北京知识产权法院行 政 判 决 书（2019）京73行初341号原告：深圳市度彼电子有限公司，住所地广东省深圳市光明新区公明办事处田寮社区光明高新园西区七号侨德科技园厂房B栋六楼。法定代表人：王振兴，总经理。委托诉讼代理人：李向东，北京恒都律师事务所律师。委托诉讼代理人：王玲，女，1983年7月4日出生，北京恒都律师事务所实习律师，住宁夏回族自治区银川市西夏区。被告：国家知识产权局，住所地北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：张鑫，国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：王潇，国家知识产权局审查员。第三人：深圳市迈测科技股份有限公司，住所地广东省深圳市南山区桃源街道福光社区塘朗车辆段旁塘朗城广场（西区）A座3601。法定代表人：侴卓，总经理。委托诉讼代理人：岳亚，北京尚伦律师事务所律师。原告深圳市度彼电子有限公司（以下简称度彼公司）因发明专利权无效行政纠纷一案，不服原国家知识产权局专利复审委员会（以下简称专利复审委员会）于2018年10月30日作出的第37737号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），在法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2019年1月16日受理后，依法组成合议庭，并通知被诉决定的利害关系人深圳市迈测科技股份有限公司（以下简称迈测公司）作为本案第三人参加诉讼。2019年7月17日，本院依法公开开庭进行了审理。原告度彼公司的委托诉讼代理人李向东、王玲，被告国家知识产权局的委托诉讼代理人张鑫、王潇，第三人迈测公司的委托诉讼代理人岳亚到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会针对迈测公司就度彼公司拥有的专利号为201010137843.8、名称为“一种提高激光测距仪精度的方法及设备”的发明专利（以下简称本专利）提出的无效宣告请求所作出的。专利复审委员会在被诉决定中认定：一、关于证据迈测科技公司共提交了四份文献作为评价本专利创造性的对比文件，其中对比文件1-2为中国专利文献，对比文件3为美国专利文献，对比文件4为中国优秀硕士学位论文文献，度彼公司对于上述对比文件的真实性未提出异议。专利复审委员会经审查，认可对比文件1-4的真实性，同时专利文献1-3的公开日期均早于本专利的申请日，中国论文文献的发布日期早于本专利的申请日，故对比文件1-4公开的内容均可以作为本专利的现有技术。由于度彼公司未对对比文件3中文译文的准确性提出异议，故对比文件3的文字公开内容以迈测公司提交的中文译文为准。二、关于《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称专利法实施细则）第二十条第二款迈测公司认为：独立权利要求8中仅限定了内外电路的结构，未限定内外电路相位相减的技术特征，因此缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。度彼公司认为：独立权利要求8中已记载了对LD进行环境影响补偿的电路结构和对光敏元件进行环境影响补偿的电路结构，其已记载了解决技术问题的必要技术特征；其从属权利要求9不适用于该法条。对此，专利复审委员会认为：关于独立权利要求8及其从属权利要求9。独立权利要求8要求保护一种提高激光测距仪精度的设备，其所要解决的技术问题是将激光测距装置中的元器件受到的环境影响误差进行补偿和消除，以提高激光测距仪的测量精度，但其技术方案仅记载了该设备包括两部分，即对激光二极管LD进行环境影响补偿的电路和对光敏元件进行环境影响补偿的电路，并且仅记载了对激光二极管LD进行环境影响补偿电路中的一部分技术特征，未记载其完整的补偿电路结构，也未记载任何关于对光敏元件进行环境影响补偿电路的结构特征，本领域技术人员依据该权利要求的记载不能获知该发明的整体技术方案，而如何对发射端的激光二极管LD的测量误差进行补偿以及对接收端的光敏元件的误差进行补偿均是解决其技术问题的必要技术特征，因此独立权利要求8缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。权利要求9为权利要求8的从属权利要求，其附加技术特征部分也未记载关于如何对发射端的激光二极管LD的测量误差进行补偿的技术特征，而该技术特征是解决本专利技术问题的必要技术特征，因此，其也不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。三、关于《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十二条第三款1.本专利权利要求1要求保护一种提高激光测距仪精度的方法，其包括技术特征“最后用单片机的PWM控制器，控制升压电路，ADC采样电压给PWM控制升压电路，得到相应的偏置电压，再用光敏元件温度补偿率补偿光敏元件的偏压，得到一个稳定的增益倍数”。对此，专利复审委员会认为，本领域技术人员均知晓，当利用光敏元件来消除环境温度所造成的误差时，首先要通过该光敏元件获得对应的偏置电压，进而获得该环境对应的增益系数，然后才能得到需要实际施加到检测元件上的偏置电压来消除环境温度对其造成的影响，因此，虽然上述技术特征的表述存在语序上的瑕疵，但本领域技术人员基于本领域的公知常识以及对整体技术方案的理解，能够明确其所表达的确切含义，因此专利复审委员会基于上述理解对权利要求1的创造性进行评述。对比文件1公开了一种利用光电装置进行相位测量的校准方法，与本专利属于相同的光电测距领域，并具体公开了：该校准装置包括激光二极管LD、发光二极管LED等器件构成的光波发射装置，以及光电二极管、光电三极管、APD、光电倍增管等器件构成的光电转换装置；该校准方法包括：由振荡器301产生同频率同相位的第一高频振荡信号和第二高频振荡信号，第一光波发射装置302接收来自振荡器301的第一高频振荡信号，根据第一高频振荡信号调制光波，并发射作为外光路信号的光波至被测目标，被被测目标反射后折回，光电转换装置304接收返回的外光路信号，进行光电转换后输出电信号，输出的电信号为高频的电信号再由放大装置305进行放大并输出，混频器306接收来自放大装置305的信号与振荡器301输出的混频信号进行混频，输出混频后的信号；第二光波发射装置303接收来自振荡器301的第二高频振荡信号，根据第二高频振荡信号调制光波，并发射作为内光路信号的光波，光电转换装置304接收内光路信号，并进行光电转换后输出电信号，输出的电信号为高频的电信号再由放大装置305进行放大并输出，混频器306接收来自放大装置305的信号并将该信号与上述振荡器301输出的混频信号进行混频；最后输出两个混频后的信号，两个混频后的信号为低频的电信号，再进入一个放大装置308进行放大并输出，输出结果被鉴相器308接收并进行相位比较，最后输出消除基底的相位差信号。该技术方案实现了相位补偿和校准，避免了环境变化在电路中引入不确定的相位噪音，提高了激光测距的测量精度，减少了环境因素对测距误差的影响。度彼公司认为：对比文件1没有公开内光路信号为LD的真实发射信号及对两次信号进行鉴相的技术特征。对此，专利复审委员会认为：首先，度彼公司在口审中明确，其权利要求中的“鉴相”即表示获得对应的相位信息；其次，对比文件1已具体公开了内光路信号通过第二光波发射装置303发射光波，通过光电转换装置304接收，再通过放大装置305、混频器306进行处理相当于本专利权利要求1中的将LD的真实发射信号引出，进行放大、混频；外光路信号通过第一光波发射装置302发射光波，通过光电转换装置304接收，再通过放大装置305、混频器306进行处理相当于本专利权利要求1中的将LD发射出去的测量信号由光敏元件接收也进行放大、混频；两路信号在鉴相器308中进行相位比较输出相位差信号即对应于本专利权利要求1中的分别通过鉴相得到两个测量信号的相位并再将两次的相位相减；两者的差别仅在于获取相位差的方式不同，因此，对比文件1所公开的通过双光路发送单光路接收的校准方法相当于本专利权利要求1中的将环境对激光二极管LD造成的影响进行补偿消除的方法。综上所述，对度彼公司的意见不予接受。由此可知，权利要求1的技术方案与对比文件1所公开的技术方案之间的区别在于：①本专利的技术方案中对两路信号分别实施鉴相处理以获得各自对应的相位信号后再对两个相位进行相减，对比文件1是对两路信号分别放大混频后，直接对两路信号进行相位比较获得相位差；②本专利还将环境对光敏元件造成的影响进行了补偿，即将环境对光敏元件造成的影响进行补偿消除包括如下步骤：首先，采用热敏传感器对光敏元件的环境温度采样，得到一个温度值；由光敏元件本来有温度补偿的系数，这个温度系数是可以计算出温度每上升一度，光敏元件的偏置电压上升多少伏；最后用单片机的PWM控制器控制升压电路，用光敏元件温度补偿率补偿光敏元件的偏压，得到一个稳定的增益倍数，ADC采样电压给PWM控制升压电路，得到相应的偏置电压；对比文件1没有公开相关内容。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题为消除温度对激光测距仪中接收端的光电接收装置造成的误差，以提高测量精度。对此，专利复审委员会认为：关于区别特征①，对于本领域技术人员来说，为了获得两路信号的相位差，分别获得两路信号的相位再进行相减处理或通过鉴相器直接获得两路信号的相位差均是本领域常规的获取相位差的技术手段，本领域技术人员依据系统的设置要求选择对应的获取相位差的方式属于本领域的常规选择。关于区别特征②，对比文件3公开了一种用于激光测距仪的温度补偿APD探测器偏压和互阻抗放大器电路，与本专利及对比文件1属于相同的光电测距领域，并具体公开了：该电路可提供温度传感器以产生温度信号，该温度信号可以被监测以调整探测器偏压和其他参数，以便允许在宽的温度范围内使用相关联的激光测距仪；具体地，该电路包括雪崩光电二极管探测器APD315、APD偏压电路311、互阻抗放大器电路317及温度传感器319；APD315用于接收光信号并转换为电信号，APD偏压电路311为其提供偏置电压，放大器电路317对电信号进行前置放大。在探测器/前置放大器封装内增加温度传感器319，该温度传感器319安装在探测器315旁边的衬底上，关联的微控制器可以根据温度连续地重新校准接收器，即温度传感器319的参考电压施加到第一端子+TS，从而在与温度相关的第二端子-TS处产生电流，该电流被转换为电压，该电压使得相关联微控制器能够读取探测器315的温度。探测器偏压可以随着温度变化而显著变化。温度传感器319允许系统监测这种情况并自校准接收器的操作参数，诸如接收器偏压、虚警率和APD偏压。由此可知，对比文件3中的温度传感器319相当于本专利权利要求1中的热敏传感器，雪崩光电二极管APD相当于本专利权利要求1中的光敏元件，微控制器相当于本专利权利要求1中的单片机中的PWM控制器，其通过温度传感器319对雪崩光电二极管APD的环境温度进行采样得到对应的温度值，根据APD的偏压与温度的对应关系来设置APD随温度变化的偏压，通过偏压获得一个稳定的增益倍数，微控制器根据温度最优化接收器、连续地重新校准接收器（即APD），其中自校准接收器的操作参数包括APD偏压，相当于本专利权利要求1中的采用热敏传感器对光敏元件的环境温度采样得到一个温度值，用光敏元件温度补偿率补偿光敏元件的偏压，得到一个稳定的增益倍数，用单片机的PWM控制器控制升压电路，ADC采样电压给PWM控制升压电路得到相应的偏置电压；其中，利用ADC获得采样电压是本领域的常规技术手段。即，对比文件3已公开了利用温度传感器获得环境温度，并依此对接收元件的测量误差进行补偿的技术手段，给出了利用温度测量值控制光敏元件的偏压和增益、消除环境对光敏元件造成的影响的技术启示，本领域技术人员依据该技术启示，为了进一步提高激光测距仪的测量精度，容易想到将该补偿电路应用于对比文件1所公开的双光路结构中以进一步减少测量误差，以获得更高的测量精准度；并且两部分电路结构无交叉和相互传输信号，本领域技术人员并不需要付出创造性的劳动即可获得权利要求1的技术方案。因此，权利要求1相对于对比文件1与对比文件3及本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。2.权利要求2为权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定了所述光敏元件包括雪崩光电二极管APD或PD或光电倍增管。对比文件1已具体公开了：作为接收装置的光电转换装置可以是光电二极管即PD，雪崩光电二极管APD，光电倍增管等。即对比文件1公开了该附加技术特征，因此在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。3.权利要求3为权利要求1或2的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定了所述LD的真实发射信号为所述LD的主要回路上的电流信号或LD内部PD接收到的LD发射的光电信号，所述LD的主要回路为LD回路的地线端或电源端。本领域技术人员均知晓，在激光测距仪中，激光二极管LD主要回路上的电流信号即可作为该LD的真实发射信号，当设置与该激光二极管LD对应的光电二极管PD时，该接收用光电二极管PD所接收到的光电信号也可作为其真实发射信号，光电二极管LD的主要回路为LD回路的地线端或电源端也是本领域的常规选择。因此，在其引用的权利要求1或2均不具备创造性的情况下，权利要求3也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。4.权利要求4和5均为权利要求1或2的从属权利要求，其附加技术特征均对如何获得LD的真实发射信号进行了进一步限定。对比文件4公开了一种激光动态目标实时测距方法，并在其第四章“系统硬件部分”中具体公开了该激光测距中的发射电路部分：其包括发射电路、接收电路，图4-5示出了激光器调制驱动与功率补偿电路，其中半导体激光器3D2发射激光，包括激光二极管，还有与之连接的光电二极管，第45页最后1段记载了如下内容：150KHz、15MHz调制信号通过CPLD提供，通过晶体管BG2、BG3、BG4组成的差动电路对半导体激光器进行调制，为稳定激光器的输出功率，需要发射机具有自动功率控制功能，本系统利用封装在半导体激光器内部的一只PIN二极管检测半导体激光器向后输出的光信号，根据PIN输出的大小而自动改变对激光器的偏置电流，使其输出功率保持恒定：内置光敏二极管接收半导体激光器的光信号，转换为电流信号，通过第一级TLC072电压跟随器后接第二级TLC072放大器同相端，另一方面直流参考电压接至第二级TLC072放大器反相端，经比较后接晶体管BG1的基极，以控制光强的稳定性。同时在该论文第36页3.4.2介绍选择光源（也即上述半导体激光器）时记载了如下内容：当激光二极管发射功率增大（减小）时，光电二极管上接收的光功率也相应增大（减小），而光电二极管反向偏置，产生的光电流与其接收的光功率成正比，从光电管流出的电流经过电阻转换成电压量，并在功率控制放大器的输入端和基准电压进行比较，使得功率控制放大器的输出电流即偏置电流减小（增大），相应激光器的光功率也因此减小（增大）。通过以上内容可知，对比文件4公开了发射装置包括构成半导体激光器3D2的激光二极管和光电二极管。同时公开了一种光功率补偿的方法，半导体激光器内部的光电二极管取得激光二极管的亮度，同时将该亮度经过放大器3D1B放大，送入三极管3V1对激光二极管进行偏置电流补偿，即激光二极管的发射功率增大时，来自三极管3V1的偏置电流就会减小，从而使激光二极管获得稳定的光功率。当激光二极管的光功率恒定后，此时获得稳定的激光二极管的电流；同时因为激光二极管和光电二极管是连在一起的，所以光电二极管同样会得到激光二极管发射出去的信号。因此，对比文件4给出了获得激光二极管LD的真实发射信号的技术启示，即通过在LD内部设置PD，并通过功率补偿电路获得稳定的激光发射功率。根据该技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件4结合到对比文件1中，采用与对比文件4类似的同样可以实现获得稳定的激光发射功率的方式将光功率恒定的LD内部的PD的高频信号作为LD的真实发射信号，而将LD的真实电流信号作为其真实发射信号属于本领域技术人员用于获取对应信号相关特征的一种常规选择，其电路设置方式和各元器件的连接关系属于本领域技术人员的公知常识，当本领域技术人员需要获取LD的真实发射信号时容易想到采用该信号采集方式，并不需要付出创造性的劳动。另外，对于权利要求4和5中所使用的可调LDO，其是一种本领域技术人员公知的常用的线性稳压电源芯片，其调节电压的功能和作用也是本领域技术人员所熟知的，使用LDO来替换对比文件4中的三极管3V1构成对三极管3V2的调节，从而使激光二极管的光功率恒定，对本领域技术人员而言是容易想到的常规技术手段，并不需要付出创造性的劳动。因此，在其引用的权利要求1或2均不具备创造性的情况下，权利要求4和5也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。5.权利要求6为权利要求1或2的从属权利要求，权利要求7为权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征分别进一步限定了在测量过程中，保持PWM导通时间不变，让关断的时间变长，控制光敏元件的偏置电压；所述热敏传感器采用NTC或PTC。如前所述，通过ADC采样电压给单片机的PWM控制器控制升压电路而得到APD所需的偏置电压，是根据温度控制APD增益的常规技术，而在PWM控制器控制升压电路中，通过保持PWM导通时间不变，让关断时间变长，或者对导通时间和关断时间作出对应的不同调节，是本领域技术人员根据实际情况作出的常规选择；NTC或PTC是本领域技术人员熟知的热敏传感器，选择采用NTC或PTC作为热敏传感器属于本领域技术人员的常规选择，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求6-7也均不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。因此，本专利权利要求1-7不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，权利要求8-9不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。据此，专利复审委员会作出被诉决定，决定：宣告本专利的权利要求1-9全部无效。原告度彼公司诉称：被诉决定关于权利要求8-9缺少必要技术特征的认定理由与第三人提出无效宣告请求的理由不同，其不符合请求原则和听证原则。本专利权利要求8限定了“包括对所述LD进行环境影响补偿的电路和对所述光敏元件进行环境影响补偿的电路”，解决了LD和光敏元件易受环境影响的问题，不存在缺少必要技术特征的缺陷。对比文件1未公开“将LD的真实发射信号引出”的技术特征，被诉决定遗漏认定权利要求1与对比文件1的区别特征。对比文件1并未考虑到对LD和光敏元件分别消除环境影响，且本专利直接引出电信号作为一路信号，与现有技术不同，因此，对比文件1与本专利的发明构思存在明显区别。对比文件3既未如本专利权利要求1所述根据温度来控制光敏元件的增益倍数，更未给出如权利要求1中具体的电路结构及消除误差的方法，根据对比文件3公开的内容不能显而易见地想到本专利将环境对光敏元件造成的影响进行补偿的方法，且对比文件1和对比文件3不存在结合的技术启示。权利要求2-7直接或间接地引用了权利要求1，在权利要求1具备创造性的前提下，权利要求2-7也具备创造性，特别的，权利要求4-5限定了对LD消除环境影响的具体方法，与对比文件4存在明显区别，因此，权利要求4-5具备创造性。综上，原告请求法院判决撤销被诉决定，并责令被告重新作出决定。被告国家知识产权局辩称：关于权利要求8-9缺少必要技术特征，独立权利要求8的技术方案未记载对激光二极管LD进行环境影响补偿的完整电路结构，也未记载关于对光敏元件进行环境影响补偿电路的结构，缺少解决技术问题的必要技术特征。权利要求9是权利要求8的从属权利要求，其附加技术特征部分也未记载上述必要技术特征。关于权利要求1-7的创造性，本专利权利要求1未限定“将LD的真实发射信号引出”的具体方式，因此，其包含多种引出方式，本领域技术人员知晓，该信号可以是电信号也可以是光信号，本专利说明书中记载的一种实现方式也利用了PD进行光电转换，因此，对比文件1已经公开了内光路信号通过第二广播发射装置303发射光波，通过光电转换装置304接收，再通过放大装置305、混频器306进行处理，相当于本专利权利要求1中将LD的真实发射信号引出，进行放大、混频。对比文件3公开了利用温度传感器获得环境温度，并依此对接收元件测量误差进行补偿的技术手段，给出了利用温度测量值控制光敏元件的偏压和增益、消除环境对光敏元件造成影响的技术启示，本领域技术人员容易想到将该补偿电路应用于对比文件1公开的双电路结构中，以获得更高的测量精准度，两部分电路结构无交叉和相互传输信号，本领域技术人员不需要创造性劳动即可获得权利要求1的技术方案。综上，被告坚持被诉决定意见，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，原告的诉讼理由不能成立，请求法院判决驳回原告的诉讼请求。第三人迈测公司述称，同意被告意见，请求法院判决驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本案涉及国家知识产权局于2013年1月2日授权公告的专利号为201010137843.8、名称为“一种提高激光测距仪精度的方法及设备”的发明专利（即本专利），其申请日为2010年4月2日，专利权人为度彼公司。本专利授权公告时的权利要求书如下：“1.一种提高激光测距仪精度的方法，包括半导体激光二极管LD和光敏元件组成的发射和接收系统，其特征在于：分别将环境对LD和光敏元件造成的影响补偿消除，其中，所述将环境对LD造成的影响进行补偿消除包括如下步骤：将LD的真实发射信号引出，进行放大、混频、鉴相得到相位；同时LD发射出去的测量信号由光敏元件接收也进行放大、混频、鉴相处理得到相位，再将两次的相位相减；所述将环境对光敏元件造成的影响进行补偿消除包括如下步骤：首先，采用热敏传感器对光敏元件的环境温度采样，得到一个温度值；由光敏元件本来有温度补偿的系数，这个温度系数是可以计算出温度每上升一度，光敏元件的偏置电压上升多少伏；最后用单片机的PWM控制器，控制升压电路，ADC采样电压给PWM控制升压电路，得到相应的偏置电压，再用光敏元件温度补偿率补偿光敏元件的偏压，得到一个稳定的增益倍数。2.根据权利要求1所述的一种提高激光测距仪精度的方法，其特征在于：所述光敏元件包括雪崩光电二极管APD或PD或光电倍增管。3.根据权利要求1或2所述的一种提高激光测距仪精度的方法，其特征在于：所述LD的真实发射信号为所述LD的主要回路上的电流信号或LD内部PD接收到的LD发射的光电信号，所述LD的主要回路为LD回路的地线端或电源端。4.根据权利要求1或2所述的一种提高激光测距仪精度的方法，其特征在于：所述LD的真实发射信号为LD内部的PD得到的高频信号，该信号来自于如下方法：一、首先，用LD内部的PD光敏二极管取得LD的亮度，同时将这个亮度放大，送入可调LDO做电压补偿；当电压过大时，说明光功率不够，这样通过LDO将电压升高，使光功率与设定的值平稳；当PD的电压过低时，说明光功率过大，这样则通过LDO将电压降低，使光功率与设定的值相稳定；当LD的光功率恒定后，因为LD和PD是在一起的，PD同样会得到LD发射出去的信号，这样得到LD内部的PD得到的高频信号即为LD的真实发射信号。5.根据权利要求1或2所述的一种提高激光测距仪精度的方法，其特征在于：所述LD的真实发射信号为LD的真实电流信号，该信号来自于如下方法：首先，用LD内部的PD光敏二极管取得LD的亮度，同时将这个亮度放大，送入可调LDO做电压补偿；当电压过大时，说明光功率不够，这样通过LDO将电压升高，使光功率与设定的值平稳；当PD的电压过低时，说明光功率过大，这样则通过LDO将电压降低，使光功率与设定的值相稳定；当LD的光功率恒定后，这样得到LD的电流信号即为LD的真实发射信号。6.根据权利要求1或2所述的一种提高激光测距仪精度的方法，其特征在于：在测量过程中，保持PWM导通时间不变，让关断的时间变长，控制光敏元件的偏置电压。7.根据权利要求1所述的一种提高激光测距仪精度的方法，其特征在于：所述热敏传感器采用NTC或PTC。8.一种提高激光测距仪精度的设备，包括半导体激光二极管LD和光敏元件组成的发射和接收系统，其特征在于：包括对所述LD进行环境影响补偿的电路和对所述光敏元件进行环境影响补偿的电路；所述对激光二极管LD进行环境影响补偿的电路为：将发射测量信号，由电阻C6给三极管Q1调制后给激光二极管LD1，由电阻R9，电容C7给光电二极管PD一个偏置电压；同时激光二极管LD的发射强度由光电二极管PD转换为电信号，给运算放大器IC2放大；放大的光强度电压给线性稳压电源LDO的电压调节脚作电压调节，线性稳压电源IC1的输出电压与发射的三极管Q1相连接；同时引出激光二极管LD内部的光电二极管PD的信号，或是激光二极管LD的电流信号给混频电路。9.根据权利要求8所述的一种提高激光测距仪精度的设备，其特征在于：由电感L1，场效应管Q2，二极管D1，电容C2组成一个升压电路，单片机MCU产生PWM导通，PWM电平为高电平；使场效应管Q2导通，电感L1储能，二极管D1截止，由电容C2给后面的电路供电；导通时间过了后，PWM电平变为低电平，场效应管Q2截止，二极管D1导通给电容C2充电同时给后面的电路供电；如此反复，实现升压；电阻R1，电容C4组成滤波电路；电阻R3，电阻R4将高压比例变小，给A/D采样得到后面的电压；电阻R2为限流电阻，给二极管D2、光敏元件提供偏置电压；光敏元件由偏置电压控制增益倍数大小。”2018年5月15日，迈测公司针对本专利向专利复审委员会提出无效宣告请求，其理由是本专利权利要求1-9不符合专利法第二十六条第四款、专利法实施细则第二十条第二款的规定，涉及权利要求1-9技术方案的说明书不符合专利法第二十六条第三款的规定，请求宣告本专利权利要求1-9全部无效。迈测公司随请求书提交了本专利的授权文本作为附件，具体为：附件1：本专利授权公告文本。2018年5月24日，经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了上述无效宣告请求。2018年6月15日，迈测公司向专利复审委员会提交了补充意见和附件，其提交的附件如下（编号续前）：附件2（对比文件1）：公开号为CN101581783A的中国发明专利申请文件，其公开日为2009年11月18日；附件3（对比文件2）：授权公告日为CN1134673C的中国发明专利说明书，其授权公告日为2004年1月14日；附件4（对比文件3）：公开号为US5696657A的美国专利文件及其中文译文，其公开日为1997年12月9日；附件5（对比文件4）：由首都图书馆出具的论文检索证明，《激光动态目标实时测距研究》，余新鹏，电子科技大学，发表时间2005年3月28日，公开时间为2005年11月15日，首页、检索页面7页、论文70页，打印件共78页。2018年6月29日，度彼公司针对无效宣告请求提交了意见陈述书。2018年8月24日，度彼公司针对迈测公司于2018年6月15日提交的补充意见和附件提交了意见答复。2018年8月29日，专利复审委员会举行口头审理，在口头审理过程中，度彼公司对对比文件1-4的真实性、公开性无异议，对对比文件3的中文译文无异议。迈测公司明确其无效宣告理由为：权利要求1-9不符合专利法第二十六条第四款、专利法实施细则第二十条第二款的规定，涉及权利要求1-9技术方案的说明书不符合专利法第二十六条第三款，权利要求1-8不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，其具体理由与请求书及补充意见相同。度彼公司表示：权利要求1中的技术特征“鉴相”表示获得对应的相位信息，并且本领域技术人员公知，要通过获得增益系数才能得到对应的偏置电压，因此，虽然权利要求1中的相关技术特征的表述存在语序上的瑕疵，但本领域技术人员基于本领域的公知常识以及整体技术方案，能够明确其所表达的确切含义；并且坚持认为：对比文件1没有公开内光路信号为LD的真实发射信号及对两次信号进行鉴相的技术特征；对比文件2中的鉴相方式与本专利不同；对比文件3公开的温度补偿光敏元件的工作方式不同于权利要求1中的补偿消除；对比文件4的补偿方式与权利要求4和5的技术方案中的方式并不相同。因此权利要求1相对于对比文件1、2与3及公知常识的结合，对本领域的技术人员而言是非显而易见的，符合专利法第二十二条第三款规定的创造性；其从属权利要求2-7及独立权利要求8也均具备创造性。关于专利法实施细则第二十条第二款，度彼公司坚持认为：本专利权利要求1中已限定了将环境对LD造成的影响进行补偿的步骤，以及限定了将环境对光敏元件造成的影响进行补偿消除的步骤，因此其已记载了解决技术问题的必要技术特征，符合专利法实施细则第二十条第二款。独立权利要求8中已记载了对LD进行环境影响补偿的电路结构和对光敏元件进行环境影响补偿的电路结构，其已记载了解决技术问题的必要技术特征，符合专利法实施细则第二十条第二款。从属权利要求9不适用于该法条。2018年10月30日，专利复审委员会作出被诉决定，并于2018年11月7日发文。在本案开庭审理过程中，度彼公司表示对被诉决定中案由部分、决定的理由中关于证据部分不持异议，但主张被诉决定违反听证原则和请求原则、被诉决定遗漏认定本专利权利要求1与对比文件1的区别特征“将LD的真实发射信号引出”、本专利权利要求3、6附加的技术特征并非本领域常规选择。以上事实，有本专利授权公告文本、对比文件1、对比文件3、对比文件4、当事人提交的其他证据及当事人陈述等在案佐证。本院认为：根据各方当事人的诉辩主张，本案争议焦点为：一、被诉决定是否存在程序违法情形；二、本专利权利要求8-9是否符合专利法实施细则第二十条第二款的规定；三、本专利权利要求1及权利要求3-6是否具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。一、被诉决定是否存在程序违法情形原告主张，被诉决定关于权利要求8-9缺少必要技术特征的认定理由与第三人提出无效宣告请求的理由不同，不符合请求原则和听证原则。对此，本院认为，专利无效宣告程序应基于当事人的请求启动，专利复审委员会在作出审查决定前，应当给予审查决定对其不利的当事人针对审查决定所依据的理由、证据和认定的事实陈述意见的机会。本案中，第三人在专利无效行政程序中主张：“独立权利要求8中仅限定了内外电路的结构，未限定内外电路相位相减的技术特征，因此缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定；其从属权利要求9也未能克服权利要求8的上述缺陷，因此也不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定”。针对这一主张，原告在口头审理过程中也发表了意见。在此基础上，被诉决定认定：“（权利要求8）仅记载了对激光二极管LD进行环境影响补偿电路中的一部分技术特征，未记载其完整的补偿电路结构，也未记载任何关于对光敏元件进行环境影响补偿电路的结构特征，本领域技术人员依据该权利要求的记载不能获知该发明的整体技术方案，而如何对发射端的激光二极管LD的测量误差进行补偿以及对接收端的光敏元件的误差进行补偿均是解决其技术问题的必要技术特征，因此独立权利要求8缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。权利要求9虽为权利要求8的从属权利要求，但其附加技术特征部分也未记载关于如何对发射端的激光二极管LD的测量误差进行补偿的技术特征，而该技术特征是解决本专利技术问题的必要技术特征，因此其也不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定”。被诉决定的认定与第三人在行政程序中的主张在措辞上虽有差异，但基于对本专利技术方案的理解，该认定实质上仍是根据第三人在行政程序中主张的事实和理由而作出的，且充分听取了原告的意见，其符合请求原则和听证原则。综上，被诉决定不存在程序违法情形，原告的上述主张，缺乏事实和法律依据，本院不予支持。二、本专利权利要求8-9是否符合专利法实施细则第二十条第二款的规定专利法实施细则第二十条第二款规定：“独立权利要求应当从整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。”必要技术特征，是指发明或实用新型为解决其技术问题所不可缺少的技术特征，其总和足以构成发明或实用新型的技术方案，使之区别于背景技术中所述的其他技术方案。其中所述“技术问题”是指专利说明书中记载的发明或实用新型所要解决的技术问题，是专利申请人基于其对说明书中记载的背景技术的主观认识在说明书中声称要解决的技术问题。本案中，本专利权利要求8请求保护一种提高激光测距仪精度的设备，说明书记载“本发明的发明目的是提供一种直接将器件受到的环境影响误差进行补偿和消除的方法和装置，提高激光测距仪的精度”，显然，如何对发射端的激光二极管LD的测量误差进行补偿以及对接收端的光敏元件的误差进行补偿是解决其技术问题的必要技术特征。权利要求8技术方案记载了该设备“包括对所述LD进行环境影响补偿的电路和对所述光敏元件进行环境影响补偿的电路”，此外，还记载了对激光二极管LD进行环境影响补偿电路中的一部分技术特征，但未记载对激光二极管LD进行环境影响补偿的完整电路结构，也未记载对光敏元件进行环境影响补偿电路的结构特征，本领域技术人员依据权利要求8的记载不能获知发明的整体技术方案，因此，权利要求8缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。权利要求9为权利要求8的从属权利要求，其附加技术特征部分也未记载如何对发射端激光二极管LD的测量误差进行补偿的技术特征，而该技术特征是解决本专利技术问题的必要技术特征，因此，权利要求9不符合专利法实施细则第二十条第二款的规定。三、本专利权利要求1及权利要求3-6是否具备专利法第二十二条第三款规定的创造性专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。第一，关于本专利权利要求1。本专利权利要求1请求保护一种提高激光测距仪精度的方法，对比文件1公开了一种相位测量的校准方法。被诉决定认定，本专利权利要求1与对比文件1的区别在于：①本专利的技术方案中对两路信号分别实施鉴相处理以获得各自对应的相位信号后再对两个相位进行相减，对比文件1是对两路信号分别放大混频后，直接对两路信号进行相位比较获得相位差；②本专利还将环境对光敏元件造成的影响进行了补偿，即将环境对光敏元件造成的影响进行补偿消除包括如下步骤：首先，采用热敏传感器对光敏元件的环境温度采样，得到一个温度值；由光敏元件本来有温度补偿的系数，这个温度系数是可以计算出温度每上升一度，光敏元件的偏置电压上升多少伏；最后用单片机的PWM控制器控制升压电路，用光敏元件温度补偿率补偿光敏元件的偏压，得到一个稳定的增益倍数，ADC采样电压给PWM控制升压电路，得到相应的偏置电压；对比文件1没有公开相关内容。原告主张，被诉决定认定的区别特征遗漏“将LD的真实发射信号引出”。对此，本院认为，权利要求1中限定的是“将LD的真实发射信号引出”，但未具体限定所述真实发射信号为电信号，且“引出”与“电信号”并非是唯一固定搭配用语，光信号也可以通过某种方式引出。另外，本专利说明书记载的一种实现方式也利用了PD光敏二极管进行了光电转换，具体为0010段中“所述激光二极管LD的真实发射信号为激光二极管LD内部的PD光敏二极管得到的高频信号”，因此，权利要求1中的“真实发射信号”不应仅理解为电信号。进一步而言，对比文件1附图3中已具体公开了内光路信号通过第二光波发射装置303发射光波，通过光电转换装置304接收，再通过放大装置305、混频器306进行处理，即其能够相当于本专利权利要求1中的将LD的真实发射信号引出。综上，被诉决定未遗漏本专利权利要求1与对比文件1的区别特征，原告的上述主张缺乏事实和法律依据，本院不予支持。原告还主张，对比文件1与本专利的发明构思存在明显区别。对此，本院认为，对比文件1是通过一个信号接收装置分别接收内光路信号和外光路信号的返回信号，然后将两信号进行相位比较得到相位差以实现相位补偿和校准的目的，从而减少环境因素对测距误差的影响。本专利是通过对发射系统中的LD和接收系统中的光敏元件做补偿消除法，减去环境对这两个元件的影响，从而实现高精度测量的要求。本专利对LD的补偿消除是对真实发射和实际测量两路信号进行放大、混频、鉴相得到相位，再进行相减得到的，其与对比文件1中对的LD进行补偿消除的方法基本相同。综上，对比文件1与本专利发明构思不存在明显区别，原告的上述主张缺乏事实和法律依据，本院不予支持。原告还主张，根据对比文件3公开的内容不能显而易见地想到本专利将环境对光敏元件造成的影响进行补偿的方法，且对比文件1和对比文件3也不存在结合的技术启示。对此，本院认为，对比文件3涉及用于激光测距仪的温度补偿APD探测器偏压和互阻抗放大器电路，其要解决的技术问题是APD接收器在-4℃到+85℃的温度范围内提高激光测距系统的灵敏度。对比文件3中的温度传感器319相当于本专利权利要求1中的热敏传感器，雪崩光电二极管APD相当于本专利权利要求1中的光敏元件，微控制器相当于本专利权利要求1中的控制器，其通过温度传感器319对雪崩光电二极管APD的环境温度进行采样得到对应的温度值，关联的微控制器可以根据温度连续地重新校准接收器，探测器偏压可以随着温度变化而显著变化，温度传感器319允许系统监测这种情况并自校准接收器的操作参数，诸如接收器偏压、虚警率和APD偏压，也即根据APD的偏压与温度的对应关系来设置APD随温度变化的偏压，微控制器根据温度最优化接收器、连续地重新校准接收器（即APD），其中自校准接收器的操作参数包括APD偏压，通过偏压获得一个稳定的增益倍数相，其相当于本专利权利要求1中“采用热敏传感器对光敏元件的环境温度采样得到一个温度值，由光敏元件本来有温度补偿的系数，这个温度系数是可以计算出温度每上升一度，光敏元件的偏置电压上升多少伏；最后用控制器，控制电路得到相应的偏置电压，再用光敏元件温度补偿率补偿光敏元件的偏压，得到一个稳定的增益倍数。”因此，对比文件3已公开了利用温度传感器获得环境温度，并依此对接收元件的测量误差进行补偿的技术手段，给出了利用温度测量值控制光敏元件的偏压和增益、消除环境对光敏元件造成的影响的技术启示。另外，微控制器具体选用单片机的PWM控制器是本领域的常用技术手段；得到偏置电压的电路结构，具体采用由控制器控制升压电路，ADC采样电压给PWM控制升压电路是本领域的常用技术手段；LD和光敏元件APD都是激光测距仪中常用的元件。在此基础上，本领域技术人员为进一步提高激光测距仪的测量精度，容易想到将该补偿电路应用于对比文件1所公开的双光路结构中以进一步减少测量误差，获得更高的测量精准度。此外，两部分电路结构无交叉和相互传输信号，本领域技术人员并不需要付出创造性的劳动即可获得权利要求1的技术方案。综上，原告的上述主张缺乏事实和法律依据，本院不予支持。综上，被诉决定认定本专利权利要求1相对于对比文件1与对比文件3及本领域公知常识的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，理由充分，结论正确，本院予以支持。第二，关于本专利权利要求3。本专利权利要求3为权利要求1或2的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“所述LD的真实发射信号为所述LD的主要回路上的电流信号或LD内部PD接收到的LD发射的光电信号，所述LD的主要回路为LD回路的地线端或电源端。”如被诉决定所述，本领域技术人员知晓，在激光测距仪中，激光二极管LD主要回路上的电流信号即可作为该LD的真实发射信号，当设置与该激光二极管LD对应的光电二极管PD时，该接收用光电二极管PD所接收到的光电信号也可作为其真实发射信号，光电二极管LD的主要回路为LD回路的地线端或电源端也是本领域的常规选择。综上，被诉决定在认定其引用的本专利权利要求1-2不具备创造性的基础上，进一步认定权利要求3也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，结论正确，本院予以支持。第三，关于本专利权利要求4-5。权利要求4和5均为权利要求1或2的从属权利要求，其附加技术特征均对如何获得LD的真实发射信号进行了进一步限定。对比文件4公开了发射装置包括构成半导体激光器3D2的激光二极管和光电二极管。同时公开了一种光功率补偿的方法，半导体激光器内部的光电二极管取得激光二极管的亮度，同时将该亮度经过放大器3D1B放大，送入三极管3V1对激光二极管进行偏置电流补偿，即激光二极管的发射功率增大时，来自三极管3V1的偏置电流就会减小，从而使激光二极管获得稳定的光功率。当激光二极管的光功率恒定后，此时获得稳定的激光二极管的电流；同时因为激光二极管和光电二极管是连在一起的，所以光电二极管同样会得到激光二极管发射出去的信号。因此，对比文件4给出了获得激光二极管LD的真实发射信号的技术启示，即通过在LD内部设置PD，并通过功率补偿电路获得稳定的激光发射功率。根据该技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件4结合到对比文件1中，采用与对比文件4类似的获得稳定激光发射功率的方式将光功率恒定的LD内部的PD的高频信号作为LD的真实发射信号，而将LD的真实电流信号作为其真实发射信号属于本领域技术人员用于获取对应信号相关特征的一种常规选择，其电路设置方式和各元器件的连接关系属于本领域技术人员的公知常识，当本领域技术人员需要获取LD的真实发射信号时容易想到采用该信号采集方式，并不需要付出创造性的劳动。另外，对于权利要求4和5中所使用的可调LDO，其是一种本领域技术人员公知的常用的线性稳压电源芯片，其调节电压的功能和作用也是本领域技术人员所熟知的，使用LDO来替换对比文件4中的三极管3V1构成对三极管3V2的调节，从而使激光二极管的光功率恒定，对本领域技术人员而言是容易想到的常规技术手段，并不需要付出创造性的劳动。综上，被诉决定在认定其引用的权利要求1或2不具备创造性的基础上，进一步认定权利要求4和5不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，结论正确，应予支持。第四，关于本专利权利要求6。权利要求6为权利要求1或2的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“在测量过程中，保持PWM导通时间不变，让关断的时间变长，控制光敏元件的偏置电压”，如被诉决定所述，通过ADC采样电压给单片机的PWM控制器控制升压电路而得到APD所需的偏置电压，是根据温度控制APD增益的常规技术，而在PWM控制器控制升压电路中，通过保持PWM导通时间不变，让关断时间变长，或者对导通时间和关断时间作出对应的不同调节，是本领域技术人员根据实际情况作出的常规选择。综上，被诉决定在认定其引用的权利要求1或2不具备创造性的基础上，进一步认定权利要求6不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，结论正确，应予支持。综上所述，专利复审委员会作出的被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，符合法定程序，依法应予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告深圳市度彼电子有限公司的诉讼请求。案件受理费一百元，由原告深圳市度彼电子有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，各方当事人可于本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及其副本，并交纳上诉案件受理费一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  陈 勇审 判 员  张国红人民陪审员  姚 彤二〇二〇年六月二十八日法官 助理  李 哲技术调查官王立石书记员王丹妮