中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2018）京73行初2102号原告英特尔公司，住所地美利坚合众国加利福尼亚州圣克拉拉郡使命学院大道**。法定代表人凯瑞??推特，专利主管助理。委托代理人汤春龙，中国专利代理（香港）有限公司专利代理师。委托代理人徐予红，中国专利代理（香港）有限公司专利代理师。被告中华人民共和国国家知识产权局，住所，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**div>法定代表人申长雨，局长。委托代理人杨嘉，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托代理人曹铭书，中华人民共和国国家知识产权局审查员。原告英特尔公司（简称英特威公司）因发明专利权申请驳回复审行政纠纷一案，不服中华人民共和国原国家知识产权局专利复审委员会（简称原专利复审委员会）作出的第129020号复审请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。因国家部委调整，由中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）继续行使由原专利复审委员会行使的职权，并作为本案被告参加诉讼。本院受理后依法组成合议庭，并指派技术调查官郭强参与诉讼。2020年6月18日，本院依法公开开庭进行了审理。原告英特尔公司的委托代理人汤春龙、徐予红，被告国家知识产权局的委托代理人杨嘉、曹铭书到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系原专利复审委员会针对原告英特尔公司申请的名称为“具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件”的201210362131.5号发明专利申请（简称本申请）所提复审请求而作出的，该决定认定：1、审查文本的认定被诉决定所针对的审查文本为：于分案申请递交日2012年9月25日提交的说明书第1-8页、说明书附图第1-3页、说明书摘要、摘要附图；于2017年4月10日提交的权利要求第1-19项。2、关于《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款独立权利要求1请求保护一种半导体器件，对比文件1公开了一种CMOS半导体器件。权利要求1的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，存在以下区别技术特征：1）栅电介质包含氧化铪、填充金属包括氮化钽层；2）PMOS金属栅电极不包括铝化物。相对于对比文件1，上述区别技术特征（1）在权利要求1中实际解决的技术问题是提供一种栅电介质和填充金属的可替换材料。高k栅电介质如氧化铝、氧化钽、氧化铪等，具有减小栅极泄漏、降低栅绝缘层厚度等优点，是本领域的公知常识，在对比文件1已经公开了采用高k电介质材料作为栅绝缘膜的基础上，选用本领域公知的氧化铪材料，对本领域技术人员来说是显而易见的，不需要付出创造性的劳动。钽、钨、氮化钽、氮化钛都是CMOS晶体管中常规的金属栅极材料，属于公知常识，在对比文件1已经公开了材料为钨的填充金属的基础上，采用氮化钽作为填充金属，对本领域技术人员来说是显而易见的，不需要付出创造性的劳动。对于区别技术特征（2），其实际解决的技术问题是提供一种PMOS金属栅电极的可替代材料。对此，对比文件1已经公开了PMOS的栅电极的功函数高于NMOS的栅电极的功函数，且对比文件1的背景技术中已经公开了TiN或者WN等金属栅电极的功函数适于做PMOS的栅电极，因此将这一类不包含铝化物材料用于对比文件1的PMOS区的金属栅电极以得到CMOS半导体器件，对于本领域技术人员来说是显而易见的，不需要付出创造性的劳动。由此可知，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。独立权利要求5请求保护一种半导体器件，对比文件1公开了一种CMOS半导体器件。权利要求5的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，存在以下区别技术特征：（1）栅电介质包括从由氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌酸铅锌构成的组中选择的材料；（2）PMOS金属栅电极不包括铝化物。相对于对比文件1，上述区别技术特征（1）在权利要求5中实际解决的技术问题是提供一种栅电介质和填充金属的可替换材料。对比文件2公开了一种制造场效应晶体管的方法，并具体公开了（参见说明书第3栏第37行至第7栏第26行，附图2-3Q）以下技术特征：采用比二氧化硅的介电常数高的材料用于栅电介质24，该材料可为氧化铝、氧化钽等。上述技术特征在对比文件2中所起的作用与在权利要求5中所起的作用相同，都是在具有金属栅电极的半导体器件中提供栅电介质层的高k电介质材料。因此，对比文件2给出了将其公开的栅电介质材料应用到对比文件1的技术方案中以进一步解决其技术问题的启示。此外，对于其他的高k电介质材料，选择它们作为CMOS晶体管的栅电介质层，是本领域的公知常识。对于区别技术特征（2），其实际解决的技术问题是提供一种PMOS金属栅电极的可替代材料。对此，对比文件1已经公开了PMOS的栅电极的功函数高于NMOS的栅电极的功函数，其PMOS的栅电极的功函数在4.8eV和5.0eV之间，而钯（功函数5.12）、铂（功函数5.65）、钴（功函数5）、镍（功函数5.15）等均为公知的功函数较高的金属材料，因此在对比文件1的基础上采用这些公知材料作为PMOS区的金属栅电极层以使PMOS区的金属栅电极具有相应的高功函数，对于本领域技术人员来说是显而易见的，不需要付出创造性的劳动。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求5所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求5不具有突出的实质性特点，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。独立权利要求10请求保护一种半导体器件，对比文件1公开了一种CMOS半导体器件，权利要求10的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，存在以下区别技术特征：（1）栅电介质包括从由氧化铪、氧化锆、氧化铝构成的组中选择的材料；（2）PMOS金属栅电极不包括铝化物。相对于对比文件1，上述区别技术特征（1）在权利要求10中实际解决的技术问题是提供一种栅电介质和填充金属的可替换材料。对比文件2公开了一种制造场效应晶体管的方法，并具体公开了（参见说明书第3栏第37行至第7栏第26行，附图2-3Q）以下技术特征：采用比二氧化硅的介电常数高的材料用于栅电介质24，该材料可为氧化铝、氧化钽等。上述技术特征在对比文件2中所起的作用与在权利要求10中所起的作用相同，都是在具有金属栅电极的半导体器件中采用高k电介质材料来形成栅电介质层以减小栅泄露。因此，对比文件2给出了将其公开的栅电介质材料应用到对比文件1的技术方案中以进一步解决其技术问题的启示。此外，高k栅电介质如氧化锆、氧化铪等，具有减小栅极泄漏、降低栅绝缘层厚度等优点，是本领域的公知常识，在对比文件1已经公开了采用高k电介质材料作为栅绝缘膜的基础上，选用本领域公知的氧化铪材料，对本领域技术人员来说是显而易见的，不需要付出创造性的劳动。对于区别技术特征（2），其实际解决的技术问题是提供一种PMOS金属栅电极的可替代材料。对此，对比文件1已经公开了PMOS的栅电极的功函数高于NMOS的栅电极的功函数，其PMOS的栅电极的功函数在4.8eV和5.0eV之间，而钯（功函数5.12）、铂（功函数5.65）、钴（功函数5）、镍（功函数5.15）等均为公知的功函数较高的金属材料，因此在对比文件1的基础上采用这些公知材料作为PMOS区的金属栅电极层以使PMOS区的金属栅电极具有相应的高功函数，对于本领域技术人员来说是显而易见的，不需要付出创造性的劳动。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求10所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求10不具有突出的实质性特点，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。此外，本申请其他权利要求亦均不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。据此，原专利复审委员会作出被诉决定，维持国家知识产权局于2016年5月3日作出的驳回决定。原告英特尔公司不服，于法定期限内向本院提起诉讼，其诉称：一、本申请权利要求1具备创造性。1、被诉决定遗漏区别技术特征。对比文件1中包含钛铝化合物的第一(TixAly)1-zNz膜对应的不是本申请权利要求1中的栅电极层，而对比文件1中的栅电极层中并未包含钛铝化合物，因此，对比文件1未公开本申请中“NMOS金属栅电极层包含钛和铝”这一特征。2、现有证据不能证明氧化铪属于高K栅电介质是公知常识，亦不能证明氮化钽作为常规金属栅极材料属于公知常识。3、本领域技术人员基于对比文件1公开的内容不容易想到“PMOS层不包含铝化物”这一特征。故本申请权利要求1具备创造性。二、本申请权利要求5具备创造性。现有证据不能证明除氧化铝、氧化钽以外的其他材料属于常见的高K电介质材料，且本领域技术人员基于对比文件1公开的内容不容易想到“PMOS层不包含铝化物”这一特征。故本申请权利要求5具备创造性。三、基于与权利要求1相同的理由，本申请权利要求10亦具备创造性。四、在权利要求1、5、10具备创造性的情况下，引用上述权利要求的从属权利要求亦均具备创造性。五、即便权利要求1不具备创造性，但因现有证据不能证明氮化钽作为常规金属栅极材料属于公知常识，故权利要求19亦具备创造性。被诉决定认定有误，请求法院予以撤销并判令被告重新作出复审决定。被告国家知识产权局辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本申请是申请号为201210362131.5、名称为“具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件”的发明专利申请。申请人是英特尔公司。本申请的申请日为2005年7月8日，优先权日为2004年7月20日，公开日为2013年1月9日。本案是申请号200580024431.0的分案申请，分案申请提交日为2012年9月25日。驳回决定针对的权利要求共19项，在驳回复审程序中，英特尔公司对权利要求1-4进行了修改，修改后的全部的权利要求如下：“1.一种半导体器件，包括：在衬底之上的栅电介质，包含氧化铪；NMOS金属栅电极，在所述栅电介质上，包含钛和铝；包括氮化钽层的填充金属，所述氮化钽层在所述NMOS金属栅电极上；以及PMOS金属栅电极，在所述衬底之上，不包含铝化物。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述填充金属进一步包含钛。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述NMOS金属栅电极具有低于4.3eV的功函数，并且所述PMOS金属栅电极具有在4.9eV和5.2eV之间的功函数。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述NMOS金属栅电极在400oC是热稳定的。5.一种半导体器件，包括：高k栅电介质，所述高k栅电介质包括从由氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌酸铅锌构成的组中选择的材料；NMOS金属栅电极，其包括具有成分MxAly的铝化物，其中M为过渡金属；和PMOS金属栅电极，其布置在所述高k栅电介质上，所述PMOS金属栅电极不包括铝化物并且具有在4.9eV和5.2eV之间的功函数。6．如权利要求5所述的半导体器件，其中：M包括从由锆、钨、钽、铪和钛构成的组中选择的元素。7．如权利要求5所述的半导体器件，其中NMOS金属栅电极具有在3.9eV和4.3eV之间的功函数，并且在400oC是热稳定的。8．如权利要求5所述的半导体器件，其中NMOS金属栅电极进一步包括形成在铝化物上的填充金属。9．如权利要求8所述的半导体器件，其中填充金属是从由氮化钛、钨、钛、铝、钽、氮化钽、钴、铜以及镍构成的组中选择的。10．一种CMOS半导体器件，包括：高k栅电介质，所述高k栅电介质包括从由氧化铪、氧化锆以及氧化铝构成的组中选择的材料；NMOS金属栅电极，其包括具有成分MxAly的铝化物，其中M为过渡金属；以及PMOS金属栅电极，其布置在所述高k栅电介质上，所述PMOS金属栅电极不包括铝化物并且具有在4.9eV和5.2eV之间的功函数。11．如权利要求10所述的CMOS半导体器件，其中：M包括从由锆、钨、钽、铪和钛构成的组中选择的元素；以及PMOS金属栅电极包括从由钌、钯、铂、钴、镍以及导电的金属氧化物构成的组中选择的材料。12．如权利要求10所述的CMOS半导体器件，其中NMOS金属栅电极具有在3.9eV和4.3eV之间的功函数。13．如权利要求10所述的CMOS半导体器件，其中铝化物具有成分MxAly，其中M是过渡金属，x在1和4之间并且y在1和4之间。14．如权利要求13所述的CMOS半导体器件，其中铝化物是从由ZrAl、ZrAl2、ZrAl3、WAl4、TaAl、HfAl、TiAl、TiAl2、TiAl3以及Ti3Al构成的组中选择的。15．如权利要求10所述的CMOS半导体器件，其中NMOS金属栅电极进一步包括形成在铝化物上的填充金属。16．如权利要求15所述的CMOS半导体器件，其中填充金属是从由氮化钛、钨、钛、铝、钽、氮化钽、钴、铜以及镍构成的组中选择的。17．如权利要求10所述的CMOS半导体器件，其中：高k栅电介质是利用原子层化学汽相沉积工艺形成的，并且厚度在5埃和40埃之间，以及铝化物的厚度在100埃和300埃之间。18．如权利要求10所述的CMOS半导体器件，其中NMOS金属栅电极和PMOS金属栅电极在400oC都是热稳定的。19.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：包括氮化钽层的填充金属，所述氮化钽层在所述PMOS金属栅电极上。”经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2016年5月3日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1、3-18不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。驳回决定依据的文本为：2016年2月25日提交的权利要求第1-19项；分案申请提交日2012年9月25日提交的说明书第1-8页、说明书附图1-3页、说明书摘要和摘要附图。驳回决定引用两篇对比文件，即：对比文件1：US2002086504A1，公开日为2002年7月4日。对比文件1公开了一种CMOS半导体器件，并具体公开了以下技术方案：通过在金属栅制造过程中形成表面沟道CMOSFET时形成具有双功函数（nMOS区中的低功函数和pMOS区中的高功函数）的金属栅电极，在nMOS和pMOS中均实现表面沟道CMOS装置。第一栅绝缘膜12a在nMOS区中形成，第一(TixAly)1-zNz膜13a在第一栅绝缘膜12a中形成，第一金属栅电极14a在第一(TixAly)1-zNz膜13a中形成；第二栅绝缘膜12b在pMOS区中形成，第二(TixAly)1-zNz膜13b在第二栅绝缘膜12b中形成，第二金属栅电极14b在第二(TixAly)1-zNz膜13b中形成。第一和第二金属栅电极14a和14b采用钨（W）来形成。(TixAly)1-zNz膜的功函数值取决于氮（N）的组成。具有双功函数的CMOS金属栅电极能够通过控制(TixAly)1-zNz膜中氮（N）的含量来实现（参见说明书[0005]、[0006]、[0014]、[0015]、[0018]等段）。对比文件2：US5858843A，授权公告日为1999年1月12日。对比文件2公开了一种形成用于制作半导体集成电路的场效应晶体管结构的方法，并具体公开了以下技术方案：图1示出当今集成电路装置中的典型晶体管结构，提供一种通常是硅的衬底10，衬底10包含栅电介质12的薄层，其通常由二氧化硅所制成。多晶硅栅极14直接在栅电介质12上，多晶硅被掺杂时是导电的，并且能够耐受高温。参照图2，示出使用本发明的方法所制作的装置的优选实施例。栅电介质240优选地是具有比二氧化硅的介电常数要高的介电常数的材料，这类材料的示例是锆钛酸铅、钛酸锶钡、氧化铝、五氧化二钽、钛酸锶铋、旋涂玻璃或有机聚合物或者具有比二氧化硅要高的介电常数的另一介电材料。栅材料260优选地是具有高电导率的材料，例如金属（参见说明书第3-4页）。2016年8月12日，英特尔公司对上述驳回决定不服,向原专利复审委员会提出了复审请求。经形式审查合格，原专利复审委员会于2016年9月8日依法受理了该复审请求。原专利复审委员会于2017年8月16日作出被诉决定。诉讼中，国家知识产权局向本院补充提交了如下2份证据，用以证明氧化铪为高K栅电介质是本领域公知常识：1.教科书《集成电路设计》的说明页、目录页和第36-40页，彭兴文译，上海无线电第十九厂，一九七四年出版；其中，第40页表2.3列出的“薄膜电容常用材料”包括HfO2二氧化铪；2.技术手册《电子工业生产技术手册（7）——半导体与集成电路卷》的封面、版权页、封二、说明页、前言页、编委会人员名单页、目录页和第693-696页，电子工业生产技术手册编委会编，国防工业出版社，1991年11月出版；其中，第695页记载了“可用于作介质、钝化膜的金属氧化物”包括HfO2（即二氧化铪），表11-14示出了HfO2等金属氧化物的优点是具有高的介电常数值，因此这类氧化物适宜作高跨导绝缘栅场效应金属管的栅介质和电容器介质。此外，国家知识产权局提交了3份英文期刊文章的相关内容页，用以参考说明氮化钽（TaN）在本领域中常用作金属栅极材料：1.《TDDBandPolarity-DependentReliabilityofHigh-Quality,UltrathinCVDHfO2GateStackWithTaNGateElectrode》，作者：SungjooLeeandD.L.Kwong，来源及公开时间：IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.25,NO.1,JANUARY2004；2．《CharacteristicsofTaNgateMOSFETwithultrathinhafniumoxide(8A-12A)》，作者：ByoungHunLee等，来源及公开时间：0-7803-6438-4/00/$10.0002000IEEE，2000年12月31日；3．《ElectricalandphysicalcharacteristicsofultrathinhafniumsilicatefilmswithpolycrystallinesiliconandTaNgates》，作者S.Gopalan等，来源及公开时间：APPLIEDPHYSICSLETTERSVOLUME80,NUMBER23,10JUNE2002。国家知识产权局还提交了14份参考资料用以参考说明权利要求5所限定的化合物均为高K栅电介质常用材料，包括13份中英文期刊文章以及美国专利公开文本（US6709911，公开日为2004年3月23日，专利权人为英特尔公司）。其中，该份专利公开文本载明“高K栅介电层包括从以下构成的组中选择的材料：氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌酸铅锌”；其他期刊文章也有上述化合物中的某一种或几种用作高K栅电介质材料的相关记载。上述事实，有被诉决定、本申请文本、对比文件1、2、国家知识产权局向本院补充提交的证据和参考资料以及庭审笔录等在案佐证。本院认为：一、本申请权利要求1是否具备创造性。本申请NMOS包括两个电极层，分别为金属栅电极层与填充金属层，填充金属层位于金属栅电极层之上。对比文件1的NMOS电极层也包括两个电极层，即第一(TixAly)1-zNz膜及第一金属栅电极。虽然对比文件1也有与本申请相同名称的“金属栅电极”，但依据结构限定可知，对比文件1的金属栅电极层位于第一(TixAly)1-zNz膜之上，因此，对比文件中的第一金属栅电极层相当于本申请中的填充金属层，而非金属栅电极层。基于此，对比文件1第一(TixAly)1-zNz膜相当于本申请的金属栅电极层，在其中包含铝钛化合物的情况下，原告有关NMOS金属栅电极层包含钛和铝这一特征未被对比文件1公开，被诉决定遗漏区别技术特征的主张不能成立。被告在诉讼中提交的《集成电路设计》中记载了氧化铪具有高K值，《电子工业生产技术手册》中记载了氧化铪可作为栅电介质使用。上述证据说明氧化铪可以作为高K栅电介质使用属于本领域公知常识，原告认为其并非公知常识的主张不能成立，本院不予支持。被告提交的三份英文期刊文章均记载氮化钽可以作为金属栅极材料使用，且不仅记载于正文，更可见于文章标题。上述内容即便并不能当然证明该技术信息属于本申请申请日之前的公知常识，至少可以证明本领域技术人员容易想到采用氮化钽作为金属栅极材料使用，据此，本申请权利要求1中采用氮化钽作为金属栅极材料亦无需创造性劳动。本申请权利要求1中对PMOS层的限定虽然仅提及“不包含铝化物”，但因其目的在于确保PMOS栅电极的功函数高于NMOS栅电极的功函数，因此，判断该特征是否显而易见需要结合功函数这一因素。对比文件1的背景技术中公开了不含铝化物的TiN或者WN等“金属栅电极”具有较高的功函数。原告主张影响栅电极功函数的是与PMOS相邻的电极层，但因被告将对比文件1中的“金属栅电极”层对应于本申请的填充金属，而填充金属层与PMOS并不相邻，因此，上述内容并未给出本申请的金属栅电极层不含铝化物从而影响功函数的启示。但本院要指出的是，对比文件1中背景技术的技术方案与对比文件1本身的发明内容属于两个不同的技术方案，因此，对于对对比文件1发明内容中金属栅电极的理解不能当然用于其背景技术中，即便其具有相同的用语亦是如此。在该背景技术中，对于电极层仅使用金属栅电极层予以表述，而非本申请及对比文件1中的两个名称，因此，这一情形说明该背景技术中的金属栅电极层与PMOS相邻，该电极层中的不含铝化合物会对功函数产生影响。相应地，本领域技术人员基于上述内容容易想到将不含铝化合物材料用于对比文件1的PMOS区的金属栅电极以得到CMOS半导体器件。原告的相关主张不能成立，本院不予支持。综上，原告有关本申请权利要求1具备创造性的理由均不能成立，相应地，对其有关权利要求1具备创造性的主张本院不予支持。二、本申请权利要求5是否具备创造性。被告在诉讼中提交的美国专利公开文本和期刊文章中可以看出，权利要求5中所限定的除氧化铝、氧化钽以外的其他材料均属于常见的高K电介质材料。此外，基于与权利要求1相同的理由，采用不包含铝化物的材料作为PMOS区的金属栅电极对于本领域技术人员而言亦显而易见，基于此，本申请权利要求5不具备创造性。原告有关权利要求5具备创造性的主张，本院不予支持。三、本申请权利要求10、19及其他权利要求是否具备创造性。因原告认为本申请权利要求10具备创造性的理由与权利要求1相同，而本院已在对权利要求1创造性的评述部分认定上述理由均不成立，故原告有关权利要求10具备创造性的主张不能成立。权利要求19的附加技术特征为“包括氮化钽层的填充金属，所述氮化钽层在所述PMOS金属栅电极上”，基于与权利要求1相同的理由，本领域技术人员采用氮化钽作为金属栅极材料亦无需创造性劳动。据此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求19亦不具备创造性。在权利要求1、5、10均不具备创造性的情况下，原告有关上述权利要求具备创造性，故引用上述权利要求的从属权利要求亦均具备创造性的主张不能成立，本院不予支持。综上，被诉决定的认定结论正确，原告请求撤销被诉决定的诉讼请求不能成立。本院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决如下：驳回原告英特尔公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告英特尔公司负担（已交纳）。如不服本判决，原告英特尔公司可在本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可在本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  陈锦川审 判 员  芮松艳人民陪审员  巩玟宏二〇二〇年七月二十日法官 助理  刘欣蕾技术调查官郭强书 记 员  宋云燕