中华人民共和国
北京市高级人民法院
行 政 判 决 书
(2016)京行终5744号
上诉人（原审原告）英特塞尔美国公司，住所地美利坚合众国加利福尼亚州95035米尔皮塔斯墨菲农场路1001号。
法定代表人保罗A﹒贝恩科普夫，首席知识产权顾问、副总裁兼助理秘书。
委托代理人金晓，男，汉族，1980年9月16日出生，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人，住中华人民共和国北京市朝阳区和平街11区24楼233号。
委托代理人欧阳帆，女，汉族，1983年12月24日出生，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人，住中华人民共和国北京市西城区复兴门外大街一号。
被上诉人（原审被告）中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10－12层。
法定代表人葛树，副主任。
委托代理人刘佳秋，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人刘欣蕾，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。
上诉人英特塞尔美国公司（简称英特赛尔公司）因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京市第一中级人民法院（简称北京市第一中级人民法院）（2014）一中行（知）初字第8711号行政判决，向本院提起上诉。本院于2016年12月6日受理后，依法组成合议庭，于2017年3月16日公开开庭进行了审理。上诉人英特赛尔公司的委托代理人欧阳帆、金晓，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人刘佳秋、刘欣蕾到庭参加诉讼。本案现已审理终结。
北京市第一中级人民法院审理查明：申请号为200410095946.7、名称为“有源区键合兼容高电流的结构”的发明专利申请（简称本申请），申请人为英特塞尔公司，申请日为2004年8月20日，优先权日为2003年8月21日，2003年9月30日和2003年10月31日，公开日为2005年7月27日。
经实质审查，中华人民共和国国家知识产权局原审查部门于2010年9月14日以权利要求27不具备2001年实施的《中华人民共和国专利法》（简称2001年专利法）第二十二条第三款所规定的创造性为由作出驳回决定，其中引用以下对比文件：
对比文件2：USUS2003/0003733A1A1，公开日为2003年1月2日；
对比文件2公开了一种集成电路（参见说明书[0175]-[0246]段、附图21），其中包括：衬底101，在衬底上和衬底中的器件区Qp、Qn，相当于顶部导电层的第五金属互连层M5，其由铝或铝合金制成(参见说明书[0201]段)，M5具有形成在其上的键合焊盘135；从图21可以看出：器件区位于衬底与顶部金属层之间，其中键合焊盘135形成在器件区Qp之上；形成第五金属互连层M5与器件区之间的多个中间金属互连层M1,M2,M3,M4,其中最接近第五金属互连层M5的第四金属互连层M4相当于权利要求1的第二金属层(附图21)；将金属互连层M1,M2,M3,M4彼此分离的绝缘材料层114,117,121,126,129,131；其中分离第五金属互连层M5与第四金属互连层M4的中间绝缘层131（相当于绝缘材料层），其具有比其它中间绝缘层114,117,121,126,129更厚的厚度(附图21)。
对比文件3：USUS2003/0080428A1A1，公开日为2003年5月1日。
对比文件3公开了一种集成电路，并具体公开(参见说明书[0004]-[0032]段、附图27-35)：相当于顶部金属层的第五互连金属层125、中间互连金属层121、117和113分别由铝合金金属层(125b、121b、117b、113b)和在其下形成的基底膜（相当于亚层）(125a、121a、117a、113a)构成，其中公开了基底膜113a由钛膜或氮化钛膜形成。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1.一种集成电路，包括：
衬底；
形成在衬底上和衬底中的器件区；
顶部金属层，顶部金属层具有一个或多个形成于其上的键合焊盘，器件区位于衬底与顶部金属层之间，其中键合焊盘中的一个直接形成在至少一个器件区之上；
第二金属层，位于顶部金属层与器件区之间；
绝缘材料层，将顶部金属层与第二金属层分离，其中绝缘层具有适于防止裂缝的厚度。
2.权利要求1的集成电路，其中所述绝缘层为具有至少1.5μm厚度的氧化层。
3.权利要求1的集成电路，还包括：
位于器件区与第二金属层之间的一个或多个中间金属层。
4.权利要求1的集成电路，其中第二金属层包括相邻于绝缘材料层设置的TiN亚层。
5.权利要求1的集成电路，其中第二金属层具有适合于增强集成电路的间隙。
6.权利要求5的集成电路，其中间隙占一个或多个键合焊盘下的第二金属层的总面积的不足10％。
7.权利要求5的集成电路，其中将间隙取向成最小化对流经第二金属层的电流的影响。
8.权利要求1的集成电路，还包括：
一层适于在相对厚的绝缘层的更大区域上分布横向和垂直应力的相对较坚硬的材料层。
9.权利要求8的集成电路，其中相邻于顶部金属层和绝缘层形成所述相对较坚硬的材料层。
10.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层由TiN制成。
11.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层由TiW制成。
12.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料的厚度近似80nm。
13.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层为氮化物层。
14.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层为由亚微米工艺形成的顶部金属层的亚层。
15.权利要求14的集成电路，其中相对较坚硬的材料亚层形成在接近于所述绝缘层。
16.一种形成在键合焊盘下具有电路的集成电路的方法，该方法包括：
在衬底中和衬底上形成器件；
形成第一金属层；
在第一金属层中形成有源互连，所述有源互连耦连到一个器件；
形成覆盖第一金属层的相对较厚的第一绝缘材料层，其中第一绝缘层具有被选择为防止裂缝的厚度；
形成覆盖相对较厚的绝缘层的顶部金属层；和
形成在顶部层的表面上的键合焊盘，所述键合焊盘直接位于所述有源互连之上。
17.权利要求16的方法，其中厚的第一绝缘材料层为具有至少1.5μm厚的氧化层。
18.权利要求16的方法，还包括：
在器件与第一金属层之间形成一个或多个中间金属层。
19.权利要求16的方法，其中形成第一金属层还包括：
构图第一金属层以形成间隙。
20.权利要求19的方法，其中间隙占键合焊盘下的第一金属层的总面积的不足10％。
21.权利要求19的方法，其中将间隙如此取向形成以便于最小化流经第一金属层的电流的影响。
22.权利要求19的方法，其中形成间隙以在电流流经第一金属层中的方向上延伸。
23.权利要求16的方法，其中形成顶部金属层，还包括：
形成相对坚硬材料的亚层。
24.权利要求23的方法，其中相对坚硬的材料为TiN。
25.权利要求23的方法，其中相对坚硬的材料由氮化物层制成。
26.权利要求23的方法，其中接近于相对厚的第一绝缘材料层形成相对坚硬的材料。
27.一种集成电路，包括：
衬底；
顶部导电层，顶部导电层具有至少一个形成于其上的键合焊盘和至少一个亚层，其中至少一个亚层比剩余的顶部导电层相对更坚硬；
形成于顶部导电层与衬底之间的一个或多个中间导电层，一个或多个中间导电层中最接近于顶部导电层的一层具有适合于增强集成电路的间隙；
将一个或多个导电层彼此分离的一个或多个绝缘材料层，一个或多个绝缘材料层包括分离顶部金属层与一个或多个中间导电层中的最接近的一层的第一绝缘材料层，其中第一绝缘材料层具有被选择为防止裂缝的厚度；和
形成在集成电路中的器件，其中至少一个键合焊盘下的一个或多个中间导电层适合于有源器件和实用互连。
28.一种形成集成电路的方法，该方法包括：
在衬底上和衬底中形成器件区；
形成覆盖衬底的第一金属层；
形成覆盖第一金属层的顶部金属层，其中，一个键合焊盘直接形成在至少一个器件区之上；
在顶部金属层上形成至少一个键合焊盘；和
形成分离顶部金属层与第一金属层的第一绝缘材料层，其中第一绝缘材料层具有被选择为防止裂缝的厚度。
29.权利要求28的方法，其中第一绝缘材料层形成为至少1.5μm厚。
30.权利要求28的方法，还包括：
在第一金属层与衬底之间形成一个或多个中间金属层；和
形成一个或多个绝缘层以将一个或多个中间金属层彼此分离。
31.权利要求28的方法，还包括：
在顶部金属层与第一绝缘材料层之间形成材料亚层，材料亚层比剩余的顶部金属层相对更坚硬以便于在一个或多个键合焊盘形成其间在顶部金属层上出现的应力分布在第一绝缘材料层的更大区域上以减小使第一绝缘材料层裂缝的可能性。
32.权利要求28的方法，还包括：
在第一金属层中形成间隙以形成通过第一金属层的坚硬的绝缘材料柱体。”
英特塞尔公司对上述驳回决定不服，于2010年12月9日向专利复审委员会提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在原权利要求1和28中加入了特征“键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致的应力引起的”，权利要求16中并入了从属权利要求19、20的附加技术特征，并删除了驳回决定评述的权利要求27，同时将权利要求重新编号。修改后的权利要求书如下：
“1.一种集成电路，包括：
衬底；
形成在衬底上和衬底中的器件区；
顶部金属层，顶部金属层具有一个或多个形成于其上的键合焊盘，器件区位于衬底与顶部金属层之间，其中键合焊盘中的一个直接形成在至少一个器件区之上；
第二金属层，位于顶部金属层与器件区之间；
绝缘材料层，将顶部金属层与第二金属层分离，其中绝缘层具有适于防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致的应力引起的裂缝的厚度。
2.权利要求1的集成电路，其中所述绝缘层为具有至少1.5μm厚度的氧化层。
3.权利要求1的集成电路，还包括：
位于器件区与第二金属层之间的一个或多个中间金属层。
4.权利要求1的集成电路，其中第二金属层包括相邻于绝缘材料层设置的TiN亚层。
5.权利要求1的集成电路，其中第二金属层具有适合于增强集成电路的间隙。
6.权利要求5的集成电路，其中间隙占一个或多个键合焊盘下的第二金属层的总面积的不足10％。
7.权利要求5的集成电路，其中将间隙取向成最小化对流经第二金属层的电流的影响。
8.权利要求1的集成电路，还包括：
一层适于在相对厚的绝缘层的更大区域上分布横向和垂直应力的相对较坚硬的材料层。
9.权利要求8的集成电路，其中相邻于顶部金属层和绝缘层形成所述相对较坚硬的材料层。
10.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层由TiN制成。
11.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层由TiW制成。
12.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料的厚度近似80nm。
13.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层为氮化物层。
14.权利要求8的集成电路，其中相对较坚硬的材料层为由亚微米工艺形成的顶部金属层的亚层。
15.权利要求14的集成电路，其中相对较坚硬的材料亚层形成在接近于所述绝缘层。
16.一种形成在键合焊盘下具有电路的集成电路的方法，该方法包括：
在衬底中和衬底上形成器件；
形成第一金属层；
在第一金属层中形成有源互连，所述有源互连耦连到一个器件；
形成覆盖第一金属层的相对较厚的第一绝缘材料层，其中第一绝缘层具有被选择为防止裂缝的厚度；
形成覆盖相对较厚的绝缘层的顶部金属层；
形成在顶部层的表面上的键合焊盘，所述键合焊盘直接位于所述有源互连之上；
构图第一金属层以形成间隙；以及
其中所述间隙占键合焊盘下的第一金属层的总面积不足10％。
17.权利要求16的方法，其中厚的第一绝缘材料层为具有至少1.5μm厚的氧化层。
18.权利要求16的方法，还包括：
在器件与第一金属层之间形成一个或多个中间金属层。
19.权利要求16的方法，其中将间隙如此取向形成以便于最小化流经第一金属层的电流的影响。
20.权利要求16的方法，其中形成间隙以在电流流经第一金属层中的方向上延伸。
21.权利要求16的方法，其中形成顶部金属层，还包括：
形成相对坚硬材料的亚层。
22.权利要求21的方法，其中相对坚硬的材料为TiN。
23.权利要求21的方法，其中相对坚硬的材料由氮化物层制成。
24.权利要求21的方法，其中接近于相对厚的第一绝缘材料层形成相对坚硬的材料。
25.一种形成集成电路的方法，该方法包括：
在衬底上和衬底中形成器件区；
形成覆盖衬底的第一金属层；
形成覆盖第一金属层的顶部金属层，其中，一个键合焊盘直接形成在至少一个器件区之上；
在顶部金属层上形成至少一个键合焊盘；和
形成分离顶部金属层与第一金属层的第一绝缘材料层，其中第一绝缘材料层具有被选择为防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致的应力引起的裂缝的厚度。
26.权利要求25的方法，其中第一绝缘材料层形成为至少1.5μm厚。
27.权利要求25的方法，还包括：
在第一金属层与衬底之间形成一个或多个中间金属层；和
形成一个或多个绝缘层以将一个或多个中间金属层彼此分离。
28.权利要求25的方法，还包括：
在顶部金属层与第一绝缘材料层之间形成材料亚层，材料亚层比剩余的顶部金属层相对更坚硬以便于在一个或多个键合焊盘形成其间在顶部金属层上出现的应力分布在第一绝缘材料层的更大区域上以减小使第一绝缘材料层裂缝的可能性。
29.权利要求25的方法，还包括：
在第一金属层中形成间隙以形成通过第一金属层的坚硬的绝缘材料柱体。”
经形式审查合格，专利复审委员会于2011年1月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门认为：1、修改后的权利要求1和25不符合2001年专利法第三十三条的规定，“适于防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致应力引起”的裂缝限定的防裂缝厚度是从“绝缘层具有适于防止裂缝的厚度”中选择出来的某一特定的厚度，这一厚度在原申请文件中没有记载，而且也不能根据原申请文件直接地、毫无疑义地确定。2、即使克服上述修改超范围缺陷，独立权利要求1和25也不具备创造性，其为驳回时权利要求27的部分技术内容；独立权利要求16原有技术方案也相对于驳回时引用的对比文件不具备创造性，而新增加特征“构图第一金属层以形成间隙”驳回时采用对比文件2评述过，“最接近第五金属互连层M5的第四金属互连层M4具有适合于增强集成电路的间隙(附图21)”，而间隙设置所述数值范围内，本领域技术人员通过有限次实验便可得到。对比文件2和3关于小型化的内容，并不能否定对比文件2（3）相应附图21（35）公开的中间绝缘层131（122）其厚度远远大于其他层，也并未涉及其厚度要变薄，因而坚持原驳回决定。
专利复审委员会成立合议组对本案进行审理，并于2013年6月17日向英特塞尔公司发出复审通知书，指出：对比文件2给出了分离第五金属互连层M5与第四金属互连层M4的中间绝缘层131，其具有比其它中间绝缘层114,117,121,126,129更厚的厚度。对比文件3公开了分离第五金属互连层126与第四金属互连层121的中间绝缘层122，其具有比其它中间绝缘层118,114更厚的厚度。由于较厚的绝缘层适合于抵抗裂缝，因此这些结构本身可以起到防裂纹的作用，而导致键合焊盘下的绝缘层破裂的主要因素取决于在键合布线附着工艺期间发生的应力和随后在封装之后的应力。本领域普通技术人员很容易理解上述较厚的绝缘层可用于防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致应力引起的裂缝，也就是对比文件2、对比文件3给出了采用较厚的绝缘层防止裂纹的技术启示。因此权利要求1-27,29不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。本领域普通技术人员能够了解，对比文件3中的绝缘层厚度已经具有防裂功能，只是达不到完全防裂，本申请权利要求所限定的是具有防裂缝的厚度，并没有限定在任何情况下都能彻底防裂缝的效果；对比文件2和3关于小型化的内容，并不能否定对比文件2或3相应附图21或35公开的中间绝缘层131或122其厚度远远大于其他层，虽然要小型化或工艺需要的减薄处理，但最终顶层和次顶层之间的绝缘层厚度都要厚于其他绝缘层，用于防止裂纹产生，这是器件本身结构的需要。
英特塞尔公司于2013年9月27日提交了意见陈述书，并修改了权利要求书，在权利要求1中增加了原权利要求8的附加技术特征并增加了“以减小该相对的绝缘层中的裂缝倾向”的特征；将权利要求28的特征加入到了独立权利要求25中，并对权利要求16做了类似修改。其主张：对比文件未公开特征“一层适于在相对厚的绝缘层的更大区域上分布横向和垂直应力以减小该相对厚的绝缘层中的裂缝倾向的相对较坚硬的材料层。”
专利复审委员会于2014年2月18日作出第63459号复审请求审查决定书（简称被诉决定），认定：
一、审查文本的认定
本次复审决定所针对的文本是：英特塞尔公司于2013年9月27日提交的权利要求第1-26项，于申请日2004年8月20日提交的说明书第1-30段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图。
二、具体理由的阐述
1、关于创造性
（1）权利要求1不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件2公开的内容区别在于：①绝缘层具有适于防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致应力引起的裂缝的厚度；②一层适于在相对厚的绝缘层的更大区域上分布横向和垂直应力以减小该相对厚的绝缘层中的裂缝倾向的相对较坚硬的材料层。所要解决的技术问题是防止绝缘层裂缝。
对于区别特征①，对比文件2给出了分离第五金属互连层M5与第四金属互连层M4的中间绝缘层131，其具有比其它中间绝缘层114,117,121,126,129更厚的厚度的技术启示。由于较厚的绝缘层适合于抵抗裂缝，因此该结构本身可以起到防裂纹的作用。而导致键合焊盘下的绝缘层破裂的主要因素取决于在键合布线附着工艺期间发生的应力和随后在封装之后的应力。例如，在封装之后的温度偏移在整个结构上施加横向和垂直力。本领域普通技术人员很容易理解上述较厚的绝缘层可用于防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致应力引起的裂缝，也就是对比文件2给出了采用较厚的绝缘层防止裂纹的技术启示。
对于区别特征②，对比文件3公开了一种集成电路，并具体公开(参见说明书[0004]-[0032]段、附图27-35)：相当于顶部金属层的第五互连金属层125、中间互连金属层121、117和113分别由铝合金金属层(125b、121b、117b、113b)和在其下形成的基底膜（相当于亚层）(125a、121a、117a、113a)构成，其中公开了基底膜113a由钛膜或氮化钛膜形成，从图33可知，相邻顶部金属层125和厚绝缘层122的分布的坚硬的材料层125a。并且其作用与在本申请相同，都是用于形成集成电路中的金属层的一部分，并可承受横向和垂直应力，由此减小了厚绝缘层中的破裂倾向，因此存在将对比文件3的该特征应用的对比文件2的技术启示。因而在对比文件2的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，因此该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2、3、5不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求2、3、5的附加技术特征在对比文件2中公开：绝缘膜117的厚度为0.5um，绝缘膜129比绝缘膜117厚，例如厚1um。由此可知对比文件2相当于公开了绝缘膜129的厚度可以为1.5um，而绝缘层131厚度要厚于绝缘层129，因此绝缘层131的厚度大于1.5um。绝缘层可由氧化硅形成；器件区与金属层M4之间设有M1-M3中间金属层，各金属层具有增强集成电路的间隙，绝缘材料形成在间隙中。因此在它们引用的权利要求不具备创造性的情况下，这些权利要求也不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
（3）权利要求4不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
（4）权利要求6不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
权利要求6限定了间隙与焊盘下的金属层间的面积比例，然而该面积比值属于本领域的常规参数，本领域普通技术人员可以根据实际需要对具体的面积比例作出选择，该选择并不需要付出创造性劳动，因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
（5）权利要求7不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性
权利要求7的附加技术特征实质上在对比文件2中已经公开：对比文件2图22中金属层的间隙设置与本申请的间隙设置基本相同，因此也可起到对流经第二金属层的电流的影响最小化的作用。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
此外，权利要求8-14均不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2、对英特塞尔公司相关意见的评述
英特塞尔公司认为：对比文件未公开特征“一层适于在相对厚的绝缘层的更大区域上分布横向和垂直应力以减小该相对厚的绝缘层中的裂缝倾向的相对较坚硬的材料层。”对此专利复审委员会认为：该特征已经在对比文件3中公开，并且在复审通知书中也评述过其不具备创造性。对比文件3公开了一种集成电路，并具体公开了：相当于顶部金属层的第五互连金属层125、中间互连金属层121、117和113分别由铝合金金属层(125b、121b、117b、113b)和在其下形成的基底膜（相当于亚层）(125a、121a、117a、113a)构成，其中公开了基底膜113a由钛膜或氮化钛膜形成，从图33可知，相邻顶部金属层125和厚绝缘层122的分布的坚硬的材料层125a。并且其作用与在本申请相同，都是用于形成集成电路中的金属层的一部分，并可承受横向和垂直应力，也正是由于该材料层的存在，分担了部分应力，减小了绝缘层中的破裂倾向。因而在对比文件2的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，因此该权利要求不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。相应的其从属权利要求2-14也不具备创造性。
据此，专利复审委员会决定，维持国家知识产权局于2010年9月14日对本申请作出的驳回决定。
在原审审理过程中，英特塞尔公司确认对于被诉决定中的创造性评述仅对独立权利要求1以及从属权利要求5、6、7提出异议，对被诉决定中其它权利要求的创造性评述不持异议。
北京市第一中级人民法院认为：本案应适用2001年专利法）及2002年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》（简称2002年专利法实施细则）的规定。
本案中，英特塞尔公司于2013年9月27日对权利要求作出的修改是：将复审通知书中已经评述过的权利要求8的附加内容加入到了权利要求1中，并增加了特征“以减小该相对的绝缘层中的裂缝倾向”，而这些特征在复审通知书中均已将不具备创造性的理由告知过；此外，英特塞尔公司还在原权利要求16和25中加入了未评述过的权利要求28的附加特征，然而复审决定并未对修改后的权利要求16、25的创造性提出质疑，被诉决定并未违反听证原则。英特塞尔公司的相关诉讼理由不能成立，不予支持。
本申请的权利要求1，在对比文件2的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，因此该权利要求不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。本申请的权利要求5、6、7也不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。北京市第一中级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九之规定，判决如下：驳回英特塞尔公司的诉讼请求。
英特赛尔公司不服原审判决，向本院提起上诉，请求撤销原审判决和被诉决定，其主要的上诉理由是：一、关于创造性。1、原审判决和被诉决定将对比文件3中的“基底膜125a”等同于权利要求1中的“较坚硬的材料层”是错误的。权利要求1的“较坚硬的材料层”位于键合焊盘下方，是针对现有技术的裂缝问题而设计优化的。对比文件3中的“基底膜125a”并不位于键合焊盘的下方，而是位于绝缘体的下方，其作用是提供与金属互连的良好接触以及防止金属扩散。对比文件3的[0051]-[0052]段文字记载与专利复审委员会论断的“基底膜125a能起到防止裂缝的作用”相违背，对比文件3在面对本发明的裂缝问题时表明了不能依靠基底膜125a,从而排除了设置“较坚硬材料层”的解决方案。2、权利要求7引用权利要求5，原审判决和被诉决定指出对比文件2图22金属层的间隙设置与本申请的间隙设置基本相同，也可起到相同的作用，因此对比文件2公开了权利要求7的特征。但是，对比文件2的图22根本没有金属层，更不可能公开与本发明相同的在第二金属层中的间隙设置。3、被诉决定和原审判决认为对比文件2的图21公开了“M1-M3各中间金属层具有增强集成电路的间隙”，相当于本发明权利要求5的第二金属层中的间隙是错误的。4、被诉决定和原审判决对于权利要求6的事实认定错误。5、对比文件2没有公开本申请权利要求7的特征，并且该特征也并非本领域的公知常识。6、被诉决定违反听证原则。英特赛尔公司答复通知书时在权利要求1新增特征“减小该相对厚度的绝缘层中的裂缝倾向的相对较坚硬的材料层”，并且专利复审委员会在之前没有对该内容或特征进行过任何评述。专利复审委员会在被诉决定中直接否定该新增特征，没有给予英特赛尔公司陈述意见的机会，违反了听证原则。
经审理查明:原审法院查明事实属实，且本申请审查文本、对比文件2、对比文件3、复审通知书、意见陈述书等证据在案佐证，本院对此予以确认。
另查，英特赛尔公司在原审诉讼中提交了对比文件3的中文翻译件，其中第[0051]段译文为：“增强键合强度以获得稳定的连接要求温度和机械压力不足以破坏钝化膜133并且在界面处令人满意地形成金属层131.因此，随着器件小型化以及键合焊盘126和键合导线130尺寸或者直径的减小，必需在每单位面积上施加更高的超声波强度或者更高的加压强度”。第[0052]段译文为：“然而，增加加强强度或者超声波强度可能导致键合焊盘126从键合焊盘126下的第四间绝缘膜122上剥离，或者可能在第四层间绝缘膜122中造成裂缝。”
专利复审委员会在二审庭审中明确表示，被诉决定第11页中关于本申请权利要求7的创造性评价使用的是对比文件2图21，被诉决定中的笔误写为对比文件图22。
英特赛尔公司在二审庭审中明确表示，对比文件3中并未有文字记载设置基底膜125a的目的。
以上事实，有英特赛尔公司提交的翻译文件及当事人陈述等在案佐证。
本院认为：2001年专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
所谓突出的实质性特点是指对本领域技术人员来说，该发明相对于现有技术是非显而易见的，所谓显著的进步是指该发明与现有技术相比能够产生有益的技术效果。判断发明是否具有突出的实质性特点，应当从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断要求保护的发明对本领域技术人员来说是否显而易见，即现有技术是否给出将区别特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域的技术人员在面对相应的技术问题时，有动机改进最接近的现有技术并获得该发明专利技术。当上述区别特征为公知常识或为与最接近的现有技术相关的技术手段，或者为另一份对比文件披露的相关技术手段，且该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别特征在要求保护的发明中为解决相关技术问题所起的作用相同，通常可以认定存在相应的技术启示。
本申请权利要求1请求保护一种集成电路。对比文件2公开了一种集成电路，为最接近的现有技术。本申请权利要求1所保护的技术方案相对于对比文件2公开的内容区别在于：（1）绝缘层具有适于防止键合布线附着工艺和温度偏移中的至少一个导致的应力引起的裂缝的厚度；（2）一层适于在相对厚的绝缘层的更大区域上分布横向和垂直应力以减小该相对厚的绝缘层中的裂缝倾向的相对较坚硬的材料层。上述区别特征所要解决的技术问题是防止绝缘层产生裂缝。
对于区别特征（1），对比文件2已经公开了分离第五金属互连层M5（相当于权利要求1的顶部金属层）与第四金属互连层M4（相当于权利要求1中的第二金属层）的中间绝缘层131（相当于权利要求1中的绝缘材料层），其具有比其它中间绝缘层114、117、121、126、129更厚的厚度的技术启示。由于较厚的绝缘层适合于抵抗裂缝，因此该结构本身可以起到一定的防裂纹的作用。由于导致键合焊盘下的绝缘层破裂主要因素取决于在键合布线附着工艺期间发生的应力和随后在封装之后，如温度偏移导致的应力，本领域技术人员在面对键合布线附着工艺和温度偏移中所发生的应力导致的键合焊盘下的绝缘层破裂问题时，结合对比文件2，容易想到以设置较厚厚度的绝缘层来防止上述裂缝问题的产生，故对比文件2已经给出了相应的技术启示。
对于区别特征（2），对比文件3公开了一种集成电路，并具体公开了：第五互连金属层125（相当于顶部金属层）及中间互连金属层121、117、113，其分别由铝合金金属层(125b、121b、117b、113b)和在其下形成的基底膜(125a、121a、117a、113a)构成，并且对比文件3公开了基底膜113a可以由钛膜或氮化钛膜形成，而125a与113a具有基本相同的结构和功能，可知125a亦可以由钛膜或氮化钛膜形成。英特赛尔公司主张125a与权利要求1中较坚硬的材料层不同，125a的位置并未位于键合焊盘下方，甚至远离键合焊盘，且对比文件3中指出存在125a的结构还是会存在裂缝问题，因此对比文件3没有结合“较坚硬的材料层”的技术启示。对此，本院认为，对比文件2中已经公开了绝缘材料层位于键合焊盘下方的特征，基于此，对比文件3是否具有与对比文件2结合的技术启示在于是否给出了“较坚硬的材料层”的技术启示。对比文件3公开了基底膜113a由钛膜或氮化钛膜形成，125a作为基底膜应也是可以由钛膜或氮化钛膜形成。同时，对比文件3图33中可知，基底膜125a位于位于顶部的第五金属互连层125（相当于本申请中的顶部金属层）和厚绝缘层122之间。对比文件3中的125a是用于形成集成电路中的金属层的一部分，并可承受横向和垂直应力，由此减小了厚绝缘层中的破裂倾向。虽然根据英特赛尔公司提供的翻译文件，对比文件3中第[0052]段记载了键合焊盘126从键合焊盘126下的第四间绝缘膜122','2018-12-28
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