中华人民共和国最高人民法院 民 事 判 决 书 （2021）最高法知民终55号 上诉人（原审被告）：无锡乐尔科技有限公司。住所地：江苏省无锡市高浪东路999-8-A2-501。 法定代表人：王建国，该公司总经理。 委托诉讼代理人：周美华，北京易聚律师事务所律师。 委托诉讼代理人：韩兴谦，北京易聚律师事务所律师。 上诉人（原审被告）：宁波希磁电子科技有限公司。住所地：浙江省宁波市镇海区蛟川街道金溪路1号。 法定代表人：王建国，该公司总经理。 委托诉讼代理人：周美华，北京易聚律师事务所律师。 委托诉讼代理人：韩兴谦，北京易聚律师事务所律师。 上诉人（原审被告）：王建国，男，1973年1月21日出生，汉族，住广东省深圳市南山区。 委托诉讼代理人：周美华，北京易聚律师事务所律师。 委托诉讼代理人：彭晓娟，北京易聚律师事务所律师。 被上诉人（原审原告）：江苏多维科技有限公司。住所地：江苏省张家港保税区广东路7号E栋。 法定代表人：XUESONGSHENG（薛松生），该公司董事长兼总经理。 委托诉讼代理人：胡上海，北京超成律师事务所律师。 委托诉讼代理人：王小梅，北京超成律师事务所律师。 上诉人无锡乐尔科技有限公司（以下简称乐尔公司）、宁波希磁电子科技有限公司（以下简称希磁公司）、王建国因与被上诉人江苏多维科技有限公司（以下简称多维公司）专利权权属纠纷一案，不服江苏省苏州市中级人民法院于2020年10月9日作出的（2019）苏05知初540号民事判决，向本院提起上诉。本院于2021年1月11日立案后，依法组成合议庭，并于2021年3月9日询问当事人，上诉人乐尔公司、希磁公司的法定代表人王建国及其共同委托诉讼代理人周美华、韩兴谦，王建国的委托诉讼代理人周美华、彭晓娟，被上诉人多维公司的法定代表人薛松生及其委托诉讼代理人胡上海、王小梅到庭参加询问。本案现已审理终结。 乐尔公司上诉请求：1.撤销原审判决；2.改判驳回多维公司诉讼请求。事实与理由：（一）第201220292129.0号，名称为“一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥半桥和全桥”的实用新型专利（以下简称诉争专利）的专利技术方案来源于王建国在多维公司成立之前的技术研发积累，而非来源于多维公司，专利申请权和所有权均不应归属多维公司。1.王建国是磁学专业领域的资深专家，具有极强的科学研发能力并早在多维公司成立之前就发表多篇与诉争专利技术相关的论文、申请多篇与诉争专利技术相关的专利。2.乐尔公司成立时间早于多维公司，王建国自乐尔公司成立至今一直在乐尔公司处任职，诉争专利是王建国在乐尔公司处任职的创造成果。3.王建国在多维公司处仅担任首席运营官，负责商业运营及市场推广，不参与实际研发工作。4.诉争专利的技术方案来源于王建国在多维公司成立之前的技术积累，与多维公司无关。诉争专利的核心是TMR的材料结构。多维公司成立后所申请的所有专利均没有涉及到TMR材料以及结构，仅仅是TMR的应用及版图的设计，不涉及任何与TMR的材料结构相关的技术内容，充分说明多维公司并没有进行与诉争专利相关的任何研发工作。（二）在乐尔公司已经证明诉争专利技术方案在王建国入职多维公司前已经作出并存在的情况下，多维公司从相互独立的证据中分别提取了部分技术特征，与诉争专利中包含的部分技术特征对应，在未考虑诉争专利整体技术方案的基础上，主张诉争专利与王建国的本职工作有关，不应得到支持，原审判决相关认定有误，对于职务发明的认定应当采用更加严格的标准，应当综合比较双方提交的证据来判定诉争专利技术方案的来源。（三）原审判决认定乐尔公司和王建国实施侵权行为导致多维公司损失并判令乐尔公司和王建国赔偿多维公司损失属于事实认定错误。 希磁公司、王建国的上诉请求、事实与理由同乐尔公司。 多维公司辩称：原审判决认定事实清楚，适用法律正确。1.王建国在多维公司任职情况已有在先生效判决认定。2.没有证据证明诉争专利技术方案在王建国加入多维公司前已经完成。3.诉争专利是在王建国前期经历基础上进一步研发完成的，进一步研发的时间是王建国在多维公司任职期间。综上，请求驳回乐尔公司、希磁公司、王建国上诉请求，维持原判。 多维公司向原审法院提起诉讼，原审法院于2019年6月24日立案受理。多维公司起诉请求：1.确认诉争专利权归多维公司所有；2.由乐尔公司、王建国承担本案的维权费用1.5万元。事实和理由：诉争专利申请日为2012年6月20日，于2013年6月12日获授权公告。专利登记簿副本显示，其原始申请人为乐尔公司，申请人于2013年2月27日转移至宁波瑞纳森电子科技有限公司（以下简称瑞纳森公司），后又于2015年5月8日转移至希磁公司处。诉争专利的发明人王建国于2010年5月至2012年6月在多维公司任首席运营官职务，负责磁传感器的研究开发以及管理工作，并任董事。在多维公司工作期间，完成多项发明，多维公司提交了包括王建国为发明人的多项发明专利申请，涉及磁传感器与磁头领域。诉争专利是王建国在多维公司任职期间的申请，属于在本职工作中作出的发明创造，为职务发明创造，其专利权应归多维公司所有。王建国将在多维公司任职期间的职务发明擅自以他人名义申请专利引发本案权属纠纷，其本质是侵害他人专利申请权的行为，应参照《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）及相关司法解释关于维权合理开支的规定，由乐尔公司、王建国承担相应费用。 乐尔公司、王建国原审共同辩称：1.诉争专利的大部分技术内容在多维公司成立之前已经基本完成，诉争专利是王建国在先申请专利的基础上进一步完成的，与多维公司无任何关联。2.王建国在多维公司成立之前发表的多篇论文的内容均涉及到了与诉争专利相关的部分技术点，故诉争专利与多维公司之间无任何关联。3.王建国任法定代表人的乐尔公司成立时间早于多维公司，且从乐尔公司创立之初到现在为止，王建国一直担任法定代表人，其在多维公司仅担任董事。王建国所创办的乐尔公司是依据江苏省无锡市的530项目创建，在530项目申报书中其所依靠的技术也与诉争专利的技术点重合，表明诉争专利与多维公司之间并无任何关联。4.王建国在多维公司担任的仅为董事，而且其工作内容也仅为市场营销一类的内容，并不涉及到研发，所以诉争专利和多维公司之间没有任何关系。 希磁公司原审辩称：同意乐尔公司、王建国的答辩意见。另补充两点：一是希磁公司当时和瑞纳森公司之间签有诉争专利的转让合同，合同中约定了转让款另外协商。二是诉争专利是王建国早在多维公司成立之前便已经完成的，多维公司的起诉属于滥用诉权的行为，而且乐尔公司、希磁公司、王建国的行为并没有给多维公司造成任何损害，故不应当支持其损害赔偿的诉讼请求。 原审法院认定如下事实： 乐尔公司成立于2009年9月，公司原注册企业名称为无锡微磁传感科技有限公司，王建国任法定代表人兼执行董事，公司股东为王建国和黄超琼，经营范围为电子产品、传感器、芯片的研发、销售；集成电路的设计；技术服务；技术转让；技术咨询。2010年3月17日，经工商核准，其企业名称由无锡微磁传感科技有限公司变更为无锡绿树科技有限公司。2012年4月24日，其名称由无锡绿树科技有限公司变更为现在的乐尔公司。同年5月14日，乐尔公司出资股东由王建国一人变更为王建国、徐振华、白建民和李勇四人，王建国占股50%，并任总经理兼执行董事。2009年11月至2012年6月，乐尔公司的财务报表中每月的应付工资、应付福利费用均为零，该期间内大部分月份的销售（营业）收入为零。自设立起截至2012年6月，乐尔公司除提起了第201210205416.8号“线性薄膜磁阻传感器”、第201210205370.X号“具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器”、第201210205391.1号“一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥”三件专利申请（多维公司就此均提起了专利权权属纠纷之诉）外，未提出过其它任何专利申请。 2012年6月20日，乐尔公司向国家知识产权局提出诉争专利申请。2013年2月27日，该专利申请权人变更为瑞纳森公司。2013年6月12日，该专利获授权公告。2014年5月8日，该专利权人由瑞纳森公司变更为希磁公司。专利记载发明人为王建国，同样的发明创造已同日申请发明专利。专利权利要求为： 1.一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：其结构依次包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。 2.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述反铁磁钉扎层的材料是MnIr、MnPt或MnFe。 3.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述磁性被钉扎层的材料是CoFeB、CoFe，或是SAF结构CoFe/Ru/CoFe、CoFe/Ru/CoFeB/Ta/CoFeB。 4.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述非磁性隔离层的材料是Cu、A10、Mg0、HfO、ZrO或TaO。 5.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述磁性自由层其材料是CoFeB、CoFe、CoFeB/NiF、CoFe/NiFe、CoFeB/Ta/NiFe或CoFe/Ta/NiFe。 6.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述偏磁层其材料是CoCrPt、CoPt、FePt，或由其组成的多层膜结构Ru/CoPt/Ru/CoPt，Ta/CoPt/Ta/CoPt，Ta/FePt/Ta/FePt，Ru/FePt/Ru/FePt。 7.如权利要求1所述的一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：所述磁性被钉扎层的磁矩方向与磁性自由层的磁矩方向相互垂直；所述磁性自由层的磁矩方向受偏置层所产生磁场的偏置，从而垂直于磁性被钉扎层的磁矩方向。 8.一种薄膜磁阻电桥半桥，其特征在于：其包括两个如权利要求1-6中任一项所述的薄膜磁阻传感器元件；该两个薄膜磁阻传感器元件的磁性被钉扎层的磁矩方向相互反平行，而磁性自由层的磁矩方向相互平行。 9.一种薄膜磁阻电桥全桥，其特征在于：其结构包括四个如权利要求1-6中任一项所述的薄膜磁阻传感器元件；所述四个薄膜磁阻传感器元件中，两个的磁性被钉扎层的磁矩方向相互平行并与另外两个薄膜磁阻传感器元件的磁性被钉扎层的磁矩方向反平行，并分别位于全桥的一边，而四个薄膜磁阻传感器元件的磁性自由层的磁矩方向相互平行。 诉争专利说明书技术领域[0001]段记载：本发明涉及一种薄膜磁阻传感器及该薄膜磁阻组成的电桥半桥和电桥全桥。 其说明书背景技术[0003]、[0004]段有如下记载：薄膜磁阻传感器元件有多层膜结构，自旋阀结构。多层膜结构包括磁性层和非磁性层，它们交替的沉积在衬底上。自旋阀结构包括非磁性钉扎层（MnIr，MnPt），磁性被钉扎层（CoFeB，CoFe，或是SAF结构CoFe/Ru/CoFe等），非磁性隔离层（Cu，AlO，MgO，HfO，ZrO，TaO等等），磁性自由层（CoFeB，CoFe，或是SAF结构CoFe/Ru/CoFe等）。薄膜磁阻传感器元件在测量模拟量时，由于自由层的磁性材料本身有磁滞现象，测量时有回程差，影响到测量的精度和测量的线性度。为了避免这种现象通常采用的方法是：1）、利用自由层的形状各项异性能提供一个垂直于外界待测磁场偏置磁场。2）、在薄膜磁阻传感器元件的自由层周围，沉积一层永磁薄膜，通过永磁薄膜提供一个垂直于外界待测磁场偏置磁场（计算机硬盘采用此方案）。3）、在薄膜磁阻传感器元件的自由层周围，沉积一根电流线，通过电流提供一个偏置磁场。4）、利用反铁磁材料（MnIr/MnPt）提供自由层一个垂直于外界待测磁场偏置磁场。 说明书发明内容[0006]段记载：本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种简单的薄膜磁阻传感器元件及其该薄膜磁阻传感器元件组成的电路半桥和电路全桥。[0017]段记载：本实用新型同时提供包括该薄膜磁阻传感器元件的两种薄膜磁阻电桥，全桥结构和半桥结构，其中全桥结构包括四个薄膜磁阻传感器元件，所述四个薄膜磁阻传感器元件中，两个的磁性被钉扎层的磁矩方向相互平行并与另外两个薄膜磁阻传感器元件的磁性被钉扎层的磁矩方向反平行，并分别位于全桥的一边，而四个薄膜磁阻传感器元件的磁性自由层的磁矩方向相互平行。而半桥结构包括两个薄膜磁阻传感器元件，两个薄膜磁阻传感器元件的磁性被钉扎层的磁矩方向相互反平行，而磁性自由层的磁矩方向相互平行。[0018]段记载：本实用新型的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电路特点是：磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好等好。 说明书附图说明记载，图1是本实用新型中的薄膜磁阻传感器元件的结构示意图，图2是本实用新型中的薄膜磁阻传感器元件的外加磁场强度与输出关系示意图，图3是本实用新型中的薄膜磁阻半桥的结构示意图，图5是本实用新型中的薄膜磁阻全桥的结构示意图。 诉讼中，多维公司主张诉争专利系王建国利用在多维公司任职期间的本职工作以及任职期间所获知的技术信息擅自提出的专利申请，该行为既属于我国专利法规定的职务发明创造行为也构成不当得利行为，故诉争专利权应归属于多维公司所有。 就此原审法院查明，2010年5月21日，多维公司经工商核准设立，其经营范围为进出口业务；传感器芯片、集成电路芯片及相关电子产品的设计、生产、研发及销售；并提供售后服务。根据2010年5月17日由BrightSmartTechnologyLimited法定代表人薛松生签署的董事委派书，薛松生、王建国、陈秋鸣被任命为多维公司董事。 多维公司在2010年10月至2012年6月期间，共向国家知识产权局提出了数十件实用新型、发明专利的申请，上述专利涉及的领域大多为磁阻传感器和磁头技术领域，王建国系大部分专利的发明人之一。其中，2011年5月16日，多维公司向国家知识产权局申请了第201110125153.5号、“一种开关传感器”的发明专利，并于2012年11月21日公布。王建国系该专利的发明人之一。该专利说明书附图说明[0014]段图1为MTJ磁隧道结的结构示意图，图2为MTJ磁隧道结磁电阻输出特性示意图。 2011年4月21日，多维公司向国家知识产权局申请了第201110100226.5号、“单片参考全桥磁场传感器”的发明专利，并于2012年8月1日公布。王建国系该专利的发明人之一。该专利说明书具体实施方式[0034]至[0039]段披露了磁矩垂直和使用不同的方式实现第二磁矩的方向以及多层膜的使用结构。 2011年12月30日，多维公司向国家知识产权局申请了第201110452834.2号、“一种电流传感器”的发明专利申请，并于2012年4月18日公布。王建国系该专利的发明人之一。该专利说明书发明内容[0007]段描述：为达到上述目的，本发明提供了一种电流传感器，包括集成设置在同一芯片内的由MTJ磁电阻组成的惠斯通电桥以及一个或多个MTJ温度补偿磁电阻、电流导线，所述电流导线靠近惠斯通电桥并且其中可通有被测电流，所述MTJ温度补偿磁电阻四周设置有永磁体，该永磁体将MTJ温度补偿磁电阻的自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向呈反向平行以使MTJ温度补偿磁电阻处于阻值在测量范围内仅随温度变化的高阻态，所述惠斯通电桥和MTJ温度补偿磁电阻相串联以在惠斯通电桥的两端得到稳定的输出电压，并且通过该稳定的输出电压得到被测电流产生的磁场从而得到被测电流值。 2011年10月18日，多维公司向国家知识产权局申请了第201110315913.9号、“单片双轴桥式磁场传感器”的发明专利申请，并于2012年5月2日公布。申请记载发明人为詹姆斯·G·迪克、金英西、沈卫锋、雷啸锋、薛松生，该专利说明书具体实施方式[0033]至[0042]段对磁性隧道结进行了描述，其中描述了磁阻传感器元件的多层结构及具体材料。 王建国在多维公司任职期间系公司董事及首席运营官，负责公司管理并参与磁传感器的研究开发。根据2010年5月至2012年6月多维公司为王建国缴纳的个人社会保险记录和2010年12月至2012年6月多维公司为王建国缴纳的工资个人所得税证明，表明王建国在多维公司至少工作至2012年6月30日。王建国自2010年开始参与并负责多维公司电流传感器项目的研发，多维公司于2010年立项的“年产10亿个TMR磁阻传感器芯片和10亿个ASIC芯片”研发项目，王建国为项目负责人之一，根据该项目书记载，王建国从事的专业领域为物体磁性薄膜物理及TMR芯片在硬盘驱动器上的应用。多维公司于2011年立项的“高性能、低功耗TMR磁传感器芯片的产业化”研发项目，王建国系项目核心人员。 王建国还曾以多维公司员工身份于2012年6月期《磁性材料及器件》杂志与他人合作发表了名为《隧道磁阻（TMR）磁传感器的特性及应用》的文章。 根据王建国在多维公司任职期间发送和接收的部分邮件内容，均可表明其参与了相关的研发工作。其中，2010年11月26日王建国发送的名为“电流传感器数据”的邮件，附件为“基于全桥的电流传感器”测量数据PPT。2011年8月14日白建民发送的“工作周报-应用工程部20110813”邮件，王建国为收件人之一。2011年12月5日，王建国向薛松生发送“周报”邮件，并附“周报-王建国”xls表。2011年12月24日，王建国在发送的“产品讨论”邮件中，提出，“让我们下周二开一个关于产品的会议。小军/建民/啸锋/jim，请为1uA开关产品准备TMR设计和ASIC设计参数……”。2011年12月26日，王建国发送“周报更新”邮件要求多维公司员工“请发送你的工程计划”。2011年12月27日，王建国发送邮件“产品讨论”，并附“产品定义”xls表。2012年1月9日，王建国发送“电流传感器-TMR需求”邮件称，“附件中的文件是300mA闭环电流传感器的TMR性能和封装需求”，邮件附件为“300mA电流传感器”PPT文档。2012年1月16日王建国发送的邮件中称，“我总结了对于电流传感器的线性传感器需求。对于TMR的电阻RA，我们需要半桥和全桥＜5k。jim和卫锋，请检查上述设计的电阻RA和自由层的厚度。”该邮件附件为“用作电流传感器的线性传感器需求”PPT文档。2012年1月16日，王建国发送名称为“开关产品计划”邮件，附件为“产品进度-开关”xls表。2012年3月18日，王建国发送“新产品开发（NPD）项目述评一页ppt”邮件，并附该电流传感器项目PPT文档。 此外，多维公司本案中主张王建国所接触的与诉争专利技术方案相关的公司人员往来邮件包括： 2011年4月3日，LiWei发送主题为“专利：单片参考全桥磁场感应传感器（校对v3）”邮件，王建国系抄送人。该邮件附件为“单片参考全桥磁场感应传感器（校对稿）v3”发明专利申请文件的doc文档，其内容即为多维公司第201111010226.5号“单片参考全桥磁场传感器”专利申请文本。 2011年12月5日上午2:08，WeifengShen发送主题为“RE:FW:Spin¬_torque_switching_of_perpendicular_Ta∣CoFeB∣MgO-based_magnetic_tunnel_junctions”邮件，王建国系收件人之一。邮件附件为一篇在先文献《一种垂直各向异性CoFeB-MgO磁隧道结》，文章披露多层膜结构的具体材料。 2011年12月5日下午6:11，JamesDeak发送主题为“RE:Spin¬_torque_switching_of_perpendicular_Ta∣CoFeB∣MgO-based_magnetic_tunnel_junctions”邮件及附件，王建国系抄送人之一。邮件称，“附件为MDT的基于PMA效应的传感器专利，供参考。专利提出了若干种组合设计，以及现行传感器的制作方法”。 2011年3月8日上午9:36，JamesDeak发送，王建国为抄送人之一的邮件中部分内容及附图2对散场偏置及实现的多层膜设计结构进行了描述。 另查明，希磁公司设立于2013年2月20日，经营范围为电子技术、物联网技术、传感器技术、传感仪表技术的开发、转让、咨询服务；商务咨询；电子元器件、电子系统设备的研究、开发、制造、批发等。2014年4月8日，希磁公司股东由吕菲变更为由王建国任法定代表人的希磁（北京）科技有限公司。王建国为希磁公司现法定代表人兼董事长。根据希磁公司官网显示，其具有宁波的传感器工程中心和无锡的传感器研发中心。希磁官网宣传图片中含有乐尔公司的企业名称，标注的希磁公司地址也包括了乐尔公司的注册地址。瑞纳森公司设立于2011年12月28日，经营范围为电子技术、物联网技术、传感器技术、传感仪表的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务，商务咨询，电子元器件、电子系统设备的研究、开发、制造、销售等。根据上海嘉际电子科技有限公司出具的《宁波瑞纳森电子科技有限公司董事委派书》及瑞纳森公司2012年8月12日及第二届第一次董事会决议文件记载，王建国时任瑞纳森公司的5人董事之一。 再查明，2019年4月26日，多维公司与北京超成律师事务所签订《专利权属纠纷委托代理协议》，由多维公司授权该所作为包括诉争专利在内的14件专利权权属纠纷案件的代理人，总服务费45万元，合同签订之日起5个工作日内支付21万元，收到生效判决之日起5日内支付24万元。同月29日，多维公司向北京超成律师事务所支付了21万元。为此，多维公司认为上述费用系为制止乐尔公司及王建国实施的侵权行为而支出，故在本案中主张1.5万元为其损害赔偿额。 原审法院认为： 诉争专利名称为一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥半桥和全桥，为涉及一种薄膜磁阻传感器的元件结构、材料及元件电桥的具体设计技术方案。利用该技术方案的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电路优点是磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好等。而王建国的个人社会保险参保证明及个人所得税缴税记录表明，其至少在2012年6月30日之前任职于多维公司。诉争专利申请日为2012年6月20日，属于王建国在任职多维公司期间提出申请的发明创造。王建国在多维公司任职首席执行官，主要从事公司市场管理工作。但结合多维公司举证的王建国公开发表的文章，多维公司提出的由其作为发明人之一的大量在先申请专利及王建国参与多维公司的有关项目以及王建国作为发件人或收件人、抄送人的多维公司内部邮件等证据，充分表明王建国在多维公司任职期间还主持、参与了与诉争专利具体技术方案高度相关的研究开发工作。故诉争专利属于王建国任职多维公司期间履行其本职工作所做出的发明创造，其申请专利的权利应归属于多维公司，在诉争专利获授权后，多维公司应为专利权人。 诉争专利先由乐尔公司提出申请，并在时隔半年后将专利申请权转让与瑞纳森公司；瑞纳森公司在诉争专利申请获授权后不满一年内又将专利权转让与希磁公司。本案诉讼中乐尔公司、希磁公司均未能举证证明诉争专利在各公司之间流转的合理依据，而此期间王建国系乐尔公司、希磁公司及瑞纳森公司法定代表人、董事长、董事、股东等，具备将诉争专利权在三公司之间进行转让的便利条件，因此，系王建国及其控制的乐尔公司主导了将诉争专利权从乐尔公司最终转让至希磁公司名下的系列变更行为。现有证据不足以证明瑞纳森公司、希磁公司系善意受让第三人，诉争专利权的转让行为侵害了多维公司的合法权益应认定为无效，诉争专利权应归多维公司所有。 本案系因乐尔公司、王建国实施侵权所引发的权属纠纷，多维公司为提起本案诉讼所支付的律师费15000元，属于乐尔公司、王建国实施侵权行为致多维公司实际发生的损失部分，故对多维公司要求乐尔公司、王建国赔偿该笔费用的主张原审法院依法予以支持。 综上，原审法院判决：一、确认诉争专利为多维公司所有；二、乐尔公司、王建国共同赔偿多维公司维权支出费用15000元。乐尔公司、王建国如果未按期履行给付义务，应当依据《中华人民共和国民事诉讼法》第二百五十三条之规定，加倍支付迟延履行期间的债务利息。一审案件受理费800元，由乐尔公司、王建国共同负担。 原审法院查明的事实基本属实，本院予以确认。 二审中，乐尔公司、希磁公司、王建国为证明其上诉主张在举证期限内向本院提交了2份证据材料：（1）王建国博士毕业论文的部分内容及其译文；（2）用杂化氧化镁磁隧道结传感器进行的低频皮特斯拉场检测译文，均用于证明：诉争专利技术方案并非来源于多维公司。 针对乐尔公司、希磁公司、王建国二审提交的证据材料，多维公司发表如下质证意见：首先，上述证据材料均属于本案一审前已经形成的证据，不属于二审新证据，不应予以采信。其次，即便采信，认可真实性、合法性，不认可关联性、证明目的。证据材料（1）和（2）均是诉争专利申请日前的论文，任何人均可在此基础上研发并申请专利，无论与诉争专利是否有联系均不影响诉争专利在多维公司形成，与本案无关，不具有证明力。 对于乐尔公司、希磁公司、王建国二审提交的证据材料，结合多维公司的质证意见，本院认证如下：鉴于证据材料（1）和（2）与诉争专利技术具有一定关联，多维公司认可其真实性、合法性，故本院确认其真实性、合法性，至于其与本案的关联性及证明力，本院将结合全案事实予以综合认定。 本院认为，本案二审争议焦点为：诉争专利是否为王建国在多维公司处的职务发明。 （一）王建国与多维公司之间存在符合职务发明所要求的劳动关系 发明人与单位之间存在劳动关系或者与《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条第二款所称临时工作单位之间存在工作关系，是认定职务发明的前提。根据王建国在多维公司担任首席运营官、缴纳社会保险记录、薪酬记录、个人所得税缴税记录、王建国接受媒体采访的报道、公司内部邮件往来等证据，足以证明2010年5月至2012年6月期间，王建国实际任职于多维公司并从事与新产品开发有关的工作，据此至少可以认定在2010年5月至2012年6月期间，王建国与多维公司之间存在符合职务发明所要求的劳动关系，具备认定职务发明所需要的前提条件。虽然王建国等上诉主张，乐尔公司成立时间早于多维公司，王建国自乐尔公司成立至今一直在乐尔公司处任职，诉争专利是王建国在乐尔公司处任职的创造成果。但从乐尔公司成立至诉争专利申请期间内的乐尔公司经营状况来看，王建国基于乐尔公司的身份完成了诉争专利申请缺乏事实依据，本院不予支持。 （二）诉争专利属于王建国在多维公司工作中完成的发明创造 首先，关于诉争专利的申请时间。诉争专利申请日为2012年6月20日，在无其他相反证据予以推翻的情况下，可将诉争专利的申请日推定为诉争专利技术方案的完成日。因此，根据诉争专利的申请日，可初步认定诉争专利技术方案完成于王建国在多维公司任职期间，符合职务发明关于完成时间的法定要件。 其次，诉争专利所要保护技术方案的内容与王建国在多维公司任职期间所从事的工作内容具有相关性。诉争专利涉及一种薄膜磁阻传感器的元件结构、材料及元件电桥的具体设计技术方案。利用该技术方案的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电路优点是磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好等。而王建国在多维公司期间系多维公司“年产10亿个TMR磁阻传感器芯片和10亿个ASIC芯片”和“高性能、低功耗TMR磁传感器芯片的产业化”这两个研发项目的负责人，这些项目所涉领域范围涵盖了诉争专利的技术领域。将诉争专利的权利要求、说明书内容及附图与多维公司提交的工作邮件沟通内容进行对比，可以看出诉争专利权利要求所记载的部分技术特征在工作邮件中均有体现，已经达到了法律对于职务发明内容应与发明人在原单位所从事工作内容存在相关性的基本要求，原审法院对此进行了详细的比对分析，本院不再赘述。因此，王建国在多维公司从事的工作属于诉争专利的技术方案所属技术领域、在技术内容上存在相关性，故原审法院认定诉争专利属于王建国任职多维公司期间履行其本职工作所作出的发明创造具有充分的事实依据。 第三，关于乐尔公司、希磁公司和王建国其他上诉主张。乐尔公司、希磁公司、王建国主张，诉争专利的诸多技术特征已存在于王建国加入多维公司前的论文、专利、项目中，因此，应当认定诉争专利技术方案在王建国入职多维公司前已经作出，在多维公司仅从相互独立的证据中分别提取了部分技术特征，与诉争专利中部分技术特征对应，未证明认定诉争专利技术方案系在多维公司处作出的情况下，不应支持多维公司主张。对此，本院认为，在涉及职务发明认定的专利权权属纠纷中，当事人认为诉争专利技术方案系发明人在入职前已经完成并由此主张诉争专利并非职务发明的，应当提交发明人在入职前已经完成诉争专利完整技术方案的相关证据。本案中，一方面，虽然诉争专利的部分技术特征在王建国加入多维公司前的论文、专利、项目中亦有体现，但并不能根据这些尚未形成一个整体技术方案的技术特征就当然得到诉争专利技术方案在王建国入职多维公司前已经完成的推论。故乐尔公司、希磁公司、王建国二审提交的证据不能达到其证明目的，不足以否定诉争专利系王建国在多维公司处形成的职务发明。另一方面，诉争专利的部分技术特征在王建国加入多维公司前的论文、专利、项目中有体现，并不必然影响诉争专利是否属于王建国在多维公司工作任务的内容的判断。考虑到王建国的教育经历、工作经历均是围绕诉争专利相关领域，其加入多维公司前的论文、专利、项目中出现诉争专利相关技术特征亦符合常理。同时，由于诉争专利系王建国在多维公司工作期间申请的专利，且王建国在多维公司从事的工作内容覆盖了诉争专利的技术领域、诉争专利部分技术特征在多维公司工作内容中已有体现，此时，对于多维公司而言，应当认定其已就诉争专利技术方案与王建国在多维公司处的本职工作内容存在相关性完成了举证责任，乐尔公司、希磁公司、王建国对此持有异议的，应当提交足够反证予以推翻。但从其提交的证据来看，均无法证明在王建国加入多维公司前，王建国已经完成了诉争专利的完整技术方案。故对于乐尔公司、希磁公司、王建国的上述主张，本院不予支持。 另外，本案为专利权权属纠纷，实质上是乐尔公司、王建国将原本应当属于多维公司的专利申请权和专利权，擅自申请专利并登记至自身名下，对多维公司的权利造成损害，符合民事侵权的基本特征，原审法院判令由乐尔公司、王建国承担多维公司为提起本案诉讼所支付的律师费15000元并无不当，本院予以支持。 综上所述，乐尔公司、希磁公司、王建国的上诉请求均不能成立，应予驳回；原审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。依照《中华人民共和国民事诉讼法》第一百七十条第一款第一项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 二审案件受理费800元，由宁波希磁电子科技有限公司、无锡乐尔科技有限公司、王建国共同负担。 本判决为终审判决。 审判长  张晓阳 审判员  傅 蕾 审判员  何 隽 二〇二一年三月二十六日 法官助理牛鸿生 书记员张华 裁判要点                            案号                       （2021）最高法知民终55号                               案由                       专利权权属纠纷                               合 议 庭                       审判长：张晓阳             审判员：傅蕾、何隽                                                      法官助理：牛鸿生                       书记员：张华                               裁判日期                       2021年3月26日                               诉争专利                       “一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥半桥和全桥”实用新型专利（ZL201220292129.0）                               关 键 词                       职务发明的认定                               当 事 人                       上诉人（原审被告）：无锡乐尔科技有限公司；             上诉人（原审被告）：宁波希磁电子科技有限公司；             上诉人（原审被告）：王建国；             被上诉人（原审原告）：江苏多维科技有限公司。                               裁判结果                       驳回上诉，维持原判。             原判决主文：一、确认第201220292129.0号实用新型专利权为江苏多维科技有限公司所有；二、被告无锡乐尔科技有限公司、王建国共同赔偿江苏多维科技有限公司维权支出费用15000元。                               涉案法条                       《中华人民共和国专利法》第六条第一款；             《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条                               法律问题                       职务发明的认定                               裁判观点                       在涉及职务发明认定的专利权权属纠纷中，当事人认为诉争专利技术方案系发明人在入职前已经完成并由此主张诉争专利并非职务发明的，应当提交发明人在入职前已经完成诉争专利完整技术方案的相关证据。                               注：本摘要并非裁判文书之组成部分，不具有法律效力。