北京市高级人民法院
行 政 判 决 书
（2016）京行终5779号
上诉人（原审原告）北京富纳特创新科技有限公司，住所地北京市海淀区清华大学学研综合楼B座1115号。
法定代表人范立,董事长。
委托代理人李娟，女。
委托代理人李建民，男。
被上诉人（原审被告）国家知识产权局专利复审委员会，住所地北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦。
法定代表人葛树，副主任。
委托代理人周荃，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人吴风静，国家知识产权局专利复审委员会审查员。
上诉人北京富纳特创新科技有限公司（简称富纳特公司）因与被上诉人国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服北京市第一中级人民法院（2015）一中行（知）初字第1183号行政判决，向本院提起上诉。本院2016年12月20日受理本案后，依法组成合议庭于2017年2月24日公开开庭进行了审理。上诉人富纳特公司的委托代理人李娟、李建民，被上诉人专利复审委员会的委托代理人周荃、吴风静到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。
北京市第一中级人民法院经审理查明：
本案涉及申请号为200910250642.6、名称为“碳纳米管结构的制备方法”的发明专利申请（简称涉案专利申请），其申请人为富纳特公司，申请日为2009年12月11日，公开日为2011年6月15日。
针对涉案专利申请，国家知识产权局原审查部门于2012年10月9日发出驳回决定，驳回了涉案专利申请，其理由是：权利要求1－19不具有创造性，不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款的规定。驳回决定所依据的文本为：富纳特公司于2009年12月11日提交的权利要求1－19项、说明书第1-85段、说明书附图图1-图10、说明书摘要、摘要附图。
驳回决定中引用的对比文件如下：
1、CN1948144A，公开日为2007年4月18日（简称对比文件1），其公开了一种超长定向碳纳米管丝（纳米管结构的下位概念）的制备方法：采用曲率半径为10μm石英纤维作为基板，然后将纤维放入移动床反应器中，在氢气和氩气的气氛下升温到反应温度800℃。然后通入催化剂前体溶液，原位分解形成催化剂，碳源催化裂解形成碳纳米管阵列；经过0.8hr后可以在石英纤维表面获得长度为0.3mm的阵列；取出长满阵列的石英纤维，保留阵列在其表面，直接采用拉伸工具镊子将碳纳米管阵列中选定一段包括多个碳纳米管管束（即碳纳米管片段）的一端牵引抽取直径为0.8μm碳纳米管束，通过以0.1cm/s的速度持续拉伸（即移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列），通过10min的拉伸，使碳纳米管管束沿拉伸方向形成直径为0.8μm、长度达到半米的超长定向碳纳米管丝；
2、CN101407312A，公开日为2009年4月15日（简称对比文件2），其公开了一种通过拉伸碳纳米管阵列来制备碳纳米管薄膜的方法，该方法在拉伸过程中拉伸装置拉伸碳纳米管膜的方向与碳纳米管阵列的生长方向之间的夹角为30－90°。
富纳特公司对上述驳回决定不服,于2012年12月25日向专利复审委员会提出了复审请求，同时修改了权利要求书。
2013年1月18日，经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
2014年3月25日，专利复审委员会向富纳特公司发出复审通知书。针对上述复审通知书，富纳特公司于2014年4月23日提交了意见陈述书和修改后的权利要求书替换页。其提交的权利要求书如下：
“1.一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：
提供一筒状碳纳米管阵列；
预处理该筒状碳纳米管阵列，使在该筒状碳纳米管阵列的表面形成至少一凹槽，该至少一凹槽沿该筒状碳纳米管阵列的轴向螺旋延伸，该至少一凹槽处的碳纳米管阵列的高度为0～100微米，该至少一凹槽将该筒状碳纳米管阵列分割成至少一子碳纳米管阵列；
采用一拉伸工具与该子碳纳米管阵列接触，从该子碳纳米管阵列中选定一宽度与该子碳纳米管阵列的宽度相同的碳纳米管片段；以及
沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列，拉取该选定的碳纳米管片段，从而形成一碳纳米管结构，该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具，另一端连接该筒状碳纳米管阵列，在拉伸过程中，在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处，该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度，该角度大于等于0度，小于等于60度。
2.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该碳纳米管片段由该子碳纳米管阵列中的一个或相邻的多个碳纳米管组成。
3.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述筒状碳纳米管阵列的制备方法包括以下步骤：
提供一基底，所述基底包括至少一柱面；
在所述基底的至少一柱面上均匀形成一催化剂层；以及
采用化学气相沉积法在该基底的至少一柱面上形成一筒状碳纳米管阵列。
4.如权利要求3所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该柱面为圆柱面、椭圆柱面或具有导角的棱柱面。
5.如权利要求3所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该基底为金属基底、石英基底、耐高温玻璃基底、P型硅基底、N型硅基底或形成有氧化层的硅基底。
6.如权利要求3所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该基底为一实心柱体或筒状体，该实心柱体或筒状体的外周面形成所述柱面。
7.如权利要求6所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该筒状体具有一平行于筒状体轴向的开口，所述选定的碳纳米管片段位于该筒状体的开口的边缘处。
8.如权利要求3所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述被选定的碳纳米管片段的宽度为所述柱面的轴向的长度。
9.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述筒状碳纳米管阵列包括多个基本相互平行的碳纳米管，该碳纳米管的高度为100微米～900微米。
10.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述至少一凹槽将该筒状碳纳米管阵列分割成至少一呈连续的螺旋形缠绕在基底表面的带状子碳纳米管阵列。
11.如权利要求10所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，采用所述拉伸工具选定所述螺旋形带状子碳纳米管阵列中的一碳纳米管片段，该碳纳米管片段的宽度等于该螺旋形带状子碳纳米管阵列的宽度。
12.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述筒状碳纳米管阵列表面形成有至少一个凹槽环绕该筒状碳纳米管阵列，该至少一个凹槽将所述筒状碳纳米管阵列分割成至少两个筒状子碳纳米管阵列。
13.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽处碳纳米管的高度为1～100微米。
14.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述预处理该筒状碳纳米管阵列的方法为激光刻蚀法。
15.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述采用拉伸工具拉伸形成一碳纳米管结构的过程中，所述基底原位旋转以补偿所述筒状碳纳米管阵列中碳纳米管的消耗。
16.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。
17.如权利要求16所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该方法进一步包括采用一有机溶剂处理所述碳纳米管膜，使该碳纳米管膜中的碳纳米管聚拢形成所述碳纳米管线。
18.如权利要求16所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，该方法进一步包括扭转所述碳纳米管膜，从而拉伸形成一扭转的碳纳米管线。”
富纳特公司认为：相对于对比文件1、2，权利要求1具有区别：a）使在该筒状碳纳米管阵列的表面形成至少一凹槽，该至少一凹槽沿该筒状碳纳米管阵列的轴向螺旋延伸；b）沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列。对于a）：首先，对比文件1、2均未揭示也无相关技术启示。对比文件1、2均未揭示在表面具有一凹槽，更未揭示凹槽的具体设置方式。其次，没有任何现有技术能够证明在碳纳米管阵列、丝或膜的领域中，筒状碳纳米管阵列表面形成该凹槽。再次，本发明的设置使得拉取时可以获得较大的具有固定尺寸的膜，且具有较长的长度。审查员需提供以下证据：1）在该筒状碳纳米管阵列表面形成凹槽是惯用技术；2）凹槽的具体设置方式是惯用技术。对于b）：对比文件1图2不是筒状碳纳米管阵列，谈不上沿径向拉伸。此外，由于对比文件1和2均未揭示基底原位旋转的特征，也没有任何现有技术能够证明该技术特征为“本领域的常规技术手段”，因而权利要求15具备创造性。
2014年7月4日，专利复审委员会作出第69185号复审请求审查决定（简称被诉决定）。该决定认定如下：
关于审查文本
被诉决定以富纳特公司于2009年12月11日提交的说明书第1-85段、说明书附图图1-10和说明书摘要、摘要附图，以及2014年4月23日提交的权利要求第1-18项为审查基础。
二、关于创造性
1、关于权利要求1
权利要求1要求保护一种碳纳米管结构的制备方法。对比文件1公开了一种超长定向碳纳米管丝（纳米管结构的下位概念）的制备方法（参见实施例3）：采用曲率半径为10μm石英纤维作为基板，然后将纤维放入移动床反应器中，在氢气和氩气的气氛下升温到反应温度800℃。然后通入催化剂前体溶液，原位分解形成催化剂，碳源催化裂解形成碳纳米管阵列；经过0.8hr后可以在石英纤维表面获得长度为0.3mm的阵列；取出长满阵列的石英纤维，保留阵列在其表面，直接采用拉伸工具镊子将碳纳米管阵列中选定一段包括多个碳纳米管管束（即碳纳米管片段）的一端牵引抽取直径为0.8μm碳纳米管束，通过以0.1cm/s的速度持续拉伸（即移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列），通过10min的拉伸，使碳纳米管管束沿拉伸方向形成直径为0.8μm、长度达到半米的超长定向碳纳米管丝（即拉取该选定的碳纳米管片段，从而形成一碳纳米管结构）。由于石英纤维表面长满碳纳米管阵列，因此本领域技术人员可以确定对比文件1中石英纤维表面的碳纳米管阵列也是筒状的，并且在拉伸过程中碳纳米管丝的一端连接拉伸工具镊子，另一端连接碳纳米管阵列。
权利要求1与对比文件1相比，区别在于：1）权利要求1限定了预处理碳纳米管阵列以在碳纳米管表面形成至少一凹槽、凹槽的延伸方向、凹槽处碳纳米管阵列的高度、凹槽将碳纳米管阵列分割成至少一子碳纳米管阵列以及选定与子碳纳米管阵列宽度相同的碳纳米管片段；2）权利要求1限定了沿筒状碳纳米管阵列的径向方向移动拉伸工具；3）权利要求1在拉伸过程中，在碳纳米管结构与筒状碳纳米管阵列的连接处，筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度，该角度大于等于0度，小于等于60度。
对于区别特征1），本领域公知可以根据所需宽度对薄膜进行切割，而为了得到所需尺寸的膜，“在拉膜前先对碳纳米管阵列进行切割，使阵列的表面形成至少一将阵列分割成至少一子碳纳米管阵列的凹槽（即预处理碳纳米管阵列）”或者“在拉膜后直接对膜进行切割”都是本领域的常规技术手段。而为了获得较长的纳米管结构且方便拉伸过程的进行，在筒状碳纳米管阵列表面形成至少一凹槽沿筒状阵列的轴向螺旋延伸是本领域的常规技术手段。根据需要，使切割处的碳纳米管完全烧蚀或部分烧蚀以形成凹槽，只要保证其不会在拉膜过程中被拉出，进而保证不希望参与拉膜的碳纳米管不参与拉膜，也是本领域技术人员容易想到的，而凹槽处碳纳米管阵列的高度是本领域技术人员经过有限的常规实验就能够合理确定的。在拉膜过程中为了使阵列中的碳纳米管均匀消耗，选择宽度与子碳纳米管阵列的宽度相同的碳纳米管片段进行拉取也是本领域技术人员容易想到的操作方法。
对于区别特征2），为了实现快速有效的拉伸，对于筒状物体沿径向方向拉伸是本领域的常规技术手段。同时参考对比文件1图2，也可看出是沿径向方向拉伸。
对于区别特征3），对比文件2公开了一种通过拉伸碳纳米管阵列来制备碳纳米管薄膜的方法，该方法在拉伸过程中拉伸装置拉伸碳纳米管膜的方向与碳纳米管阵列的生长方向之间的夹角为30－90°（参见对比文件2的权利要求20），即拉伸装置拉伸碳纳米管膜的方向与碳纳米管阵列的切面成0－60°。由于该特征在对比文件2中和在涉案专利申请中所起的作用相同，都是为了既能有效地使碳纳米管束脱离开基体又防止碳纳米管在拉伸过程中损坏，因此本领域技术人员有动机使用对比文件2中的方法对对比文件1中的技术方案进行改进。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到权利要求1的技术方案是显而易见的。因此，权利要求1不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
2、对于权利要求2：根据对比文件1公开的内容，本领域技术人员可以确定对比文件1中的“一段包括多个碳纳米管管束”即为“碳纳米管片段”，且其由碳纳米管阵列中的一个或相邻的多个碳纳米管组成。因此，权利要求2的附加技术特征已被对比文件1公开。在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，从属权利要求2也不具备创造性。
3、对于权利要求3：根据对比文件1公开的内容，本领域技术人员可以确定石英纤维基体包括至少一柱面，且对比文件1的阵列制备方法为化学气相沉积法。所不同的是，权利要求3是先在基底柱面上形成催化剂层再进行气相沉积反应，而对比文件1中的催化剂是在气相沉积反应的过程中通入反应器的。
对于该区别，对比文件2还公开了一种超顺排碳纳米管阵列的制备方法：采用化学气相沉积法，其具体步骤包括：提供一平整基底，该基底可选用P型或N型硅基底，或选用形成有氧化层的硅基底，本实施例优选为采用4英寸的硅基底；在基底表面均匀形成一催化剂层；将上述形成有催化剂层的基底在空气中退火；将处理过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热，然后通入碳源气体反应，生长得到超顺排碳纳米管阵列；该超顺排碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列，其高度为200～400微米；通过上述控制生长条件，该超顺排碳纳米管阵列中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等；该碳纳米管阵列中的碳纳米管彼此通过范德华力紧密接触形成阵列（参见说明书第4页最后1段）。即对比文件2公开了一种制备基本不含杂质的超顺排碳纳米管阵列的方法，且本领域技术人员公知阵列的杂质含量和结构对最终得到产物的结构和性能有一定影响。为了得到性能较好的最终产品，本领域技术人员有动机使用对比文件2中的阵列制备方法对对比文件1中的技术方案进行改进，从而得到在基底柱面上生长的基本不含杂质的超顺排碳纳米管阵列。因此在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，从属权利要求3也不具备创造性。
4、对于权利要求4：根据对比文件1公开的“曲率半径为10μm石英纤维”，本领域技术人员可以确定对比文件1中的石英纤维具有圆柱面，而使用带有椭圆柱面或具有导角的棱柱面的基体用于制备碳纳米管阵列也是本领域技术人员根据实际需求容易选择的。因此在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，从属权利要求4也不具备创造性。
5、对于权利要求5：对比文件1公开了石英基底，对比文件2公开了P型硅基底、N型硅基底或形成有氧化层的硅基底，而使用金属基底、耐高温玻璃基底用于制备碳纳米管阵列也是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，从属权利要求5也不具备创造性。
6、对于权利要求6：由对比文件1公开的“曲率半径为10μm石英纤维”，本领域技术人员容易想到采用实心柱体或者筒状体，而该实心柱体或筒状体的外周面形成柱面。因此在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，从属权利要求6也不具备创造性。
7、对于权利要求7：为了使得到的碳纳米管结构有较大的宽度，且在拉伸开始时方便选取碳纳米管片段，在筒状基体上设置一平行于筒状体轴向的开口，并在开口的边缘处选定碳纳米管片段也都是本领域技术人员容易想到的。因此在其引用的权利要求6不具备创造性的基础上，从属权利要求7也不具备创造性。
8、对于权利要求8：为了使得到的碳纳米管结构有较大的宽度，使被选定的碳纳米管片段的宽度为所述柱面的轴向的长度是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，从属权利要求8也不具备创造性。
9、对于权利要求9：对比文件2已经公开了该超顺排碳纳米管阵列为多个彼此平行（即基本平行）且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列，其高度为200－400微米（在100－900微米范围内）（参见说明书第4页最后1段）。为了提高最终产物的性能，本领域技术人员容易想到使用对比文件2的气相沉积方法对对比文件1的技术方案进行改进，从而得到包括多个基本相互平行的碳纳米管，且高度在一定数值范围内的筒状碳纳米管阵列。因此在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，从属权利要求9也不具备创造性。
10、对于权利要求10和11：为了使用一个阵列制备多个碳纳米管结构，使用凹槽将筒状碳纳米管阵列分割成至少一个呈连续的螺旋形缠绕在基底表面的带状子碳纳米管阵列是本领域技术人员容易想到的。根据对比文件1公开的内容，本领域技术人员可以确定对比文件1也是使用拉伸工具选定碳纳米管阵列中的一碳纳米管片段。而采用所述拉伸工具选定螺旋形带状子碳纳米管阵列中的一碳纳米管片段，以及为了得到一定宽度的碳纳米管结构，使碳纳米管片段的宽度等于螺旋形带状子碳纳米管阵列的宽度也都是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求10和11也不具备创造性。
11、对于权利要求12：为了得到不同尺寸的碳纳米管结构且方便拉伸过程的进行，在筒状碳纳米管阵列表面形成至少一个凹槽环绕该筒状碳纳米管阵列是本领域的常规技术手段。而为了使用一个阵列制备多个碳纳米管结构，使用至少一个凹槽将筒状碳纳米管阵列分割成至少两个筒状子碳纳米管阵列也是本领域技术人员容易想到的。因此在其引用的权利要求10不具备创造性的基础上，从属权利要求12也不具备创造性。
12、对于权利要求13－15：本领域技术人员公知激光束聚集了很高的能量，能够将碳纳米管烧蚀，本领域技术人员容易想到根据需要，将切割处的碳纳米管完全烧蚀或部分烧蚀，只要保证其不会在拉膜过程中被拉出也是本领域技术人员容易想到的，而凹槽处碳纳米管阵列的高度是本领域技术人员经过有限的常规实验就能够合理确定的；以及为了在拉伸过程中保持拉伸方向与碳纳米管的切面方向角度不变，使基底原位旋转以补偿所述筒状碳纳米管阵列中碳纳米管的消耗，这些都是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求13－15也不具备创造性。
13、对于权利要求16－18：对比文件1已经公开了碳纳米管丝（即碳纳米管线）（参见实施例3），对比文件1还公开了“在拉伸时抽取多束碳纳米管管束拉伸成膜（即碳纳米管膜）”（参见说明书第2页第11行）。为了得到不同形态的碳纳米管线产物，通过有机溶剂处理碳纳米管膜，使其中的碳纳米管聚拢形成碳纳米管线，以及通过扭转碳纳米管膜，拉伸形成一扭转的碳纳米管线也都是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求16－18也不具备创造性。
三、关于富纳特公司的意见陈述
本领域公知可以根据所需宽度对薄膜进行切割，而为了得到所需尺寸的膜，“在拉膜前先对碳纳米管阵列进行切割，使阵列的表面形成至少一将阵列分割成至少一子碳纳米管阵列的凹槽（即预处理碳纳米管阵列）”或者“在拉膜后直接对膜进行切割”，或者“为了使拉制的膜更长而使凹槽的方向沿轴向螺旋延伸”，都是本领域的常规技术手段。
至于对比文件1中的图2不是筒状碳纳米管阵列，谈不上沿径向拉伸的观点，对比文件1的图2所示为从碳纳米管阵列的一端通过镊子连续拉伸形成碳纳米管丝的示意图，由图可以直接、毫无疑义地确定得出沿径向方向拉伸，虽然说明书记载使用二氧化硅基板作为基底，且二氧化硅片基底可以视为曲率半径无穷大，但即便是曲率半径无穷大也可视作存在径向方向，而对于曲率半径非无穷大的曲面，也可将每排沿轴向延伸的碳纳米管看作是生长在切面（平面）上。
实际上，涉案专利申请将制膜领域的常规技术手段应用于碳纳米管阵列膜的拉制这一特定的范畴，并根据碳纳米管阵列膜的拉制特点进行适当的调整，是本领域技术人员容易实现的，在对比文件1已经给出从碳纳米管阵列中选定一段进行牵引、拉伸的基础上，上述调整不具备突出的实质性特点。
综上，专利复审委员会作出被诉决定：国家知识产权局于2012年10月9日对涉案专利申请作出的驳回决定。
富纳特公司不服被诉决定，向北京市第一中级人民法院提起行政诉讼。
上述事实有被诉决定、涉案专利申请文本、对比文件1、对比文件2及当事人陈述等证据在案佐证。
北京市第一中级人民法院认为：
一、关于权利要求1的创造性
涉案专利申请请求保护一种碳纳米管结构的制备方法，其将制膜领域的常规技术手段应用于拉制碳纳米管阵列膜，并根据碳纳米管阵列膜的特点进行适当的调整。对比文件1公开了一种超长定向碳纳米管丝/薄膜及其制备方法。经比对，涉案专利申请权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：1、权利要求1限定了预处理碳纳米管阵列以在碳纳米管表面形成至少一凹槽、凹槽的延伸方向、凹槽处碳纳米管阵列的高度、凹槽将碳纳米管阵列分割成至少一子碳纳米管阵列以及选定与子碳纳米管阵列宽度相同的碳纳米管片段；2、权利要求1限定了沿筒状碳纳米管阵列的径向方向移动拉伸工具；3、权利要求1在拉伸过程中，在碳纳米管结构与筒状碳纳米管阵列的连接处，筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度，该角度大于等于0度，小于等于60度。
关于区别技术特征1，为了得到所需尺寸的膜,本领域技术人员均知晓,“在拉膜前先对碳纳米管阵列进行切割，使阵列的表面形成至少一将阵列分割成至少一子碳纳米管阵列的凹槽（即预处理碳纳米管阵列）”或者“在拉膜后直接对膜进行切割”。而为了获得较长的纳米管结构且方便拉伸过程的进行，在筒状碳纳米管阵列表面形成至少一凹槽沿筒状阵列的轴向螺旋延伸是本领域的常规技术手段。同时，使切割处的碳纳米管完全烧蚀或部分烧蚀以形成凹槽也是本领域技术人员容易想到的。至于凹槽处碳纳米管阵列的高度是本领域技术人员经过有限的常规实验就能够合理确定的。在拉膜过程中为了使阵列中的碳纳米管均匀消耗，选择宽度与子碳纳米管阵列的宽度相同的碳纳米管片段进行拉取也是本领域技术人员容易想到的操作方法。关于区别技术特征2，沿径向方向拉伸是本领域技术人员常用的常规技术手段。关于区别技术特征3，对比文件2公开了一种通过拉伸碳纳米管阵列来制备碳纳米管薄膜的方法，该方法在拉伸过程中拉伸装置拉伸碳纳米管膜的方向与碳纳米管阵列的生长方向之间的夹角为30－90度。本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到结合对比文件2从而得到涉案专利申请权利要求1的技术方案。因此，权利要求1相对于对比文件1结合对比文件2及本领域的常规技术手段不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。
二、关于权利要求2-18的创造性
关于权利要求2，对比文件1公开的“一段包括多个碳纳米管管束”即为“碳纳米管片段”，且其由碳纳米管阵列中的一个或相邻的多个碳纳米管组成。因此，权利要求2的附加技术特征已被对比文件1公开，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2也不具备创造性。
关于权利要求3，对比文件2公开了一种制备基本不含杂质的超顺排碳纳米管阵列的方法，且本领域技术人员公知阵列的杂质含量和结构对最终得到产物的结构和性能有一定影响。为了得到性能较好的最终产品，本领域技术人员有动机使用对比文件2中的阵列制备方法对对比文件1中的技术方案进行改进，从而得到在基底柱面上生长的基本不含杂质的超顺排碳纳米管阵列。因此,在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求3也不具备创造性。
关于权利要求4，根据对比文件1公开的“曲率半径为10μm石英纤维”，本领域技术人员可以确定对比文件1中的石英纤维具有圆柱面，而使用带有椭圆柱面或具有导角的棱柱面的基体用于制备碳纳米管阵列也是本领域技术人员根据实际需求容易选择的。因此，在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，权利要求4也不具备创造性。
关于权利要求5，对比文件1公开了石英基底，对比文件2公开了P型硅基底、N型硅基底或形成有氧化层的硅基底，而使用金属基底、耐高温玻璃基底用于制备碳纳米管阵列也是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，权利要求5也不具备创造性。
关于权利要求6，由对比文件1公开的“曲率半径为10μm石英纤维”，本领域技术人员容易想到采用实心柱体或者筒状体，而该实心柱体或筒状体的外周面形成柱面。因此，在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，权利要求6也不具备创造性。
关于权利要求7，为了使得到的碳纳米管结构有较大的宽度，且在拉伸开始时方便选取碳纳米管片段，在筒状基体上设置一平行于筒状体轴向的开口，并在开口的边缘处选定碳纳米管片段也都是本领域技术人员容易想到的。因此，在其引用的权利要求6不具备创造性的基础上，权利要求7也不具备创造性。
关于权利要求8，为了使得到的碳纳米管结构有较大的宽度，使被选定的碳纳米管片段的宽度为所述柱面的轴向的长度是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，权利要求8也不具备创造性。
关于权利要求9，对比文件2公开了该超顺排碳纳米管阵列为多个彼此平行（即基本平行）且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列，其高度为200－400微米（在100－900微米范围内）。为了提高最终产物的性能，本领域技术人员容易想到使用对比文件2的气相沉积方法对对比文件1的技术方案进行改进，从而得到包括多个基本相互平行的碳纳米管，且高度在一定数值范围内的筒状碳纳米管阵列。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求9也不具备创造性。
关于权利要求10和11，为了使用一个阵列制备多个碳纳米管结构，使用凹槽将筒状碳纳米管阵列分割成至少一个呈连续的螺旋形缠绕在基底表面的带状子碳纳米管阵列是本领域技术人员容易想到的。根据对比文件1公开的内容，本领域技术人员可以确定对比文件1也是使用拉伸工具选定碳纳米管阵列中的一碳纳米管片段。而采用所述拉伸工具选定螺旋形带状子碳纳米管阵列中的一碳纳米管片段，以及为了得到一定宽度的碳纳米管结构，使碳纳米管片段的宽度等于螺旋形带状子碳纳米管阵列的宽度也都是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求10、11也不具备创造性。
关于权利要求12，为了得到不同尺寸的碳纳米管结构且方便拉伸过程的进行，在筒状碳纳米管阵列表面形成至少一个凹槽环绕该筒状碳纳米管阵列是本领域的常规技术手段。而为了使用一个阵列制备多个碳纳米管结构，使用至少一个凹槽将筒状碳纳米管阵列分割成至少两个筒状子碳纳米管阵列也是本领域技术人员容易想到的。因此，在其引用的权利要求10不具备创造性的基础上，权利要求12也不具备创造性。
关于权利要求13－15，本领域技术人员公知激光束聚集了很高的能量，能够将碳纳米管烧蚀，本领域技术人员容易想到根据需要，将切割处的碳纳米管完全烧蚀或部分烧蚀，只要保证其不会在拉膜过程中被拉出也是本领域技术人员容易想到的，而凹槽处碳纳米管阵列的高度是本领域技术人员经过有限的常规实验就能够合理确定的；以及为了在拉伸过程中保持拉伸方向与碳纳米管的切面方向角度不变，使基底原位旋转以补偿所述筒状碳纳米管阵列中碳纳米管的消耗，这些都是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求13－15也不具备创造性。
关于权利要求16－18，对比文件1公开了碳纳米管丝（即碳纳米管线），还公开了“在拉伸时抽取多束碳纳米管管束拉伸成膜（即碳纳米管膜）”。为了得到不同形态的碳纳米管线产物，通过有机溶剂处理碳纳米管膜，使其中的碳纳米管聚拢形成碳纳米管线，以及通过扭转碳纳米管膜，拉伸形成一扭转的碳纳米管线也都是本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求16－18也不具备创造性。
综上所述，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，程序合法。据此，依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：驳回富纳特公司的诉讼请求。
富纳特公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求撤销一审判决和被诉决定，由专利复审委员会承担本案一、二审全部诉讼费用。其主要上诉理由是：第一，涉案专利申请权利要求1具备创造性。区别特征1并非本领域的常规技术手段，被诉决定认定该区别特征为本领域的常规技术手段，缺乏依据。第二，在权利要求1具备创造性的前提下，其从属权利要求2-18亦具备创造性。第三，权利要求13将凹槽处碳纳米管阵列的高度选择为1-100微米，可以得到宽度一致且碳纳米管密度均匀的碳纳米管结构，具有预料不到的技术效果。因此，权利要求13也具备创造性。被诉决定认定凹槽处碳纳米管阵列的高度是本领域技术人员经过有限的常规实验就能够合理确定，缺乏依据，综上，被诉决定认定事实及适用法律均有错误，应当予以撤销。一审判决维持被诉决定亦属错误，应当一并撤销。
专利复审委员会服从一审判决。
本院审理查明，一审法院查明的事实属实，依法予以确认。
另查，各方当事人在二审庭审中均认可被诉决定系以对比文件1中实施例3的技术方案作为评价权利要求1是否具备创造性的最接近的现有技术。
本院认为：
专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指同现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。”
本案关于涉案专利申请权利要求1的争议焦点是该权利要求相对于对比文件1、2和本领域常规技术手段的结合是否具备创造性。被诉决定和一审判决均认定权利要求1不具备创造性，富纳特公司认为该权利要求具备创造性。
被诉决定和一审判决认定权利要求1与对比文件1（具体为实施例3的技术方案）的区别技术特征为：1、权利要求1限定了预处理碳纳米管阵列以在碳纳米管表面形成至少一凹槽、凹槽的延伸方向、凹槽处碳纳米管阵列的高度、凹槽将碳纳米管阵列分割成至少一子碳纳米管阵列以及选定与子碳纳米管阵列宽度相同的碳纳米管片段；2、权利要求1限定了沿筒状碳纳米管阵列的径向方向移动拉伸工具；3、权利要求1在拉伸过程中，在碳纳米管结构与筒状碳纳米管阵列的连接处，筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度，该角度大于等于0度，小于等于60度。被诉决定和一审判决进一步认定上述区别特征1、2为本领域的常规技术手段，区别特征3被对比文件2公开。
富纳特公司对于被诉决定和一审判定关于区别特征的概括和区别特征2、3的评述均无异议，本院经审查予以确定。针对权利要求1的争议焦点是区别特征1是否是本领域的常规技术手段。该区别特征所实现的技术效果和解决的技术问题是获取尽量长的碳纳米管结构。专利复审委员会和一审法院均认定该区别特征为本领域的常规技术手段，但是并未举证证明，亦未充分、合理说明理由,本院无法采信。经查，对比文件1中实施例3的技术方案是采用镊子夹住若干碳纳米管管束的一端进行持续拉伸，形成超长定向碳纳米管丝。但是，该技术方案并未教导本领域技术人员采用区别特征1的手段来获得尽量长的碳纳米管结构，也没有证据证明该区别特征为本领域的常规手段。本领域技术人员在对比文件1实施例3的技术方案的基础上，在没有客观技术启示的情况下，不付出创造性的劳动，难以想到采取区别特征1的手段来实现获得尽量长的碳纳米管结构的技术目的。综上，涉案专利申请权利要求1相对于对比文件1、2和本领域常规技术手段的结合具备创造性。
在权利要求1具备创造性的基础上，其从属权利要求2-18也具备创造性。
综上所述，一审判决和被诉决定认定事实错误，适用法律错误，应当予以撤销。富纳特公司的上诉理由成立，对其上诉请求，本院予以支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第（一）项、第八十九条第一款第（二）项、第三款之规定，判决如下：
一、撤销北京市第一中级人民法院（2015）一中行（知）初字第1183号行政判决；
二、撤销国家知识产权局专利复审委员会第69185号复审请求审查决定；
三、国家知识产权局专利复审委员会就北京富纳特创新科技有限公司针对申请号为200910250642.6、名称为“碳纳米管结构的制备方法”的发明专利申请提出的复审请求重新作出决定。
一、二审案件受理费各一百元，均由国家知识产权局专利复审委员会负担（于本判决生效之日起七日内交纳）。
本判决为终审判决。
审 判 长 刘 辉
审 判 员 刘庆辉
代理审判员 毛天鹏
二〇一七年五月四日
书 记 员 刘宗睿