中华人民共和国北京市高级人民法院行 政 判 决 书(2017)京行终2673号上诉人（原审被告）中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10－12层。法定代表人葛树，副主任。委托代理人李伟伟，该委员会审查员。委托代理人谭颖，该委员会审查员。上诉人（原审第三人）鲍宏伟，女，汉族，1976年10月20日出生，住中华人民共和国北京市海淀区。委托代理人�梅珍，女，汉族，1973年8月6日出生，隆天知识产权代理有限公司专利代理人，住中华人民共和国北京市海淀区。委托代理人章侃铱，男，汉族，1985年7月25日出生，隆天知识产权代理有限公司专利代理人。被上诉人（原审原告）惠普发展公司，有限责任合伙企业，住所地美利坚合众国德克萨斯州。法定代表人罗伯特·D·沃森，专利总监。委托代理人段志超，北京市汉坤律师事务所律师。委托代理人罗睿，北京市汉坤律师事务所律师。上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）、鲍宏伟因发明专利权无效行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京知识产权法院（简称北京知识产权法院）（2016）京73行初2757号行政判决，向本院提起上诉。本院于2017年5月19日受理本案后，依法�成合议庭，于2017年6月27日公开开庭进行了审理。上诉人专利复审委员会的委托代理人谭颖，上诉人鲍宏伟的委托代理人张梅珍、章侃铱，被上诉人惠普发展公司，有限责任合伙企业（简称惠普公司）的委托代理人罗睿、段志超到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。本案涉及专利号为01813341.X、名称为“具有与晶体管作用区重叠的接地母线的喷墨打印头”的发明专利（简称本专利），专利权人为惠普公司。2015年2月26日，鲍宏伟针对本专利权向专利复审委员会提出无效宣告请求。2015年11月25日，专利复审委员会作出第27391号专利无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），宣告本专利权全部无效。惠普公司不服被诉决定，向北京知识产权法院提起行政诉讼。北京知识产权法院认为：本案中，证据2-1与本专利权利要求1相比较，二者的区别技术特征为：�接地母线通常沿场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围延伸，并且与所述作用区部分地重叠”。据此可知，本专利权利要求1的技术方案相对于证据2-1实际要解决的技术问题是如何使得打印头的电路结构更紧凑。要判断现有技术是否给出了相应技术启示，应当首先对本专利权利要求1中的“作用区”这一概念进行解释，确定其保护范围。由本专利说明书上述记载可知，本专利权利要求1中所称“作用区”是由漏极区、源极区和栅极组成，用于激励场效应晶体管驱动电路的区域。场效应晶体管须由源极、漏极和栅极相互配合工作方可实现其功能。因此，本专利权利要求1中所称“作用区”，是指同时包含栅极和与其相邻设置的漏极区、源极区，能够通过适当的电压使其产生作用，实现载流子的导通，继而对与之相连的喷墨加热器电阻进行激励的区域。证据2-3公开了一�晶体管结构，根据其说明书中的记载，结合其附图2可知源元件S并联地连接到接地总线16，接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠。如前所述，本专利权利要求1中所称“作用区”，是指同时包含栅极和与其相邻设置的漏极区、源极区，能够通过适当的电压使其产生作用，实现载流子的导通，继而对与之相连的喷墨加热器电阻进行激励的区域。按照这样的标准，如果要在证据2-3附图2中划出“作用区”，应该是指半导体衬底的区域28中同时包含多晶硅栅电极元件G、源元件S和漏极元件D的部分。而根据证据2-3的附图2所示，接地总线16并未与上述区域产生部分重叠。由此可见，证据2-3附图2中的半导体衬底的区域28并不相当于本专利权利要求1中的“作用区”，附图2中接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠并不相当于本专利权利要求1中的“接地母线与作用区部分地重叠�这一技术特征，即，证据2-3并没有公开本专利权利要求1相对于证据2-1的区别技术特征。在证据2-3公开内容的基础上，本领域技术人员并没有动机将其接地总线16与多晶硅栅电极元件G、源元件S和漏极元件D三个区域均部分重叠。这是因为，这样的设置虽然能够使电路设计更紧凑，但是，同时会带来所需驱动电压增高、寄生电容和寄生电阻增加等负面效果，这是本领域技术人员不愿意看到的。因此，证据2-3也并没有给出相应的技术启示。被诉决定相关认定有误，依法予以纠正。综上，北京知识产权法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第（一）项、第（二）项之规定，判决：一、撤销专利复审委员会作出的被诉决定；二、专利复审委员会就鲍宏伟针对本专利提出的无效宣告请求重新作出审查决定。专利复审委员会、鲍宏伟均不服原审判决，均向本院提起上诉，请求撤销原审判决，维持被诉决定，由惠普公司承担本案两审诉讼费用。专利复审委员会的上诉理由为：1、对于本专利权利要求1中的“接地母线与作用区部分的重叠”的理解，作用区包含栅极、漏极区和源极区三部分，并不等于“与作用区部分地重叠”是指接地总线与栅极、漏极区和源极区三部分都部分重叠。原审法院对此理解错误。2、对于证据2-3是否具有技术启示，由于只要与作用区有一部分重叠就可以实现空间紧凑的目的，而证据2-3对此完全给出了技术启示。3、原审判决指出在证据2-3的基础上实现三部分都重叠时具有负面效果从而没有动机给出启示，但是，如果三部分都重叠确实存在所述的负面效果，那么本专利中也同样存在，从这个角度否定证据2-3的技术启示是错误的。鲍宏伟的上诉理由为：1、原审判决对证据2-3是否公开权利要�1中的“接地母线与作用区部分地重叠”认定错误。2、原审判决对证据2-3能否给出技术启示认定错误，从而导致法律适用错误。惠普公司服从原审判决。经审理查明：本专利为2005年9月7日授权公告的01813341.X号PCT专利，名称为“具有与晶体管作用区重叠的接地母线的喷墨打印头”，优先权日为2000年7月24日，申请日为2001年1月26日，进入中国国家阶段日期为2003年1月24日。专利权人为惠普公司。本专利授权公告时的权利要求书如下：“1、一种喷墨打印头，其包括：由衬底（111）和多个薄膜层（11）形成的打印头结构；墨滴发生器（40）的纵阵列（61），其被限定在所述打印头结构中；场效应晶体管电路（85）的纵阵列（81），其形成在所述打印头结构中且分别地连接到所述墨滴发生器上，所述场效应晶体管电路包括作用区，每一作用区包括漏�区（89）、源极区（99）和栅极（91）；包括接地母线（181）的电力迹线（86），该接地母线在结合片（74）与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间电连接；以及所述接地母线（181）通常沿场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围延伸，并且与所述作用区部分地重叠。2、如权利要求1所述的喷墨打印头，其特征在于，所述接地母线具有一横截于场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围的宽度，其沿所述纵向范围而变化。3、如权利要求1所述的喷墨打印头，其特征在于，所述接地母线具有一横截于场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围的宽度，其随着距所述打印头结构的纵向分离端中的最近一端的距离的增加而减小。4、如权利要求1所述的喷墨打印头，其特征在于，所述漏极区、源极区和栅极横截于场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围延伸。5、如权利要求1所述的喷墨打印头，其特征在于，每个所述场效应晶体管电路包括漏极（87）和源极（97），其由与所述接地母线相同的金属喷镀层形成。6、如权利要求5所述的喷墨打印头，其特征在于，所述漏极与所述漏极区重叠，而所述源极与所述源极区重叠。7、如权利要求1、2、3、4、5或6所述的喷墨打印头，其特征在于，所述场效应晶体管电路被分别构造成以补偿由所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化。8、如权利要求7所述的喷墨打印头，其特征在于，所述场效应晶体管电路的相应的电阻被选择成以补偿由所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化。”针对本专利，鲍宏伟于2015年2月26日向专利复审委员会提出无效宣告请求，其理由是：本专利不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第三十三条、专利法第二十六条第三款和第四款、《中华人民�和国专利法实施细则》（简称专利法实施细则）第二十条第一款的规定，本专利权利要求1-8不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定，故请求宣告本专利权利要求全部无效。并提交了如下证据：证据2-1：授权公告日为1998年6月30日、授权公告号为US5774148的美国专利说明书的复印件及相关中文译文；证据2-2：授权公告日为1997年11月25日、授权公告号为US5691574的美国专利说明书的复印件及相关中文译文；证据2-3：授权公告日为1990年8月14日、授权公告号为US4949139的美国专利说明书的复印件及相关中文译文；证据2-4：授权公告日为1993年1月19日、授权公告号为US5181046的美国专利说明书的复印件及相关中文译文；证据2-5：授权公告日为1984年10月2日、授权公告号为US4475119的美国专利说明书的复印件及相关中文译文�其中，证据2-1公开了一种喷墨打印头（参见证据2-1中文译文第22-32段、附图），其通过芯片13产生的热量将墨滴排出喷嘴。该打印头7的芯片13包括基板34和多个薄膜层。附接到芯片13的外部是喷嘴板66，该喷嘴板66具有一个喷嘴，加热器上方限定腔室，引向喷嘴。芯片13的每侧上是触点29，被来自芯片外的信号驱动。芯片上的电路包括加热器1、电源总线21、地址线23和多个金属氧化物半导体场效应晶体管25。在图4的放大图中显示喷嘴和邻近加热器的MOSFET25呈纵列排布，在打印头内对准。MOSFET25包括漏极区35、源极区36和栅极。结合附图5，驱动加热器1的电流施加到导电层46（参见证据2-1中文译文25段），同时导电层46实现了加热器1和晶体管25的连接，次触点40通过导电层46使晶体管25接地，即导电层46包含了导电线。并且从附图5中可以看出MOSFET25与加热器1电连接，接�母线电连接次触点40和MOSFET25。证据2-3公开了一种晶体管结构，晶体管12具有限定在半导体衬底的区域28中的多个间隔开的平行扩散区，以及接触该扩散区以形成交替的源元件S和漏极元件D的导线，源元件S并联地电连接到接地总线16，接地总线横截于晶体管延伸，多晶硅栅电极元件G穿过源元件S和漏极元件D之间（参见证据2-3中文译文第1页），接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠。2015年11月25日，专利复审委员会作出被诉决定，认定：1.证据认定证据2-1至2-5均为专利文献，属于公开出版物，且公开日期均早于本专利的优先权日。专利权人对上述证据的真实性无异议，经核实确认上述证据构成本专利的现有技术，可以用于评价本专利的创造性。对于证据2-1的中文译文，专利权人认为“passive”(原文第2栏第59行)的含义应为“无源的”，对其他部分的译文准确性无异议。鲍宏伟认可上述英文单词应该翻译成“无源的”。在此基础上采纳鲍宏伟提交的上述证据的中文译文。2.关于创造性的无效理由鲍宏伟主张权利要求1相对于证据2-1与证据2-2或证据2-3的结合不具备创造性。经查，证据2-1涉及一种喷墨打印头（参见证据2-1中文译文第22-32段、附图），其通过芯片13产生的热量将墨滴排出喷嘴。该打印头7的芯片13包括基板34（对应于衬底）和多个薄膜层。附接到芯片13的外部是喷嘴板66，该喷嘴板66具有一个喷嘴，加热器上方限定腔室，引向喷嘴（加热器、喷嘴、腔室构成墨滴发生器）。芯片13的每侧上是触点29（对应于结合片），被来自芯片外的信号驱动。芯片上的电路包括加热器1、电源总线21、地址线23和多个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）25。在图4的放大图中显示喷嘴（墨滴发生器）和邻近加热器的MOSFET25呈纵列排布，在打印头内对准。MOSFET25包括漏极区35、源极区36和栅极。结合附图5，驱动加热器1的电流施加到导电层46（参见证据2-1中文译文25段），同时导电层46实现了加热器1和晶体管25的连接，次触点40通过导电层46使晶体管25接地，即导电层46包含了导电线（对应本专利的导电迹线86、181）。并且从附图5中可以看出MOSFET25与加热器1（墨滴发生器）电连接，接地母线（导电层46）电连接次触点40和MOSFET25，相当于也电连接墨滴发生器。由此可见，权利要求1与证据2-1区别在于“接地母线通常沿场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围延伸，并且与所述作用区部分地重叠”。基于该区别，权利要求1的技术方案相对于证据2-1实际要解决的技术问题是如何使得打印头的电路结构更紧凑。证据2-3公开了一种晶体管结构，晶体管12具有限定在半导体衬底的区域28中的多个间隔开的平行扩散区，以及接触该扩散区以形成交替的源元件S和漏极元件D的导线，源元件S并联地电连接到接地总线16，接地总线横截于晶体管延伸，多晶硅栅电极元件G穿过源元件S和漏极元件D之间（参见中文译文第1页）。如图2所示，接地总线16与作用区28部分地重叠。可见，证据2-3给出了“接地母线通常沿场效应晶体管电路的纵阵列的纵向范围延伸，并且与所述作用区部分地重叠”技术启示，并且客观上能够使电路更紧凑。因此，权利要求1的技术方案相对于证据2-1、2-3的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。专利权人认为权利要求1记载的“与作用区部分重叠”是指接地总线与漏极区、源极区和栅极三个区都要部分重叠。对此�首先，根据权利要求1记载的是“与作用区部分重叠”，即与作用区的一部分重叠，并没有明确限定是接地母线是与作用区的三个部分都是部分地重叠。其次，即使是与三个部分都是部分重叠，如专利权人所述其取决于晶体管本身的结构，即晶体管的结构决定了接地母线与作用区重叠时是全部重叠还是部分重叠。在证据2-3的启示下，对于一定结构的晶体管本领域技术人员容易实现三个区都部分地重叠。从属权利要求2、3引用权利要求1，进一步限定接地母线的宽度变化。对于“纵向分离端中最近一端”专利权人明确是指远离结合片74的一端，对应于图8中靠近中间的一端。本领域技术人员知晓，导电线的长度越长，寄生电阻越大，因此接地母线越远离结合片，长度越长，则寄生电阻越大。基于此，从属权利要求2、3的附加技术特征实际上所起的作用是，由于接地母线远离结合片时接地母线上的寄生电阻增加，于是使接地母线的宽度变化（对应图8中FET宽度也相应变化）来补偿寄生电阻的增大。证据2-5公开了一种集成电路功率晶体管阵列，用于驱动热打印头元件，在背景技术中记载（参见中文译文[06]段），当阵列中多个晶体管各自连接到一条公共导线时，沿公共导线会有很大的压降，这会产生提供给沿该公共导线连接的晶体管的信号的变化。证据2-5的目的是使每个晶体管具有均匀的输出电压（参见中文译文[12]段），其中晶体管对15通过U型接地金属线20的两支腿16、18与接地金属线20电连接，接地金属线20的两支腿16、18的宽度由上到下逐渐减小，输出功率晶体管对15的发射极的长度由上到下逐渐增大，使其导通电压降发生变化，以补偿接地金属线20的电压降的变化（参见中文译文30-38段、附图）。即通过晶体管的导通压降补偿�线的压降（参见中文译文15段）。该晶体管阵列适用于热打印头和其他类型的驱动器电路，晶体管可以是场效应晶体管（参见中文译文最后一段）。可见，证据2-5给出了技术启示，使得本领域技术人员能够想到将接地母线宽度变化的技术方案用于喷墨打印机的场效应晶体管阵列，并使接地母线越远离结合片宽度越小。因此，在所引用的权利要求1不具备创造性的情况下，从属权利要求2、3也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求4引用权利要求1，进一步限定源极区、漏极区、栅极的延伸方向。证据2-1公开了MOSFET晶体管25具有源极区、漏极区、栅极，即源极区、漏极区、栅极是场效应晶体管本身的组成部分，其延伸方向取决于场效应晶体管本身的排列方式，证据2-1的附图4示出晶体管25的排列也是呈纵阵列，在此基础上，源极区、�极区、栅极沿着这些晶体管的纵阵列的纵向延伸对本领域技术人员而言是显而易见的，也未取得预料不到的技术效果。因此，在所引用的权利要求1不具备创造性的情况下，从属权利要求4也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求5进一步引用权利要求1，进一步限定晶体管的组长和接地母线的金属镀层。如前文所述，证据2-1公开了MOSFET晶体管25具有栅极、源极区、漏极区，证据2-1的附图5示出导电层46形成在漏极区35、源极区36上的电极即漏极、源极，并且导电层46在图5最右侧连接到接地的总线，因此证据2-1给出了漏极、源极和接地母线由相同的金属喷镀层形成的技术启示，且采用相同金属喷镀层也未取得预料不到的技术效果。因此，在所引用的权利要求1不具备创造性的情况下，从属权利要求5也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求6引用权利要求5，其附加技术特征限定了“漏极与漏极区重叠，源极与源极区重叠”。而本领域技术人员均知晓场效应晶体管包括源极、源极区、漏极、漏极区，并且漏极通过漏极接点与漏极区相连，源极通过源极接点与源极区相连属于常规设置，也未带来任何预料不到的技术效果，因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求6也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求7引用权利要求1-6，从属权利要求8引用权利要求7，进一步限定场效应晶体管电路构造成补偿寄生电阻。证据2-5公开了一种集成电路功率晶体管阵列，用于驱动热打印头元件，在背景技术中记载（参见中文译文06段），当阵列中多个晶体管各自连接到一条公共导线时，沿公共导线会有很大的压降，这会产�提供给沿该公共导线连接的晶体管的信号的变化。证据2-5的目的是使每个晶体管具有均匀的输出电压（参见中文译文12段），其中晶体管对15通过U型接地金属线20的两支腿16、18与接地金属线20电连接，接地金属线20的两支腿16、18的宽度由上到下逐渐减小，输出功率晶体管对15的发射极的长度由上到下逐渐增大，使其导通电压降发生变化，以补偿接地金属线20的电压降的变化（参见中文译文30-38段、附图）。也就是说，通过晶体管的导通压降补偿导线的压降（参见中文译文15段）。证据2-5还公开了该晶体管阵列适用于热打印头和其他类型的驱动器电路，晶体管可以是场效应晶体管（参见中文译文最后一段）。可见，证据2-5公开了将晶体管构造成补偿导电线的压降变化的技术方案。本领域技术人员均知晓，导电线上的电压变化与寄生电阻的变化有关，在此基础上，本领域技术人员能够从证据2-5中得到技术启示，通过晶体管的电阻设计来补偿导电线上寄生电阻的变化。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求7、8也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。鉴于本专利权利要求1-8均不具备创造性应被无效，不再对其他无效理由和证据组合方式进行评述。基于上述事实和理由，专利复审委员会作出决定：宣告本专利权全部无效。上述事实有本专利授权公告文本、对比文件、被诉决定及当事人陈述等证据在案佐证。本院认为：本案的核心问题在于本专利权利要求1中的“作用区”如何理解，在此基础上，判断本专利权利要求1是否具备创造性。专利法第二十二条第三款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。所谓突出�实质性特点是指对本领域的技术人员来说,该发明相对于现有技术是非显而易见的,所谓显著的进步是指该发明与现有技术相比能够产生有益的技术效果。本专利权利要求1中的“作用区”在本领域中并无明确含义，在此情况下，本领域技术人员可以通过阅读说明书及附图确定其含义。本专利说明书第2页第11行记载：“该作用区激励场效应晶体管驱动电路。”该页第17行记载：“每一作用区包括漏极区、源极区和栅极。”由上述记载可知，本专利权利要求1中所称“作用区”是由漏极区、源极区和栅极组成，用于激励场效应晶体管驱动电路的区域。对于场效应晶体管，本领域技术人员应当知晓，其是一种用电压控制电流大小的器件，即利用电场效应来控制晶体管的电流的半导体器件。其工作原理为，通过对栅极施加一定的电压，使得与栅极相邻设置的源极和漏极之间形成导电通道，此时若源极和漏极之间存在电压差，则电子会从源极通过导电通道流向漏级，实现源极和漏极的导通。可见，场效应晶体管须由源极、漏极和栅极相互配合工作方可实现其功能。因此，本领域技术人员在了解场效应晶体管工作原理的前提下，结合本专利说明书的相关记载，可以确定，本专利权利要求1中所称“作用区”，是指同时包含栅极和与其相邻设置的漏极区、源极区，能够通过适当的电压使其产生作用，实现载流子的导通，继而对与之相连的喷墨加热器电阻进行激励的区域。原审法院对此认定正确，本院应予确认。本案中，证据2-1与本专利权利要求1相比较，二者的区别技术特征为：“接地母线通常沿场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围延伸，并且与所述作用区部分地重叠”。据此可知，本专利权利要求1的技术方案相对�证据2-1实际要解决的技术问题是如何使得打印头的电路结构更紧凑。对此，各方当事人均无异议，本院予以认可。证据2-3公开了一种晶体管结构，根据其说明书中的记载，结合其附图2可知源元件S并联地连接到接地总线16，接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠。如上所述，本专利权利要求1中所称“作用区”，是指同时包含栅极和与其相邻设置的漏极区、源极区，能够通过适当的电压使其产生作用，实现载流子的导通，继而对与之相连的喷墨加热器电阻进行激励的区域。据此，如果要在证据2-3附图2中划出“作用区”，应该是指半导体衬底的区域28中同时包含多晶硅栅电极元件G、源元件S和漏极元件D的部分，因为只有在这一部分，才能实现载流子的导通，才能对该晶体管驱动电路起到激励的作用。而根据证据2-3的附图2所示，接地总线16并未与上述区域产�部分重叠。由此可见，证据2-3附图2中的半导体衬底的区域28并不相当于本专利权利要求1中的“作用区”，附图2中接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠并不相当于本专利权利要求1中的“接地母线与作用区部分地重叠”这一技术特征。在认定现有技术中是否存在技术启示时，当区别技术特征为另一份对比文件披露的相关技术手段,且该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别技术特征在要求保护的发明或者实用新型中为解决相关技术问题所起的作用相同,通常可以认定存在相应的技术启示。本案中，证据2-3公开了一种晶体管结构，根据其说明书中的记载，结合其附图2可知源元件S并联地连接到接地总线16，接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠。专利复审委员会及鲍宏伟均未提交证据证明对证据2-3采用上述结构所带来的技术效果，证据2-3的说明书�也未记载或合理推导出证据2-3采用上述结构的目的在于使相关电路结构更加紧凑。在此情况下，本领域技术人员难以从证据2-3中得到技术启示。因此，原审判决关于证据2-3并没有给出相应的技术启示的认定正确，本院予以维持。专利复审委员会及鲍宏伟关于原审判决对此认定错误的相关上诉主张不能成立，本院不予支持。综上，原审判决认定事实清楚，适用法律正确，程序合法，应予维持。专利复审委员会及鲍宏伟的上诉请求均不能成立，本院不予支持。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：驳回上诉，维持原判。一审案件受理费人民币一百元，由中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会负担（于本判决生效后七日内交纳）；二审案件受理费人民币一百元，由中华人民共和国国家知�产权局专利复审委员会和鲍宏伟分别负担五十元（均已交纳）。本判决为终审判决。审判长 焦 彦审判员 孔庆兵审判员 亓 蕾二〇一七年七月二十五日书记员 郑皓泽