了一个差动比较器，一个与门和两个上拉开关管；A、B、C区域是因为采用内置二极管所新增加的布图设计。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中A区域相对应的区域包括一个场效应管，经初步测量其沟道总宽度约35344um，沟道长度为0.87um,该管被划分为94组，每组包含4串曲栅状管。考虑到实际测量的误差，认为（样品28）与A区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。经初步测量（样品28）与“原告独创性说明”中B区域相对应的区域包括5个长度为101.8um，宽度为4.2um，面积为427.56um2的二极管。考虑到实际测量的误差，认为（样品28）与B区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。
（样品28）与“原告独创性说明”中C区域相对应的区域的整体布图的布局相同，只是存在孔的数量有所不同，布图形状的个别部分有些差异。由于孔的数量有所不同，布图形状的个别部分有些差异不足以构成布图设计的实质性差异，因此认为（样品28）与C区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。综上所述，（样品28）与“原告独创性说明”认定的A、B、C三个区域相对应区域，两者的的布图设计为实质性相似。
2.2Ｄ区域：“陷阱电路”。包含了2个非门，一个schmitt触发器和一个下拉开关管。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中Ｄ区域相对应的区域的整体布局相同，被告提供的证据《对泉芯独创性说明的回复》（简称“被告对说明的回复”）Ｄ区域中标示为７和８的两处布图细节的位置有差别，经对比分析判断认为实质只是引出孔的位置有细微差别，孔的数量有所不同。上述不同点不足以构成布图设计的实质性差异，因此认为（样品28）与Ｄ区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。
2.3E区域：PMOS同步功率管驱动与NMOS开关功能管驱动。包含了2个2输入与门，1个2输入或门，4个非门，两个MOS驱动缓冲器。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中E区域相对应的区域的整体布局相同，孔的数量有所不同。上述不同点不足以构成布图设计的实质性差异，因此认为（样品28）与E区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。
2.4G区域：软启动电路。包含了1个差动比较器，1个2输入或门，1个非门。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中G区域相对应的区域不同部分约20%（主要是体现在金属1层和金属2层），对应区域的器件个数相同、布局基本相同。根据现有证据无法识别20%的不同区域的版图布局的器件，所以无法判断二者是否相同。
2.5H区域：OSC振荡电路。包含了4个非门、2个反向器、2个schmitt触发器、1个3输入与非门和一个下拉开关管。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中H区域相对应的区域的整体布局相同，仅是孔的数量有所不同。由于孔的数量有所不同不足以构成布图设计的实质性差异，因此认为（样品28）与H区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。
2.6I区域：基准产生电路。包含了9个PNP三极管，一个非门。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中I区域相对应的区域的整体布局相同，孔的数量有所不同。上述不同点不足以构成布图设计的实质性差异，因此认为（样品28）与I区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。
2.7M区域：过零检测latch电路。包含了一个带复位端的D触发器，6个非门，1个2输入或门，一个下拉开关管，一个PMOS恒流源。
对比分析：（样品28）与“原告独创性说明”中M区域相对应的区域的整体布局相同，“被告对说明的回复”M区域中的4、6、8、9处相对位置不同，实质只是引出孔的位置细微差别，孔的数量有所不同。上述不同点不足以构成布图设计的实质性差异，因此认为（样品28）与M区域对应的区域，两者的布图设计为实质性相似。
3、如上述第1项存在相同或实质性相似，则原告对该相同或实质性相似部分的布图设计是否具有独创性？
3.1A区域：同步功率管PMOS；B区域：与同步管PMOS并联的二极管；C区域：电感电流过零比较电路。“原告独创性说明”中的A、B、C区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
对比分析：被告提供的证据“被告对说明的回复”：第一、蛇形功率管画法在（模拟电路版图的艺术）第二版第434页有同样的画法。因为该书出版的时间不明，因此不能作为蛇形功率管画法的公知证据。第二、其他公司的PAM2307的版图的两张局部照片，其纸质图不清晰看不出是否为蛇形，而且没说明芯片生产时间。第三、德州仪器公司TPS61220芯片内部电路框图。因为内部电路框图不是集成电路布图设计，因此说明不了二极管在芯片的集成电路布图设计中是在芯片内布置的。第四、其他公司版图LT3429纸质图不清晰无法判断。根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以A、B、C区域布图设计具有独创性。
3.2Ｄ区域：“陷阱电路”。“原告独创性说明”中的Ｄ区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
对比分析：关于此区域，原告称，此部分版图是用于识别抄袭，在法律上是证明被告接触性的实质证据，此区域不连通，没有任何功能。之所以称这部分电路是“陷阱电路”是因为此电路最初设计的目的是实现低压启动的功能，当版图完成，即将流片时，由于时间紧迫来不及将版图重行布局，考虑到zeroIcomp电路需要对时钟CLK进行TOFF延时，而临时借用此电路的结构（见此模块与zeroIcomp电路连接关系）。换句话说，此电路实现的功能并不是最初设计的功能。
被告提供的证据“被告对说明的回复”：其他公司的PAM2307的版图，其纸质图不清晰；提供的PAM2307的版图无法与原告D区域的版图进行一一对比分析。根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以D区域布图设计具有独创性。
3.3E区域：PMOS同步功率管驱动与NMOS开关功能管驱动。“原告独创性说明”中的E区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
对比分析：被告提供的证据“被告对说明的回复”：其他公司的PAM2307的版图，其纸质图不清晰；提供的PAM2307的版图无法与原告E区域的版图进行一一对比分析。根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以E区域布图设计具有独创性。
3.4G区域：软启动电路。“原告独创性说明”中的G区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同。
对比分析：被告提供的证据“被告对说明的回复”：其他公司的PAM2307的版图，其纸质图不清晰；提供的PAM2307的版图无法与原告G区域的版图进行一一对比分析。根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以G区域布图设计具有独创性。
3.5H区域：OSC振荡电路。“原告独创性说明”中的H区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同。
对比分析：被告提供的证据“被告对说明的回复”：其他公司的LT3429的版图，其纸质图不清晰；提供的LT3429的版图无法与原告H区域的版图进行一一对比分析。根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以H区域布图设计具有独创性。
3.6I区域：基准产生电路。“原告独创性说明”中的I区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
对比分析：根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以I区域布图设计具有独创性。
3.7M区域：过零检测latch电路。“原告独创性说明”中的M区域与“芯愿景提供的原告电子版图片”相对应部分相同，与“芯愿景提供的原告芯片剖片图像”C28B和C33B相对应部分相同。
对比分析：被告提供的证据“被告对说明的回复”：其他公司的PAM2307的版图，其纸质图不清晰；提供的PAM2307的版图无法与原告M区域的版图进行一一对比分析。根据现有证据不足以证明原告的布图设计不是原告自己智力劳动成果，也不能说明在布图设计创作者和集成电路制造者中是公认的常规设计。所以M区域布图设计具有独创性。
综上，原告所称其创新部分的布图设计中A、B、C、D、E、G、H、I、M区域（根据“芯愿景”提供的原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图），以原告《集成电路布图设计登记证书》上所记载的完成日期2009年1月15日为时间界限，所述区域在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计，依据《集成电路布图设计保护条例》第四条规定认定其具有独创性；
原告所称其创新部分的布图设计中A、B、C、D、E、I、M区域（根据“芯愿景”提供的国家知识产权局备案的芯片QX2304的剖片图像，图像M2层左下角显示为QX2305），以原告《集成电路布图设计登记证书》上所记载的完成日期2009年1月15日为时间界限，所述区域在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计，依据《集成电路布图设计保护条例》第四条规定认定其具有独创性。
结论：依据现有证据，1.1原告所称其创新部分的布图设计中A、B、C、D、E、I、M区域与其在本案中主张享有专有权的布图设计（“芯愿景”提供的国家知识产权局备案的芯片QX2304的剖片图像，图像M2层左下角显示为QX2305）相对应部分相同；
1.2原告所称其创新部分的布图设计中A、B、C、D、E、G、H、I、M区域与其在本案中主张享有专有权的布图设计（“芯愿景”提供的原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图）相对应部分相同。
2.原告所称其创新部分的布图设计A、B、C、D、E、H、I、M区域与被告被控侵权产品的相应区域的布图设计实质性相似，G区域无法判断。
3.1原告所称其创新部分的布图设计中A、B、C、D、E、G、H、I、M区域（根据“芯愿景”提供的原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图），以原告《集成电路布图设计登记证书》上所记载的完成日期是2009年1月15日为时间界限，所述区域在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计，依据《集成电路布图设计保护条例》第四条规定认定其具有独创性；
3.2原告所称其创新部分的布图设计中A、B、C、D、E、I、M区域（根据“芯愿景”提供的国家知识产权局备案的芯片QX2304的剖片图像，图像M2层左下角显示为QX2305），以原告《集成电路布图设计登记证书》上所记载的完成日期是2009年1月15日为时间界限，所述区域在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计，依据《集成电路布图设计保护条例》第四条规定认定其具有独创性。
北京紫图知识产权司法鉴定中心做出的上述鉴定意见送达后，被告深圳锦汇鑫公司、南京微盟公司提出书面异议。2016年4月28日，北京紫图知识产权司法鉴定中心基于被告南京微盟公司提交的书面异议及《模拟电路版图的艺术》一书，对其涉案鉴定意见进行了修改：《模拟电路版图的艺术》（第二版）与被告南京微盟公司提供的信息内容一致（被告没有提供ISBN号），故本中心依据时间为2011年9月在该布图设计登记之后。被告南京微盟公司质证意见中提到该书出版时间是2008年11月第二次印刷，但未提供复印件证明。因此有疑问，本中心咨询电子工业出版社，得知2008年11月有再版，但市面上无该版本书，《模拟电路版图的艺术》已重新出版，只是ISBN号不同。本次被告提交的复印件ISBN：978-7-121-04004-7，出版时间为2008年11月，作为补充，故B区域鉴定意见应更正为，因为该书出版的时间在原告布图设计登记之前，可以作为蛇形功率管画法的公知证据，故B区域没有独创性，原鉴定意见书中的其他鉴定意见不变。
（三）原告所称其创新部分的布图设计与其在国家知识产权局备案的布图设计图样相对应部分是否相同进行司法鉴定的情况
在案件审理的过程中，为了查明案件事实，本院以拍照方式从国家知识产权局复制了原告备案的布图设计纸质图样。原告申请对其所称创新部分的布图设计与其在国家知识产权局备案的布图设计图样相对应部分是否相同进行司法鉴定。基于原告的申请，本院委托北京紫图知识产权司法鉴定中心对上述事项进行司法鉴定。2018年7月3日，北京紫图知识产权司法鉴定中心做出北京紫图[2017]知鉴字第18号《补充鉴定意见书》，内容如下：
北京紫图[2014]知鉴字第122号鉴定意见书的附件1《泉芯QX2304独创性说明及其与微盟ME2108的版图对比》（以下简称：“原告独创性说明”）中描述了原告所称其创新部分的布图设计。
1.根据“原告独创性说明”记载：
A区域：同步功率管PMOS；B区域：与同步管PMOS并联的二极管；C区域：电感电流过零比较电路。
A区域包含一个沟道总宽度为36600um，沟道长度为1um的曲栅状PMOS管；B区域包含5个长度为101.15um，宽度为4.1um，面积为414.715um2的二极管；C区域包含了一个差动比较器，一个与门和两个上拉开关管；A、B、C区域是因为采用内置二极管所新增加的布图设计。
Ｄ区域：“陷阱电路”
Ｄ区域：包含了2个非门，一个schmitt触发器和一个下拉开关管。此部分版图是用于识别抄袭，在法律上是证明被告接触性的实质证据，此区域不连通，没有任何功能。
E区域：PMOS同步功率管驱动与NMOS开关功能管驱动
E区域：包含了2个2输入与门，1个2输入或门，4个非门，两个MOS驱动缓冲器。
G区域：软启动电路
G区域：包含了1个差动比较器，1个2输入或门，1个非门。
H区域：OSC振荡电路
H区域：包含了4个非门、2个反向器、2个schmitt触发器、1个3输入与非门和一个下拉开关管。
I区域：基准产生电路
I区域：包含了9个PNP三极管，一个非门。
M区域：过零检测latch电路
M区域：包含了一个带复位端的D触发器，6个非门，1个2输入或门，一个下拉开关管，一个PMOS恒流源。
2.分析：
“原告独创性说明”强调的独创部分在“备案布图照片”上显示不清。因此需要借助电子版布图进行比较。
在2014-122鉴定意见书中“原告独创性说明”与芯愿景提供的原告在国家知识产权局备案的QX2304电子版布图（以下简称‘电子版布图’）进行了比对，两者对应区域相同。
在此基础上鉴定人员将“备案布图照片”与“电子版布图”进行比对。
“备案布图照片”共14张，其中有两张照片相同。2014-122鉴定意见书中提到的“芯愿景提供的原告在国家知识产权','2019-01-05
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