中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2017）京73行初9171号原告：麻省理工学院，住所地美利坚合众国马萨诸塞州剑桥马萨诸塞大街77号。法定代表人：莱斯利·米拉·尼克尔森，技术许可办公室主任。委托诉讼代理人：詹承斌，北京市柳沈律师事务所专利代理人。委托诉讼代理人：金拟粲，北京市柳沈律师事务所专利代理人。被告：中华人民共和国国家知识产权局，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：王文杰，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：吴风静，中华人民共和国国家知识产权局审查员。原告麻省理工学院因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2017年5月24日作出的第123931号复审请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2017年10月7日受理后，依法组成合议庭，并指派技术调查官郭强参与诉讼。我院于2018年10月16日公开开庭审理了本案。麻省理工学院的委托诉讼代理人詹承斌、金拟粲，被告中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）的委托诉讼代理人王文杰、吴风静到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会针对麻省理工学院所提复审请求而作出的，该决定认定：一、权利要求1不具备《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款规定的创造性。对于权利要求1请求保护的技术方案（1），该技术方案（1）与对比文件3相比，其区别技术特征在于：①所述无机材料包括溅射的金属氧化物；②该多个半导体纳米晶体形成单层。对于权利要求1请求保护的技术方案（2），权利要求1请求保护的技术方案（2）与对比文件3相比，其区别技术特征在于：①所述无机材料包括溅射的金属氧化物；②该多个半导体纳米晶体形成单层；③无机半导体颗粒以有机配体层修饰。对于区别技术特征①，采用溅射的金属氧化物作为电荷传输层属于本领域的常规选择，对比文件3公开了“第二p型半导体层和n型半导体层可以由宽带隙半导体材料形成，所述宽带隙半导体材料选自ZnaMg1aSe，ZnaMg1-aS，ZnaMg1-aSbSe1-b，ZnaBe1-aSbSe1-b”，其中例举了多种金属硫族化物可以用作p型和n型半导体层材料，权利要求1限定的金属氧化物也是本领域常用的金属硫族化物，本领域技术人员在面对对比文件3公开的金属硫族化物时，容易想到采用ZnO、ZnMgO或ITO等其他常用的金属硫族化物进行替换，并且这种替换所带来的技术效果也是可以预期的；同时，溅射形成金属氧化物是本领域公知的成膜方法。对于区别技术特征②，对比文件3已经公开了采用多层半导体纳米晶体作为有源层，而将半导体纳米晶体形成为单层形态仅是对半导体纳米晶体的层数进行了略微调整；选择“该多个半导体纳米晶体形成单层”，对于本领域技术人员来说，在可能的、有限的范围内选择具体的层数为单层，这种选择可以由本领域的技术人员通过常规手段得到并且没有产生预料不到的技术效果。对于区别技术特征③，通过有机配体层修饰半导体纳米晶体以改善物化特性也属于本领域的常规选择。由此可知，在对比文件1的基础上结合本领域的常规选择以获得权利要求1所要求保护的技术方案（1）或（2），对所属技术领域的技术人员而言是显而易见的，因此权利要求1所要求保护的技术方案（1）、（2）均不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。二、权利要求2-12不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求2、7、8、9是权利要求1的从属权利要求，当其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求也不具备创造性。而权利要求3是权利要求1或2的从属权利要求，权利要求4是权利要求3的从属权利要求，权利要求5是权利要求4的从属权利要求，权利要求6是权利要求4的从属权利要求。基于上述理由，其引用的权利要求不具备创造性时，该些从属权利要求也不具备创造性。权利要求10、11、12均引用权利要求1-9的内容，基于权利要求1-9的前述评述理由，在权利要求10引用的权利要求1-9不具备创造性时，权利要求10也不具备创造性。据此，专利复审委员会作出被诉决定，维持国家知识产权局于2015年11月6日作出的驳回决定。原告麻省理工学院不服，于法定期限内向本院提起诉讼称：一、被诉决定有关权利要求1不具备创造性的认定有误。1、被诉决定对于本申请实际解决的技术问题的事实认定错误。基于区别技术特征②，本申请实际要解决的技术问题是：提供有利的发光性能，同时对电性能的影响最小，并且优化器件。但被诉决定并未基于该区别技术特征确定其实际解决的技术问题。2、被诉决定对于对比文件3给出的技术启示的事实认定错误。关于区别技术特征①，对比文件3没有教导使用氧化物，更没有教导使用溅射的氧化物。关于区别技术特征②，对比文件3仅仅教导了多导体纳米晶体，没有提及、公开或教导半导体纳米晶体单层，并未给出采用区别技术特征②解决本申请实际要解决的技术问题启示，以得到本申请权利要求1的技术方案。3、被诉决定对于本申请权利要求1相对于对比文件3取得的技术效果的事实认定错误。本申请发现半导体纳米晶体单层提供有利的发光性能，这样的效果是区别特征①、②的协同作用带来的，从对比文件3及现有技术中预料不到的。本申请相对于对比文件3取得了预料不到的技术效果。二、在本申请权利要求1具备创造性的基础上，其他权利要求亦具备创造性。综上，被诉决定认定事实不清，适用法律错误，请求法院依法予以撤销，并判令被告重新依法作出决定。被告国家知识产权局辩称：被诉决定对权利要求1-12不具备创造性的认定，认定事实清楚，适用法律正确，证据充分，结论正确，程序合法，请求驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本复审请求涉及申请号为200680012547．7，名称为“含有半导体纳米晶体的发光器件”的发明专利申请。本申请的申请人为麻省理工学院，申请日为2006年2月15日，优先权日为2005年2月16日，公开日为2008年7月2日。经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2015年11月6日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-7、9-14不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为2007年10月15日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文文本中的说明书第1-78段、说明书附图图1-6B、说明书摘要、摘要附图；2015年7月6日提交的权利要求第1-14项。驳回决定中引用了如下的对比文件：对比文件3：US2005/0006656A1，公开日为：2005年1月13日。该文件公开了一种电致发光器件，并具体公开了以下技术特征：发光器件，包括以下连续的多层结构：SOI衬底；底部电极（即第一电极）；第一p型Si层，其形成在所述SOI衬底上，图案化所述第一p型Si层以在发光器件底部形成电隔离的硅电极，其中，第一p型Si层可被替换为透明的ITO层，以形成底部电极（即第一电极）；薄层硅，它允许进一步的外延生长；第二p型半导体层（薄层硅和第二p型半导体层共同构成第一电荷传输层，薄层硅与底部电极接触，底部电极被布置以在薄层硅和第二p型半导体层中引入电荷）；当pn结在正向注入模式下工作时，薄层硅和第二p型半导体层相当于空穴传输层（参见对比文件3的权利要求1，5，6）：量子点纳米晶体层（即发射层），布置在底部电极和顶部电极（即第二电极）之间，是由多个半导体纳米晶体组成的单独的发射层（图2），所述半导体纳米晶体为无机半导体颗粒（权利要求3）；n型半导体层（即第二电荷传输层，n型半导体层与顶部电极接触，顶部电极被布置以在该n型半导体层中引入电荷）；薄层硅和第二p型半导体层共同构成第一电荷传输层，薄层硅与底部电极接触，底部电极被布置以在薄层硅和第二p型半导体层中引入电荷；其中第二p型半导体层和n型半导体层可以由宽带隙半导体材料形成，所述宽带隙半导体材料选自ZnaMg1aSe，ZnaMg1-aS，ZnaMg1-aSbSe1-b，ZnaBe1-aSbSe1-b，AlcGa1-c和AlInN构成的组（第二p型半导体层和n型半导体层均包含无机材料）；金属层，形成多个顶部电极（即第二电极）。麻省理工学院对上述驳回决定不服，于2016年2月22日向专利复审委员会提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在权利要求1中增加了原权利要求8的附加技术特征，删除了权利要求8，并对其它权利要求的编号和引用关系进行了适应性调整。专利复审委员会于2016年3月14日依法受理了该复审请求，并于2016年10月20日向麻省理工学院发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。针对该复审通知书，麻省理工学院于2017年2月3日提交了意见陈述书，并提交了再次修改的权利要求书，其修改后的权利要求1如下：“1．发光器件，包括：第一电极；包括第一无机材料的第一电荷传输层，其中所述第一电荷传输层为空穴传输层；第二电极；布置在该第一电极和第二电极之间的由多个半导体纳米晶体组成的单独的发射层，所述半导体纳米晶体为无机半导体颗粒，该颗粒任选地以有机配体层修饰；第二电荷传输层，和其中该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷，第二电极被布置以在该第二电荷传输层中引入电荷，其中该第二电荷传输层包括第二无机材料，其中所述无机材料包括溅射的金属氧化物，和其中该多个半导体纳米晶体形成单层。”在上述程序的基础上，专利复审委员会于2017年5月24日作出被诉决定。在本案审理过程中，麻省理工学院向本院提交了被诉决定所针对的审查文本以及US2005/0006656A1美国专利及其中文译文。本申请说明书第2页记载：“与块状固体不同，半导体纳米晶体的单层可以应用于光发射器件中。单层提供半导体纳米晶体有利的发光性能，同时使对电性能的影响最小。”第4页记载有如下内容：“……因此可以有效的利用半导体纳米晶体的有利的发光性能，同时也减小了使其对电子性能的影响最小化。”说明书第6页记载有如下内容：“为传递电荷到半导体纳米晶体单层，可以优化器件。”经查，根据中央机构改革部署，原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会的相关职责由中华人民共和国国家知识产权局统一行使。上述事实，有本申请权利要求书、说明书、对比文件3等证据及当事人陈述在案佐证。本院认为：鉴于本申请的申请日在2009年10月1日以前，故应当适用2001年施行的专利法及其实施细则。专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。突出的实质性特点是指对所属技术领域的技术人员来说，发明相对于现有技术是非显而易见的。显著的进步，是指发明与现有技术相比能够产生有益的技术效果。本案中，对于本申请权利要求1请求保护的技术方案（1），该技术方案（1）与对比文件3相比，其区别技术特征在于：①所述无机材料包括溅射的金属氧化物；②该多个半导体纳米晶体形成单层。对于本申请权利要求1请求保护的技术方案（2），权利要求1请求保护的技术方案（2）与对比文件3相比，其区别技术特征在于：①所述无机材料包括溅射的金属氧化物；②该多个半导体纳米晶体形成单层；③无机半导体颗粒以有机配体层修饰。麻省理工学院对于被诉决定认定存在前述区别特征以及对区别特征③的评述并无异议，本院予以确认。本案中，麻省理工学院的主要争议点在于：区别特征②所带来的技术效果是提供半导体纳米晶体有利的发光性能，同时使对电性能的影响最小，可以优化器件。而前述技术效果基于现有技术及对比文件3是无法预料到的。同时，区别特征①是实现区别特征②的技术方案，二者具有协同作用，且对比文件3未教导使用溅射的氧化物。被诉决定在本申请权利要求1所解决的技术问题、技术效果及是否带来启示等方面的认定均存在错误。对此，本院认为，根据本申请说明书的记载，多个半导体纳米晶体形成单层所带来的技术效果，是相对于块状半导体纳米晶体而言的。且在本申请说明书中没有明确具体提高什么发光性能，对电性能的哪方面影响最小以及在哪方面优化了器件的情况下，本领域技术人员基于本领域常识，可以对将半导体纳米晶体层形成为单层时，对于有源层的发光性能、电性能的影响作出合理预期。因此，在对比文件3已经公开采用多层半导体纳米晶体作为有源层的情况下，本领域技术人员可以根据需求，对多层半导体纳米晶体具体层数进行选择。这种选择是本领域技术人员的常规选择且没有产生预料不到的技术效果。故原告的相关主张不能成立。对比文件3虽然没有给出具体的金属氧化物，但是明确了使用宽带隙无机半导体材料，也列出了多种金属硫族化物材料，而本申请的金属氧化物也属于金属硫族化物材料。此外，溅射工艺是本领域中形成薄膜的一种非常常见和成熟的工艺，且在本申请中使用该工艺来形成氧化物薄膜也没有带来任何预想不到的技术效果。因此，在对比文件3已经公开了使用多种金属硫族化物等宽带隙无机半导体层的基础上，本领域技术人员容易想到采用ZnO、ZnMgO或ITO等其他常用金属硫族化物进行替换，且没产生预料不到的技术效果。故原告的相关主张不能成立。由于区别特征②的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，故原告有关区别特征①是实现区别特征②的技术方案，二者是协同关系的主张不予评述。综上，被诉决定认定事实和适用法律并无不当，原告麻省理工学院要求撤销被诉决定的诉讼请求不能成立，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告麻省理工学院的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告麻省理工学院负担（已交纳）。如不服本判决，原告麻省理工学院可于本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可于本判决书送达之日起十五日内向本院提交上诉状，并按对方当事人的人数提交副本，同时交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  林鸿姣人民陪审员  宫朝红人民陪审员  丁 敏二〇一九年十二月二十五日法官 助理  周文君技术调查官郭强书记员李亚楠