中华人民共和国最高人民法院
行 政 判 决 书
（2016）最高法行再19号
再审申请人（一审原告、二审上诉人）：传感电子有限责任公司。住所地：美利坚合众国佛罗里达州博卡拉顿市交易中心****号***室。
法定代表人：迈克尔·威廉姆·瑞恩，该公司总裁。
委托诉讼代理人：吴丽丽，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人。
委托诉讼代理人：王会卿，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人。
被申请人（一审被告、二审被上诉人）：国家知识产权局专利复审委员会。住所地：中华人民共和国北京市海淀区北四环西路*号银谷大厦*****层。
法定代表人：葛树，该委员会副主任。
委托诉讼代理人：阮文，该委员会审查员。
委托诉讼代理人：万琦，该委员会审查员。
一审第三人：宁波讯强电子科技有限公司。住所地：中华人民共和国浙江省宁波市北仑明州西路***号。
法定代表人：李霖，该公司总经理。
委托诉讼代理人：郝传鑫，广州三环专利代理有限公司专利代理人。
再审申请人传感电子有限责任公司（以下简称传感电子公司）因与被申请人国家知识产权局专利复审委员会（以下简称专利复审委员会）、一审第三人宁波讯强电子科技有限公司（以下简称讯强公司）发明专利权无效行政纠纷一案，不服北京市高级人民法院（2013）高行终字第961号行政判决，向本院申请再审。本院于2015年12月18日作出(2014)知行字第96号行政裁定，提审本案。本院依法组成合议庭对本案进行了审理，现已审理终结。
本案涉及专利号为97197519.1，名称为”具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器”发明专利（以下简称涉案专利），其优先权日为1996年8月28日，申请日为1997年8月21日，专利权人为传感电子公司。
2010年4月27日，讯强公司向专利复审委员会提出无效宣告请求，请求宣告涉案专利权全部无效。其理由为：1.涉案专利各权利要求均不符合2001年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十六条第三、四款的规定；2.涉案专利各权利要求均不符合2001年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称专利法实施细则）第二十条第一款的规定；3.涉案专利独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37不符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定；4.权利要求5-8、10-19、25-35的修改不符合专利法第三十三条的规定；5.相对于证据4，权利要求1-3、20-24、37、42、44、46、47不符合专利法第二十二条第二、三款关于新颖性、创造性的规定；6.相对于证据4、6的结合，权利要求1-4、20-25、37、42、44、46、47不符合专利法第二十二条第三款关于创造性的规定；7.相对于证据4至6的结合，权利要求1-4、6、7、9、11、12、20-25、37、42、44、46、47不符合专利法第二十二条第三款关于创造性的规定。
涉案专利授权公告的权利要求1-47如下：
“1.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。
2.一种如权利要求1所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于200Hz/Oe。
3.一种如权利要求2所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于400Hz/Oe。
4.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述的偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
5.一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
6.一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
7.一种如权利要求6所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
8.一种如权利要求7所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
9.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe。
10.一种如权利要求9所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
11.一种如权利要求10所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200Oe。
12.一种如权利要求11所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150Oe。
13.一种如权利要求12所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于50Oe。
14.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平。
15.一种如权利要求14所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
16.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为20Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
17.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平。
18.一种如权利要求17所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为12Oe的AC磁场Hmd中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
19.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于30Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平。
20.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的目标共振频率与所述电子货品监视用系统的操作频率相对应，所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz。
21.一种如权利要求20所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。
22.一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。
23.一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。
24.一种如权利要求23所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为20Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。
25.一种使用在可以按预定频率发出呈间歇式脉冲串的标识器问询信号的磁力式电子货品监视用系统中的标识器，这种标识器包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号。
26.一种如权利要求25所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
27.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于25Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％。
28.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于30Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。
29.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。
30.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件在曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响。
31.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metg1as2605SB1材料形成。
32.一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metglas2628MB材料形成。
33.一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA材料形成。
34.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Vacozet材料形成。
35.一种如权利要求34所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA材料形成。
36.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述AC磁场的一定峰值幅度范围由5Oe至15Oe。
37.一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法，这种方法包括以下步骤：设置一个由一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件构成的EAS标识器；磁化所述偏磁元件，使所述偏磁元件产生一个对所述磁致伸缩元件实施偏置的磁场，以便在所述EAS系统的运行频率下形成共振；通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化。
38.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
39.一种如权利要求38所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于20Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
40.一种如权利要求38所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于100Oe的AC磁场中的方式实施的。
41.一种如权利要求40所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于12Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
42.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于30Oe的AC磁场中的方式实施的。
43.一种如权利要求42所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
44.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于16Oe的AC磁场中的方式实施的。
45.一种如权利要求44所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于6Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
46.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之后实施的。
47.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之前实施的。”
涉案专利说明书记载的背景技术为：
“在常规的磁力式EAS标识器中，偏磁元件是由诸如‘SemiVac90’（以下简称S材料）等半硬化磁性材料构成的，这类材料可以由德国Hanau的Vacuumschmelze处购得。S材料的矫顽磁力大约为70至80Oe。目前一般认为，偏磁元件的矫顽磁力至少要为60Oe，以防止在标识器的储存、运输或装卸时所可能会出现的磁场作用下而使偏置磁铁意外地退磁化（进而使标识器退活化），S材料需要位于450Oe或更高的DC磁场中以达到99%的磁化饱和，并且需要接近200Oe的AC退磁化磁场实施95%的退磁化。
由于需要使用比较高的AC退活化磁场，所以产生AC退活化磁场的常规装置必须按脉冲方式运行，以减少能量损耗，并满足管理规章的限制。然而由于AC磁场仅仅是以脉冲形式产生的，所以就必须确保标识器在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近。目前已知的确保在产生有脉冲时标识器在退活化装置附近的技术包括，响应装置操作者的人工输入而产生出脉冲的技术，以及将标识器检测电路设置在退磁化装置中的技术等等。前一种技术是将这一负担加在操作该退活化装置的操作者的身上，而且这两种技术均对部件有一定的限制，这会增大退活化装置的成本。而且，以脉冲形式产生退活化磁场时还会使发出磁场用的线圈变热，所以还需要使装置中的电子部件有较高的质量，进而使成本进一步增大。将足够强的退活化磁场施加在标识器上的困难，还会由于不断增加着的‘源标记（sourcetagging）’通用操作而增大，即在生产过程中，在生产工厂或分配站点对商品的包装过程中，将EAS标识器固定于货品之上。而且在某些场合下，标识器可能会被定位粘结在商业制品上难以、甚至不可能与常规的退磁化装置相接近的位置。”
涉案专利说明书记载的发明目的及发明概述为：
“本发明的一个目的就是提供一种可以通过施加其强度比对常规磁力式标识器实施退活化用的强度更低的退活化磁场的方式实施退活化的磁力式EAS标识器。
本发明的另一个目的就是提供一种可以通过连续方式而不是以脉冲形式产生的磁场实施退活化的磁力式EAS标识器。
本发明的还一个目的就是提供一种可以在标识器与退活化装置之间的距离比常规磁力式标识器与常规退活化装置之间的距离更大的条件下实施退活化的磁力式标识器。
本发明的再一个目的就是提供一种可以比常规磁力式标识器更容易实施退活化的磁力式标识器。
本发明的又一个目的就是提供一种可以使用其强度比活化常规磁力式标识器用的磁场强度更低的DC磁场实施活化的磁力式标识器。
根据本发明所提供的原理，磁力式标识器是使用具有相当低的矫顽磁力特性的控制元件构成的，而且当施加有水平相当低的磁场时，标识器的共振频率也可以产生相当急剧的漂移。因此，本发明可以降低由标识器退活化装置所产生的磁场水平，进而使得可以产生连续的退活化磁场。因此，本发明不再需要在退活化装置中配置标识器检测电路，也不再需要由退活化装置的操作者在需要被退活化的标识器位于该退活化装置附近时，人工触发退活化磁场脉冲。”
涉案专利说明书中“对附图的简要说明”的记载为：
“图3与图2相类似，为表示一种根据本发明构造的磁力式标识器的共振频率和输出信号振幅与施加在该标识器上的退磁化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图。
图5为表示磁化水平与所施加的AC退活化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图，该AC退磁化磁场是施加在根据本发明构造的、在这一实例中被用作为磁力式标识器中的偏磁元件的完全磁化元件上的。
在图3中，参考标号24表示的是一种根据本发明构成的、采用MagnaDur材料（以下简称M材料）制作偏磁元件的标识器的共振频率漂移特性曲线，该曲线随着所施加的退磁化磁场的变化而变化。曲线26表示的是一种根据本发明构成的标识器的输出信号特性曲线，该曲线也随着所施加的退磁化磁场的变化而变化。如曲线26所示的输出水平随按曲线24上的相应点处所示的共振频率产生的问询信号的变化而变化。
如图3所示的特性曲线中的一个重要特点在于，大约为60.5KHz的最大共振频率漂移可以在所施加的退磁化磁场强度低至大约35Oe时获得，如图3所示的频率漂移特性曲线24中的突变或称急剧变化也是相当明显的：在其突变点处，曲线24的变化梯度超过200Hz/Oe。与此不同，如图2所示的曲线20在任何一处的梯度均不超过大约60Hz/Oe。曲线20的梯度在其所有的点处都远低于100Hz/Oe。
图4和图5分别示出了制作本发明中的偏磁元件用的M材料的磁化特性曲线和退磁化特性曲线。
在图4中，参考标号Mra表示的是对材料实施饱和磁化时用的水平，参考标号Ha表示的是在材料中产生饱和磁化时所需要的DC磁场强度。
正如图4所示，如果将大约为150Oe的DC磁化磁场施加在处于非磁化状态的M材料上时，将使该材料基本上完全磁化。与此相对应的是，要使S材料产生完全磁化，则需要水平为450Oe或更高的DC磁场。
在图5中，参考标号Mrs表示的是达到95%的磁化饱和时的磁化水平，参考标号Hms表示的是当其施加在处于饱和状态的材料上时，不会使该材料退磁化至饱和状态的95%以下的AC磁场的水平。而且，参考标号Mrd表示的是形成5%的饱和磁化时的磁化水平，参考标号Hmd表示的是当其施加在处于饱和状态的材料上时，将使该材料退磁化至饱和状态的5%以下的AC磁场的水平。
正如图5所示，如果将一个由M材料制作的完全磁化偏磁元件放入100Oe的AC退磁化磁场中，将退磁化至完全磁化的5%以下。而且，M材料对于所施加的AC磁场为大约20Oe或更低时具有一个“稳定”区域，这使得这种材料的磁化基本上不会受到所施加的、不高于20Oe的AC磁场的影响。因此，配置有作为偏磁元件的M材料的标识器在环境磁场不超过20Oe时，将不会产生比较大的意外退磁化。
根据本发明构造的磁力式标识器，由于其中的偏磁元件是用诸如M材料等具有相当低的矫顽磁力特性的材料制作的，所以可以用比在常规条件下所需要的强度低得多的AC退活化磁场实施退活化。这使得根据本发明构造的标识器可以在不非常靠近退活化装置的位置处实施退活化，而对于在先技术则必须要非常靠近退活化装置。因此，本发明实际上还提供了一种可以在比常规退活化装置低得多的水平下运行的退活化装置。由于退活化所需的水平比常规技术中的更低，所以可以使用速率更低的部件，并且可以连续地产生退活化磁场，而在常规的退活化装置中则必须采用脉冲型磁场。由于可以使用连续地、相当低的退活化磁场，所以不再需要在退活化装置中配置检测标识器是否出现的电路，以及供装置操作者触发退活化磁场脉冲用的电路。这可以降低与该退活化装置相关的成本，并且可以消除操作者触发脉冲退活化装置的工作。
而且，根据本发明构成的、由具有相当低的矫顽磁力特性的偏磁元件构成的标识器与使用S构成的偏磁元件的标识器相比，可以利用原有的退活化装置并可以更容易地实施退活化。
在根据本发明构造的第三实施例中，标识器10中的偏磁元件16是采用所谓的Vacozet合金（以下简称V材料）构成的。这种V材料的矫顽磁力为22.7Oe（在这儿采用的是V材料的参考数据）。
V材料的磁化特性示出在图9中，而且这种材料的退磁化特性示出在图10中。正如图9所示，大约为50Oe的DC磁场足以使该材料基本上完全磁化。图10表明，如果将由V材料制作的，完全磁化的偏磁元件放置在大约30Oe的AC退磁化磁场中，该元件将被退磁至完全磁化的5%以下。正如SB1材料那样，当这种V材料曝露在低水平的AC磁场中，比如说曝露在峰值幅度为6至15Oe的AC磁场中时，它将具有一定的稳定性。但是当其曝露在峰值幅度为5Oe或更低的AC磁场中时，这种材料的磁化将降低5%以下。
图11示出了采用V材料制作偏磁元件，采用2628CoA材料制作可激活型元件时的标识器的共振频率漂移特性曲线和输出信号幅度特性曲线。在图11中，曲线32表示的是使用V材料的标识器的共振频率漂移的特性曲线，该曲线随着所施加的退磁化磁场的强度变化而变化，曲线34表示的是该标识器的输出信号幅度的特性曲线。曲线32可以参考图中右侧处的标尺（千赫兹）进行说明，曲线34可以参考图中左侧处的标尺（微伏）进行说明。”
2012年2月29日，专利复审委员会作出第18161号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定）。被诉决定认定：涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46、47不能得到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定，故宣告所述权利要求无效。专利复审委员会在权利要求5、8、13、19、27、28、31-33、36、43、45的基础上维持专利权继续有效。
被诉决定认为，关于现有技术中存在的问题，以及本发明解决的技术问题或要得到的技术效果。根据涉案专利说明书背景技术中的记载，对于标识器的偏磁元件，现有技术中一般认为其矫顽磁力至少要为60Oe，以防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，进而使标识器退活化，因此需要使用较高的AC退活化磁场，而在这种情况下为减少能量损耗以符合规章规定，AC退活化磁场的产生装置必须按脉冲方式运行。相应地，标识器必须确保在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近。同时，背景技术中例举了一种现有偏磁元件材料S，并对该材料的磁学特性进行了描述，例如其矫顽磁力约为70至80Oe，至少需要450Oe的DC磁场才能达到99%的磁化饱和，需要约200Oe的AC退磁化磁场才能实现95%的退磁化。被诉决定认为，现有技术中存在的问题是：为防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，通常要求偏磁元件的矫顽磁力至少为60Oe，导致标识器需要较高的退活化磁场，其具体表现是AC退活化磁场必须为脉冲形式，标识器在退活化时必须在退活化场产生装置附近等。相应地，本发明所要解决的技术问题或要得到的技术效果是获得在常规操作期间不被意外退活化，同时退活化磁场小于利用Hc≥60Oe的偏磁元件的常规标识器的标识器，而不只是单独地要去解决现有技术中使用到的某种偏磁元件材料的DC饱和磁场过高（≥450Oe）或实现95%退磁化需要的AC退磁化磁场过大（约为200Oe）的问题。
关于涉案专利说明书中公开的三个实施例，被诉决定认为，三个实施例分别以M材料、SB1材料和V材料作为偏磁元件材料。本领域技术人员根据以SB1为偏磁元件的实施例，能够获得退活化磁场小于常规标识器，且在常规操作环境下不会意外退活化的标识器，即能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果。因此，以SB1为偏磁元件的实施例属于说明书中充分公开的内容。然而，涉案专利说明书中以M材料、V材料为偏磁元件的实施例中，均存在偏磁材料特性与标识器特性相矛盾的描述，使得本领域技术人员无法确信这两个实施例能够解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果，因此，这两个实施例不属于说明书中充分公开的内容。
关于权利要求1-47是否符合专利法第二十六条第四款的规定，被诉决定分别认定如下：
（一）关于权利要求1-3
讯强公司认为，根据涉案专利说明书充分公开的内容，仅当所施加的退磁化磁场在特定区间时，标识器才具有共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的特性，且说明书中仅公开了共振频率漂移梯度约为100Hz/Oe、200Hz/Oe、400Hz/Oe的实施例，由此不能概括得出权利要求1的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”，权利要求1得不到说明书支持；其从属权利要求2-3也因为存在相同问题而得不到说明书的支持。
传感电子公司认为，涉案专利的第一实施例中随退活化磁场变化的漂移部分所对应的退活化磁场的具体区间范围均不相同，这说明涉案专利可以在不同的“随退活化磁场变化”的区间都获得大于100Hz/Oe的漂移梯度，且涉案专利说明书中已公开了共振频率漂移梯度超过100Hz/Oe、200Hz/Oe、400Hz/Oe的多个实施例，由这些内容能够概括得到权利要求1限定的技术方案，权利要求1符合专利法第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为，首先，涉案专利说明书中仅充分公开了以SB1制作标识器中偏磁元件的技术方案，其中SB1材料是矫顽磁力Hc约为19Oe的半硬化材料，该材料在单独置于约15Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70%，而当其与2628CoA合金材料一起形成标识器时，标识器在环境磁场不超过15Oe时共振频率基本不变，同时该标识器在约20-25Oe的AC退活化磁场区间内具有超过100Hz/Oe的共振频率漂移梯度。涉案专利权利要求1请求保护使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，该权利要求1中的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”使得该权利要求1的保护范围覆盖了所有共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的标识器，其中包括例如以软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，以及利用Hc大于60Oe且具有使标识器的共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的退磁特性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案。然而，涉案专利说明书中仅充分公开了一个以半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，本领域技术人员基于涉案专利申请日之前的知识，无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够确保标识器在曝露于常规操作期间可能出现的低水平磁场中时不会意外退活化，从而解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果；此外，对于以Hc大于60Oe且具有使标识器共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的退磁特性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，尽管可能使标识器获得大于100Hz/Oe的共振频率漂移梯度，但其不能使标识器的退活化磁场低于采用Hc≥60Oe的偏磁元件的常规标识器，解决不了本发明所要解决的降低退活化磁场技术问题。由此可见，该权利要求1限定的技术方案中不仅包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，而且还覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式。因此，该权利要求1得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。
其次，基于与权利要求1相似的理由可知，权利要求2和3的保护范围中同样既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，该权利要求2和3得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求1-3不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求1-3的其它无效理由进行评述。
（二）关于权利要求4-8
讯强公司认为，涉案专利说明书未公开矫顽磁力在10-18Oe和23-55Oe区间的半硬化磁性材料同样可用于制作本发明的偏磁元件，因此权利要求4中的特征“偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求5也存在同样问题，也不符合专利法第二十六条第四款的规定；权利要求6、7中的“偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”、“偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”的概括也得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。
传感电子公司认为，涉案专利说明书对半硬化材料的定义是针对一般情况的，广义来说半硬化材料可以具有小于10Oe的矫顽磁力，涉案专利说明书已公开了矫顽磁力为11Oe、20Oe、19Oe、22.7Oe的多个实施例，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件的矫顽磁力至多个需要水平，因此基于说明书的多个实施例能够概括得出“偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”。同理权利要求5-8的技术方案也能够从说明书的多个实施例中概括得出，符合专利法第二十六条第四款规定。
专利复审委员会认为，首先，涉案专利说明书充分公开了以SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，其中SB1材料具有19Oe的矫顽磁力，能够使标识器具有超过100Hz/Oe的漂移梯度。涉案专利权利要求4中的特征“偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”使得该权利要求4不仅包括利用Hc小于55Oe且具有陡峭的退磁化曲线（例如使标识器具有大于100Hz/Oe的共振频率漂移梯度）而使其具有一定低场稳定性的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，还包含了利用Hc小于55Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，显然，采用这种Hc小于55Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，该技术方案不能解决本发明所要解决的技术问题且难以获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求4的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式。因此，该权利要求4得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。
其次，权利要求6是权利要求4的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，权利要求7是权利要求6的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，通过与关于权利要求4类似的分析可以得出，权利要求6和7限定的范围中均覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求4、6-7不符合专利法第二十六条第四款的规定，专利复审委员会不再对有关权利要求4、6-7的其它无效理由进行评述。
再次，权利要求5是权利要求4的从属权利要求，其进一步限定了标识器中的偏磁元件由Hc小于55Oe，且当处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的半硬化材料制成，这使得该标识器在常规操作时可能出现的环境磁场中不会意外发生退活化。因此，结合上述分析可知，涉案专利说明书充分公开了SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容可以合理预测利用权利要求5中限定的偏磁元件均能够使得标识器在小于常规标识器的退活化磁场中实现退活化，同时确保在常规操作时可能出现的环境磁场中不发生退活化，该权利要求5能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。基于类似的理由，权利要求8也符合专利法第二十六条第四款的规定。
（三）关于权利要求9-13
讯强公司认为，权利要求9中的“偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出。其从属权利要求10-13也存在同样问题，不符合专利法第二十六条第四款的规定。
传感电子公司认为，涉案专利说明书中公开了使偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场强度小于150Oe、50Oe的实施例，且本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件以在各种不同的磁化磁场水平下实现饱和，因此权利要求9符合专利法第二十六条第四款的规定。同理，其从属权利要求10-13也符合专利法第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为，首先，涉案专利权利要求9中的特征“偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe”限定了标识器的偏磁元件可以采用任何一种Ha小于350Oe的半硬化材料。然而，在涉案专利说明书充分公开的内容中，只记载了一种Hc在70至80Oe之间的半硬化材料SB1的Ha约为450Oe，尽管磁性材料的饱和DC磁场通常是随着矫顽磁力Hc减小呈现减小趋势的，但是本领域技术人员仅根据说明书公开的上述内容，难以预测Ha小于350Oe的半硬化材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求9限定的技术方案中显然包含了专利权人推测的内容，其效果又难以确定；另外，该权利要求9限定的范围中还包括了利用Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求9限定的技术方案中既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式。因此，该权利要求9概括过宽，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。
其次，权利要求10是权利要求9的从属权利要求，其进一步限定了“偏磁元件在完全磁化且曝露于具有峰值幅度为4Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”，而根据有关权利要求9的评述可以得出，权利要求10限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，因此该权利要求10同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定；权利要求11是权利要求10的从属权利要求，其进一步限定“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200Oe”，权利要求12是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150Oe”，同样依据关于权利要求9的评述可以得出，本领域技术人员仅仅根据说明书公开的上述内容难以预测Ha小于200Oe和150Oe的半硬化材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求11和12限定的技术方案中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求11和12概括过宽，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求9-12不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求9-12的其它无效理由进行评述。
再次，权利要求13是权利要求12的从属权利要求，其中限定了标识器中的偏磁元件由饱和DC磁场Ha小于50Oe、且当处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的半硬化材料制成。本领域技术人员公知的是，磁性材料的饱和DC磁场Ha要大于或等于其矫顽磁力Hc，由此可见，权利要求13限定的标识器中的偏磁元件','2018-09-25
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《中华人民共和国刑法》
一、《中华人民共和国刑法》第二百六十六条【诈骗罪】诈骗公私财物，数额较大的，处三年以下有期徒刑、拘役或者管制，并处或者单处罚金；数额巨大或者有其他严重情节的，处三年以上十年以下有期徒刑，并处罚金；数额特别巨大或者有其他特别严重情节的，处十年以上有期徒刑或者无期徒刑，并处罚金或者没收财产。本法另有规定的，依照规定。
二、第六十七条【自首】犯罪以后自动投案，如实供述自己的罪行的，是自首。对于自首的犯罪分子，可以从轻或者减轻处罚。其中，犯罪较轻的，可以免除处罚。
被采取强制措施的犯罪嫌疑人、被告人和正在服刑的罪犯，如实供述司法机关还未掌握的本人其他罪��的，以自首论。
犯罪嫌疑人虽不具有前两款规定的自首情节，但是如实供述自己罪行的，可以从轻处罚；因其如实供述自己罪行，避免特别严重后果发生的，可以减轻处罚。
三、第七十二条【适用条件】对于被判处拘役、三年以下有期徒刑的犯罪分子，同时符合下列条件的，可以宣告缓刑，对其中不满十八周岁的人、怀孕的妇女和已满七十五周岁的人，应当宣告缓刑：
（一）犯罪情节较轻； （二）有悔罪表现； （三）没有再犯罪的危险； （四）宣告缓刑对所居住社区没有重大不良影响。
宣告缓刑，可以根据犯罪情况，同时禁止犯罪分子在缓刑考验期限内从事特定活动，进入特定区域、场所，接触特定的人。
被宣告缓刑的犯罪分子，如果被判处附加刑，附加刑仍须执行。 四、第七十三条【考验期限】拘役的缓刑考验期限为原判刑期以上一年以下，但是不能少于二个月。
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对于被判处拘役、三年以下有期徒刑的犯罪分子，同时符合下列条件的，可以宣告缓刑，对其中不满十八周岁的人、怀孕的妇女和已满七十五周岁的人，应当宣告缓刑：
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被宣告缓刑的犯罪分子，如果被判处附加刑，附加刑仍须执行。
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对于被判处拘役、三年以下有期徒刑的犯罪分子，根据犯罪分子的犯罪情节和悔罪表现，适用缓刑确实不致再危害社会的，可以宣告缓刑。
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