中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2019）京73行初11503号原告：亮锐控股有限公司，住所地荷兰王国史基浦大街****。法定代表人：雪瑞．麦卡尔平，授权代理人。（未到庭）委托诉讼代理人：李慧惠，女，1980年6月11日出生，中国专利代理（香港）有限公司专利代理师，住中华人民共和国北京市海淀区。（到庭）委托诉讼代理人：江鹏飞，男，1978年7月5日出生，中国专利代理（香港）有限公司专利代理师，住中华人民共和国北京市海淀区。（到庭）被告：中华人民共和国国家知识产权局，住所地，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**iv>法定代表人：申长雨，局长。（未到庭）委托诉讼代理人：徐小岭，中华人民共和国国家知识产权局审查员。（到庭）委托诉讼代理人：袁丽颖，中华人民共和国国家知识产权局审查员。（到庭）案由：发明专利申请驳回复审行政纠纷。被诉决定：第173758号复审决定。本院受理时间：2019年9月20日。开庭审理时间：2020年8月24日。被诉决定系针对原告就申请号201380058247．2，名称为“波长转换的发光设备”的发明专利申请（以下简称本申请）所提复审请求而作出。被诉决定认定：本申请不符合《中华人民共和国专利法》（以下简称《专利法》）第二十二条第三款的规定，维持对本申请的驳回决定。原告不服被诉决定，向本院起诉称：被诉决定认定事实及适用法律错误。一、本申请权利要求具备创造性基于被诉决定所认定的权利要求1与对比文件2的区别技术特征，其实际技术效果在于使得防止从侧面漏光的LED的制作工艺可以得到进一步的简化，从而可以确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。本申请实际要解决的技术问题在于：如何杜绝LED侧面的光损失，从而进一步提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率；并进一步简化能够防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。被诉决定对此认定错误。本申请权利要求均是方法权利要求，上述区别技术特征不仅提供了相对于现有技术不同的LED结构，还简化了制作这种LED的工艺。现有技术均没有公开或暗示应当使用上述区别技术特征来简化具备这种结构的LED的制作工艺。对比文件2未公开上述特征，也不能达到这种技术效果。此外，被告确认对比文件2记载了其发明目的是提供一种在密封材侧面的整个面上形成反射层，使发光效率提高的半导体发光装置及其制造方法。能够看出，对比文件2的核心特征就在于“在密封材侧面的整个面（而非在LED的半导体结构的侧面）上形成反射层”。并且在对比文件2的说明书第0001段、0015段、0084段等多处均强调了“在密封材的侧面设置了反射层的半导体发光元件”，“这是为了用反射材确实地将密封材的侧面部分覆盖起来”，“这是为了在密封材的四个侧面都形成反射面”。可见，对比文件2明确教导了，不应当在LED的半导体结构的侧面上形成反射层。对比文件2说明书第0013段的记载说明，在本领域的现有技术中，对于“在半导体发光元件本身的侧面形成反射层”的制作工艺，根本没有找到简便的制作方法。本申请作为方法权利要求，正是利用简便的工艺来制作具备上述结构的LED器件，克服了技术偏见。对比文件2公开的技术方案对反射层的材料进行了描述，“例如，可以将使微细粉末分散在介质中而获得的材料用于反射层，使得照射到反射层40的光X成为散射光。能够适当地用树脂、玻璃等作为能用于反射层40的介质。具体来说，能够使用已作为所述密封材的介质介绍过的材料。还有，能够适当地用氧化钛、氧化铝等金属氧化物、金、银、镍等金属微细粉末或者特氟纶(注册商标)等白色系树脂微细粉末作为所能使用的微细粉末”。也就是说，对比文件2的技术方案应当适用于所有的“细微粉末”的具体类型。由于金、银、镍等金属微细粉末可以作为所能使用的微细粉末（由于反射材43），那么就不可能将反射材43设置为接触LED的半导体结构的侧面，否则将产生灾难性的短路。因此，原告认为：对比文件2没有公开上述区别技术特征；对比文件2甚至给出了完全相反的技术教导；选择性地忽略方法权利要求在LED制作工艺上带来的有益效果是不恰当的。综上，请求法院判决撤销被诉决定，责令被告重新作出决定。被告辩称：坚持被诉决定中的意见，被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确，请求法院判决驳回原告诉讼请求。本院经审理查明：一、本发明（一）申请人：原告。（二）发明创造名称：波长转换的发光设备。（三）申请号：201380058247．2。（四）优先权日：2012年11月7日。（五）申请日：2013年10月25日。（六）被诉决定所针对的本申请权利要求：“1．一种方法，包括：提供附接到底座的多个LED；在LED和底座上方形成波长转换层；在波长转换层上方形成保护层；移除波长转换层和保护层的部分；以及在所述移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成直接接触LED的半导体结构的侧面的反射层。2．权利要求1的方法，其中移除波长转换层和保护层的部分包括从LED之间的区域中移除波长转换层和保护层的部分。3．权利要求1的方法，其中底座包括邻近LED设置的底座上的金属垫，并且移除波长转换层和保护层的部分包括从金属垫上方的区域中移除波长转换层和保护层的部分。4．权利要求1的方法，其中形成波长转换层包括在所述多个LED和底座上方层压设置在透明材料中的波长转换材料膜。5．权利要求1的方法，其中在波长转换层上方形成保护层包括在波长转换层上方层压硅树脂层。6．权利要求1的方法，其中移除波长转换层和保护层包括锯切波长转换层和保护层。7．权利要求6的方法，其中锯切终止于底座上。8．权利要求6的方法，其中锯切终止于设置在底座上的金属垫上。9．权利要求6的方法，其中锯切终止于波长转换层内。10．权利要求1的方法，其中形成反射层包括在LED上方形成的保护层上方形成反射层，该方法进一步包括使反射层变薄以便暴露保护层的顶面。11．权利要求1的方法，进一步包括平坦化顶面，该顶面包括LED所在的区域中的保护层的顶面以及LED之间的区域中的反射层的顶面。12．一种方法，包括提供附接到底座的多个半导体发光设备；在半导体发光设备和底座上方形成波长转换层，该波长转换层包括设置在透明材料中的波长转换材料；在波长转换层上方形成透明层；锯切掉波长转换层和透明层的部分；在透明层上方以及在其中锯切掉波长转换层和透明层的部分的区域中形成直接接触LED的半导体结构的侧面的反射层；以及移除反射层的部分以便形成平坦表面。”（七）本申请说明书第[0004]段本发明的目的是提供一种其中保护波长转换层的波长转换设备。第[0005]段依照本发明实施例的结构包括附接到底座的多个LED。波长转换层设置在LED上方。透明层设置在波长转换层上方。反射材料设置在相邻LED之间。第[0006]段依照本发明实施例的方法包括提供附接到底座的多个LED，在LED和底座上方形成波长转换层以及在波长转换层上方形成保护层。波长转换层和保护层的部分被移除。在移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的区域中形成反射层。第[0030]段……尽管图6图示出通过在LED60之间的区域中锯切而移除波长转换层64的整个厚度，但是在一些实施例中，波长转换层64的部分和保护膜68通过锯切而移除，使得波长转换层64的部分在锯切之后保留在区域70中。锯切之后保留在LED60之间的波长转换层64的部分可以在后面的处理步骤中移除，或者可以保留为最终结构的部分。……第[0033]段在一些实施例中，在移除过量的反射材料74之后，图8中所示的结构的顶面基本上是平坦的。该平坦顶面包括LED60所在区域中的保护膜的顶面78以及LED60之间的区域中的反射材料74的顶面。LED60之间的区域70中的反射材料74防止光从LED60的侧面、波长转换层64的侧面以及保护膜68的侧面逃逸，使得大部分光通过LED60、波长转换层64和保护膜68的顶部被提取。在一些实施例中，反射材料74直接接触LED60、波长转换层64和保护膜68的侧面，如图8中所示。二、对比文件对比文件2为专利号为CN101855735A，公开日为2010年10月6日的专利文献。对比文件2公开了一种发光装置的封装方法，并具体公开了（参见说明书第[0039]-[0086]段，附图5-7）：提供附接到基板210的多个半导体发光元件10，基板210和半导体发光元件10的上方形成荧光体层35；在荧光体层35上方形成密封材38；移除密封材38的部分；以及在移除密封材38之后，在其中移除了密封材的部分的区域中形成反射层40。其中半导体元件10为LED元件，反射层40由添加氧化钛或氧化铝等粉末的树脂或玻璃构成。第[0004]段还有，在专利文献2中，公开了下述半导体发光元件，即：在透明基板的一面形成电极，为了不让发光层生成的光照射该电极，在成为出光面相反面的底面形成了具有倾斜角度的斜面。第[0005]段这些是用蒸镀膜等金属薄膜构成反射层的示例。不过，为了用金属薄膜等构成反射层，而需要在真空室内进行处理，因此不能称之为适用于批量生产的方法。第[0013]段如专利文献1和专利文献2所示，在半导体发光元件本身的侧面形成反射层的方法需要在真空室内进行成膜处理，因而未必能称其为适合批量生产的方法。第[0020]段本发明的半导体发光装置因为在密封材的侧面形成有反射层，所以从设置在密封材内的半导体发光元件射出的光由于在密封材和反射层之间的界面形成的反射面而进行反射。为此，从半导体发光装置的侧面射出的光减少，能够获得接近理想的面发光的特性。第[0021]段还有，利用在空气中进行的制造工序就能够制作出本发明的半导体发光装置。而且，若在次载具用基板上装载好一个个半导体发光元件，便能够统一地对次载具用基板形成密封材和反射层，因而量产性提高。第[0050]段在本发明的半导体发光装置中，在密封材的侧面进一步设置有反射层40。反射层40使从半导体发光元件10射出后朝向侧面的光很难从侧面射出。因此，反射层40也可以不进行镜面反射。第[0051]段例如，可以将使微细粉末分散在介质中而获得的材料用予反射层，使得照射到反射层40的光X成为散射光。第[0052]段能够适当地用树脂、玻璃等作为能用于反射层40的介质。具体来说，能够使用已作为所述密封材的介质介绍过的材料。第[0053]段还有，能够适当地用氧化钛、氧化铝等金属氧化物、金、银、镍等金属微细粉末或者特氟纶（注册商标）等白色系树脂微细粉末作为所能使用的微细粉末。三、其他事实庭审中，原告明确表示，认可被诉决定中关于权利要求1区别技术特征的认定，主张权利要求12具备创造性的理由同权利要求1。被告新提交宋露露等主编《LED封装检测与应用》（华中科技大学出版社，2011年11月第一版第一次印刷）作为公知常识性证据，原告认为该证据在复审程序中未提交，不应予以采纳。上述事实，有被诉决定、本申请说明书、对比文件2等证据以及当事人陈述在案佐证。本院认为：《专利法》第二十二条第三款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。如果一项权利要求与最接近现有技术的区别技术特征是本领域的常规技术手段，并且其技术效果可以预期，则该权利要求不具有突出的实质性特点。一、权利要求1被诉决定认定权利要求1同对比文件2的区别技术特征在于：①移除波长转换层的部分，在所述移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成反射层；②反射层直接接触LED的半导体结构的侧面。基于上述区别技术特征，权利要求1实际所要解决的技术问题是根据实际需要设置反射层。上述区别技术特征认定正确，本院予以确认。基于上述区别技术特征，被诉决定认定本申请实际要解决的技术问题在于：根据实际需要设置反射层。原告对上述区别技术特征的认定不持异议，本院予以确认。原告主张，本申请实际解决的技术问题是如何杜绝LED侧面的光损失，从而进一步提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率；并进一步简化能够防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。对此本院认为，发明实际解决的技术问题系根据该发明同最接近现有技术存在的区别特征所能达到的技术效果确定。具体到本案中，首先，关于防止侧面漏光的问题。原告主张，对比文件2的结构无法避免侧面漏光。从原告的陈述及其绘制的光线示意图来看，原告所称的侧面漏光是从发光元件发出的，最终从出光面（顶面）斜向左右射出的光线。此时原告所强调的“侧面”已作了扩大化的理解。事实上，“侧面”是相对“出光面”来说的，通常所说的“防止侧面漏光”就是防止LED发射的光从侧面射出。而反射层在发光装置中作用就是使发射向侧面的光通过反射、折射等改变出光方面，最终从出光面而非侧面射出，以此提高出光率。对比文件2中，发光元件外设有荧光体层35、密封材38，侧面则设有反射层40，反射层40使得发光元件射出的朝向侧面的光很难从侧面射出（对比文件2说明书第[0050]段）。由此可见，对比文件2已解决了防止LED发射的光从侧面射出的问题。此外还应指出，荧光体层、密封材等不同材质折射率不同，并无证据证明原告所绘制的出射光出射路径正确，其据此得出的结论亦缺乏支持。其次，关于提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率。从本申请文件的内容来看，无论是说明书还是附图，均未给出光的反射路径和出射路径，也没有记载反射的光可以垂直于出光面出射。从本申请说明书[0033]段来看，反射层的主要作用在于防止光从LED60的侧面、波长转换层64的侧面以及保护膜68的侧面逃逸，使得大部分光通过LED60、波长转换层64和保护膜68的顶部被提取。由此可见，反射层的设置还是在于防止LED发射的光从侧面射出，并不能根据区别技术特征得出本申请能够提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率这一结论。第三，关于简化制作工艺。对比文件2与本申请均是采用了在LED半导体结构上形成波长转化层和保护层，然后去除LED半导体结构之间的材料层，形成开口或沟槽，然后再填充反射层的方式，二者都能够达到简化工艺的目的，区别主要在于反射层是否直接接触LED半导体结构侧面。而如前所述，无论反射层是否直接接触发光元件的侧面，均能起到防止LED发射的光从侧面射出的作用。直接接触发光元件的结构出光面积小，出光密度大，不直接接触发光元件的结构出光面积大，二者并不存在绝对的优劣，本领域技术人员可按需选择。因此，根据权利要求1同对比文件2的区别技术特征，被诉决定认定本申请实际要解决的技术问题在于根据实际需要设置反射层，并无不当。对于前述区别技术特征，原告主张，对比文件2技术方案的核心在于提供一种在密封材侧面的整个面上形成反射层，使发光效率提高的半导体发光装置及其制造方法，构成相反技术教导；同时相对于对比文件2，本申请克服了技术偏见；本申请系方法专利，在LED制作工艺上带来了有益效果。对此本院认为，第一，技术偏见，是指在某段时间内、某个技术领域中，技术人员对某个技术问题普遍存在的、偏离客观事实的认识，它引导人们不去考虑其他方面的可能性，阻碍人们对该技术领域的研究和开发。因此，仅对比文件2记载的“在半导体发光元件本身的侧面形成反射层的方法需要在真空室内进行成膜处理，因而未必能称其为适合批量生产的方法”的内容，尚不足以证明在LED本身接触设置反射层构成本领域技术偏见。第二，在背景技术中，对比文件2披露了其引用的专利文献1和2系用蒸镀膜等金属薄膜构成反射层的示例，为此需要在真空室内进行处理，因而可能不适用于批量生产。上述内容至少表明，反射层接触半导体发光元件本身设置是一种现有技术；在真空室中用蒸镀膜形成金属薄膜构成反射层的方法可能不适合批量生产。换言之，如果不采用此种方法，在半导体发光元件本身的侧面设置反射层就有批量生产的可能性。另外，从对比文件2说明书第[0051]-[0053]公开的内容来看，反射层的材料可以通过将细微粉末分散在介质中得到，树脂、玻璃等可作为介质，而氧化钛、氧化铝等金属氧化物、金、银、镍等金属微细粉末或者特氟纶等白色系树脂微细粉末可作为微细粉末。上述物质中的树脂、玻璃、氧化铝、特氟纶等均不导电，本领域技术人员可按需选择，不会导致短路。据此，对比文件2公开的内容均不构成相反技术教导。第三，基于前述分析，反射层接触LED半导体结构或者不接触LED半导体结构这两种设置方式都是本领域现有技术，二者具有不同特点，本领域技术人员可按需选择。当本领域技术人员选择将反射层直接接触LED半导体结构侧面的设置方式应用到对比文件2时，为了实现上述结构，本领域技术人员可以想到移除部分波长转换层，在移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成反射层，这种改变不需要付出创造性劳动。综上，本申请权利要求1不具备创造性。二、其他权利要求权利要求2-11直接或间接引用权利要求1，权利要求12为独立权利要求。原告对权利要求2-11未提出针对性的诉讼主张，权利要求12的诉讼理由同权利要求1。经本院审查，被诉决定对权利要求2-12的评述也无不妥，本院予以确认。综上所述，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确。原告的诉讼请求缺乏事实和法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条规定，本院判决如下：驳回原告亮锐控股有限公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告亮锐控股有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，原告亮锐控股有限公司可在本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可在本判决书送达之日起十五日内向本院递交上诉状，并按对方当事人人数提出副本，交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  宋 晖人民陪审员  陈月英人民陪审员  张慧智二〇二〇年十一月二十三日法官 助理  王仲阳书 记 员  谢馨蕊