中华人民共和国
北京市高级人民法院
行 政 判 决 书
（2014）高行终字第457号
上诉人（原审原告）浜松光子学株式会社，住所地日本国静冈县滨松市东区市野町1126番地1号。
法定代表人神山信治，知识产权部部门经理。
委托代理人杨琦，女，1965年12月26日出生，北京尚诚知识产权代理有限公司专利代理人。
委托代理人尹明花，女，1979年3月1日出生，北京尚诚知识产权代理有限公司专利代理人。
被上诉人（原审被告）中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10-12层。
法定代表人张茂于，副主任。
委托代理人谭颖，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人孙志敞，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。
原审第三人苏州德龙激光股份有限公司，住所地中华人民共和国江苏省苏州工业园区苏虹中路77号。
法定代表人赵裕兴，总经理。
委托代理人姚冠扬，北京市柳沈律师事务所律师。
委托代理人张波，男，1972年2月27日出生，北京市柳沈律师事务所专利代理人。
上诉人浜松光子学株式会社因发明专利权无效行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京市第一中级人民法院（简称北京市第一中级人民法院）（2013）一中知行初字第2500号行政判决，向本院提起上诉。本院2014年2月7日受理本案后，依法组成合议庭，并于2014年4月1日公开开庭进行了审理。上诉人浜松光子学株式会社的委托代理人杨琦、尹明花，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人谭颖、孙志敞，原审第三人苏州德龙激光股份有限公司（简称德龙激光公司）的委托代理人姚冠扬、张波到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。
北京市第一中级人民法院查明：本案涉及优先权日为2000年9月13日，申请日为2001年9月13日，中华人民共和国国家知识产权局于2009年10月28日授权公告的名称为“激光加工方法及激光加工装置”的第01818225.9号发明专利权（即本专利），专利权人为浜松光子学株式会社。浜松光子学株式会社对权利要求书进行了修改，删除了权利要求1-78、88、104，并将原权利要求79-87、89-103按顺序编号为权利要求1-24。修改后的权利要求书为：
“1、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准聚光点照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹自然生长到达上述加工对象物的表面和背面，而使上述加工对象物被切割。
2、根据权利要求1所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的脉冲激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
3、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成包括裂纹区的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割上述加工对象物。
4、根据权利要求3所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
5、一种加工对象物的切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成包括熔融处理区的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割上述加工对象物。
6、根据权利要求5所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
7、一种加工对象物的切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1ns以下的条件下，照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成包括折射率变化区的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割上述加工对象物。
8、根据权利要求7所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
9、一种半导体材料切割方法，特征在于：
通过在半导体材料的内部对准聚光点，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光，不使上述半导体材料的表面熔融仅在上述半导体材料的内部形成改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述半导体材料的表面和背面，切割上述半导体材料。
10、一种压电材料切割方法，特征在于：
通过在压电材料的内部对准聚光点，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光，不使上述压电材料的表面熔融仅在上述压电材料的内部形成改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述压电材料的表面和背面，切割上述压电材料。
11、根据权利要求10所述的压电材料切割方法，特征在于：
在从上述压电材料的激光入射面一侧的上述压电材料表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
12、一种半导体材料切割方法，特征在于：
通过在半导体材料的内部对准聚光点照射激光，不使上述半导体材料的表面熔融仅在上述半导体材料的内部形成熔融处理区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述半导体材料的表面和背面，切割上述半导体材料。
13、根据权利要求12所述的半导体材料切割方法，特征在于：
在从上述半导体材料的激光入射面一侧的上述半导体材料表面离开预定距离的内侧的区域形成上述熔融处理区。
14、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准成为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光的聚光点而且沿着表示激光的椭圆偏振光的椭圆的长轴，在上述加工对象物上照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割加工对象物。
15、根据权利要求14所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
16、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准成为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光的聚光点，沿着表示激光的椭圆偏振光的椭圆的长轴，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，移动照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成包括裂纹区的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割加工对象物。
17、根据权利要求16所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
18、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准成为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光的聚光点，沿着表示激光的椭圆偏振光的椭圆的长轴，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，移动照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成包括熔融处理区的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割加工对象物。
19、根据权利要求18所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
20、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准成为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光的聚光点，沿着表示激光的椭圆偏振光的椭圆的长轴，在聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1ns以下的条件下，移动照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成包括作为折射率变化了的区域的折射率变化区的改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割加工对象物。
21、根据权利要求20所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
22、一种加工对象物切割方法，特征在于：
通过在加工对象物的内部对准成为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光的聚光点，沿着表示激光的椭圆偏振光的椭圆的长轴，在上述加工对象物上移动照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成改质区，将上述改质区作为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割加工对象物。
23、根据权利要求22所述的加工对象物切割方法，特征在于：
在从上述加工对象物的激光入射面一侧的上述加工对象物表面离开预定距离的内侧的区域形成上述改质区。
24、一种加工对象物切割方法，特征在于：
在加工对象物的内部对准聚光点照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成改质区，以上述改质区为起点产生裂纹，并使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割上述加工对象物。”
本专利权利要求1、3、5、7、14、16、18、20、22、24的主题涉及加工对象物，权利要求9、12的主题涉及半导体材料，权利要求10的主题涉及压电材料，优先权文件中与之对应的为记载在0001段中的“本发明涉及半导体器件基板、压电器材基板或者玻璃基板等的光透射性材料”。优先权文件中没有记载权利要求1中的“多光子吸收”和“自然生长”、权利要求3、5、7、9、10中的“功率密度数值”和“脉冲宽度”。
本专利的技术目的在于提供在加工对象物的表面不发生不必要的切割而且不熔融其表面的激光加工方法以及激光加工装置，实现的技术效果为“能够进行在加工对象物的表面不发生熔融或者偏离切割预定线的不必要的分割的激光加工，或者能够进行在加工对象物的内部控制了加工对象物的厚度中的脉冲激光的激光点的位置的激光加工”。
2012年7月18日，德龙激光公司向专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是：（1）权利要求3至24不符合《中华人民共和国专利法实施细则》（简称《专利法实施细则》）第二十条第一款的规定；（2）权利要求24不具备新颖性；权利要求1至23不具备创造性。德龙激光公司于2012年8月20日提交了意见陈述书，增加了如下无效理由：（1）本专利说明书没有对本专利作出清楚、完整的说明，不符合《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第二十六条第三款的规定。（2）本专利权利要求1至24没有以说明书为依据，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。（3）权利要求24不具备新颖性；权利要求1至23不具备创造性。德龙激光公司还提交了相应证据，其中：
证据2-2：授权公告日为2001年4月3日，授权公开号为US6211488B1的美国专利说明书复印件及其部分中文译文。公开了一种激光加工的设备和方法，该设备和方法通过激光照射材料进行加工，加工的材料包含石英。
证据2-3：公开日为1992年4月13日，公开号为JP平4-111800A的公开特许公报复印件及其中文译文。公开了一种透射性材料的切割加工方法，该方法通过对准焦点将无法被石英玻璃等透射性材料吸收的高能光束照射透射性材料内部，通过使透射性材料内部产生微小的裂缝来对透射性材料进行切割加工，该方法通过多光子产生吸收，由此会产生结合带开裂或者产生发热作用从而在内部产生微小裂缝。
证据2-4：公开日为1990年3月13日，公开号为US4908493的美国专利说明书复印件及其部分中文译文。公开了一种对材料进行激光处理的方法和设备，该方法和设备包含了在线性偏振电磁辐射中，激光束中的所有波前峰的E场分量在方向上彼此对齐，即电场仅沿一个方向震荡，这也通常称为电矢量或E矢量。
证据2-5：名称为《通过飞秒激光在石英和相关材料中写入波导和光栅》，作者为K.Hirao和K.Miura，发表于《非晶体固体期刊》，239（1998）91-95的外文期刊文章及其中文译文。公开了通过飞秒激光在石英玻璃和相关材料中写入波导的方法，该方法描述了使用再生放大的、810纳米、Ti：蓝宝石激光，其发射120飞秒、200kHz的锁模脉冲并且输送975mw的平均功率；对于所有的平移速度和方向，结构性变化会沿着由激光的聚焦点横向形成的路径而引发，无色、透明、线性损伤点会产生在玻璃内部，诸如石英、氟化物、SFG（铅硅玻璃，Hoya）和硫属玻璃；因此，处于焦点处的激光束的峰值功率被集中至高达1014w／cm2，这足以引起非线性多光子吸收
证据2-8：公开日为2001年3月5日，公开号为1020010017690A的韩国专利说明书复印件及其中文译文。公开了一种激光切割装置及利用该装置的玻璃基板切割方法，包括将至少两个激光光束在适用于液晶显示装置的玻璃基板的内部对准焦点，在玻璃基板的预定的切割部位的内部引发内部裂纹，然后，按照预定的切割部分将玻璃基板迅速加热迅速冷却，由此，使玻璃基板的预定的切割部分按照内部裂纹准确的被切断，其中的激光切割过程分为两部分，先将第一激光束沿切割预定线照射玻璃基板的内部从而引发微小裂纹，然后按照切割预定线放射第二激光束，以迅速加热玻璃基板，并向切割预定线供给冷却流体，从而使玻璃基板迅速冷却，由此按照切割预定线切割玻璃基板，该切割方法的目的在于抑制切割时产生的微小颗粒，防止裂纹向不希望的方向扩散，并且最终实现高精度的切割，使得液晶显示面板的角部被整齐地切割，且证据2-8中明确描述了：本发明的核心技术思想是，在玻璃基板的要被切断的部分引发内部裂纹310之后，按照内部裂纹310被引发的部分对玻璃进行迅速加热和迅速冷却，由此能够按照内部裂纹310进行切断，从而能够抑制产生微小颗粒，并能够完成准确的切割。第一激光束在玻璃基板的内部形成裂纹，该裂纹从第一激光束入射的方向离开一定距离。
证据2-9：国际公开日为2000年6月8日，国际公开号为W000／32349A1的国际PCT申请说明书复印件及其部分中文译文。公开了一种激光加工方法，该方法通过激光照射基本透明的材料进行加工，加工对象物包含用于半导体工业的蓝宝石晶片。
2013年2月1日，专利复审委员会作出的第20026号《无效宣告请求审查决定》（简称第20026号决定）。该决定中认定：
一、本专利优先权文件中并未记载本专利独立权利要求1、3、5、7、9、10、12、14、16、18、20、22、24的技术方案，它们和本专利不属于相同主题，因此，对浜松光子学株式会社认为本专利应当享有优先权的主张不予支持，评价本专利新颖性和创造性所依据的现有技术的时间界限应为本专利的申请日，即2001年9月13日。
二、证据2-8已公开了权利要求24的全部技术特征，且其目的同样通过仅在内部产生裂纹而不在表面产生损伤后实现准确的切割，与本专利的目的和效果均相同。因此权利要求24相比证据2-8不具备新颖性，不符合《专利法》第二十二条第二款的规定。
三、关于创造性
1、权利要求1的技术方案与证据2-8相比存在区别：激光形成多光子；其目的在于提供多光子的激光照射以产生内部裂纹。证据2-3公开了采用多光子产生内部裂纹的技术特征，其技术效果与本专利也相同，故本领域技术人员通过证据2-3能够得到技术启示，将该区别结合至证据2-8中以得到权利要求1的技术方案，因此，相比证据2-8和证据2-3，权利要求1不具备创造性。证据2-8已经公开了权利要求2的附加技术特征，因此在权利要求2引用的权利要求1不具有创造性时，权利要求2不具备创造性。
2、权利要求3的技术方案与证据2-8相比存在区别：聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下；其目的在于设置聚光点的具体参数。证据2-5中同样采用了对玻璃内部发射激光并形成聚光点的技术，且聚光点的具体参数（120飞秒和1014w／cm2）位于权利要求3的参数范围内，证据2-5给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示，本领域技术人员通过证据2-5能够得到技术启示，将该区别结合至证据2-8中以得到权利要求3的技术方案，因此，相比证据2-8和证据2-5，权利要求3不具备创造性。证据2-8已经公开了权利要求4的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4也不具备创造性。
3、权利要求5的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）改质区包含熔融处理区。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；而区别特征（2）限定了熔融处理区，而作为切割的激光，在切割过程中对切割部分形成高温加热而使材料产生裂纹或熔融等区域是激光进行切割的常用方式之一，采用熔融进行切割是本领域的常规选择，且专利权人提供的反证2-3并未描述激光照射不会产生熔融，而是减少熔融量，由此可见，反证2-3明确描述了激光照射将产生熔融区域；因此，相比证据2-8、证据2-5和公知常识，权利要求5不具备创造性。从属权利要求6的附加技术特征与权利要求2的相同，参见第2点评述，证据2-8已经公开了权利要求6的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求6也不具备创造性。
4、权利要求7的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1ns以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）改质区包含折射率变化区。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；而区别特征（2）限定了折射率变化区，而作为切割的激光，在切割过程中对切割部分形成组织结构和组成的变化，而这种变化常常带来折射率的变化，这种折射率的变化是本领域的常规技术；因此，相比证据2-8、证据2-5和公知常识，权利要求7不具备创造性。证据2-8已经公开了权利要求8的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求8也不具备创造性。
5、权利要求9的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）切割对象为半导体材料。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；而区别特征（2）限定了切割对象为半导体材料，证据2-9公开了一种激光加工方法，该方法通过激光照射基本透明的材料进行加工，加工对象物包含用于半导体工业的蓝宝石晶片；因此，证据2-9公开了通过激光加工半导体材料的技术特征，故相比证据2-8、证据2-9和证据2-5，权利要求9不具备创造性。
6、权利要求10的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）切割对象为压电材料。而区别特征（2）限定了切割对象为压电材料，证据2-2公开了一种激光加工的设备和方法，该设备和方法通过激光照射材料进行加工，加工的材料包含石英，由于石英属于压电材料，因此，证据2-2公开了通过激光加工压电材料的技术特征，故相比证据2-8、证据2-5和证据2-2，权利要求10不具备创造性。从属权利要求11的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求11的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求11也不具备创造性。
7、权利要求12的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）切割对象为压电材料；（2）改质区包含熔融区域。证据2-9公开了通过激光加工半导体材料的技术特征；且熔融区域为激光加工中的常规技术，无须创造性劳动即可想到，故相比证据2-8、证据2-9和公知常识，权利要求12不具备创造性。证据2-8已经公开了权利要求13的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求13也不具备创造性。
8、权利要求14的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）激光为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光，其作用在于选择激光的具体类型；（2）激光形成多光子；其目的在于提供多光子的激光照射以产生内部裂纹。证据2-3公开了采用多光子产生内部裂纹的技术特征，其技术效果与本专利也相同；且证据2-4公开了一种对材料进行激光处理的方法和设备，该方法和设备包含了在线性偏振电磁辐射中，激光束中的所有波前峰的E场分量在方向上彼此对齐，即电场仅沿一个方向震荡，这也通常称为电矢量或E矢量，故证据2-4公开了采用线偏振光（即椭圆率为0的椭圆偏振光）的激光的区别特征（1），其作用和效果也是用于激光切割加工，因此，相比证据2-8、证据2-3和证据2-4，权利要求14不具备创造性。从属权利要求15的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求15的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求15也不具备创造性。
9、权利要求16的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）激光为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光，其作用在于选择激光的具体类型；（2）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数。证据2-4公开了区别特征（1），其作用和效果也是用于激光切割加工；参见第3点评述，证据2-5公开了区别特征（2），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；因此，相比证据2-8、证据2-4和证据2-5，权利要求16不具备创造性。从属权利要求17的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求17的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求17也不具备创造性。
10、权利要求18的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）激光为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光，其作用在于选择激光的具体类型；（2）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（3）改质区包含熔融处理区。证据2-4公开了区别特征（1），其作用和效果也是用于激光切割加工；证据2-5公开了区别特征（2），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；同时，熔融处理区为激光加工中的常规技术，无须创造性劳动即可想到，因此，相比证据2-8、证据2-4、证据2-5和公知常识，权利要求18不具备创造性。从属权利要求19的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求19的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求19也不具备创造性。
11、权利要求20的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）激光为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光，其作用在于选择激光的具体类型；（2）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（3）改质区包含折射率变化区。证据2-4公开了区别特征（1），其作用和效果也是用于激光切割加工；证据2-5公开了区别特征（2），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；同时，折射率变化区为激光加工中的常规技术，无须创造性劳动即可想到，因此，相比证据2-8、证据2-4、证据2-5和公知常识，权利要求20不具备创造性。从属权利要求21的附加技术特征与权利要求2的相同，参见第2点评述，证据2-8已经公开了权利要求21的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求21也不具备创造性。
12、权利要求20的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）激光为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光，其作用在于选择激光的具体类型。证据2-4公开了区别特征（1），其作用和效果也是用于激光切割加工；因此，相比证据2-8和证据2-4，权利要求22不具备创造性。证据2-8已经公开了权利要求23的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求23也不具备创造性。
鉴于本专利权利要求24不具备新颖性及权利要求1至23不具备创造性的无效理由成立，可以得出本专利全部无效的结论，故不再对其它无效理由和其它证据的组合方式予以评述。综上，专利复审委员会宣告本专利权全部无效。
浜松光子学株式会社不服第20026号决定，向北京市第一中级人民法院提起诉讼。
原审庭审中，浜松光子学株式会社表示，如果本专利每个独立权利要求不具有创造性，其从属权利要求也不具有创造性。
北京市第一中级人民法院认为：
一、本专利是否应当享有优先权
基于查明的事实，本专利权利要求1、3、5、7、14、16、18、20、22、24的主题涉及加工对象物，权利要求9、12的主题涉及半导体材料，权利要求10的主题涉及压电材料，优先权文件中与之对应的为记载在0001段中的“本发明涉及半导体器件基板、压电器材基板或者玻璃基板等的光透射性材料”，而本专利的“加工对象物”为优先权文本的“光透射性材料”的上位概念，本专利的“半导体材料”或“压电材料”为优先权文本的“光透射性材料”的下位概念，与优先权文本中的加工对象并不完全相同，同时，优先权文件中没有记载权利要求1中的“多光子吸收”和“自然生长”、权利要求3、5、7、9、10中的“功率密度数值”和“脉冲宽度”，由此可见，本专利优先权文件中并未记载本专利独立权利要求1、3、5、7、9、10、12、14、16、18、20、22、24的技术方案，它们和本专利不属于相同主题，滨松光子学株式会社关于本专利应当享有优先权的主张缺乏事实和法律依据，不予支持。评价本专利新颖性和创造性所依据的现有技术的时间界限应为本专利的申请日，即2001年9月13日。
二、本专利权利要求24是否具有新颖性
《专利法》第二十二条第二款规定：新颖性，是指在申请日以前没有同样的发明或者实用新型在国内外出版物上公开发表过、在国内使用过或者以其他方式为公众所知，也没有同样的发明或者实用新型由他人向国务院专利行政部门提出过申请并且记载在申请日以后公布的专利申请文件中。
结合本专利的发明目的以及证据2-8所公开的技术内容，证据2-8中的玻璃基板为本专利加工对象物的下位概念，故证据2-8中的玻璃基板切割方法已公开了本专利的“加工对象物切割方法”，证据2-8中通过第一激光束按照切割预定线照射玻璃基板的内部以形成内部裂纹，其中的裂纹同样形成在内部，第一激光束对表面不进行加工，且本领据技术人员可知，“改质区”是使材料的内部结构或组成发生变化，而由于激光照射于玻璃基板内部时，为了产生裂纹，必然需要在裂纹产生之前使玻璃基板内部的结构发生变化，通过结构的变化后产生裂纹，故证据2-8中第一激光束必然产生改质区后形成内部裂纹；由此，证据2-8公开了本专利的“在加工对象物的内部对准聚光点照射激光，不使上述加工对象物的表面熔融仅在上述加工对象物的内部形成改质区，以上述改质区为起点产生裂纹”，证据2-8的第二激光束进行加热后再冷却以进行预定的切割，使玻璃基板按照内部裂纹310进行切割，由此，证据2-8中切割方法同样公开了本专利的“使上述裂纹到达上述加工对象物的表面和背面，切割上述加工对象物”；综上，证据2-8已公开了权利要求24的全部技术特征，且其目的同样通过仅在内部产生裂纹而不在表面产生损伤后实现准确的切割，与本专利的目的和效果均相同；因此，权利要求24相比证据2-8不具备新颖性，不符合《专利法》第二十二条第二款的规定。
三、本专利权利要求1至23是否具有创造性
1、关于权利要求1和2的创造性
权利要求1的技术方案与证据2-8相比存在区别：激光形成多光子；其目的在于提供多光子的激光照射以产生内部裂纹。证据2-3公开了采用多光子产生内部裂纹的技术特征，其技术效果与本专利也相同，故本领域技术人员通过证据2-3能够得到技术启示，将该区别结合至证据2-8中以得到权利要求1的技术方案，因此，相比证据2-8和证据2-3，权利要求1不具备创造性，不符合《专利法》第二十二条第三款的规定。
证据2-8公开了第一激光束在玻璃基板的内部形成裂纹，该裂纹从第一激光束入射的方向离开一定距离，故证据2-8已经公开了权利要求2的附加技术特征，在权利要求2引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2也不具备创造性。
2、关于权利要求3和4的创造性
权利要求3的技术方案与证据2-8相比存在区别：聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下；其目的在于设置聚光点的具体参数。证据2-5中同样采用了对玻璃内部发射激光并形成聚光点的技术，且聚光点的具体参数（120飞秒和1014w／cm2）位于权利要求3的参数范围内，故证据2-5给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示，本领域技术人员通过证据2-5能够得到技术启示，将该证据结合至证据2-8中以得到权利要求3的技术方案，因此，相比证据2-8和证据2-5，权利要求3不具备创造性.
从属权利要求4的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求4的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4也不具有创造性。
3、关于权利要求5和6的创造性
权利要求5的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1μs以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）改质区包含熔融处理区。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；而区别特征（2）限定了熔融处理区，而作为切割的激光，在切割过程中对切割部分形成高温加热而使材料产生裂纹或熔融等区域是激光进行切割的常用方式之一，采用熔融进行切割是本领域的常规选择，且滨松光子学株式会社提供的反证2-3并未描述激光照射不会产生熔融，而是减少熔融量，由此可见，反证2-3明确描述了激光照射将产生熔融区域；因此，相比证据2-8、证据2-5和公知常识，权利要求5不具备创造性。
从属权利要求6的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求6的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求6也不具备创造性。
4、关于权利要求7和8的创造性
权利要求7的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1ns以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）改质区包含折射率变化区。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；区别特征（2）限定了折射率变化区，而作为切割的激光，在切割过程中对切割部分形成组织结构和组成的变化，而这种变化常常带来折射率的变化，这种折射率的变化是本领域的常规技术；因此，相比证据2-8、证据2-5和公知常识，权利要求7不具备创造性。
从属权利要求8的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求8的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求8也不具备创造性。
5、关于权利要求9的创造性
权利要求9的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）切割对象为半导体材料。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；而区别特征（2）限定了切割对象为半导体材料，证据2-9公开了一种激光加工方法，该方法通过激光照射基本透明的材料进行加工，加工对象物包含用于半导体工业的蓝宝石晶片（参见中文译文第2页第11-16行、第4页第9-10行）；因此，证据2-9公开了通过激光加工半导体材料的技术特征，故相比证据2-8、证据2-9和证据2-5，权利要求9不具备创造性。
6、关于权利要求10和11的创造性
权利要求10的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）聚光点中的峰值功率密度为1×108（W／cm2）以上而且脉冲宽度为1us以下，其目的在于设置聚光点的具体参数；（2）切割对象为压电材料。证据2-5公开了区别特征（1），且给出将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示；而区别特征（2）限定了切割对象为压电材料，证据2-2公开了一种激光加工的设备和方法，该设备和方法通过激光照射材料进行加工，加工的材料包含石英，由于石英属于压电材料，因此，证据2-2公开了通过激光加工压电材料的技术特征，故相比证据2-8、证据2-5和证据2-2，权利要求10不具备创造性。
从属权利要求11的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求11的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求11也不具备创造性。
7、关于权利要求12和13的创造性
权利要求12的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）切割对象为压电材料；（2）改质区包含熔融区域。证据2-9公开了通过激光加工半导体材料的技术特征；且熔融区域为激光加工中的常规技术，无须创造性劳动即可想到，故相比证据2-8、证据2-9和公知常识，权利要求12不具备创造性
从属权利要求13的附加技术特征与权利要求2的相同，证据2-8已经公开了权利要求13的附加技术特征，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求13也不具备创造性。
8、关于权利要求14和15的创造性
权利要求14的技术方案与证据2-8相比存在区别：（1）激光为1以外的椭圆率的椭圆偏振光的激光，其作用在于选择激光的具体类型；（2）激光形成多光子；其目的在于提供多光子的激光照射以产生内部裂纹。证据2-3公开了采用多光子产生内部裂纹的技术特征，其技术效果与本专利也相同；且证据2-4公开了一种对材料进行激光处理的方法和设备，该方法和设备包含了在线性偏振电磁辐射中，激光束中的所有波前峰的E场分量在方向上彼此对齐，即电场仅沿一个方向震荡，这也通常称为电矢量或E矢量，故证据2-4公开了采用线偏振光（即椭圆率为0的椭圆偏振光）的激光的区别特征（1），其作用和效果也是用于激光切割加工，因此，相比证据2-8、证据2-3和证据2-4，权利要求14不具备创造性。
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