中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2017）京73行初8133号原告：埃西勒国际通用光学公司，住所地法兰西共和国沙朗通勒蓬巴黎路147号。法定代表人：苏菲·克拉基斯-梅纳热，知识产权部主任。（未到庭）原告：先利士劳尔光子学股份公司，住所地瑞士联邦苏黎世州霍尔根诺伊街10号。法定代表人：布鲁诺·费舍尔，首席财务官；帕特里克·保罗·埃米勒·格奥尔格斯·蓬桑，执行董事。（未到庭）以上二原告共同委托诉讼代理人：白皎，女，1972年10月1日出生，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人，住中华人民共和国北京市海淀区。（到庭）以上二原告共同委托诉讼代理人：田元媛，女，1976年12月22日出生，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人，住中华人民共和国北京市海淀区。（到庭）被告：中华人民共和国国家知识产权局，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。法定代表人：申长雨，局长。(未到庭)委托诉讼代理人：赵妍妍，中华人民共和国国家知识产权局审查员。(到庭)委托诉讼代理人：赵鑫，中华人民共和国国家知识产权局审查员。(到庭)案由：发明专利申请驳回复审行政纠纷。被诉决定：第120847号复审请求审查决定。被诉决定作出时间：2017年1月24日。本院受理时间：2017年10月25日。开庭审理时间：2019年11月12日。被诉决定系中华人民共和国原国家知识产权局专利复审委员会（以下简称原专利复审委员会）针对原告就申请号为201280035418.5，名称为“用来以防污涂层成分涂覆光学制品的机器和使用该机器的方法”的发明专利申请（以下简称本申请）所提复审请求而作出的，被诉决定认定：本申请权利要求1相对于对比文件3及本领域常用技术手段不具备《中华人民共和国专利法》（以下简称《专利法》）第二十二条第三款规定的创造性，在引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求2-21也不具备创造性，据此维持中华人民共和国国家知识产权局于2016年5月3日对本申请作出的驳回决定。原告不服被诉决定，起诉称：一、本申请权利要求1相对于对比文件3是非显而易见的。（一）权利要求1与对比文件3解决的技术问题完全不同。本申请是为了使移除初始最外防污涂层和在光学制品上沉积新的防污涂层这两种不同的处理在机器的同一真空室中被实施使得该机器是简单、紧凑且经济的而提出的。对比文件3是为了解决现有技术中的不具有防污层的镜片表面预处理和防污层的沉积均需要在很低的压力下进行并且会导致粘附的问题而提出的。作为最接近的现有技术的对比文件3不存在本申请实际需要解决的问题，因此，本领域技术人员没有动机去改进最接近的现有技术并获得所要保护的技术方案。（二）本领域技术人员没有动机在对比文件3的基础上结合本领域的常规技术手段以实现权利要求1。第一，本申请权利要求1限定了“等离子体发生器被构造用来在所述真空室中执行所述光学制品的真空等离子处理；所述控制单元控制所述等离子体发生器以便移除所述光学制品的初始最外防污涂层”，这两个技术特征在技术上是相关联的，即，本申请权利要求1限定的光学制品具有初始最外防污涂层，等离子体发生器用于移除光学制品的初始最外防污涂层。对比文件3中，对光学制品的最外层进行等离子处理，以激活抗反射涂层的粘附性质，同时产生对镜片的表面进行清洁的附加效果。对比文件3中提及的镜片预先根本不存在防污涂层，当然也不需要考虑移除光学制品的初始最外防污涂层，更不会考虑到根据需要设置或调整等离子参数来移除初始最外防污涂层。并且对比文件3对镜片表面的清洁是在激活抗反射层涂层的粘附性质时产生的附加技术效果，与本申请权利要求1限定的初始最外防污涂层没有任何关联。而本申请中对光学制品的防污涂层进行等离子处理，以移除光学制品的最外防污涂层。第二，对比文件3在同一真空腔室中进行的是要沉积的涂覆材料和要涂覆的光学制品的最外层的预处理，与本申请权利要求1限定的在同一真空室中进行初始最外防污涂层的移除和真空蒸发处理完全不同。因此，本领域技术人员在试图解决本申请的技术问题时不会考虑对比文件3。第三，本申请的控制单元被构造用来在真空蒸发处理期间使所述真空泵不从真空室吸取气体。首先，对比文件3公开的示例2在真空蒸发沉积处理之后才释放真空，因此，未公开在真空蒸发处理期间使真空泵停止。并且真空蒸发处理期间停止真空室的泵送并不能被认为是本领域技术人员的常用技术手段。常规来讲，在真空蒸发处理期间停止真空泵的泵送会减少对蒸发的材料的流动的控制并且增大污染的风险。为了维持蒸发材料的流动的控制，通常在气相沉积处理中连续泵送。因此，对本领域技术人员来说，权利要求1所限定的技术特征“在真空蒸发处理期间使真空泵不从真空室吸取气体”不是常规技术手段。本申请通过在真空蒸发处理期间使真空泵不从真空室吸取气体，可以使蒸发处理期间真空室中具有安静的状态，从而使得真空蒸发处理的质量提高，克服了现有技术的偏见。综上，本领域技术人员基于对比文件3结合本领域技术人员的常用技术手段不能得到权利要求1的技术方案。二、权利要求1相对于对比文件1、对比文件3以及本领技术人员的常用技术手段是非显而易见的。对比文件3中提及的镜片预先根本不存在防污涂层，当然也不需要考虑移除光学制品的初始最外防污涂层，更不会考虑到根据需要设置或调整等离子参数来移除初始最外防污涂层。并且对比文件3对镜片表面的清洁是在激活抗反射层涂层的粘附性质时产生的附加技术效果，与对比文件1公开的防污涂层没有任何关联。因此，尽管对比文件3公开了可以对镜片的表面进行清洁，本领域技术人员基于对比文件1也不会想到调整等离子参数来移除本申请权利要求1和15限定的初始最外防污涂层。三、权利要求1和15相对于现有技术具有显著的技术效果。本申请权利要求1和15限定的技术方案至少能够获得如下技术效果：（一）移除初始最外防污涂层和在光学制品上沉积新的防污涂层这两种不同的处理在机器的同一真空室中被实施使得该机器是简单、紧凑且经济的。因此根据本申请的机器可以放置在光学仪器商的经营场所，光学仪器上可以容易地使用所述机器，由于仅有的一个机器包括移除初始防污涂层且以防污涂层成分再涂覆该光学制品所需的所有元件，因此对光学仪器商来说也非常方便并且该再涂覆是非常迅速的。（二）本申请通过在真空蒸发处理期间使真空泵不从真空室吸取气体，可以使蒸发处理期间真空室中具有安静的状态，从而使得真空蒸发处理的质量提高。四、被诉决定存在事实认定错误和法律适用的错误。（一）被诉决定割裂本申请权利要求1的技术特征。本申请权利要求1限定了“等离子体发生器被构造用来在所述真空室中执行所述光学制品的真空等离子处理；所述控制单元控制所述等离子体发生器以便移除所述光学制品的初始最外防污涂层”，这两个技术特征在技术上是相关联的，也就是说，本申请权利要求1限定的光学制品具有初始最外防污涂层，等离子体发生器用于移除光学制品的初始最外防污涂层。而被诉决定在分析上述技术特征时，将等离子体发生器与移除初始最外防污涂层这两个特征割裂开来，笼统地认为控制单元控制等离子体处理工艺，而未考虑光学制品具有初始最外防污涂层和不具有初始最外防污涂层这一区别技术特征。从而导致得出权利要求1不具有创造性的错误结论。（二）被诉决定未对本申请的权利要求1相对于对比文件3所实际解决的技术问题进行分析。（三）被诉决定在没有提供任何证据的情况下直接认定权利要求1与对比文件3的区别技术特征为本领域的常用技术手段。（四）对比文件1与对比文件3结合不存在技术启示。（五）被诉决定认定本申请权利要求不具有创造性的结论是基于对现有技术的简单拼凑，属于事后诸葛亮。综上所述，被诉决定事实认定不清，法律适用错误，请求法院撤销被诉决定，并判令被告重新作出决定。被告辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：一、本申请（一）申请人：原告。（二）发明创造名称：用来以防污涂层成分涂覆光学制品的机器和使用该机器的方法。（三）申请号：201280035418.5。（四）申请日：2012年7月16日。（五）公开日：2014年4月2日。（六）本申请权利要求：“1.用来以防污涂层成分涂覆光学制品(28)的机器，所述机器包括：真空室(8)，所述真空室具有内部空间(31)，所述内部空间被构造用来接收所述光学制品(28)；真空泵(20)，所述真空泵连接到所述真空室(8)；等离子体发生器(11)，所述等离子体发生器被构造用来在所述真空室(8)中执行所述光学制品(28)的真空等离子体处理；蒸发装置(10)，所述蒸发装置被构造用来执行所述防污涂层成分的真空蒸发处理，以便在所述真空室(8)中将所述防污涂层成分沉积在所述光学制品(28)上；和控制单元(2)，所述控制单元被构造用来控制所述等离子体发生器和所述蒸发装置；所述控制单元(2)控制所述等离子体发生器以便移除所述光学制品(28)的初始最外防污涂层；所述控制单元(2)控制所述蒸发装置以便用所述防污涂层成分再涂覆所述光学制品(28)；所述控制单元(2)还被构造用来在真空等离子体处理期间引起所述真空泵(20)从所述真空室(8)吸取气体；并且所述控制单元(2)还被构造用来在真空蒸发处理期间引起所述真空泵(20)不从所述真空室(8)吸取气体。2.根据权利要求1所述的机器，包括真空阀(19)，所述真空阀布置在所述真空室(8)和所述真空泵(20)之间，并且被构造用来处于打开状态和关闭状态，所述打开状态和关闭状态分别用来引起所述真空泵(20)从所述真空室(8)吸取气体和不从所述真空室吸取气体。3.根据权利要求1所述的机器，所述真空泵(20)被构造成被开通和关掉，以分别用来从所述真空室(8)吸取气体或不从所述真空室吸取气体。4.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，包括压力传感器(17)，所述压力传感器布置在所述真空室(8)和所述真空泵(20)之间。5.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，包括过滤装置(23)，并且所述控制单元(2)被构造用来引起所述真空泵(20)从所述真空室(8)吸取气体并且借助于通过所述过滤装置(23)而将气体排出到大气。6.根据权利要求5所述的机器，所述过滤装置(23)布置在所述真空室(8)和所述真空泵(20)之间。7.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，包括气体入口阀(13)，所述气体入口阀连接到所述真空室(8)。8.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，所述蒸发装置(10)包括加热模块(32)，所述加热模块被构造用来加热所述防污涂层成分。9.根据权利要求8所述的机器，包括坩埚(30)，所述坩埚被构造用来接收所述防污涂层成分，所述加热模块(32)包括第一支撑件(29)，在所述第一支撑件上接收所述坩埚(30)。10.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，包括第二支撑件(27)，在所述第二支撑件上接收所述光学制品(28)。11.根据权利要求10所述的机器，包括门(9)，所述门是可移动的或可移除的，所述蒸发装置(10)和所述第二支撑件(27)被接收在所述门(9)上。12.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，所述光学制品(28)由眼镜片形成，所述真空室(8)被构造用来接收安装在眼镜框架上的眼镜片，并且所述机器(1)被构造用来再涂覆所述眼镜片。13.根据权利要求1到3中的任一项所述的机器，所述控制单元(2)包括数据处理系统，所述数据处理系统具有微处理器(3)和随机存取存储器(4)，并且被构造用来加载和执行计算机程序以便相继地控制所述等离子体发生器和所述蒸发装置两者。14.根据权利要求13所述的机器，所述控制单元(2)还包括通信接口(6,7)，所述通信接口被构造用来与所述数据处理系统通信以便再涂覆所述光学制品(28)。15.一种使用根据权利要求1到14中的任一项所述的机器(1)的方法，所述方法包括以下步骤：选择光学制品(28)，所述光学制品具有初始最外防污涂层；将所述光学制品(28)装载到所述机器(1)的真空室(8)中；将所述防污涂层成分装载到所述真空室(8)中；启动所述机器(1)的真空泵(20)并且引起所述真空泵(20)从所述真空室(8)吸取气体；执行所述真空等离子体处理并且控制所述真空等离子体处理以便移除所述光学制品(28)的初始最外防污涂层；引起所述真空泵(20)不从所述真空室(8)吸取气体；执行所述真空蒸发处理并且控制所述真空蒸发处理，以便用所述防污涂层成分再涂覆所述光学制品(28)；和从所述真空室(8)卸载所述光学制品(28)。16.根据权利要求15所述的方法，所述机器(1)包括真空阀(19)，将所述真空阀布置在所述真空室(8)和所述真空泵(20)之间，并且引起所述真空泵(20)从所述真空室吸取气体的步骤和不从所述真空室吸取气体的步骤分别包括打开所述真空阀(19)的步骤和关闭所述真空阀的步骤。17.根据权利要求15到16中的任一项所述的方法，所述机器(1)包括连接到所述真空室(8)的过滤装置(23)，并且所述方法还包括当引起所述真空泵(20)从所述真空室(8)吸取气体时在气体排出到大气之前过滤所述气体的步骤。18.根据权利要求17所述的方法，包括在过滤所述气体的步骤之前引起所述真空泵从所述真空室(8)吸取所述气体的步骤，和在过滤所述气体的步骤之后引起所述真空泵(20)不从所述真空室(8)吸取气体的步骤。19.根据权利要求15或16所述的方法，所述机器(1)包括连接到所述真空室(8)的气体入口阀(13)，并且在执行所述真空等离子体处理的步骤之前，所述方法包括打开所述气体入口阀(13)的步骤。20.根据权利要求15或16所述的方法，执行所述真空蒸发处理的步骤包括加热所述防污涂层成分持续预定时间的步骤。21.根据权利要求20的方法，所述机器(1)包括坩埚(30)，所述坩埚被构造用来接收所述防污涂层成分，并且通过加热所述坩埚(30)执行加热所述防污涂层成分的步骤。”二、对比文件（一）对比文件1对比文件1（US2005/0008784A1，公开日为2005年1月13日）公开了一种用来以防污涂层成分涂覆光学制品的方法，并具体公开了以下技术特征：首先提供一个包含光学基片的工件，该光学基片的表面具有包含硅的防污涂层（初始防污涂层），防污涂层与光学基片之间具有防反射涂层，该方法首先通过在真空条件下通过等离子体去除防反射层上的防污涂层，然后再在防反射层的表面再涂覆一层新的防污涂层。（参见对比文件1权利要求1）。（二）对比文件3对比文件3（WO2007/051841A1，公开日为2007年5月10日）公开了一种真空蒸发的方法在光学元件最外层镀覆抗污涂层表面的方法，并公开了其工艺过程及采用的设备为：晶片被放置在真空腔室内，真空腔室包括蒸发装置；腔室关闭，抽真空至200mTorr，压力达到后开始等离子处理镜片。处理结束后，关闭等离子，释放真空，真空腔室打开。然后在蒸发装置中的试样上蒸发沉积抗污涂层（参见对比文件3实施例1）。三、其他事实（一）本申请说明书第[0009]段载明，本发明涉及一种用来以防污涂层成分涂覆或再涂覆光学制品的机器，该机器实现简单、紧凑且经济。第[0020]段载明，换句话说，根据本发明的机器被构造用来再涂覆光学制品(首先移除初始最外防污涂层并且接下来在光学制品上沉积新的防污涂层)。第[0021]段载明，两种不同的处理在该机器的相同真空室中被实施使得该机器是简单且经济的。第[0025]段载明，该机器还包括数据处理系统，该数据处理系统被构造用来相继地控制等离子体发生器和蒸发装置两者，使得该机器的制造和使用特别简单。（二）对比文件3第2页第14行至第3页第13行中文翻译如下：日本专利申请JP2000-308846（ToppanPrinting有限公司）公开了一种用于在光学制品上形成防污涂层的方法，包括在通过传统方法沉积防污涂层之前预处理光学制品的表面。在预处理步骤，可以采用高频放电等离子方法、辉光放电等离子方法、电晕处理、电子束方法、离子束方法、酸碱处理。在小于1Pa通常小于10-3Pa的压力下加热涂覆溶液，通过真空蒸发沉积防污涂层。在示例中，采用处于从10-3到10-1Pa的压力下的等离子体实现表面预处理。第12页第4-9行中文翻译如下：为了避免额外的材料装卸，对根据本发明的要沉积的涂覆材料和要涂覆的光学制品的最外层采用能量体同时进行相同的处理，这意味着它们在相同的压力下在同一真空腔室中被处理。实际上，真空室中涂覆材料的存在不会干扰光学制品表面处理。第13页第1-10行中文翻译如下：根据本发明的能量处理也可以进行表面清洁，是传统清洁方法的一种安全的环保的可替代方式。例如，等离子体处理可以从所用的材料移除有机表面污染物。活性能量体与污染物产生化学反应，导致污染物蒸发并从真空室移除。最后，如果处理的表面是聚合物类型，本能量处理可以在材料内形成较高的交联密度达到几千埃深度。表面交联可以提高某些性能，例如硬度和化学抗性。第14页第10-13行中文翻译如下：当光学元件最外层和用于抗污染顶层的液体镀覆溶液都进行过活性处理之后，和真空蒸发装置一起放置到一个真空腔室后，真空蒸发步骤可以实施了。对比文件3实施例1公开了等离子的不同功率，分别为低（680VDC，10mADC，6.8W）、中（700VDC，15mADC，10.5W）、高（720VDC，25mADC，18W）。（三）庭审过程中，原告增加理由：被诉决定遗漏区别特征：本申请等离子体发生器同对比文件3等离子体发生器用途不同；其明确表示，如果权利要求1不具备创造性，则不再坚持从属权利要求2-10、12-14、16-21具备创造性；另，原告提交第29484号无效宣告请求审查决定书复印件等4份证据，用以证明被诉决定认定事实错误，本申请具备创造性。另查，根据中央机构改革部署，原专利复审委员会的相关职责由中华人民共和国国家知识产权局统一行使。上述事实，有被诉决定、本申请公开文本、对比文件以及当事人陈述等证据在案佐证。本院认为：各方当事人在诉讼中争议的焦点问题在于本申请权利要求是否具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。《专利法》第二十二条第三款规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。在判断一项权利要求的创造性时，如果该权利要求的技术方案和最接近的现有技术相比存在区别技术特征，而现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的技术启示，则该权利要求的技术方案不具备创造性。一、本申请权利要求1的创造性权利要求1与对比文件3的区别在于：控制单元（2），用来控制等离子体发生器和蒸发单元；所述控制单元(2)控制所述等离子体发生器以便移除所述光学制品(28)的初始最外防污涂层；所述控制单元(2)控制所述蒸发装置以便用所述防污涂层成分再涂覆所述光学制品(28)；所述控制单元(2)还被构造用来在真空等离子体处理期间引起所述真空泵(20)从所述真空室(8)吸取气体；所述控制单元(2)还被构造用来在真空蒸发处理期间引起所述真空泵(20)不从所述真空室(8)吸取气体。原告主张：1.本申请是为了使移除初始最外防污涂层和在光学制品上沉积新的防污涂层这两种不同的处理在机器的同一真空室中被实施使得该机器是简单、紧凑且经济的而提出的，而对比文件3是为了解决现有技术中的不具有防污层的镜片表面预处理和防污层的沉积均需要在很低的压力下进行并且会导致粘附的问题，二者解决的技术问题完全不同。2.对比文件3中的镜片根本不存在防污涂层，故而也就没有要移除初始防污涂层的需要。由于对比文件3不存在本申请要解决的技术问题，所以等离子体发生器、真空室及控制单元等部件在对比文件3和本申请中实现的功能是完全不同的。3.控制单元限定了控制单元、真空泵与真空室之间的连接关系，部件之间的连接关系属于产品权利要求需要考虑的技术特征。该连接配合关系使得本申请机器的结构与对比文件3完全不同。4.因部件功能、结构均不同，故等离子体发生器、真空室及控制单元等技术特征均未被对比文件3公开。5.本申请的控制单元被构造用来在真空蒸发处理期间引起所述真空泵不从所述真空室吸取气体，对比文件3实例2是在真空蒸发沉积处理之后才释放真空，因此未公开在真空蒸发期间使真空泵停止，且该区别也不是常用技术手段。6.被诉决定割裂了技术特征之间的联系，未将之作为一个整体考虑，其关于区别技术特征及基于此进行的创造性评述是错误的。对此本院认为，《专利审查指南》第二部分第三章3.2.5部分规定，对于包含用途特征的产品权利要求，应当考虑该用途特征是否隐含了要求保护的产品具有某种特定结构和/或组成。如果该用途由产品本身固有的特性决定，而且用途特征没有隐含产品在结构和/或组成上发生改变，则该用途特征限定的产品权利要求相对于对比文件的产品不具有新颖性。对于包含制备方法特征的产品权利要求，应当考虑该制备方法是否导致产品具有某种特定结构和/或组成。如果所属领域技术人员可以断定该方法必然是产品具有不同于对比文件产品的特定结构和/或组成，则该产品权利要求具备新颖性。上述基准同样适用于创造性判断中对该类技术特征是否相同的对比判断。权利要求1为产品权利要求，其要求保护的是一种机器，就机器部件来说，对比文件3和本申请都具有等离子体发生器、真空室、真空泵及蒸发装置。以等离子体发生器为例，其能实现的功能本身和功能可通过能量参数调节是本领域技术人员所公知的，是等离子体发生器本身固有的特性。安装了等离子体发生器，操作者就可以用控制单元把参数设定任意可达到的范围，从而进行相应的各种处理。这种参数设定是使用中的操作，对于装置本身结构来说没有影响。换言之，等离子体处理无论是用于移除光学制品的初始最外防污涂层、还是用于使得光学制品最外层的粘附性更佳，都是其本身固有特性所能实现的功能，对等离子体发生器本身而言并无实质影响，对整个装置的结构也没有影响。虽然对比文件3提到其主要目的在于“在沉积顶部防污涂层之前采用能量体对光学制品的最外层和用于顶部防污涂层的涂覆材料两者进行处理，以在光学制品的最外层和顶部防污涂层之间的界面处获得良好的粘附。”但是对比文件3也同时记载，能量处理也可以进行表面清洁，更进一步可以处理表面是聚合物类型，能量处理能够在材料内形成较高的交联密度达到几千埃深度并且不会影响到下面一层材料性质，该能量足以去除光学制品原有的防污涂层。结合对比文件3实施例1，其等离子体发生器功率有低、中、高三个等级，即其功率是可以调节的。显然，对比文件3的等离子体发生器可以通过调节功率来去除初始最外防污涂层，其仍属于清除光学制品表面污染物的工艺。真空室等部件与等离子体发生器亦属同样情况。例如原告所称的“未公开真空蒸发期间真空泵停止”，真空泵本身已被对比文件3所公开，在工艺处理过程中真空泵是否停止，并不会对装置本身的结构产生影响。由此可见，等离子体发生器、真空室等部件均已被对比文件3所公开，而权利要求1中关于控制单元控制等离子体发生器等部件实现其本身所具有的功能的限定，也未使的产品本身具有某种特定结构，从而使其与对比文件3具有结构上的区别。因此，被诉决定关于区别技术特征的认定正确，本院予以确认。关于该区别技术特征，首先，对比文件3和本申请都涉及等离子体处理、蒸发沉淀、抽真空等工艺，也都具备相应工艺所需的如等离子体发生器、真空泵、蒸发装置等部件。控制单元（如计算机）实际就是触发器，根据本领域技术人员所掌握的知识，通过控制单元可以对等离子体处理工艺、蒸发工艺、腔室的开闭、真空泵的运行等进行控制。在此基础上，根据需要设置参数或程序控制单元的控制方式来触发上述装置启动关断控制，这是容易想的。其次，从整体技术方案角度，虽然本申请说明书载明，本申请“用来以防污涂层成分涂覆或再涂覆光学制品的机器，该机器实现简单、紧凑且经济”，但根据本院查明内容，以上技术效果主要是通过将移除初始最外防污涂层及在光学制品上沉积新的防污涂层两种处理在同一真空室内进行而实现的。从对比文件3第12页第4-9行、第14页第10-13行公开的内容来看，为了避免额外的材料装卸，等离子体处理步骤和真空蒸发步骤是可以在同一个真空腔室中进行的，因此，这也为对比文件3所公开。在本申请说明书并未就可以通过控制单元实现机器的简单、紧凑且经济作进一步说明的情况下，该区别技术特征并未带来预料不到的技术效果。第三，如前所述，等离子体处理步骤和真空蒸发步骤可以在同一个真空腔室中进行已被对比文件3公开。那么，在需要移除初始最外防污涂层的时候，出于节约能源、简化装置的目的，将移除步骤和沉淀步骤在同一真空腔室处理是显而易见的。对比文件3虽未涉及移除初始最外防污涂层，但并不影响本领域技术人员在其公开内容的基础上结合常规技术手段得到权利要求1的技术方案。另，被诉决定并未用对比文件1、对比文件3以及本领技术人员的常用技术手段的组合方法评价本申请权利要求1的创造性，对于原告主张“权利要求1相对于对比文件1和对比文件3以及本领技术人员的常用技术手段是非显而易见的”的意见本院不予评述。综上，本申请权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备《专利法》第二十二条第三款所规定的创造性。二、本申请权利要求11的创造性原告主张，权利要求11将蒸发装置和第二支撑件设置在门上是为了解决本申请所要解决技术问题而提出的，能够方便且快速在一个腔室中实现光学制品的移除和再涂覆。对此本院认为，权利要求11是权利要求10的从属权利要求，对比文件3实施例1公开了真空腔室可以打开或闭合，因此其必然包含有门。而门可移除、将蒸发装置及其支撑件设置在门上是根据节约空间或设备的需要进行调整的，这是容易想到的。原告所主张的将蒸发装置和第二支撑件设置在门上会使能够方便且快速在一个腔室中实现光学制品的移除和再涂覆的技术效果也并未超出本领域技术人员的预期。因此，在权利要求10不具备创造性的基础上，权利要求11也不具备创造性。三、本申请权利要求15的创造性权利要求15请求保护一种使用根据权利要求1-14中任一项所述的机器的方法。被诉决定认定，权利要求15与对比文件1的区别在于：采用权利要求1-14所述的机器实施方法，新的防污涂层采用真空蒸镀的方法形成，等离子体处理前将防污涂层成分装载到所述真空室(8)中；等离子体处理后引起所述真空泵(20)不从所述真空室(8)吸取气体；执行所述真空蒸发处理并且控制所述真空蒸发处理，以便用所述防污涂层成分再涂覆所述光学制品(28)；和从所述真空室(8)卸载所述光学制品(28)。权利要求15所实际要解决的技术问题是：简化设备。就上述认定，原告主张，权利要求15实际所要解决的问题为提供一种简单方便的技术方法；防污涂层采用涂覆的方法或者真空蒸镀的方法不属于本领域常规技术手段；对比文件3和对比文件1没有结合启示，对比文件1中等离子蒸发器和真空泵需要组装，不是真空蒸发专用设备，因此对比文件1给出了相反的技术教导。对此，本院认为，权利要求实际所要解决的技术问题不同于其说明书所声称要解决的技术问题。本申请实际要解决的技术问题旨在评述为了获得更好的技术效果而对最接近现有技术进行改进的技术任务，是由区别技术特征所决定的。本申请权利要求15请求保护使用权利要求1-14中任一项所述的机器的方法，同对比文件1的区别技术特征也是操作方法上的不同，同对比文件1相比，权利要求15实际所要解决的技术问题是提供简化及紧凑后的设备进行更为简单的操作。因此，被诉决定关于权利要求15所要解决的技术问题认定有误，本院予以纠正。关于上述区别技术特征，根据本院查明内容，对比文件3背景技术中已经公开了加热涂覆溶液，通过真空蒸发沉积防污涂层的技术方案，其也同时公开了在相同压力下在同一真空腔室内同时进行等离子体处理并通过真空蒸发沉积防污涂层的技术方案。另外，权利要求15请求保护的是对权利要求1-14所限定装置的使用方法，其必然受到权利要求1-14请求保护的装置的结构限制。在对比文件3已经给出了在同一处理室内进行等离子体处理和涂覆一层新的防污涂层的技术启示和操作方法的基础上，根据权利要求1-14中装置的结构，本领域的技术人员有动机在同一处理室内进行等离子体处理和真空蒸镀。同时结合对上述权利要求1-14所要求保护的机器不具备创造性的评述，等离子体处理前将防污涂层成分装载到所述真空室(8)中；等离子体处理后引起所述真空泵(20)不从所述真空室(8)吸取气体；执行所述真空蒸发处理并且控制所述真空蒸发处理，以便用所述防污涂层成分再涂覆所述光学制品(28)对本领域的技术人员来说是显而易见的。处理完成后从真空室卸载光学制品为本领域的常用技术手段。关于对比文件3和对比文件1的结合启示问题，在对比文件1已经公开这些装置的情况下，本领域技术人员根据其知识能够知晓其结构连接方式并进行相应操作，对比文件1并不构成相反技术教导。综上，权利要求15相对于对比文件1、对比文件3及本领域技术人员常用技术手段，不具备创造性，原告的上述意见无事实和法律依据，本院不予支持。四、本申请权利要求2-10、12-14、16-21鉴于原告已明确表示若权利要求1不具备创造性，则不再坚持相关从属权利要求具备创造性，故在本院已认定本申请权利要求1不具备创造性的基础上，对本申请权利要求2-10、12-14、16-21亦不具备创造性的问题，本院不再评述。此外，原告在本案审理过程中提交的其他案件的无效宣告请求审查决定书等材料同本案无关，本院不予采信。综上所述，原专利复审委员会作出的被诉决定虽有瑕疵，但不至影响结论；原告的诉讼理由不能成立，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决如下：驳回原告埃西勒国际通用光学公司、先利士劳尔光子学股份公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告埃西勒国际通用光学公司、先利士劳尔光子学股份公司负担（已交纳）。如不服本判决，原告埃西勒国际通用光学公司、先利士劳尔光子学股份公司可在本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可在本判决书送达之日起十五日内向本院递交上诉状，并按对方当事人人数提出副本，交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  宋 晖人民陪审员  李淑云人民陪审员  张卫东二〇一九年十二月二十六日法官 助理  王仲阳技术调查官王玮玮书记员谢馨蕊