中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2018）京73行初11643号原告里纳技术股份有限公司，住所地德意志共和国巴登符腾堡州居滕巴赫市宏恩威格路1号，D-78148。授权代表人于尔根·宁格尔根，总经理。授权代表人彼得·施耐德温特，总经理。委托诉讼代理人刘莉捷，北京英赛律师事务所律师。委托诉讼代理人刘宇，北京英赛律师事务所律师。被告中华人民共和国国家知识产权局，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。法定代表人申长雨，局长。（未到庭）委托诉讼代理人孙学锋，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人万琦，中华人民共和国国家知识产权局审查员。第三人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，住所地中华人民共和国江苏省苏州市高新区鹿山路199号。法定代表人瞿晓铧，董事长。委托诉讼代理人王冉，北京市柳沈律师事务所律师。委托诉讼代理人陈曦，男，1986年11月5日出生，汉族，住中华人民共和国辽宁省沈阳市沈河区，北京市柳沈律师事务所专利代理人。第三人常州捷佳创精密机械有限公司，住所地中华人民共和国江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号。法定代表人余仲，董事长。委托诉讼代理人尹彦，女，1984年10月14日出生，汉族，住中华人民共和国广东省深圳市龙岗区，深圳市康弘知识产权代理有限公司专利代理人。原告里纳技术股份有限公司（简称里纳公司）不服原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称原专利复审委员会）于2018年3月30日作出的第35485号无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2018年11月26日受理后，依法组成合议庭，并通知苏州阿特斯阳光电力科技有限公司（简称阿特斯公司）、常州捷佳创精密机械有限公司（简称捷佳创公司）作为第三人参加诉讼，于2019年6月11日公开开庭进行了审理。原告里纳公司的委托诉讼代理人刘莉捷、刘宇，被告中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）的委托诉讼代理人孙学锋、万绮，第三人阿特斯公司的委托诉讼代理人王冉、陈曦，第三人捷佳创公司的委托诉讼代理人尹彦到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系原专利复审委员会针对阿特斯公司及捷佳创公司就里纳公司拥有的名称为“处理衬底表面的方法”的200480043087.5号发明专利（简称本专利）提出的无效宣告请求而作出。原专利复审委员会在该决定中认定：关于本专利权利要求1，分为两个方案，第一方案为含有“待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输”的技术方案，第二方案为含有“待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体之上传输”的技术方案。关于本专利权利要求1的第一方案，其相对于证据6的区别特征为：1.待处理的对象为硅片；2.权利要求1的第二方面，即硅片与液体的关系：硅片待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输，且硅片非待处理的上表面总是定位在液体的液位之上。对于上述区别技术特征，证据1给出了明确的启示，本领域技术人员在证据6基础上，可以根据证据1公开的内容，将证据6的技术方案进行改进，从而得到权利要求1的第一方案。故权利要求1的第一方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款的规定。关于权利要求1的第二方案，其相对于证据8的区别技术特征在于：权利要求1待处理对象为硅片，证据8待处理对象为玻璃板。对此，证据1公开了对硅片进行单面处理的技术方案，在权利要求1的第二方案实际解决的技术问题为对硅片实现单面处理的前提下，本领域技术人员有动机将有单面处理需求的硅片应用到证据8中，从而实现对硅片的单面处理。权利要求1的第二方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，其不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。综上，本专利权利要求1的两个技术方案相对于现有技术均不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求2，其附加技术特征已经在证据1中公开，在其引用的权利要求1不具备创造性的前提下，权利要求2也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求3，其附加技术特征已经在证据1中公开，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求3也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求4，其附加技术特征已经在证据6或证据8中公开，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求4也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求5，其附加技术特征对本领域技术人员来说是公知的，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求5也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求6，其附加技术特征已经在证据1中公开，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求6也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求7，其附加技术特征对本领域技术人员来说是公知的，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求7也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求8，其附加技术特征已经在证据6中公开，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求8也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求9，其附加技术特征已经在证据1中公开，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求9也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求10，其附加技术特征对本领域技术人员来说是公知的，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求10也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。关于权利要求11、12，其附加特征已在证据3、11中公开，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求11、12也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。综上，本专利权利要求1-12不具备创造性，鉴于已经得出所有权利要求均不具备创造性的结论，被诉决定不再对其他理由和证据进行审查，原专利复审委员会作出被诉决定，宣告本专利无效。原告里纳公司诉称：一、被诉决定对本专利权利要求1不具备创造性的认定错误，被诉决定错误认定了本专利的技术领域、解决的技术问题、实现的技术效果，本专利是一种半导体和太阳能电池工业用硅片的湿化学处理方法，这种硅片的厚度一般在200微米左右，本专利属于电学领域，与证据6和证据8的技术领域不同，本专利要解决的技术问题是在水平稳定地传输硅片的同时，除去硅片下表面上的若干微米厚的磷掺杂导电层，高效地实现硅片边缘的绝缘或钝化，显著改进处理后的硅片的质量，在此基础上，被诉决定在评述本专利权利要求1的创造性时，错误的认定最接近的现有技术及区别技术特征，因此，所得出的本专利权利要求1不具备创造性的认定也是错误的；二、本专利权利要求2-12具备创造性，被诉决定对此认定错误。综上，被诉决定认定事实不清、适用法律错误，请求法院依法予以撤销，并判令被告重新作出决定。被告国家知识产权局辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，原告的诉讼理由不能成立，请求法院驳回原告的诉讼请求。第三人阿特斯公司、捷佳创公司述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，请求驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明:本专利是专利号为200480043087.5、名称为“处理衬底表面的方法”的发明专利，其申请日为2004年3月22日，授权公告日为2010年4月21日。专利权人为里纳公司。本专利授权公告的权利要求如下：“1.使用液槽对硅片进行单面湿化学处理的方法，硅片在处理时位于传输装置上，并以待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输或在位于液槽中的液体之上传输，其中所述传输装置位于所述液槽中，且其中硅片非待处理的上表面总是定位在液体的液位之上。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理时不保护硅片的上表面。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，硅片的边缘也被处理。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，传输装置以带或滚轮的形式提供。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，硅片在连续工艺中连续地处理。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，硅片以其下表面沉入到液槽中。7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，硅片在生产线中通过位于液槽中的处理液水平地传输或在位于液槽中的液体之上水平地传输。8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所使用的液槽为一种池，该池的周围边缘比处理液的液位低。9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，此处理是指蚀刻。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，蚀刻在含有KOH、HF、HNO3、带O3的HF和、或带氧化剂的HF的液体组合物中进行。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，氧化剂是一种氧化酸。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，液体组合物包含有至少一种附加物，用来集结在蚀刻时产生的气体。”本专利说明书背景技术部分中记载：在制造用于半导体和太阳能电池工业的硅片、硅板或晶体时，晶片要经受一系列的机械和/或化学处理步骤，以获得要求的尺寸和产品性能。首先硅锭用线锯切割成薄片，也称为晶片。本发明的目的在于，提供一种对硅片的单面进行处理的方法，其中可以抛弃在现有技术中的工艺步骤中，在不需处理的前面或上表面上加上保护层或罩子的工序，且此方法优选可在生产线上实施。本发明还示出了，衬底两个表面中只有一个能够被选来处理，这种单面的处理包括例如对两个表面中的一个进行蚀刻、涂覆或清洗。按照一个特别优选的实施例，本发明的方法是在连续工艺中实施，其中衬底特别是硅片的下表面（在期望的情况下还包括周围的边缘）用位于液槽中的蚀刻液弄湿。按一实施例，衬底沉入到具有液体组合物的液槽中，其中沉入量可按照衬底的厚度、重量和表面特征和液体组合物的表面应力由专业人员轻易地调整，通过例如对处理池液位的精确调整，不仅下表面，还有边缘都能被处理到，这按本发明是特别优选的。本发明建议的单面湿润和对衬底的处理，在此示出的实施例中能够以不同的方式实现或支持，其中它们主要区分为主动（直接）和被动（间接）湿润。使用传输系统，用来在本发明的工艺框架内传输待处理的衬底，基本都可实现主动和被动润湿。在主动润湿的情况下，待处理的衬底是通过液体传导，而在被动润湿的情况下则是通过传输系统相应构造的元件实现。针对本专利，捷佳创公司于2017年9月1日、阿特斯公司于2017年9月4日分别向原专利复审委员会提出无效宣告请求。捷佳创公司认为本专利权利要求1、10、12保护范围不清楚；权利要求1-12不具备创造性；权利要求1-3、5、6、8、9不具备新颖性。阿特斯公司认为权利要求1-12不具备新颖性和创造性，且不符合专利法第三十三条的规定；权利要求1不符合《中华人民共和国专利法实施细则》（简称专利法实施细则）第二十一条第二款的规定；权利要求1、3、4、6、12不符合专利法实施细则第二十条第一款的规定；权利要求3、4、12不符合专利法第二十六第三款的规定。捷佳创公司及阿特斯公司向原专利复审委员会提交了21份证据，其中：证据1为JPS49107480A号日本专利文献，公开日为1974年10月12日，公开了一种可用于半导体硅晶片的单面蚀刻装置及其蚀刻方法，包括：使用液槽对薄板（即半导体硅晶片）只针对下表面进行蚀刻加工，而不必通过涂蜡等对非加工面进行覆盖，能够容易地只对薄板的单面进行蚀刻加工。半导体硅晶片在处理时放置于液槽的蚀刻液液面上，通过表面张力的作用使其下表面的整个表面与液面接触且上表面不与蚀刻液接触地漂浮于液面上，并通过液体的流动使之移动：硅片待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输，且硅片非待处理的上表面总是定位在液体的液位之上。可以实现在不保护半导体硅晶片的非加工面的前提下对加工面进行连续自动地均匀蚀刻加工。证据3为CN1477231A号中国专利文献，公开日为2004年2月25日，公开了一种单面悬浮腐蚀薄膜的方法，使恒温的腐蚀液在硅片下面流动通过，对硅片单面进行腐蚀，同时腐蚀液的流动起到搅拌的作用，将产生的氢气带走，减少化学反应生成的气体对薄膜的破坏。证据6为JPH03229680A号日本专利文献，公开日为1991年10月11日，公开了一种对形成有金属薄膜的玻璃基板进行清洗的方法。其特征在于清洗槽中注入清洗液（例如Cr与硫酸的混合液克酮液），清洗液的液面比侧壁高，而从侧壁的上部开口端溢出，液面上升的程度与泵向清洗槽中的注入速度大致成比例；驱动传送带，使玻璃基板从侧壁的切口送入液槽，使之通过清洗槽之上；玻璃基板在通过清洗槽的过程中，进入清洗液的液面上升部，从而对其表面进行清洗。证据8为US4624729号美国专利文献，公开日为1986年11月25日，公开了一种连续刻蚀玻璃板表面的机器及相应的方法，包括：滚轮传输路径中包括具有相同直径和长度的多个滚轮；滚轮位于储液槽中；储液槽中具有氢氟酸液体；待传输的玻璃板搁置在所述滚轮上；滚轮转动时将液体（即氢氟酸）传递至与其接触的板件（即玻璃板）的下表面，每个滚轮的长度至少等于待经受处理的板件的最大宽度；储液槽的液位借助于溢流装置恒定地保持在相应的高度。证据11为《硅的腐蚀溶液》，陈鼎孙，林玉柱：电机电器技术，1984（02），7-10，公开了硅的腐蚀溶液，例如HF：HNO3等多种选择，同时提到，腐蚀过程会产生气体聚集，影响腐蚀效果。2018年3月30日，原专利复审委员会作出被诉决定。另查，根据中央机构改革部署，原专利复审委员会的相关职责由国家知识产权局统一行使。上述事实，有经庭审质证的本专利权利要求书、说明书及附图、当事人提交的相关证据及庭审笔录等在案佐证。本院认为：结合各方当事人的诉辩主张，本案争议焦点在于本专利权利要求1-12是否具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。根据专利法第二十二条第三款的规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。一、关于本专利权利要求1的创造性的问题权利要求1分为两个方案，第一方案为含有“待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输”的技术方案，第二方案为含有“待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体之上传输”的技术方案。对于上述两个技术方案，被诉决定中分别以证据6、证据8作为最接近的现有技术进行评述，原告认为证据6、证据8与本专利技术领域不同，不能作为最接近的现有技术。对此，本院认为，本专利要求保护的技术方案涉及对硅片表面进行湿化学处理的方法，证据6涉及对玻璃基板进行清洗的方法，证据8为刻蚀玻璃板表面的机器及方法。虽适用对象不同，但从技术方案来看，都是通过传输和清洗对所要处理对象的面进行湿化学处理。原告主张本专利所处理的硅片具有特定的尺寸，但本专利权利要求和说明书中没有对硅片的尺寸进行记载和说明，也无法看出本专利因所处理对象尺寸的特殊性而表现出相对应特殊的技术方案。因此，证据6与证据8与本专利具有技术上的紧密相关性，客观上属于相同或相类似的技术领域，可以作为最接近的现有技术进行创造性的比对。在确定上述最接近的现有技术的基础上，针对本专利权利要求1中的第一个技术方案“待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输”，限定了硅片在处理时位于传输装置上，传输装置位于液槽中，且硅片待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输，硅片非待处理的上表面总是定位在液体的液位之上。与证据6相比，权利要求1第一方案的区别技术特征为：1.待处理的对象为硅片；2.硅片待处理的下表面的整个表面通过位于液体中的液体传输，且硅片非待处理的上表面总是定位在液体的液位之上。上述区别技术特征实际解决的技术问题为在硅片不需要保护上表面的前提下对下表面进行处理。针对上述区别技术特征，证据1公开了一种可用于半导体硅晶片的单面蚀刻装置及其蚀刻方法，其中公开了硅片待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体传输，硅片非待处理的上表面总是定位在液体的液位之上，从而可以实现在不保护半导体硅晶片的非加工面的前提下对加工面进行蚀刻加工。由此可以看出，证据1公开了权利要求1第一方案与证据6的两个区别技术特征，在证据1要解决的技术问题的基础上，本领域技术人员有动机将证据1公开的上述区别技术特征应用到证据6中，以解决本专利要解决的在硅片不需要保护上表面的前提下对下表面进行处理的技术问题。因此，权利要求1的第一方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，不具备创造性。本专利权利要求1的第二个技术方案“待处理的下表面的整个表面通过位于液槽中的液体之上传输”，证据8公开了“滚轮转动时将液体传递至与其接触的板件（即玻璃板）的下表面”，即实现了板件的下表面在液体之上传输。因此，第二技术方案与证据8的区别技术特征在于所处理的对象不同，本专利为硅片，证据8为玻璃基板。在此基础上，该区别技术特征实际解决的技术问题为对硅片进行单面处理。对此，证据1公开了对硅片实施单面刻蚀的方法，因此，在证据8公开内容的基础上，本领域技术人员有动机将证据1中的硅片应用到证据8中，故权利要求1的第二方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，不具备创造性。需要指出的是，原告主张本专利中待处理的硅片具有特定的尺寸，不同于证据1中的硅片，且本专利要求实现待处理硅片的“稳定传输”，因此证据1无法给出相应的技术启示。但正如前文所述，本专利权利要求和说明书中并未对硅片的尺寸进行限定，原告也没有提交公知常识或其他证据证明本专利中待处理的硅片具有特殊尺寸的要求，权利要求中也看不出硅片尺寸的特殊性所对应的技术方案的特殊性。另外，本专利说明书中虽有对“主动润湿”和“被动润湿”的记载，但权利要求中对此完全没有体现，权利要求中也没有关于实现“稳定传输”的技术特征，亦无法知晓本专利如何实现硅片“稳定传输”的同时进行湿化学处理。因此，原告所述的证据1无法给出将区别技术特征应用到证据6、证据8的技术启示的主张，缺乏事实及法律依据，本院不予支持。综上，本专利权利要求1的两个技术方案不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。二、关于本专利权利要求2-12的创造性的问题1.关于权利要求2的创造性的问题权利要求2的附加技术特征为“处理时不保护硅片的上表面”，对此，证据1中公开了可以实现在不保护半导体硅晶片的非加工面的前提下对加工面进行连续自动地均匀蚀刻加工。因此，权利要求2的附加技术特征已经在证据1中公开，在其引用的权利要求1不具备创造性的前提下，权利要求2也不具备创造性。2.关于权利要求3的创造性的问题权利要求3的附加技术特征为“硅片的边缘也被处理”，虽然本专利说明书中记载：“通过例如对处理池液位的精确调整，不仅下表面，还有边缘都能被处理到”，但在本专利权利要求和说明书中并未记载如何实现这种“精确调整”。在此情况下，证据1公开了半导体晶片的整个下表面均与液体接触。因此，在本专利要解决边缘也被处理的技术问题时，本领域技术人员在证据1公开内容的基础上，容易想到根据需要对边缘也进行处理。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求3也不具备创造性。3.关于权利要求4的创造性的问题权利要求4的附加技术特征为“传输装置以带或滚轮的形式提供”，对此，证据6公开了以传送带的方式传输，证据8公开了以滚轮的方式传输。因此，权利要求4的附加技术特征已经在证据6或8中公开，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求4也不具备创造性。4.关于权利要求5的创造性的问题权利要求5的附加技术特征为“硅片在连续工艺中连续地被处理”。对此，本领域中，制作半导体器件通常需要较多的工艺步骤，硅片在蚀刻之后转送至下一工艺继续处理是本领域通常的选择，属于本领域公知常识。因此，权利要求5的附加技术特征对本领域技术人员来说是公知的，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求5也不具备创造性。5.关于权利要求6的创造性的问题权利要求6的附加技术特征为“硅片以其下表面沉入到液槽中”。对此，证据1公开了半导体硅晶片的下表面沉入到液槽中。因此，权利要求6的附加技术特征已经在证据1中公开，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求6也不具备创造性。6.关于权利要求7的创造性的问题权利要求7的附加技术特征为“硅片在生产线中通过位于液槽中的处理液水平地传输或在位于液槽中的液体之上水平地传输”。本领域中，硅片在传输过程中需要保持稳定性，因此，将硅片在生产线中水平地传输是本领域通常的选择，属于本领域公知常识。因此，权利要求7的附加技术特征对本领域技术人员来说是公知的，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求7也不具备创造性。7.关于权利要求8的创造性的问题权利要求8的附加技术特征为“所使用的液槽为一种池，该池的周围边缘比处理液的液位低”。对此，证据6公开了清洗槽中的池，清洗液的液面比池的侧壁高，从侧壁的上部开口端溢。因此，权利要求8的附加技术特征已经在证据6中公开，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求8也不具备创造性。8.关于权利要求9的创造性的问题权利要求9的附加技术特征为“处理是指蚀刻”，对此，证据1已经公开了对加工面进行蚀刻加工。因此，权利要求9的附加技术特征已经在证据1中公开，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求9也不具备创造性。9.关于权利要求10、11的创造性的问题权利要求10、11的附加技术特征对蚀刻液和氧化剂的选择进行了限定。对此，证据11公开了硅的腐蚀溶液有HF：HNO3等多种选择，且本领域中，用腐蚀性较强的酸例如硝酸、氢氟酸等或者碱例如KOH等作为蚀刻硅材料的蚀刻剂是本领域公知的，在需要时加入氧化剂例如O3等也本领域的常规选择。因此，权利要求10、11的附加技术特征对本领域技术人员来说是公知的，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求10也不具备创造性。10.关于权利要求12的创造性的问题权利要求12的附加技术特征限定了在液体组合物中包含附加物，用来集结蚀刻时产生的气体。对此，证据11、证据3公开了腐蚀过程会产生气体聚集，影响腐蚀效果。因此，本领域技术人员容易想到在蚀刻液中添加能够集结气体的物质，以实现降低气体不良影响的作用。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求12也不具备创造性。综上所述，本专利全部权利要求不具备专利法第二十二条第三款所规定的创造性，应予宣告无效。被诉决定认定事实清楚、适用法律正确、程序合法。原告诉讼请求缺乏事实及法律依据，本院不予支持。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告里纳技术股份有限公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告里纳技术股份有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，原告里纳技术股份有限公司可在本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局、第三人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司、第三人常州捷佳创精密机械有限公司可在本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。如在上诉期满后七日内未交纳上诉案件受理费的，按自动撤回上诉处理。审 判 长 仪 军人民陪审员 郭 雷人民陪审员 杨海波二〇一九年十二月四日法官 助理 李 青书 记 员 常婷婷