北京知识产权法院行 政 判 决 书（2018）京73行初470号原告：惠州科锐半导体照明有限公司，住所地广东省惠州仲恺高新区和畅六路**。法定代表人：施毓灿，董事。委托诉讼代理人：吴孟秋，女，1977年10月24日出生，北京康信知识产权代理有限责任公司专利代理师，中华全国专利代理师协会推荐，住北京市朝阳区。委托诉讼代理人：王成荫，男，1984年6月18日出生，北京康瑞律师事务所专利代理师，中华全国专利代理师协会推荐，住北京市大兴区。被告：国家知识产权局，住，住所地北京市海淀区蓟门桥西土城路**/div>法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：黄道许，国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：袁丽颖，国家知识产权局审查员。第三人：中国科学院半导体研究所，住，住所地北京市海淀区清华东路**/div>法定代表人：李树深，所长。委托诉讼代理人：刘兴彬，北京观韬中茂（广州）律师事务所律师。委托诉讼代理人：刘乃鑫，男，1981年7月26日出生，中国科学院半导体研究所员工，住北京市海淀区。原告惠州科锐半导体照明有限公司（以下简称惠州科锐公司）因发明专利权无效行政纠纷一案，不服国家知识产权局专利复审委员会（以下简称专利复审委员会）于2017年9月30日作出的第33572号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），在法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2018年1月11日受理后，依法组成合议庭，并通知被诉决定的利害关系人中国科学院半导体研究所作为本案第三人参加诉讼。2018年4月18日，本院依法公开开庭进行了审理。原告惠州科锐公司的委托诉讼代理人王成荫、吴孟秋，被告国家知识产权局的委托诉讼代理人黄道许、袁丽颖，第三人中国科学院半导体研究所的委托诉讼代理人刘兴彬、刘乃鑫到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会针对惠州科锐公司就中国科学院半导体研究所拥有的专利号为201010235850.1、名称为“一种氮化镓系发光二极管”的发明专利（以下简称本专利）提出的无效宣告请求所作出的。专利复审委员会在被诉决定中认定：一、审查基础被诉决定以中国科学院半导体研究所2017年5月31日提交的权利要求书以及本专利授权公告的说明书、说明书摘要、说明书附图、摘要附图作为审查基础。二、证据的认定中国科学院半导体研究所在口头审理当庭明确，其提交的反证1-2不作为证据，仅供专利复审委员会参考，因此，专利复审委员会对上述证据不再予以评述。惠州科锐公司共提交了15份证据，分别为证据1-14、证据9_1。惠州科锐公司当庭明确证据14供专利复审委员会参考，因此，对于证据14不再予以评述。由于证据9_1属于外文证据，但是没有提交中文译文，故证据9_1视为未提交。对于证据1-13，证据认定如下：证据1-2，4-6是专利文献，证据3，7-13为公开出版或发行的书籍或期刊文献。惠州科锐公司认为，证据7-13为公知常识性证据。专利复审委员会认为：（1）证据1-6可以作为评价本专利创造性的现有技术。（2）证据7-9均可以认定为教科书，其可以作为公知常识性证据。（3）证据11属于公知常识性证据。（4）关于证据10和13惠州科锐公司在口头审理中认为：该书的作者是二极管领域的教授，该书可以作为参考书或工具书。对此，专利复审委员会认为：证据10和13的中文译文中没有任何书面记载关于该出版物性质、读者范围等内容的记载。因此，专利复审委员会认为，证据10和13不属于公知常识性证据。（5）关于证据12证据12在前序中记载：本书是“第一本关于GaN基半导体元件的物理原理，数学模型，实际仿真的出版书籍，是为有兴趣实施氮化物元件设计和分析的计算机仿真的科学家和工程师而做”。专利复审委员会认为，公知常识是所属技术领域中为了解决某技术问题而采用的、本领域技术人员所普遍接受、广泛知晓的技术手段，其载体一般为教科书、工具书等。而证据12的读者范围仅定位在“科学家和工程师”，并且该书是本领域“第一本”关于GaN基半导体元件的物理原理，数学模型，实际仿真的出版书籍，因此，没有证据表明其上记载的内容是本领域技术人员所普遍接受、广泛知晓的技术手段。因此，专利复审委员会认为，证据12不属于公知常识性证据。三、《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十六条第四款专利复审委员会认为，权利要求1符合专利法第二十六条第四款的规定，惠州科锐公司的主张不能成立。由于惠州科锐公司关于权利要求1不符合专利法第二十六条第四款的理由不能成立，因而，惠州科锐公司基于引用关系而主张的从属权利要求2-5不符合专利法第二十六条第四款规定的理由也不能成立。四、专利法第二十二条第三款（一）以证据2作为最接近的现有技术本专利的权利要求1要保护一种氮化镓系发光二极管。1.双方观点惠州科锐公司认为：权利要求1与证据2之间存在以下区别：1）活性发光层覆盖所述n型接触层一侧的部分表面，使该n型接触层的另一侧形成一台面；2）电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上；3）p型铟镓氮插入层InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1；4）一负电极制作在N接触层的台面上；5）一正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。中国科学院半导体研究所认为：特征不能孤立地看，而要关注多个特征之间的相互联系以及在整个方案中的作用，并强调关键作用是铟镓氮插入层和P型铝镓氮层之间有压应变，从而形成二维空穴气。关于权利要求1与证据2具体的区别特征，中国科学院半导体研究所认为区别特征应包括：a.活性发光层覆盖所述n型接触层一侧的部分表面，使该n型接触层的另一侧形成一台面；b.一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；所述p型电子阻挡层的生长温度为700℃-1000℃，厚度为10-50nm；c.一p型铟镓氮插入层，该p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上，该p型铟镓氮插入层为低温低铟组分的p型InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃；所述p型铟镓氮插入层的厚度为10nm-100nm，以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3；d.一p型接触层，该p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；e.一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；f.一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。因此，惠州科锐公司和中国科学院半导体研究所均认可特征a、e、f未被证据2公开。2.专利复审委员会查明的事实证据2公开了一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，根据证据2的方法可以得到一种多周期的InxGa1-xN/GaN层为多量子阱层的发光二极管结构，因此证据2公开了本专利的权利要求1的主题名称，即“一种氮化镓系发光二极管”，证据2还具体公开了以下特征：（1）衬底10：衬底10：首先将蓝宝石衬底升温，在纯氢气气氛里进行退火，然后进行氮化处理；（2）低温缓冲层11：在低温下生长的一层GaN缓冲层；（3）本征氮化镓层12：低温缓冲层11生长结束后，停止通入TMGa源，将衬底温度升高，对低温缓冲层11进行原位退火处理，退火之后，在所述退火温度生长本征氮化镓层12；（4）N型氮化镓层13：在本征氮化镓层12上生长N型氮化镓层；（5）多量子阱层14：多量子阱层为单周期或多周期的InxGa1-xN/GaN结构，周期数在1～25个之间，比较好的是在5～10个周期之间，x在0.15～0.3之间；（6）p型电子阻挡层15为一P型掺杂AlxGa1-xN层外延层，该层生长温度为900～1000℃，厚度在10～100nm；（7）在电子阻挡层15后生长一层P型InyGa1-yN层19，其中In组份含量要小于多量子阱层14中阱层的In组份含量，即0＜y＜x，比较好的是y在0～0.25之间，生长温度在750～850℃，厚度在10～300nm；其中P型掺杂剂为cp2Mg(即二茂镁)，掺杂后的P型载流子浓度在1×1017cm-3～1×1019cm-3；（8）P型氮化镓层16：P型氮化镓层16为cp2Mg掺杂的氮化镓外延层，其中比较好的是，掺杂后P型载流子浓度在1×1017cm-3～1×1019cm-3，生长温度在800～1000℃，厚度在100～500nm；P型接触层17：P型接触层17为cp2Mg掺杂的氮化镓外延层，比较好的是，掺杂后P型载流子浓度在5×1017cm-3～1×1019cm-3，生长温度在900～1000℃，厚度在5～50nm。可见，特征a、e、f未被证据2公开。3.专利复审委员会关于双方争议点的意见：双方的争议点在于：特征b、c、d是否被证据2公开。（1）关于特征b是否被证据2公开惠州科锐公司认为证据2中p型电子阻挡层15的“厚度在10～100nm”不应该包含端点值理由是：证据2说明书对于In组分的含量y在0～0.25之间，y不能为0。专利复审委员会认为：证据2中已经公开了p型电子阻挡层15“厚度在10～100nm”，该数值范围显然应当包含端点值10nm和100nm。证据2中y不能为0是因为存在另一个条件0（2）关于特征d是否被证据2公开惠州科锐公司认为：证据2中P型氮化镓层16和P型接触层17两层共同相当于本专利的一p型接触层；另外，惠州科锐公司还认为：“权利要求是开放式的，只要含有接触层，就是公开”。专利复审委员会认为：证据2中已经明确记载是“一”p型接触层，而不是两层，因此，二者结构显然不同。权利要求1虽然是开放式的撰写，但是,首先，权利要求1明确记载该p型接触层“制作在”p型铟镓氮插入层上，而不是“制作在”其它层上；其次，在发光二极管领域，在半导体材料层制作过程中，某一层的制作要考虑到其相邻的上下层材料的物理化学性能的匹配，比如晶格常数、掺杂情况等，因此，对本领域技术人员来说，不应理解为可以在两层之间随意添加的其他层。从证据2中看，P型接触层17与P型InyGa1-yN层19之间还有一层P型氮化镓层16，P型接触层17是制作在P型氮化镓层16上的。因此，证据2并没有公开特征d。（3）关于特征c是否被证据2公开惠州科锐公司认为：证据2中的“P型InyGa1-yN层19”相当于本专利的“一P型铟镓氮插入层”，并且公开了对应的厚度、掺杂浓度。专利复审委员会认为：基于“P型InyGa1-yN层19”在证据2中所起的作用和结构不同于本专利的“一P型铟镓氮插入层”，因此，“P型InyGa1-yN层19”不能相当于本专利的“一P型铟镓氮插入层”，具体如下：①所起的作用方面证据2要解决的技术问题是“从根本上减少、甚至避免紫光对环氧封装体的影响，在现行封装工艺条件下，获得低光衰的发光二极管，有效延长发光二极管的使用寿命”，为了解决该技术问题，证据2在P型层中插入P型InyGa1-yN层19；关于P型InyGa1-yN层19在证据2解决该技术问题中发挥的作用，证据2的说明书中描述为：“在多量子阱中未复合的电子越过电子阻挡层后将在其后的铟镓氮层中复合掉，由于铟镓氮材料的禁带宽度比氮化镓要低，在铟镓氮层中复合将发出波长较长的可见光，从而减小甚至消除了LED芯片中紫外光辐射的产生”，因此，P型InyGa1-yN层19在证据2中的作用是用于复合掉越过电子阻挡层的电子，发出可见光，从而消除紫外光。而本专利要解决的技术问题是“调节pn结区位置、增加参与发光的量子阱周期数，使得发光二极管的发光强度增加”，本专利通过“在p型电子阻挡层16与p型氮化镓接触层18之间生长具有一定厚度的低温低铟组分p型铟镓氮插入层17”，从而使得“由于p型电子阻挡层16与p型铟镓氮插入层17之间晶格差异比较大，压应变产生的应力场导致界面处能带发生很大的弯曲，从而在界面处形成二维空穴气，以弥补p型电子阻挡层16中Mg激活能高的不足”。因此，P型InyGa1-yN层19在证据2中是单独发挥“复合掉越过电子阻挡层的电子”的功能和作用，而本专利中的“一p型铟镓氮插入层”是与p型电子阻挡层16和p型氮化镓接触层18三者协同，利用层间晶格差异，产生二维空穴气来发挥作用的。因此，本专利中的p型铟镓氮插入层17的作用与证据2中P型InyGa1-yN层19的作用不同。②具体结构方面惠州科锐公司认为：功能是结构产生的，而铟镓氮层的结构已经被证据2公开。专利复审委员会认为，本专利中的p型铟镓氮插入层17的功能和作用不仅来源于自身层的结构，也来源于其上下关联层的协同配合，具体来说：首先，就其自身层的结构来说，本专利中该p型铟镓氮插入层为低温低铟组分的p型InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃；而证据2中并非“低温低铟组分”，事实上，证据2中P型InyGa1-yN层19，y在0～0.15之间，即便考虑其铟组分含量比多量子阱层中的铟组分要低，即0其次，本专利中，p型铟镓氮插入层17的上下关联层的结构与证据2不同，具体如下：p型铟镓氮插入层17的下关联层：一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，而证据2中并没有公开上述特征。P型铟镓氮插入层17的上关联层也未被证据2公开（理由参见“关于证据2是否公开特征d”的评述内容）。综上，P型InyGa1-yN层19在证据2中所起的作用与权利要求1中的p型铟镓氮插入层17在本专利中所起的作用不同，并且二者在结构（体现于In组分的含量和上下关联层）上也不同。由此可见，P型InyGa1-yN层19不能相当于本专利的p型铟镓氮插入层17，进一步地，证据2中对P型InyGa1-yN层19的有关具体记载也不能对应于权利要求1中对p型铟镓氮插入层17的具体限定。因此，证据2没有公开特征c。4.区别特征和实际所要解决的技术问题关于权利要求1与证据2的区别特征，专利复审委员会认为：在确定权利要求与现有技术证据之间的区别特征时，应当整体考虑权利要求的技术方案，分析各个技术特征之间是否有关联，如果多个特征紧密联系、相互依存，发挥协同作用，共同解决某一技术问题，产生协同技术效果，则应当将其作为一组技术特征整体考虑。其中所述的协同作用，可以是工作方式中的条件关系、机械结构中的紧密配合关系、化学反应中的关联反应等。具体到本案，根据本专利权利要求书及说明书的记载，本领域技术人员可知，p型电子阻挡层16以及p型铟镓氮插入层17的材料、厚度以及生长温度（对应于特征b、c）共同作用实现了二者之间“晶格差异比较大，压应变产生的应力场导致界面处能带发生很大的弯曲，从而在界面处形成二维空穴气”，也就是说，特征b、c紧密配合，二者存在技术关联性；另外，由于P型铟镓氮插入层17的生长温度较低、晶体质量不够好（对应于特征c），其不能完全替代P型氮化镓接触层18（对应于特征d），也就是说P型氮化镓接触层18制作在p型铟镓氮插入层17的上，可以弥补P型铟镓氮插入层17的缺陷，同时其可以为界面处的二维空穴气提供空穴。因此，特征b、c、d之间存在技术上的紧密配合，并产生了协同的技术效果，即，在p型电子阻挡层以及p型铟镓氮插入层的界面处形成二维空穴气。综上，特征b、c、d三者之间存在技术关联性，它们应当作为一个整体考虑。因此，权利要求1与证据2的区别特征为：（1）活性发光层覆盖所述n型接触层一侧的部分表面，使该n型接触层的另一侧形成一台面；一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。（2）一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；所述p型电子阻挡层的生长温度为700℃-1000℃，厚度为10-50nm；一p型铟镓氮插入层，该p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上，该p型铟镓氮插入层为低温低铟组分的p型InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃；所述p型铟镓氮插入层的厚度为10nm-100nm，以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3；一p型接触层，该p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上，该p型接触层由p型氮化镓构成。权利要求1基于上述技术特征，所要解决的技术问题是：（1）提供一种水平结构的发光二极管；（2）调节发光二极管的pn结区位置、增加参与发光的量子阱周期数，使得发光二极管的发光强度增加。5.证据2结合公知常识惠州科锐公司认为，权利要求1相对于证据2结合公知常识的结合不具备创造性。针对区别特征（1），证据7公开了一种LED结构，其中具体公开了以下特征：In0.45Ga0.35N有源层覆盖n型GaN:Si层（相当于n型接触层）一侧的部分表面，使该n型GaN:Si层的另一侧形成一台面；一n-电极(相当于负电极)制作在该n型GaN:Si层的台面上；一P-电极(相当于正电极)制作在p-GaN（相当于p型接触层）上，完成氮化镓系发光二极管的制作。可见，证据7作为公知常识性证据，其上公开了区别特征（1）。另外，在发光二极管领域，LED分为垂直结构和水平结构两种，通常情况下，水平结构的LED中，活性发光层在覆盖n型接触层时，会留出一侧的台面用于制作负电极，这样就形成负电极制作在n型接触层上，正电极制作在P型接触层上，从而形成达到正负电极位于LED的同一侧，即构成水平结构LED。这是本领域常规的结构设计。因此，区别特征（1）属于本领域的公知常识。针对区别特征（2），证据7公开了一种LED结构，并介绍了缓冲层、多量子阱层等；证据8公开了一种发光二极管，其公开了InGaN的生长温度；证据9公开了利用二茂镁作为Mg掺杂的源气体；证据11公开了一种LED结构，其层结构如下：蓝宝石衬底/成核层/未掺杂GaN层/GaN:Si/量子阱层和量子阻挡层/GaN:Mg。证据7-9,11作为公知常识性证据，它们均未公开区别特征（2），因此无法证明区别特征（2）属于公知常识；由于证据10,12-13不属于公知常识性证据，其上记载的内容无法认定为公知常识；也没有其他证据证明特征（2）属于公知常识。综上，没有证据证明区别特征（2）属于公知常识。同时，区别特征（2）使得权利要求1的技术方案取得了以下有益技术效果：调节发光二极管的pn结区位置、增加参与发光的量子阱周期数，使得发光二极管的发光强度增加。因此，权利要求1相对于证据2结合公知常识具备创造性。6.证据2、证据1结合公知常识惠州科锐公司认为：权利要求1相对于证据2、证据1结合公知常识不具备创造性。证据1公开了一种氮化物半导体器件，具体公开了以下特征：n-侧垫片电极24设置在n-侧氮化物半导体层20的表面上，该n-侧氮化物半导体层20通过局部移除p-侧氮化物半导体层40和活性层30而暴露。P-侧欧姆电极21和p-侧垫片电极22(其统称为“P-侧电极23”)设置在P-侧氮化物半导体层40中的p-侧接触层19上。活性层30优选地具有量子阱结构，量子阱结构的实例包括多个阱层经由势垒层堆叠的多量子阱结构。阱层为发光层，可以为InGaN，势垒层具有比阱层更宽的带隙，例如可以选择GaN。从附图1可以看出，活性层30制作在N侧氮化物半导体层20上一侧部分表面，使得该N侧氮化物半导体层20的另一侧形成一台面。另外，证据1还在实例1中公开了以下内容：活性层30由未掺杂GaN制成的势垒层，由未掺杂的In0.3Ga0.7N制成阱层，然后按照势垒层、阱层的顺序将势垒层、阱层…以及势垒层，五个势垒层和四个阱层交替地堆叠以形成活性层。专利复审委员会认为：惠州科锐公司仅主张证据1公开了区别特征（1），以及区别特征（2）中的部分内容：P型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上。但是，惠州科锐公司并未主张证据1公开“一p型铟镓氮插入层”“一p型接触层”的相关内容，也即惠州科锐公司并未主张证据1整体上公开区别特征（2）。因此，权利要求1相对于证据2、证据1结合公知常识不具备创造性的理由不成立。7.证据2、4结合公知常识，证据2、1、4结合公知常识惠州科锐公司认为：权利要求1相对于证据2、4结合公知常识，证据2、1、4结合公知常识不具备创造性。专利复审委员会查明：证据4公开了一种具有调制掺杂层的发光二极管，其具体公开了以下特征：在P型接触层65上形成可由Ni/Au或氧化铟锡（ITO）制成的透明电极67，并且可使用例如剥离工艺，在透明电极67上形成P电极69。可由Ni/Au或Ti/Al制成的n电极71也可通过剥离工艺形成在n型接触层57上。从附图2可以看出，多量子阱59覆盖N型接触层57一侧的部分表面，使该N型接触层57的另一侧形成一台面；一n电极71制作在n型接触层57的台面上，一P电极69制作在P型接触层65上，完成氮化镓系发光二极管的制作。但是惠州科锐公司仅主张证据4公开了区别特征（1），并未主张公开“一p型电子阻挡层”“一p型铟镓氮插入层”“一p型接触层”的相关内容，也即，惠州科锐公司并未主张证据1整体上公开区别特征（2）。因此，权利要求1相对于证据2、4结合公知常识，证据2、1、4结合公知常识不具备创造性的理由不成立。8.证据2、3结合公知常识，证据2、1、3结合公知常识，证据2、4、3结合公知常识惠州科锐公司认为：权利要求1相对于证据2、3结合公知常识，证据2、1、3结合公知常识，证据2、4、3结合公知常识不具备创造性。专利复审委员会查明：证据3公开了一种具有各种P型层的基于氮化物的绿光发光二极管，其具体公开了以下特征：P型氮化铟镓层In0.04Ga0.96N，生长温度在840℃，该P型氮化铟镓层生长在多量子阱层中的GaN上。专利复审委员会认为：虽然证据3公开了P型氮化铟镓层是低温低铟的，但是，其制作在多量子阱层中的的GaN上，而非如本专利制作在一定结构和工艺形成的铝镓氮电子阻挡层上；并且证据3中的一层P型氮化铟镓层制作在该P型氮化铟镓层上，而不同于区别特征（2）中P型接触层制作在P型氮化铟镓层上。因此，证据3没有整体上公开区别特征（2），也没有给出区别特征（2）的技术启示。因此，权利要求1相对于证据2、3结合公知常识，证据2、1、3结合公知常识，证据2、4、3结合公知常识具备创造性。9.证据2、6结合公知常识惠州科锐公司认为：权利要求1相对于证据2、6结合公知常识不具备创造性。专利复审委员会查明：证据6公开了一种III族氮化物半导体发光二极管，其具体公开了以下特征：在蓝宝石衬底8上，形成GaN缓冲层9，接着在GaN缓冲层上生长n型GaN作为高温缓冲层和第二势垒层10，然后依次生长In0.15Ga0.85N量子阱层11、GaN第三势垒层12、In0.15Ga0.85N量子阱层13，以及GaN第一势垒层14，最后，将生长温度升至1040℃，生长一层厚度为10nm的P型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层15和P型GaN欧姆接触层16。专利复审委员会认为：证据6仅公开了区别特征（2）的部分内容，即，p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，所述p型电子阻挡层的厚度为10-50nm。但是证据6并未公开区别特征（2）中的电子阻挡层的生长温度700℃-1000℃、“一p型铟镓氮插入层”的相关内容、“p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上”，因此，证据6没有从整体上公开区别特征（2），也没有给出区别特征（2）的技术启示。因此，权利要求1相对于证据2、6结合公知常识具备创造性。综上，权利要求1相对于证据2结合公知常识；证据2、证据1结合公知常识；证据2、4结合公知常识；证据2、6结合公知常识；证据2、1、4结合公知常识；证据2、3结合公知常识；证据2、1、3结合公知常识；证据2、4、3结合公知常识不具有创造性的理由均不成立。（二）以证据1作为最接近的现有技术专利复审委员会经审查认为，权利要求1相对于与证据1结合公知常识，证据1、2结合公知常识，证据1、3结合公知常识，证据1、2、3结合，证据1、2、5结合，证据1、2、3结合公知常识，证据1、5结合公知常识，证据1、2、5结合公知常识具有创造性。（三）以证据5作为最接近的现有技术专利复审委员会经审查认为，，权利要求1相对于证据5结合公知常识，证据5、6结合公知常识，证据5、1、6结合公知常识，证据5、2、6结合公知常识具有创造性。五、关于从属权利要求2-5的创造性专利复审委员会经审查认为，由于惠州科锐公司关于独立权利要求1相对于上述现有技术的证据组合不具有创造性的理由不能成立，在此基础上，惠州科锐公司关于从属权利要求2-5相对于惠州科锐公司所述的证据组合不具有创造性的理由也不能成立。基于上述事实和理由，专利复审委员会作出被诉决定，决定：宣告本专利权部分无效，在中国科学院半导体研究所于2017年5月31日提交的权利要求1-5的基础上，继续维持本专利的专利权有效。原告惠州科锐公司诉称：证据10、12、13属于公知常识证据。证据2公开了特征b、c、d，特征b、c、d不应作为整体考虑。本专利权利要求1相对于证据2及本领域公知常识不具有创造性。本专利权利要求1相对于证据2、证据1和公知常识不具有创造性。本专利权利要求1相对于证据2、4结合公知常识，证据2、1、4结合公知常识，证据2、6结合公知常识均不具有创造性。本专利权利要求2-5不具有创造性。综上，原告请求法院判决撤销被诉决定，并判令被告重新作出决定。被告国家知识产权局辩称：证据10、12、13不属于公知常识证据。权利要求1-5具备创造性。综上，被告认为被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，原告的诉讼理由不能成立，请求法院判决驳回原告的诉讼请求。第三人中国科学院半导体研究所述称，同意被告意见，请求法院判决驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本案涉及国家知识产权局于2014年3月12日授权公告的专利号为201010235850.1、名称为“一种氮化镓系发光二极管”的发明专利（即本专利），申请日为2010年7月21日，专利权人为中国科学院半导体研究所。本专利授权公告时的权利要求有八项。2017年3月3日，针对本专利授权公告时的权利要求书，惠州科锐公司向专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是本专利权利要求1-8不符合专利法第二十六条第四款的规定，请求宣告本专利全部无效。2017年3月3日，专利复审委员会受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书副本转送给中国科学院半导体研究所。2017年4月5日，惠州科锐公司提交无效宣告程序意见陈述书，补充了以下无效理由：权利要求1-8不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。同时提交了如下证据：证据1：US7462884B2的授权公告文本及其译文；证据2：CN101740693A的发明专利公开文本；证据3：Nitride-basedgreenlight-emittingdiodeswithvariousp-typelayers,WonseokLee,etal.Journalofdisplaytechnology,Vol.3.No.3.及其译文；证据4：US2010/0044674A1，发明专利公开文本及其译文；证据5：日本专利号为特许第3717255号发明专利公开文本及其译文；证据6：CN101290965A的发明专利公开文本。2017年4月14日，专利复审委员会将惠州科锐公司于2017年4月5日提交的上述意见陈述书以及证据副本转送给中国科学院半导体研究所。2017年4月14日，中国科学院半导体研究所针对无效宣告请求书提交了意见陈述书，并附反证1-2如下：反证1：Properties,processingandApplicationsofGalliumNitrideandRelatedSemiconductors,封面页、正文第7-9页；反证2：PhysicsofQuantumWellDevices，封面页、版权页、正文第29页。2017年4月25日，专利复审委员会将中国科学院半导体研究所于2017年4月14日提交的意见陈述书以及证据副本转送给惠州科锐公司。2017年5月31日，中国科学院半导体研究所针对上述无效宣告请求提交了意见陈述书，并同时提交了权利要求书的修改替换页（共5项），涉及的主要修改如下：将从属权利要求2-3、5的附加技术特征合并加入到独立权利要求1中，并对权利要求的序号作适应性修改。修改后的权利要求书如下：“1.一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层一侧的部分表面，使该n型接触层的另一侧形成一台面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；所述p型电子阻挡层的生长温度为700℃-1000℃，厚度为10-50nm；一p型铟镓氮插入层，该p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上，该p型铟镓氮插入层为低温低铟组分的p型InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃；所述p型铟镓氮插入层的厚度为10nm-100nm，以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3；一p型接触层，该p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。2.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中活性发光层的周期数为4-15，该活性发光层的总厚度为30-200nm，其中每一氮化镓薄层的厚度为4-20nm；每一铟镓氮薄层的厚度为1-4nm，铟镓氮薄层由InxGa1-xN所构成，其中0.1＜x＜0.3。3.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，该p型电子阻挡层由p型AlxGa1-xN构成，其中0.1≤x＜0.2。4.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中所述p型电子阻挡层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3。5.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中衬底由C-面、R-面或A-面的氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC或晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物所制成。”2017年6月20日，专利复审委员会将中国科学院半导体研究所于2017年5月31日提交的意见陈述书、权利要求书修改替换页的副本转送给惠州科锐公司。2017年8月7日，惠州科锐公司针对修改后的权利要求书提交了意见陈述书，其中陈述的无效理由为：权利要求1-5不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。2017年8月17日，专利复审委员会举行口头审理，并确认了如下事实：1.惠州科锐公司当庭提交了以下证据作为公知常识性证据：证据7：《半导体照明技术》，电子工业出版社，方志烈编著，2009年5月第1版，封面页，版权页，第72页，138-139页，143页；证据8：《Introductiontonitridesemiconductorbluelasersandlightemitingdiodes》ShujiNakamuraandShigefusaF.Chichibu,Talyor&Francis.2000；封面页，版权页，目录页，前言，第23页，以及部分中文译文；证据9：《handbookofNitrideSemiconductorsandDevides》HadisMorkoc,Vol.1.,Wiley-VCH,2008；封面页、版权页，目录页，前言页，第679页，以及部分中文译文；证据9_1：《compactblue-greenlaser》W.P.Risk,T.R.Gosnell,A.V.Nurmikko.[monograph];封面、书名页、版权页、目录页、正文（P482），共计10页；证据10：《TheBlueLaserDiode》,ShujiNakamura等,Springer,2000；封面页、版权页、目录页，第224-225页，268-269页，以及部分中文译文；证据11：《III-NitrideSemiconductorMaterials》,ZheChuanFeng,ImperialCollegePress,2006；封面页、版权页、目录页，前言页，第112页，以及部分中文译文；证据12：《NitrideSemiconductorDevices:principlesandsimulation》,JoachimPiprek,Wiley-VCH,2007；封面页、版权页、目录页，前言页，第281页，以及部分中文译文；证据13：《Lihgt-emittingdiodes》E.FredSchubertCambrigeUniverstityPress,2006；封面页、版权页、目录页，第226-227页，以及部分中文译文。2.证据14：惠州科锐公司当庭提交的涉案专利授权阶段审查过程文件，供专利复审委员会参考。3.针对证据13第227页的空穴浓度，惠州科锐公司当庭提交了空穴浓度的推演过程的手写稿，供专利复审委员会参考。4.专利复审委员会当庭告知惠州科锐公司，提交的外文证据应当有中文译文，对于没有提交中文译文的外文证据视为惠州科锐公司未提交。5.中国科学院半导体研究所表示对当庭提交的证据的真实性无法核实，并请专利复审委员会代为核实；并且中国科学院半导体研究所不认可当庭提交的证据属于公知常识性证据。6.中国科学院半导体研究所当庭明确，其提交的反证1-2不作为证据，仅供专利复审委员会参考。7.惠州科锐公司明确其无效宣告理由和范围为：（1）权利要求1-5的保护范围不清楚、没有以说明书为依据，不符合专利法第二十六条第四款的规定。（2）以证据2作为最接近的现有技术权利要求1相对于证据2结合公知常识；证据2、证据1结合公知常识；证据2、4结合公知常识；证据2、6结合公知常识；证据2、1、4结合公知常识；证据2、3结合公知常识；证据2、1、3结合公知常识；证据2、4、3结合公知常识不具有创造性；（3）以证据1作为最接近的有技术权利要求1相对于证据1结合公知常识；证据1、2结合公知常识；证据1、3结合公知常识；证据1、2、3结合；证据1、2、5结合；证据1、2、3结合公知常识；证据1、5结合公知常识；证据1、2、5结合公知常识不具有创造性。（4）以证据5作为最接近的现有技术权利要求1相对于证据5结合公知常识；证据5、6结合公知常识；证据5、1、6结合公知常识；证据5、2、6结合公知常识不具有创造性。（5）从属权利要求2-5权利要求2的附加技术特征被以下现有技术公开：公知常识；证据3；证据1、2结合；证据2结合公知常识；证据2、3结合。权利要求3的附加技术特征被以下现有技术公开：公知常识；证据2；证据5；证据1、2结合；证据1、5结合。权利要求4的附加技术特征被以下现有技术公开：公知常识；证据1；证据2；证据5；证据1、2结合；证据1、5结合。权利要求5的附加技术特征被以下现有技术公开：公知常识；证据1；证据5；证据1结合公知常识；证据5结合公知常识。从属权利要求2-5的附加技术特征被以上现有技术公开，因此，在权利要求1不具有创造性的基础上，从属权利要求2-5也不具备创造性。2017年9月30日，专利复审委员会作出被诉决定，并于2017年10月11日发文。在本案开庭审理过程中，惠州科锐公司明确对被诉决定的案由部分、审查基础部分不持异议，对被诉决定关于专利法第二十六条第四款的评述不持异议。以上事实，有本专利授权公告文本、证据1-13、各方当事人提交的证据及当事人陈述等在案佐证。本院认为：针对原告在庭审过程中提出的被诉决定有关证据10、12、13认定的异议，本院经审查认可被诉决定中的相关评述意见和认定结论，在此不再赘述。根据各方当事人的诉辩主张，本案争议焦点为本专利权利要求1是否具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。根据专利法第二十二条第三款的规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。权利要求1要保护一种氮化镓系发光二极管，证据2公开了一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法。1．关于权利要求1与证据2的区别特征，本案第三人在行政程序中认为区别特征应包括：a.活性发光层覆盖所述n型接触层一侧的部分表面，使该n型接触层的另一侧形成一台面；b.一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；所述p型电子阻挡层的生长温度为700℃-1000℃，厚度为10-50nm；c.一p型铟镓氮插入层，该p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上，该p型铟镓氮插入层为低温低铟组分的p型InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃；所述p型铟镓氮插入层的厚度为10nm-100nm，以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3；d.一p型接触层，该p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；e.一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；f.一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。2．被诉决定认定，权利要求1与证据2的区别特征为：（1）活性发光层覆盖所述n型接触层一侧的部分表面，使该n型接触层的另一侧形成一台面；一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。（即上述特征a、e、f）（2）一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；所述p型电子阻挡层的生长温度为700℃-1000℃，厚度为10-50nm；一p型铟镓氮插入层，该p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上，该p型铟镓氮插入层为低温低铟组分的p型InxGa1-xN，其中In组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃；所述p型铟镓氮插入层的厚度为10nm-100nm，以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3；一p型接触层，该p型接触层制作在p型铟镓氮插入层上，该p型接触层由p型氮化镓构成。（即上述特征b、c、d）3．被诉决定同时认定，上述区别特征（1）（即上述特征a、e、f）属于本领域的公知常识；但认为，上述区别特征（2）（即上述特征b、c、d）使得本专利权利要求1具备创造性。综上，本案关键在于上述特征b、c、d是否被证据2公开。一、证据2是否公开上述特征b被诉决定认定，证据2没有公开特征b中的“该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上”，但证据2公开了特征b中的其余部分内容。原告主张，证据2隐含公开了技术特征b中的“该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上”，本领域技术人员看到多量子阱结构就可以知晓必然是氮化镓作为阻挡层作为最上层。对此，本院认为，本领域公知，量子阱即是窄带系超薄层（即阱层）被夹在两个宽带系超薄层（即垒层）之间，而其以垒层结束还是以阱层结束是在制作量子阱结构的常规技术手段。因此，证据2中的多量子阱层结构隐含公开了技术特征b中的“该p型电子阻挡层制作在活性发光层的氮化镓薄层上”。二、证据2是否公开上述特征c被诉决定认定，P型InyGa1-yN层19在证据2中所起的作用与本专利权利要求1中的P型铟镓氮插入层在本专利中所起的作用不同，且二者结构不同，故证据2中P型InyGa1-yN层19不能相当于本专利中的P型铟镓氮插入层。原告主张，证据2中P型InyGa1-yN层19相当于本专利中的P型铟镓氮插入层，两者成分相同，材料相同，字面区别仅在于浓度，浓度区别仅仅是量变过程，并非质变，证据2铟含量为0-0.15。对此，本院认为，证据2公开了技术特征c中的大部分技术特征，即“一p型铟镓氮插入层，该p型铟镓氮插入层制作在p型电子阻挡层上，其生长温度为600℃-900℃；所述p型铟镓氮插入层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为1019-1021cm-3”，具体为：证据2说明书第[0036]段记载，在电子阻挡层15后生长一层P型InyGa1-yN层19，其生长温度在750～850℃（落入权利要求1中的“600℃-900℃”），其中P型掺杂剂为cp2Mg(即二茂镁)，掺杂后的P型载流子浓度在1×1017cm-3～1×1019cm-3（明确公开权利要求1中“1019-1021cm-3”的“1019cm-3”）；证据2说明书第[0036]段记载，InyGa1-yN层19中In组份含量要小于多量子阱层14中阱层的In组份含量，即0＜y＜x，比较好的是y在0～0.25之间；证据2说明书第[0034]段记载，多量子阱层为单周期或多周期的InxGa1-xN/GaN结构，x在0.15～0.3之间（即公开了x为0.15这一点值），从而可以确定InyGa1-yN层19中的In组份含量可以为0＜y＜0.15。本专利说明书第[0006]段明确描述“在p型铝镓氮电子阻挡层之后插入p型铟镓氮，一方面因为Mg在铟镓氮中的激活能比较低，常温下可以产生更多的空穴；另一方面，因为铟镓氮和铝镓氮之间晶格差异更大，由于压应变会在界面处产生很高的空穴浓度，两方面的作用使得p区空穴浓度得到增加，从而调节pn结的位置向n区移动”，且证据2同样是在P型掺杂剂为cp2Mg(即二茂镁)的P型掺杂AlxGa1-xN电子阻挡层15（x在0.1-0.5之间）之后插入P型掺杂剂为cp2Mg(即二茂镁)的InxGa1-xN层19，该P型InxGa1-xN层19同样具有常温下产生更多的空穴的特性，且P型InxGa1-xN层19和与其接触的P型掺杂AlxGa1-xN电子阻挡层15之间同样存在因晶格差异而导致的压应变，故该P型InxGa1-xN层19能够相当于本专利的p型铟镓氮插入层。综上，证据2公开了技术特征c。三、证据2是否公开上述特征d权利要求的保护范围以权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。权利要求1中的“一p型接触层”在本领域中应理解为具有p型接触层而非一层的p型接触层；此外，证据2中的氮化镓16、17材料均相同且均是生长在铟镓氮上且靠近于p型电极侧，故上述两层可以相当于本专利中由p型氮化镓构成的p型接触层。因此，证据2公开了技术特征d。四、上述特征b、c、d之间是否具有协同作用如被诉决定所述，如果权利要求与现有技术之间的各个区别特征之间紧密联系、相互依存，发挥协同作用，共同解决某一技术问题，产生协同技术效果，则应当将其作为一组技术特征整体考虑。但是，本专利权利要求1仅限定了各个层的相对位置关系，并不能体现出各个层之间是相互接触的，权利要求1所限定的方案包括了在各个层之间还具有其他层的技术方案，其并不能体现出说明书中所描述的技术特征b、c、d存在协同作用而应作为一个整体考虑。此外，即使认为权利要求1对技术特征b、c、d的限定能够体现出三者之间存在协同作用，然而，证据2同样是在P型掺杂剂为cp2Mg(即二茂镁)的P型掺杂AlxGa1-xN电子阻挡层15（x在0.1-0.5之间）之后插入P型掺杂剂为cp2Mg(即二茂镁)的InxGa1-xN层19，且在InxGa1-xN层19表面制作p型氮化镓16、17，即证据2中具有与本专利权利要求1相同的多量子阱发光层及发光层上的三层结构，层之间的相互作用是相同的，所达到的技术效果也是相同的。因此，被诉决定所述“特征b、c、d三者之间存在技术关联性，它们应当作为一个整体考虑”，缺乏事实和法律依据，依法应予纠正。综上所述，权利要求1相对于证据2的区别特征（1）是本领域公知常识，区别特征（2）（即特征b、c、d）已经被证据2公开，即对本领域技术人员而言，权利要求1是显而易见的，因此，被诉决定关于本专利权利要求1相对于证据2结合公知常识具备创造性的认定，结论有误，依法应予纠正。在本专利权利要求1不具备创造性的基础上，被诉决定认定权利要求2-5具备创造性的理由也就不能成立，依法亦应予以纠正。综上，专利复审委员会作出的被诉决定主要证据不足，适用法律错误，依法应予撤销。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第一项、第二项之规定，本院判决如下：一、撤销国家知识产权局专利复审委员会作出的第33572号无效宣告请求审查决定；二、国家知识产权局针对惠州科锐半导体照明有限公司就第201010235850.1号发明专利提出的无效宣告请求重新作出审查决定。案件受理费一百元，由被告国家知识产权局负担（于本判决书生效后七日内交纳）。如不服本判决，各方当事人可于本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及其副本，并交纳上诉案件受理费一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  陈 勇人民陪审员  韩树华人民陪审员  邹建章二〇二〇年七月二十八日法官 助理  李 哲技术调查官杨燕技术调查官雒晓明书记员王丹妮