北京知识产权法院
行 政 判 决 书
（2015）京知行初字第4884号
原告新特能源股份有限公司，住所地新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市高新技术产业开发区（新市区）甘泉堡经济技术开发区（工业园）面广东街2499号。
法定代表人张建新，董事长。
委托代理人权鲜枝，北京市隆安律师事务所律师。
委托代理人丁辰，北京市隆安律师事务所律师。
被告国家知识产权局专利复审委员会，住所地北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10－12层。
法定代表人葛树，副主任。
委托代理人张凯，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人吴风静，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
第三人江苏中能硅业科技发展有限公司，住所地江苏省徐州经济技术开发区杨山路66号。
法定代表人舒桦，董事长。
委托代理人ＸＸ，中国专利代理（香港）有限公司专利代理人。
委托代理人韦欣华，中国专利代理（香港）有限公司专利代理人。
原告新特能源股份有限公司（简称新特公司）因发明专利权无效宣告请求行政纠纷一案，不服被告国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2015年5月26日作出的第26051号专利无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2015年8月31日受理本案后，依法组成合议庭，并依法通知被诉决定的利害关系人江苏中能硅业科技发展有限公司（简称中能公司）作为本案第三人参加诉讼。2016年3月4日，本院依法公开开庭进行了审理。原告新特公司的委托代理人权鲜枝、丁辰，被告专利复审委员会的委托代理人张凯、吴风静，第三人中能公司的委托代理人ＸＸ、韦欣华到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。
被诉决定系专利复审委员会针对新特公司就名称为“GCL法多晶硅生产方法”的第201010604555.9号发明专利（简称本专利）提起的无效宣告请求所作出。专利复审委员会在该决定中认定：本专利符合《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第二十六条第四款及第二十二条第三款的规定。故新特公司针对本专利提出的无效宣告请求理由均不成立，决定宣告本专利维持有效。
原告新特公司诉称：本专利权利要求1-10均未清楚地限定保护范围，也均不具备创造性。不符合《专利法》第二十六条第四款与《专利法》第二十二条第三款的规定，应予宣告无效。综上，请求人民法院依法撤销被诉决定，并判令被告重新作出决定。
被告专利复审委员会辩称：坚持被诉决定中的意见。被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，原告的诉讼理由不能成立，请求人民法院驳回原告的诉讼请求。
第三人中能公司述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，新特公司的诉讼理由不能成立，请求人民法院驳回原告的诉讼请求。
本院经审理查明：
本专利为2012年12月26日授权公告的名称为“GCL法多晶硅生产方法”的发明专利，其专利号为201010604555.9，申请日为2010年12月24日，专利权人是中能公司。本专利授权公告的权利要求书如下：
“1.一种GCL法多晶硅生产方法，包括以下步骤：
1)提供硅粉源、氢气源、氯化氢源、二氯二氢硅源、三氯氢硅源和四氯化硅源的步骤；
2)氯氢化步骤：以来自所述硅粉源的硅粉、来自所述氯化氢源的氯化氢、来自所述四氯化硅源的四氯化硅和来自所述氢气源的氢气作为原料，制造粗三氯氢硅A；
3)纯化步骤A：将所述粗三氯氢硅A分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅，并将其分别作为相应供料供应到所述四氯化硅源、所述二氯二氢硅源和所述三氯氢硅源贮存；
4)反歧化步骤：以来自所述二氯二氢硅源的二氯二氢硅和来自所述四氯化硅源的四氯化硅作为原料，制造粗三氯氢硅B；
5)纯化步骤B：将所述粗三氯氢硅B分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅，并将其分别作为相应供料供应到所述四氯化硅源、所述二氯二氢硅源和所述三氯氢硅源贮存；
6)还原步骤：以来自所述三氯氢硅源的三氯氢硅、来自所述氢气源的氢气和来自所述二氯二氢硅源的二氯二氢硅作为原料，制造多晶硅并副产还原尾气；
7)循环步骤：将所述还原尾气初步分离为氢气、氯化氢和含硅混合液，并将所述氢气和所述氯化氢分别作为相应供料供应到所述氢气源和所述氯化氢源贮存，而将所述含硅混合液供应到纯化步骤C；
8)纯化步骤C：将所述含硅混合液分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅，并将其分别作为相应供料供应到所述四氯化硅源、所述二氯二氢硅源和所述三氯氢硅源贮存，其中，所述纯化步骤A、所述纯化步骤B和所述纯化步骤C作为同一个纯化步骤进行。”
新特公司于2014年9月26日针对本专利向专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是：本专利权利要求1-10不符合《专利法》第二十六条第四款与《专利法》第二十二条第三款的规定。请求宣告本专利权利要求1-10无效，同时提交了如下证据：
附件1：公开日为2008年3月19日，公开号为CN101143723A，申请号为200710143522.7的中国发明专利申请公布说明书，共12页；
附件2：公开日为2010年6月17日，专利号为US2010/0150809A1的美国专利文献，共8页；
附件3：授权公告日为2010年1月27日，授权公告号为CN201390803Y，专利号为200820204447.0的中国实用新型专利说明书，共8页；
附件4：申请公布日为2010年8月18日，申请公布号为CN101808938A，申请号为200880108523.0的中国发明专利申请公布说明书，共8页。
其中，附件1公开了一种制备多晶硅的方法，并具体公开了如下步骤（参见其权利要求10，说明书第4页倒数第4行-第5页第15行，图1）：a）冶金硅在烘粉护中加热到300-500℃，然后装入反应器；b）通过外部加热装置将四氯化硅汽化、加热，形成温度为160-600℃的四氯化硅气体；c）通过外部加热装置将氯化氢气体预热岛150-300℃；d）通过加热器将氢气预热到300-600℃；和e）将步骤b）、c）和d）的气体加入反应器；f）通过多级蒸馏塔，从步骤e）所得到产物物流除去杂质，并将纯化的产物物流蒸馏分离成主要包含四氯化硅的物流和主要包含三氯氢硅的物流，其中主要包含四氯化硅的物流循环回到步骤e）；g）将所述含有三氯氢硅的物流和氢气通入还原炉中，在其中产生多晶硅；和h）步骤g）的尾气进行冷凝、分离，其中不凝部分中的主要包含氢气的物流循环回到步骤g），主要包含氯化氢的物流循环回到步骤e），冷凝液中主要包含未反应三氯氢硅的物流循环回到步骤g），主要包含四氯化硅的物流循环回到步骤e）。
附件2公开了一种由四氯化硅和二氯硅烷（二氯二氢硅）生产三氯硅烷的工艺，该工艺包括（参见其权利要求1）：向具有合适的氯化硅烷再分配催化剂的填充床反应器中进行二氯二氢硅和四氯化硅混合物的给料。
附件3公开了一种用于制备多晶硅颗粒的无筛板流化床反应器，其中（参见其权利要求1、3），所使用的反应气体为硅源性的四氯硅烷或三氯硅烷或二氯硅烷或其至少两种以上气体组成的混合气体。
附件4公开了一种利用改良西门子法的污染的副产物制备高纯度三氯硅烷（三氯氢硅），继而进一步制备多晶硅的方法，该方法包括如下步骤（参见其权利要求1、2，说明书[0009]、[0021]、[0029]、[0033]、[0037]，说明书附图2）：硅源与氯化氢反应生成三氯氢硅，并通过从“粗”三氯氢硅蒸馏而分离三氯氢硅，并将“不纯的”三氯氢硅和四氯化硅再循环；通过纯化技术进一步纯化“粗”三氯氢硅；将纯化的四氯化硅（四氯硅烷）氢化，以生产向三氯氢硅纯化过程的附加的三氯氢硅进料；通过与纯化的四氯化硅的反应将二氯二氢硅（二氯硅烷）副产物氯化，以生产向三氯氢硅纯化过程的附加的三氯氢硅进料；使用沉积技术使高纯度三氯氢硅歧化成硅烷和多晶硅晶体。
专利复审委员会于2015年2月9日对本案举行口头审理。新特公司与中能公司均出席了口头审理。在口头审理过程中，新特公司当庭补交如下的附件8作为公知常识性证据：
附件8：邓丰、唐正林主编，刘斌、何燕主审，化学工业出版社2009年8月第1版第1次印刷的《太阳能光伏产业-
硅材料系列教材多晶硅生产技术》，封面页、版权信息页、第10、11页，复印件，共4页。
附件8公开了多晶硅的生产技术（参见其第9-11页，图1-2至图1-4），附件8记载了第一代多晶硅的生产工艺中四氯化硅和氯化氢未得到循环利用；第二代多晶硅的生产工艺中分离提纯后，高纯三氯化硅又进入还原炉生成多晶硅，四氯化硅又与冶金级硅反应；第三代多晶硅的生产工艺的特点是H2、三氯化硅、四氯化硅和氯化氢均循环利用。
2015年5月26日，专利复审委员会作出被诉决定。
上述事实有经庭审质证的本专利授权公告文本、附件1-4、附件8及当事人陈述等证据在案佐证。
本院认为：
一、关于《专利法》第二十六条第四款
《专利法》第二十六条第四款规定：权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
本案中，新特公司诉称：在本专利权利要求1对各个步骤均通过标号予以区分的情况下，又将纯化步骤A、纯化步骤B、纯化步骤C限定为同一纯化步骤，明显自相矛盾，本领域技术人员难以理解其含义。本专利说明书[0085]段的描述以及附图1实质上是该特征的重复，不能将该矛盾解释清楚。因此，本专利权利要求1不清楚。本专利从属权利要求2-10也均未清楚限定权利要求1中的上述特征的含义，故本专利权利要求2-10也不清楚。因此，本专利权利要求1-10均不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
对此，本院认为：如果本领域技术人员根据权利要求的整体记载可以清楚确定其要求保护的范围，并且说明书及其附图也进一步为该确定的保护范围提供了依据，则该权利要求的保护范围已经被清楚地限定。
本领域技术人员结合本专利权利要求1的整体记载可知，纯化步骤中的原料来源分别来自氯氢化步骤后得到的粗三氯氢硅A、反歧化步骤得到的粗三氯氢硅B以及循环步骤得到的含硅混合液，上述三种原料都要进一步供应到纯化步骤。为了清楚区别纯化步骤中所述原料的三种不同来源，因此在氯氢化步骤、反歧化步骤和循环步骤后分别记载纯化步骤A、纯化步骤B和纯化步骤C进行标明。同时，在本专利说明书中[0085]段记载了“本发明方法中并不分别或单独存在所谓的纯化步骤A、纯化步骤B和纯化步骤C，这些纯化步骤实际上是同一个纯化步骤进行”，并且由本专利附图1亦可以清楚地确定，纯化步骤的来源来自于A、B和C三种不同来源，将三种不同来源的原料在纯化步骤中进行纯化，为了加以区别，以A、B和C加以标明。由此可见，本专利权利要求1中有关纯化步骤A、纯化步骤B和纯化步骤C的区分只是为了清楚区别纯化步骤中所用原料的三种不同来源，而并非定义了三个不同的纯化步骤。本领域技术人员根据本专利权利要求1的整体记载可以清楚确定其要求保护的范围。同理，本专利权利要求2-10的保护范围也是清楚的。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。新特公司有关本专利权利要求1-10均不符合《专利法》第二十六条第四款规定的诉讼理由缺乏事实和法律依据，本院不予支持。
二、关于《专利法》第二十二条第三款
《专利法》第二十二条第三款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
新特公司诉称：附件1为最接近现有技术，本专利权利要求1相对于附件1、附件2、附件3和公知常识的结合，或者附件1、附件4、附件3和公知常识的结合不具备创造性，其中公知常识用附件8加以证明。
对此，本院认为：
本专利权利要求1保护一种GCL法多晶硅生产方法，附件1公开了一种制备多晶硅的方法。基于本院查明的事实可知，本专利权利要求1与附件1相比，二者区别技术特征在于：本专利权利要求1的原料供给中包括二氯二氢硅源；本专利权利要求1包括反歧化步骤；本专利权利要求1的还原步骤中包括来自二氯二氢硅源的二氯二氢硅作为原料；本专利权利要求1的纯化步骤中原料来源来自氯氢化步骤、反歧化步骤和循环步骤，并且包含二氯二氢硅源纯化后分配入二氯化硅源中进行储存。因此，本专利权利要求1所要解决的技术问题是在多晶硅的生产中，最大限度地循环利用所有的原料和副产物，其中包括二氯二氢硅。而在现有技术中，通常将二氯二氢硅作为废料处理，或者经过提纯后，作为电子工业特种气体使用。
基于本院查明的附件2、3、4、8所公开内容可知：附件2中仅能证明在三氯硅烷的生产中可以将四氯化硅和二氯硅烷进行混合反应，并未涉及在多晶硅的生产过程中，将反应副产物二氯二氢硅循环分离回收使用的相关内容；并且附件2涉及的三氯硅烷的生产，也没有给出在多晶硅的生产中将二氯二氢硅循环分离回收使用的技术启示。
附件3仅能确定多晶硅反应中可以使用二氯硅烷或三氯硅烷或四氯硅烷中的至少两种以上的混合气体，并没有公开在多晶硅的生产中二氯二氢硅循环分离回收使用；同时由于附件3为了解决流化床的连续生产问题，主要涉及流化床反应装置的结构设计，并没有给出在多晶硅的生产中将二氯二氢硅循环分离回收使用的技术启示。
附件4未公开上述区别技术特征，其仅涉及在来自“三氯氢硅纯化”步骤后产生的含有二氯二氢硅的“不纯的”三氯氢硅与纯化的四氯化硅在“副产物氯化”步骤中反应生成三氯氢硅，可见附件4并未涉及将二氯二氢硅在循环反应的各个步骤进行分离，并循环使用。
附件8也未公开上述区别技术特征，其中记载的三代多晶硅的生产工艺也未涉及二氯二氢硅的分离循环使用。综上所述，上述各附件均未给出在多晶硅的生产过程中，将反应副产物二氯二氢硅循环分离回收使用的技术启示。新特公司也没有提供其他证据证明采用上述区别技术特征解决所述技术问题是所述技术领域的公知常识。
综上，新特公司提交的现有技术证据与本专利权利要求1的技术构思均不同，同时现有技术也未给出技术启示在所述现有技术的基础上能够形成本专利权利要求1要求保护的技术方案。故本专利权利要求1相对于附件1、附件2、附件3和公知常识的结合，或者附件1、附件4、附件3和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。在本专利权利要求1具备创造性的前提下，引用本专利权利要求1的从属权利要求2-10也具备创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。新特公司有关本专利权利要求1-10均不符合《专利法》第二十二条第三款规定的诉讼理由缺乏事实和法律依据，本院不予支持。
综上，被诉决定审查程序合法，认定事实清楚，适用法律正确，新特公司的诉讼请求缺乏事实和法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：
驳回原告新特能源股份有限公司的诉讼请求。
案件受理费一百元，由原告新特能源股份有限公司负担（已交纳）。
如不服本判决，各方当事人可在本判决书送达之日起十五日内向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费一百元，上诉于北京市高级人民法院。
审 判 长 赵明
审 判 员 卓锐
人民陪审员 高睿
二〇一六年五月十二日
书 记 员 丁欣
书 记 员 王爽