北京知识产权法院行 政 判 决 书（2018）京73行初1025号原告:苏州壹世通科技有限公司，住所地江苏省苏州工业园区娄葑星湖街******。法定代表人：胡英，总经理。委托诉讼代理人：王萌，北京允天律师事务所律师。委托诉讼代理人：张俊杰，北京允天律师事务所律师。被告：国家知识产权局，住所地北，住所地北京市海淀区蓟门桥西土城路**v>法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：牛晓丽，国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：袁丽颖，国家知识产权局审查员。第三人：美光半导体销售（上海）有限公司，住所地中，住所地中国（上海）自由贸易试验区台中南路**新贸楼第****v>法定代表人：凯·斯托贝克，董事长。委托诉讼代理人冯斐斐，北京世宁律师事务所律师。委托诉讼代理人刘永全，北京世宁律师事务所律师。原告苏州壹世通科技有限公司（简称壹世通公司）因发明专利权无效行政纠纷一案，不服原国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2017年8月21日作出的第33187号无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2018年1月25日受理后，依法组成合议庭，并通知美光半导体销售（上海）有限公司（简称美光公司）作为本案第三人参加诉讼。本院于2020年3月19日公开开庭审理了本案。原告壹世通公司的委托诉讼代理人王萌、张俊杰，被告国家知识产权局的委托诉讼代理人牛晓丽、袁丽颖，第三人美光公司的委托诉讼代理人冯斐斐、刘永全到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会就美光公司针对壹世通公司拥有的专利号为200710171786．3、名称为“一种数据块的磨损处理方法和装置”的发明专利（简称本专利）提出的无效宣告请求而作出的。被诉决定认为：本专利权利要求1-10不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款规定的创造性，故决定宣告本专利权无效。原告壹世通公司不服被诉决定，于法定期限内向本院提起诉讼称：本专利具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。综上，请求法院撤销被诉决定，并判令被告重新作出决定。被告国家知识产权局辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，请求法院驳回原告的诉讼请求。第三人美光公司述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本专利为专利号为200710171786．3、名称为“一种数据块的磨损处理方法和装置”的发明专利，申请日为2007年12月5日，授权公告日为2010年2月24日，专利权人为壹世通公司。本专利授权公告时权利要求书如下：“1．一种数据块的磨损处理方法，该数据块位于闪存阵列的其中一个闪存模块中，闪存阵列是由多个闪存模块构成的，包括：在对数据块进行操作时，记载其磨损记录；当数据块的磨损记录到达临界值时，将位于同一闪存模块或者不同闪存模块中的一个或多个空白的数据块作为备用存储空间；更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射；将该数据块上的数据转移到该备用存储空间中。2．根据权利要求1所述的数据块的磨损处理方法，其特征在于，该磨损记录记载在每一个数据块中或者记载在一个预设的存储空间。3．一种数据块的磨损处理方法，该数据块位于闪存阵列的其中一个闪存模块中，闪存阵列是由多个闪存模块构成的，包括：在对数据块进行操作时，记载其磨损记录；当数据块的磨损记录到达临界值时，将同一闪存模块或不同闪存模块中的数据块作为替换块，并确定替换块的逻辑地址和物理地址；更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射；对该数据块和该替换块交换数据。4．根据权利要求3所述的数据块的磨损处理方法，其特征在于，将闪存模块中磨损记录最少的数据块确定为该替换块。5．根据权利要求3所述的数据块的磨损处理方法，其特征在于，该磨损记录记载在每一个数据块中或者记载在一个预设的存储空间。6．一种数据块的磨损处理装置，该装置位于闪存阵列中，闪存阵列是由多个闪存模块构成的，该装置包括：磨损记录记载模块，在对闪存模块中的数据块进行操作时记载其磨损记录；临界判断模块，判断数据块的磨损记录是否到达临界值；备用存储空间确定模块，在该临界判断模块判断出数据块到达临界值时将位于同一闪存模块或者不同闪存模块中的一个或多个空白的数据块作为备用存储空间；块映射更新模块，更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射；数据转移模块，将该数据块中的数据转移到该备用存储空间。7．根据权利要求6所述的数据块的磨损处理装置，其特征在于，该磨损记录记载模块将该磨损记录记载在每一数据块中或者该磨损记录记载模块将该磨损记录记载在一个预设的存储空间。8．一种数据块的磨损处理装置，该装置位于闪存阵列中，闪存阵列是由多个闪存模块构成的，该装置包括：磨损记录记载模块，在对数据块进行操作时记载其磨损记录；临界判断模块，判断数据块的磨损记录是否到达临界值；替换块确定模块，在该临界判断模块判断出数据块到达临界值时，将同一闪存模块或不同闪存模块中的数据块作为替换块，并确定替换块的逻辑地址和物理地址；块映射更新模块，更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射；数据交换模块，对该数据块和该替换块交换数据。9．根据权利要求8所述的数据块的磨损处理装置，其特征在于，该替换块确定模块将磨损记录最少的数据块确定为该替换块。10．根据权利要求8所述的数据块的磨损处理装置，其特征在于，该磨损记录记载模块将该磨损记录记载在每一数据块中或者该磨损记录记载模块将该磨损记录记载在一个预设的存储空间。”美光公司于2017年3月15日向专利复审委员会提出了无效宣告请求，同时提交了如下证据：证据1：公开号为CN1720590A的中国发明专利申请公开说明书，公开日为2006年1月11日。证据1公开了一种非易失性存储系统中的自动磨损平衡的方法，并具体公开了如下内容（参见证据1说明书第6页倒数第1-2段、第7页倒数第1段、第9页倒数第1段、第10页倒数第2段至第11页倒数第2段、第14页倒数第2段，图1b）：尽管本文所描述的实施例描述基于非易失性的存储系统，但本发明的各方面可适用于任何类型的易受磨损的存储介质。存储介质可为闪存存储系统。在一实施例中，可在单一芯片或晶粒上、或者可基于一多芯片模块或基于多个分散式组件而实施非易失性存储装置120。存储装置120包含控制系统128和存储器124，存储器124包含存储单元阵列11，在一特定实施例中阵列11划分成大量的块0-N存储单元，每个块划分成大量页面。一个页面可包含用户数据和开销数据，开销数据也可包括用户数据的逻辑地址、页面和/或块的物理地址、地址映射信息、地址映射信息擦除循环的数量和/或其他统计资料或数据。可将部分或全部开销数据存储于每个页面中，或者存储于每一块内的特定位置中，或甚至存储于一个与所述用户数据相分离的块中。在擦除-汇集磨损平衡方案中，可将一区中的受磨损最多的物理位置的内容移动到所述相同区中被擦除的物理位置，以减轻受磨损最多的物理位置磨损的速率。一般而言，当满足一触发条件时，可自动启动一磨损平衡处理，所述触发条件可为：预定时间段的末端，或当一个或一个以上物理位置的循环计数达到一个相对或绝对的临限级。将映射信息加以更新。证据1公开了（参见证据1说明书第15页第3段至第16页第2段）：将存储于具有最高热计数的物理位置中的一个或一个以上的扇区识别为一扇区组“A”，将存储于具有最低热计数的物理位置中的一个或一个以上的扇区识别为一扇区组“B”。一旦识别出扇区组“A”和扇区组“B”，便可相对于具有最高和最低热计数的物理位置而执行磨损平衡处理。将扇区组“A”从具有最高热计数的物理区域复制到备用区或存储器内当前大体上未存储任何信息的区域中，之后将扇区组“A”相关联的物理位置进行擦除。将扇区组“B”复制到先前由扇区组“A”所占据的物理位置中。一旦将扇区组“B”加以复制，就可擦除其物理位置，之后，将存储于备用区中的扇区组“A”复制到先前由扇区组“B”所占据的物理位置中。证据1说明书第4页倒数第2段记载：“备用存储空间通常是一个或多个空白的数据块。”证据1说明书第4页具体实施方式的第4段记载了：“磨损记录可以是该数据块上读数据的次数、写数据的次数或者读写数据的次数。”证据1说明书第14页倒数第3段记载了：“…循环计数通常追踪与特定物理位置306相关联的擦除和写入循环的数量。”证据2：专利号为US5633824A的美国专利文献及其中文译文，授权日为1997年5月27日；证据3：公开号为US2005/0204187A1的美国专利文献及其中文译文，公开日为2005年9月15日；证据4：公开号为CN1701308A的中国发明专利申请公开说明书，公开日为2005年11月23日。经形式审查合格，专利复审委员会于2017年3月15日受理了上述无效宣告请求，同时成立合议组对本案进行审查。美光公司针对上述无效宣告请求于2017年4月13日提交了补充意见。壹世通公司针对上述无效宣告请求于2017年4月26日提交了意见陈述书。壹世通公司针对上述无效宣告请求的补充意见于2017年6月19日提交了意见陈述书，同时提交了以下证据：反证1：前述证据3的部分中文译文；反证2：授权公告号为CN101246429B的中国发明专利，公告日为2013年2月13日。2017年7月5日，专利复审委员会举行口头审理，双方当事人均出席。在上述程序的基础上，专利复审委员会于2017年8月21日作出被诉决定。在本案诉讼过程中，壹世通公司向本院提交了如下证据：《现代汉语图解词典》相关页、《现代汉语规范词典》相关页、维基百科上关于存储结构的解释及中文译文、美光公司关于NAND存储的磨损平衡技术的说明及其中文译文、美国第US12746719号专利审查历史文档-第一次审查意见通知书2012年8月30日及翻译、美国第US12746719号专利审查历史文档-申请人答复意见2013年3月7日及翻译、美国第US12746719号专利审查历史文档-申请人修改及答复2013年5月13日及翻译、美国第US12746719号专利审查历史文档-第二次审查意见通知书及翻译、本专利历史审查文档及实审阶段的对比文件1US6230233B、壹世通公司的闪存阵列产品照片、壹世通公司产品所对应的专利CN101825994B、《计算机组成原理》相关页、《微机系统与接口技术》相关页、美光公司芯片版本变更过程、本专利与对比文件1方案的模拟现实对比。在本案诉讼过程中，美光公司向本院提交了如下证据：《现代汉语规范词典》相关页、壹世通公司在无效宣告程序中提交的意见陈述书、证据1的国际公开文本。另查，根据中央机构改革部署，原国家知识产权局专利局、专利复审委员会的相关职责由国家知识产权局统一行使。上述事实，有被诉决定、本专利授权公告文本、证据1、当事人在诉讼中补充提交的证据材料及当事人陈述等在案佐证。本院认为：结合各方当事人的诉辩主张，本案主要的争议焦点在于本专利是否具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。权利要求1保护一种数据块的磨损处理方法，证据1公开了一种非易失性存储系统中的自动磨损平衡的方法，根据本院对证据1具体公开内容的查明可知，权利要求1保护的方案与证据1相比区别技术特征为：权利要求1中的方案是先更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射，然后将该数据块上的数据转移到该备用存储空间中。其实际解决的技术问题是如何进行数据存储地址的映射。然而，先更新映射信息后进行数据转移，或者先进行数据转移后进行映射信息更新，都是数据存储领域常用的处理方式，本领域技术人员可以基于实际需求进行选择，由此所产生的效果也是可以预期的。因此，上述区别技术特征属于公知常识，本领域技术人员在证据1公开的上述内容的基础上结合本领域公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1相对于证据1与公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。关于权利要求2，根据本院对证据1具体公开内容的查明可知，可将部分或全部开销数据存储于每个页面中，或者存储于每一块内的特定位置中，或甚至存储于一个与所述用户数据相分离的块中。由此可见，权利要求2的附加技术特征被证据1公开了，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。权利要求3保护一种数据块的磨损处理方法，证据1公开了一种非易失性存储系统中的自动磨损平衡的方法。根据本院对证据1具体公开内容的查明可知，权利要求3保护的方案与证据1相比区别技术特征为：权利要求3中的方案是先更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射，然后将该数据块上的数据转移到该备用存储空间中。其实际解决的技术问题是如何进行数据存储地址的映射。然而，先更新映射信息后进行数据转移，或者先进行数据转移后进行映射信息更新，都是数据存储领域常用的处理方式，本领域技术人员可以基于实际需求进行选择，由此所产生的效果也是可以预期的。因此，上述区别技术特征属于公知常识，本领域技术人员在证据1公开的上述内容的基础上结合本领域公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求3相对于证据1与公知常识的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。关于权利要求4，根据本院对证据1具体公开内容的查明可知，将最低热计数的物理位置中的一或一个以上的扇区识别为扇区组“B”。由此可见，权利要求4的附加技术特征被证据1公开了，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求4也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。关于权利要求5，根据本院对证据1具体公开内容的查明可知，可将部分或全部开销数据存储于每个页面中，或者存储于每一块内的特定位置中，或甚至存储于一个与所述用户数据相分离的块中。由此可见，权利要求5的附加技术特征被证据1公开了，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求5也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。权利要求6-10是与权利要求1-5相应的装置权利要求，基于评述权利要求1-5相类似的理由，权利要求6-10也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定相关认定正确，本院依法予以确认。壹世通公司主张，证据1没有公开“由闪存模块组成的闪存阵列”这一技术特征。对此本院认为，首先，证据1和本专利均属于非易失存储领域，技术领域相同。本专利是应用于闪存装置的数据块磨损处理方法和装置，独立权利要求1、3均记载了闪存模块以及由多个闪存模块构成的闪存阵列。而无论是闪存模块还是闪存阵列均属于非易失性存储系统。证据1公开了，尽管本文所描述的实施例描述基于非易失性的存储系统，但本发明的各方面可适用于任何类型的易受磨损的存储介质。非易失性存储装置120包含非易失性存储器124和存储控制系统128。在一实施例中，可在单一芯片或晶粒上实施非易失性存储装置120，或者可基于一多芯片模块或基于多个分散式组件而实施非易失性存储装置120。因此，本领域技术人员通过证据1的上述公开内容，能够认定证据1公开了本专利的“由闪存模块组成的闪存阵列”这一技术特征。此外，无论是单一闪存模块还是多个闪存模块构成的闪存阵列均属于现有技术中常见的非易失存储装置，本专利也并未描述单一闪存模块和闪存阵列相对于现有技术有何不同。因此，即使认定证据1未公开“由闪存模块组成的闪存阵列”，本领域技术人员也容易想到这一技术特征属于现有技术中的公知常识。壹世通公司的主张没有事实依据，本院不予支持。壹世通公司主张，“先更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射，后将该数据块上的数据转移到该备用存储空间中”不属于本领域公知常识。对此本院认为，本专利说明书记载“备用存储空间通常是一个或多个空白的数据块”，并未进一步限定空白的数据块。本领域技术人员可以理解，如果一个数据块中未存储数据，则可以认为是空白的数据块，从而可以用于存储数据。进一步地，如果一个物理位置存储的数据被擦除，则该物理位置可以认为是一个空白的数据块。因此，任何被擦除的未存储数据的物理位置均可以用作作为备用存储空间的空白数据块，而与该物理位置被擦除之前是否被读写或是否存储有数据无关。被诉决定中将“被擦除的物理位置”认定为相当于“空白的数据块”并无不妥。本领域技术人员可以理解，在非易失存储装置中进行数据块上数据的转移或交换操作时，通常涉及更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射，使得更新后的映射能够正确反映执行数据转移或交换操作后所在物理位置。本专利采用“先更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射，后将该数据块上的数据转移到该备用存储空间中”的方式，但本领域技术人员可以理解的是，先更新物理地址和逻辑地址的映射再进行数据转移，或者先进行数据转移再更新物理地址和逻辑地址的映射，均为数据存储领域常规的处理方式，属于本领域公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。并且本专利采用先更新物理地址和逻辑地址的映射再进行数据转移的方式并未产生与该方式相对应的预料之外的有益效果。因此，“先更新数据块的物理地址和逻辑地址的映射，后将该数据块上的数据转移到该备用存储空间中”属于本领域公知常识。壹世通公司的主张没有事实依据，本院不予支持。壹世通公司主张，证据1没有公开“当数据块的磨损记录到达临界值时”这一技术特征。对此本院认为，本专利说明书中并未明确记载临界值的定义，在说明书第4页具体实施方式的第4段记载了“磨损记录可以是该数据块上读数据的次数、写数据的次数或者读写数据的次数”。因此，“当数据块的磨损记录到达临界值时”可以解释为：当数据块上读数据的次数、写数据的次数或者读写数据的次数到达临界值时。证据1说明书记载了“在擦除-汇集磨损平衡方案中，可将一区中的受磨损最多的物理位置的内容移动到所述相同区中被擦除的物理位置，以减轻受磨损最多的物理位置磨损的速率”“当满足一触发条件时，可自动启动一磨损平衡处理，所述触发条件可为：预定时间段的末端，或当一个或一个以上物理位置的循环计数达到一个相对或绝对的临限级”“…循环计数通常追踪与特定物理位置306相关联的擦除和写入循环的数量”。因此，上述触发条件可以解释为：当一个或一个以上物理位置的擦除和写入循环的数量达到一个相对或绝对的临限级。证据1中的该触发条件公开了本专利中“当数据块的磨损记录到达临界值时”。壹世通公司认为临界值是指本专利说明书中并未明确记载的数据块的读写极值，即便如此，该数据块的读写极值也属于证据1中“物理位置的循环计数达到一个相对或绝对的临限级”的其中一种情形而已，恰恰表明证据1公开了临界值的该含义。壹世通公司的主张没有事实依据，本院不予支持。综上所述，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法。原告主张撤销被诉决定，缺乏事实和法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告苏州壹世通科技有限公司的诉讼请求。案件受理费一百元，由原告苏州壹世通科技有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，各方当事人可在本判决书送达之日起十五日内，向本院递交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  刘义军人民陪审员  刘 芳人民陪审员  王洪泊二〇二〇年七月十五日法官 助理  张忠涛技术调查官李超雷书记员范飞华