中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2019）京73行初4315号原告豪威科技股份有限公司，住所地美利坚合众国加利福尼亚州圣克拉拉县波顿大道**。法定代表人杨洪利，总裁。委托代理人张芳，北京同立钧成知识产权代理有限公司专利代理人。委托代理人李小波，北京同立钧成知识产权代理有限公司专利代理人。被告中华人民共和国国家知识产权局，住所，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**div>法定代表人申长雨，局长。委托代理人熊洁，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托代理人万琦，中华人民共和国国家知识产权局审查员。第三人江苏思特威电子科技有限公司，住所，住所地中华人民共和国江苏省常熟经济技术开发区科创园**div>法定代表人徐辰，董事长。委托代理人沈超，北京天驰君泰律师事务所专利代理人。委托代理人金旭鹏，北京恒都律师事务所专利代理人。原告豪威科技股份有限公司（简称豪威公司）因发明专利权无效宣告请求行政纠纷一案，不服被告中华人民共和国国家知识产权局（简称国知局）于2019年1月14日作出的第38663号无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起诉讼。本院于2019年4月19日受理本案后，依法组成合议庭，并通知江苏思特威电子科技有限公司(简称思特威公司)作为本案的第三人参加诉讼。2019年8月29日，本院依法公开开庭审理了本案。原告豪威公司之委托代理人张芳、李小波，被告国知局之委托代理人熊洁、万琦，第三人思特威公司法定代表人徐辰以及委托代理人沈超、金旭鹏到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系国知局针对思特威公司就豪威公司拥有的专利号为ZL200980114512.8，名称为“具有栅极有源区域上的触点的晶体管”的发明专利（简称本专利）所提无效请求作出的。国知局认为：对比文件1、2均为在先专利文献，真实性无瑕疵，专利权人对对比文件1的准确性无异议。权利要求1与对比文件1的区别技术特征包括：（1）栅极绝缘层的一部分为晶体管栅极界定有权区域；（2）蚀刻停止层包括Ti，且厚度为栅极厚度的1/4。权利要求1相对于对比文件1所实际解决的技术问题是：（1）实现单个mosfet的绝缘层隔离；（2）提高蚀刻层选择性，避免下方的栅极被过刻蚀。区别特征（1），对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了：STI隔离层102为晶体管栅极108界定有源区域，如图4所示热氧化物的栅极绝缘104与STI102起初相连。可见对比文件2公开了利用绝缘层为晶体管栅极界定有源区域的区别技术特征，公开了上述区别技术特征（1），且该特征在对比文件2中所起的作用与本专利中相同，均为隔离绝缘MOSFET。对于区别特征（2），本领域技术人员在面对防止栅极被过刻蚀的技术问题时，能够根据栅极刻蚀工艺需要合理选用各种常见的停止层材料并依照刻蚀速度合理选用停止层厚度……，作为硬质刻蚀停止层从而提高防护效果，是本领域常用的用于刻蚀停止层材料，属于本领域的公知常识；将刻蚀停止层厚度设置为下方需要保护层的1/4以得到期望的防护效果，这对于本领域技术人员来说可以根据实际需要进行选择的，而且选择这样的厚度，并没有产生预想不到的技术效果，其技术效果是可以预期的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识，从而得到权利要求1的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易的，因此权利要求1相对于对比文件1/2和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著技术进步，因此不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（1）关于权利要求1本专利权利要求1请求保护一种电路。对比文件1公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了（参见说明书第2栏第10行至第6栏第10行，图1-7）；半导体器件10包括半导体衬底12，半导体衬底12中形成有电流电极（源/漏区）……专利权人认为，本专利要求1相对于对比文件1，至少包括以下区别技术特征：（1）所述金属触点插塞与所述晶体管栅极形成电接触，并且其中所述金属触点形成位于栅极氧化层上的所述晶体管栅极的区域上;(2)所述蚀刻停止层Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。对比文件2并没有公开上述区别技术特征，且也没有证据证明上述区别技术特征属于本领域公知常识或惯用技术手段。因此，权利要求1具有创造性。国知局认为：对于专利权人认定的上述区别技术特征（1），对比文件1已经公开了导电柱29通过胶层26、刻蚀停止层、硅化物层与栅极形成电连接（参见附图4），在半导体领域，电接触的含义是能够形成导电连接即可，并不要求必须直接接触，间接接触只要能够形成导电连接也是电接触，因此对比文件1中已经公开了导电柱29与栅极形成电接触。并且权利要求1中没有限定金属触点与晶体栅极直接接触。因此，专利权人认定的上述区别技术特征（1）已经被对比文件1公开了。对于专利权人认定的上述区别技术特征（2），国知局也认可其并没有被对比文件2公开。但是该特征为本领域公知常识，本领域技术人员在面对防止栅极被过刻蚀的技术问题时，能够根据栅极刻蚀工艺需要合理选用各种常见的停止层材料并依照刻蚀速度合理选用停止层厚度，采用Ti或TiN作为硬质的蚀刻停止层材料，是本领域常用的技术手段，属于本领域的公知常识；而蚀刻停止层厚度是本领域技术人员可以根据蚀刻速度等因素而选择的，将其设置为下方需要保护的栅极层厚度1/4以得到期望的保护效果，这对于本领域技术人员来说是可以根据实际需要进行选择的，而且选择这样的厚度并没有产生预想不到的技术效果，其技术效果也是可以预期的。因此，上述区别技术特征（2）为本领域的公知常识。综上所述，专利权人的陈述的理由不成立。（2）关于权利要求9本专利权利要求9请求保护一种方法。对比文件1公开了一种半导体器件及其制造方法，并具体公开了（参加说明书第2栏第10行至第6栏第10行，图1-7）；……权利要求9与对比文件1的区别特征包括：（1）在掺杂区域内形成第一隔离区域和第二隔离区域，使所述栅极氧化层的一部分保持在所述第一隔离区域和所述第二隔离区域，使所述栅极氧化层的一部分保持在所述第一隔离区域和所述第二隔离区域之间；（2）蚀刻停止层包括Ti，且厚度为栅极厚度的1/4的厚度。根据上述区别技术特征可以确定，权利要求9现对于对比文件1所实际解决的技术问题是：（1）实现单个mosfet的绝缘隔离；（2）提高蚀刻选择性，避免下方的栅极被过刻蚀。对于区别特征（1），对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了……可见对比文件2公开了利用绝缘层为晶体栅极界定有源区域的区别特征，因此对比文件2公开了上述区别特征（1），且该特征在对比文件2中所起的作用与本专利中的作用相同，均为隔离绝缘MOSFET。对于区别特征（2），本领域技术人员在面对防止栅极被过刻蚀的技术问题时，能够根据栅极刻蚀工艺需要合理选用常见的停止层材料并依照刻蚀速度合理选用停止层厚度，采用与WNX性质类似的Ti或TiN作为硬质的蚀刻停止层从而提高防护效果，是本领域常用技术手段，属于本领域的公知常识；将蚀刻停止在层厚度设置为下方需要保护的层的1/4以得到期望的防护效果，这对本领域技术人员来说是可以根据实际需要进行选择的，而且选择这样的厚度并没有产生预想不到的技术效果，其技术效果时可以预期的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识从而得到权利要求9的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此权利要求9相对于对比文件1、2和本领域公知常识不具有突出的实质性特点和显著的进步，因此不具备专利法22条第3款规定的创造性。（3）权利要求11本专利权利要求11请求保护一种电器件。对比文件1公开了一种半导体器件，并具体公开了（参见说明书第2栏第10行至第6栏第10行，图1-7）：半导体器件10包括半导体衬底12……。权利要求1与对比文件1的区别技术特征包括：（1）第一隔离区域和第二隔离区域各自位于所述有源区域的相对侧上；（2）蚀刻停止层包括Ti，且厚度为栅极厚度的1/4。根据上述区别技术特征，确定权利要求11相对于对比文件1所实际解决的技术问题是：（1）实现单个mosfet的绝缘隔离；（2）提高蚀刻选择性，避免下方的栅极被过刻蚀。对于区别特征（1），对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了……，可见对比文件2公开了上述区别特征（1），且该特征在对比文件2中和在本专利中所起的作用相同，都是为了隔离绝缘MOSFET。对于区别特征（2），本领域技术人员在面对防止栅极被过刻蚀的技术问题时，能够根据栅极蚀刻工艺需要合理选用各种常见的停止层材料并依照蚀刻速度合理选用停止层厚度，采用与WNX性质类似的Ti或TiN作为硬质的蚀刻停止层从而提高防护效果，是本领域常用技术手段，属于本领域公知常识；将蚀刻停止在层厚度设置为下方需要保护的层的1/4以得到期望的防护效果，这对本领域技术人员来说是可以根据实际需要进行选择的，而且选择这样的厚度并没有产生预想不到的技术效果，其技术效果时可以预期的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识从而得到权利要求11的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此权利要求11相对于对比文件1、2和本领域公知常识不具有突出的实质性特点和显著的进步，因此不具备专利法22条第3款规定的创造性。（4）关于从属权利要求2从属权利要求2引用独立权利要求1。对比文件1中公开了（参加中文译文第4页第1行）；栅电极16通过栅极氧化物与衬底12分离。由此可见对比文件1已经公开了栅极绝缘体为氧化层，即已经公开了从属权利要求2的附加技术特征。在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，从属权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（5）关于从属权利要求3、4、6-8从属权利要求3、4、6-8直接或间接引用权利要求1,，对比文件2中公开了以下内容：……由此可见，对比文件2公开了权利要求3、4、6-8的全部附加技术特征，因此当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求3、4、6-8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（6）关于从属权利要求5从属权利要求5直接引用权利要求1。从属权利要求5的附加技术特征为栅极绝缘体下的所述衬底的一部分为N型掺杂物掺杂。在半导体领域，衬底用N型掺杂为本领域惯用技术手段，因此从属权利要求5的附加技术特征属于本领域的公知常识。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（7）关于从属权利要求10从属权利要求10直接引用独立权利要求9。本领域技术人员面对提高栅线结合强度的技术问题时，能够根据需要合理设置接触孔深度，执行部分过蚀刻以使得沉积的金属伸入栅极中从而增大接触面积，提高结合强度，这对于本领域技术人员而言是惯用技术手段，属于半导体领域的公知常识。因此，当其引用的权利要求9不具备创造性时，从属权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（6）关于从属权利要求12-14从属权利要求12-14直接引用权利要求11。从属权利要求12的附加技术特征是：所述电器件是逻辑器件，CMOS成像器、CCD成像器、CCD成像器或存储器件。……这些器件包含晶体管结构为本领域的公知常识。从属权利13的附加技术特征为：所述存储器件是DRAM、SRAM或闪存器件。……属于本领域公知常识。从属权利14的附加技术特征为：所述闪存器件基于NOR栅极技术。而在半导体领域NOR栅极技术是本领域常用的用于闪存技术的器件的技术，属于本领域公知常识。因此，当期引用的权利要求11不具备创造性时，从属权利要求12-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（6）关于从属权利要求15从属权利要求15直接引用权利要求11。对比文件2公开了图案化的金属化层220形成在绝缘层215上……由此可见从属权利要求15的附加技术特征被对比文件2公开了，因此当其引用权利要求11不具备创造性时，从属权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。综上，专利复审委员会认定本专利权利不符合专利法第二十二条第三款的规定，并据此作出被诉决定，宣告本专利全部无效。原告豪威公司不服该决定，于法定期限内向本院提起诉讼，结合其在庭审过程中的陈述，其起诉理由主要有:一、被诉决定认定本专利权利要求1不具备创造性的事实认定错误。首先被诉决定对本专利权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征认定错误。本专利中的蚀刻停止层用于精准实现刻蚀深度（参见本专利说明书0039段“触点蚀刻停止层可用于控制蚀刻的深度”）而对比文件1中的蚀刻停止层则用于栅极与金属触点插塞之间的导电。故对比文件1没有公开本专利的蚀刻停止层。被诉决定中有关蚀刻停止层被D1公开的部分，存在严重的事实认定错误。原告认为，在将对比文件1与本专利进行比对时，被诉决定错误地将对比文件1的中间产品（图4中的蚀刻停止层）与本专利的最终形态产品进行比对，导致得出了错误的结论。另外，基于本专利的晶体管结构，能够采用前述技术方案介绍中本专利的工艺进行制备。相对于对比文件1的制备工艺，本专利的工艺步骤减少，能够有效减少工艺流程。另外本专利中蚀刻的次数和面积同样大大减小，从而极大地降低成本。另外，基于本专利的方案，金属触点插塞和栅极之间可以实现直接电接触，而无需必须通过停止刻蚀层接触，因此能够提高导电率。本专利中电路结构在金属触点插塞和栅极之间没有刻蚀停止层，只在绝缘层和栅极之间配置有蚀刻停止层，金属触点插塞和栅极通过二者的接触面而不用再通过其他层结构来实现导电。其次，被诉决定认为区别技术特征蚀刻停止层包括Ti，且厚度为栅极厚度的1/4为公知常识认定错误。二、被诉决定认定本专利权利要求2-8不具备创造性的事实认定错误。权利要求2-8是权利要求1的从属权利要求，由于权利要求1具备创造性，因此，其从属权利要求2-8也具备创造性。三、被诉决定认定本专利权利要求9不具备创造性的事实认定错误。权利要求9相对于对比文件1，具有以下区别技术特征：9-1形成金属插塞，其垂直延伸穿过所述绝缘体区域以提供与所述晶体管栅极的电接触。9-2在所述晶体管栅极上提供触点蚀刻停止层。9-3其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极厚度的四分之一的厚度。被诉决定对比文件1没有公开上述区别技术特征9-1、9-3，对比文件2也仅仅是公开了STI隔离层102为晶体管栅极108界定有源区域，未公开区别特征9-1、9-3。四、被诉决定认定本专利权利要求10不具备创造性的事实认定错误。权利要求10引用权利要求9，在9具备创造性的前提下，10也具备创造性。本领域技术人员没有动机将插塞的下端穿过该蚀刻层22深入到栅极16内，上述附加技术特征并不属于本领域技术人员的惯用技术技术手段，权利要求10具备创造性。五、被诉决定认定本专利权利要求11不具备创造性的事实认定错误。原告认为本专利权利要求11相对于对比文件1至少具备以下技术特征：11-1所述金属触点插塞提供与所述晶体管栅极的电接触；11-2在所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的界面上的蚀刻停止层；11-3其中所述蚀刻停止层包括Ti，且所述晶体管栅极厚度的1/4厚度。对比文件1没有公开上述区别技术特征11-1、11-3，且对比文件2仅仅公开了STI隔离层102为晶体管栅极108界定有源区域，对比文件2未公开区别技术特征11-1、11-3；且没有证据证明上述区别技术特征属于本领域技术人员的公知常识。六、被诉决定认定本专利权利要求12-15不具备创造性的事实认定错误。权利要求12-15是权利11的从属权利要求，由于从属权利11具有创造性，因此从属权利要求12-15也具备创造性，故被诉决定认定错误。综上，被诉决定存在事实认定不清，结论错误，请求法院依法撤销第38663号无效宣告请求审查决定书，并责令被告重新作出无效宣告审查决定。被告国家知识产权局辩称：同被诉决定意见。第三人杨小军述称：同意国知局的意见。本院经审理查明：本专利系专利号为ZL200980114512.8，名称为“具有栅极有源区域上的触点的晶体管”的发明专利（简称本专利），申请日为2009年5月8日，优先权日为2008年5月30日，专利权人为豪威公司。本专利授权公告时的权利要求如下：1.一种电路，包括：晶体管栅极，其形成于集成电路的衬底上；栅极绝缘体，其形成于所述晶体管栅极与所述集成电路的所述衬底之间，且其中所述栅极绝缘体的一部分为所述晶体管栅极界定有源区域；绝缘层，其形成于所述晶体管栅极上；金属触点插塞，其形成于直接在所述有源区域上的所述绝缘层的一部分中，所述金属触点插塞与所述晶体管栅极形成电接触，并且其中所述金属触点形成于位于栅极氧化层上的所述晶体管栅极的区域上；以及配置于所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述栅极绝缘体是氧化层。3.如权利要求1所述的电路，还包括第一隔离区域和第二隔离区域，其置于所述衬底内以使得所述栅极绝缘体位于所述第一隔离区域与所述第二隔离区域之间。4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一隔离区域与第二隔离区域是浅槽隔离(STI)区域。5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，位于所述栅极绝缘体下的所述衬底的一部分用N型掺杂物掺杂。6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述晶体管栅极由多晶硅、多晶硅/硅化物或金属组成。7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述硅化物包括Ni、W、Ti或Co。8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述金属触点插塞包括Ti/TiN/W金属叠层、Ti/TiN/Al金属叠层或Ti/TiN/Cu金属叠层。9.一种方法，包括：在衬底内提供掺杂区域；在所述掺杂区域上形成栅极氧化层；在所述掺杂区域内形成第一隔离区域和第二隔离区域，使得所述栅极氧化层的一部分保持在所述第一隔离区域与所述第二隔离区域之间；在所述栅极氧化层的保持部分上沉积晶体管栅极；在所述晶体管栅极上沉积绝缘体区域；形成金属插塞，其垂直延伸穿过所述绝缘体区域以提供与所述晶体管栅极的电接触，且至少部分地形成于位于所述第一隔离区域与该第二隔离区域之间的所述栅极氧化层的所述保持部分的一区域上；以及在所述晶体管栅极上提供触点蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属插塞形成为具有下端，所述下端在所述晶体管栅极的顶面之下且在所述晶体管栅极的底面之上。11.一种电器件，包括：晶体管栅极，其置于衬底内；栅极绝缘体，其置于所述晶体管栅极下，且其中所述栅极绝缘体的一部分控制所述晶体管栅极的有源区域；第一隔离区域和第二隔离区域，二者各自置于所述有源区域的相对侧上；绝缘层，其置于所述晶体管栅极上；金属触点插塞，其垂直延伸穿过直接位于所述有源区域上的所述绝缘层的一部分，所述金属触点插塞提供与所述晶体管栅极的电接触，并且其中所述金属触点形成于位于栅极氧化层上的所述晶体管栅极的区域上；在所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的界面上的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti,所述蚀刻停止层形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。12.如权利要求11所述的电器件，其特征在于，所述电器件是逻辑器件、CMOS成像器、CCD成像器或存储器件。13.如权利要求12所述的电器件，其特征在于，所述存储器件是DRAM、SRAM或闪存器件。14.如权利要求13所述的电器件，其特征在于，所述闪存器件基于NOR栅极技术。15.如权利要求11所述的电器件，还包括经图案化的金属化层，所述金属化层形成于所述绝缘层上，且电耦合至所述金属触点插塞的上端。证据1为对比文件1，系US60011726A号美国专利文献（专利时间1999年12月14日）。权利要求：1.一种形成接触结构的方法，该方法包括以下步骤：形成硅化物层；形成覆盖硅化物层的氮化钨层；形成覆盖氮化钨层的介电层；蚀刻穿过介电层的接触开口以暴露一部分氮化钨层，其中氮化钨层用作蚀刻终止层；以及在接触开口内形成导电材料并覆盖氮化钨层的一部分以形成与硅化物层的电接触。2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在接触开口内形成导电材料之后去除介电层，使用对导电材料和氮化钨层具有选择性的第一蚀刻化学剂进行去除，去除步骤暴露了氮化钨层的不在导电材料下面的部分；以及使用不同于第一蚀刻化学剂的第二蚀刻化学剂去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分。3.如权利要求2所述的方法，其中所述移除步骤包括：使用干蚀刻化学剂作为第一蚀刻化学剂去除介电层：以及使用各向同性蚀刻工艺作为第二蚀刻化学剂去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分。4.如权利要求2所述的方法，其中所述移除步骤包括：使用湿蚀刻化学剂作为第一蚀刻化学剂去除介电层；以及使用各向同性蚀刻工艺作为第二蚀刻化学剂去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分。5.如权利要求2所述的方法，其中去除不在导电材料下面的氮化钨层的步骤包括：使用各向同性蚀刻化学剂去除不在导电材料下面的氮化钨层，其中各向同性蚀刻化学剂包含HO，NHOH和HO，该各向同性蚀刻化学剂对导材料具有选择性。6.如权利要求2所述的方法，还包括：在去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分之前，形成与导电材料的侧壁邻近的侧壁间隔物。7.如权利要求2所述的方法，还包括：在去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分的步骤之后，形成与导电材料的侧面邻近的臭氧TE0S层。8.如权利要求1所述的方法，其中形成导电材料的步骤包括：下方形成具有氮化钛胶层的导电材料，所述氮化钛胶层位于钨互连区域。9.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成介电层的步骤之前去除部分氮化钨层。10.一种形成接触结构的方法，该方法包括以下步骤：提供衬底形成覆盖在衬底上的栅电极在衬底内形成电流电极，其与栅电极横向相邻形成覆盖栅电极和电流电极的硅化物区域：形成覆盖硅化物区域的氮化钨蚀刻终止层形成覆盖氮化钨蚀刻终止层的第一介电层形成穿过第一介电层的接触开口，该接触开口暴露氮化钨蚀刻终止层的第一部分，该部分覆盖硅化物区域令。所述开口内形成导电胶层，所述导电胶层与所述氮化钨蚀刻终止第一部分接触，所述第一部分覆盖所述硅化物区域；在接触开口内形成覆盖导电胶层的导电插塞区域去除第一介电层以暴露氮化钨蚀刻终止层的第二部分，其不同于氮化钨蚀刻终止层的第一部分将氮化钨蚀刻终止层的第二部分暴露于包括HO2，NHOH和HO中的一种或多种的蚀刻化学剂，以去除氮化钨蚀刻终止层的第二部分，同时基本上不去除覆盖硅化物区域的氮化钨蚀刻终止层的第一部分；以及形成覆盖并横向邻近导电插塞区域的第二介电层，以使导电插塞区域绝缘1。根据权利要求10所述的方法，其中所述第一介电层形成为硼磷硅酸盐(BPSG)层。12.如权利要求10所述的方法，其中去除第一介电层的步骤包括：形成与接触结构横向相邻的侧壁间隔物，其中接触结构是由导电插塞区域和导电胶层形成的，以将接触结构与用于去除氮化钨蚀刻终止层的第二部分的蚀刻化学剂隔离。13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二介电层至少部分地形成为臭氧四乙基原硅酸盐(TEOS)玻璃层。14.如权利要求10所述的方法，其中所述硅化物区域是硅化钛区域。15.如权利要求10所述的方法，其中所述硅化物区域是硅化钴区域。16.如权利要求10所述的方法，其中，电流电极是浅电极，其掺杂深度小于0.1微米。17.一种形成接触结构的方法，该方法包括以下步骤形成覆盖衬底的栅电极在衬底内形成与栅电极相邻的源电极和漏电极；形成覆盖栅电极、源电极和漏电极的硅化物区域在硅化物区域上形成导电金属层，以使硅化物区域电短路在一起；形成覆盖导电金属层的介电层蚀刻穿过介电层的开口，以暴露导电金属层的覆盖硅化物区域的第一部分；用导电材料填充开口以形成导电接触区域；去除介电层以暴露导电金属层的第二部分，其与导电金属层的第导电部分相邻；以及去除导电金属层的第二部分，使得导电金属层的第一和第二部分现在彼此电隔离。18.如权利要求17所述的方法，其中所述金属层是氮化钨层。19.如权利要求18所述的方法，其中所述氮化钨层的厚度小于200埃。证据2为对比文件2，公开号系CN1531109A的中国专利文献（优先权日为2003年3月7日，申请日为2004年9月22日），专利名称为半导体器件及其形成方法。权利要求：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底中限定有源区的多个隔离区；有源区上的栅电极，其中栅电极包括多晶硅层上的金属硅化物层；以及在栅电极上且电连接到栅电极的导电层；其中在金属硅化物层中导电层至少桥接的一个间隙。2.如权利要求1的半导体器件，其中导电层直接在金属硅化物层上。3.如权利要求1的半导体器件，还包括有源区和栅电极之间的栅绝缘图形。4.如权利要求1的半导体器件，其中导电层是导电线条图形。5.如权利要求4的半导体器件，其中导电线条图形由铝、钨、钛、钽或铜的至少一种形成。6.如权利要求4的半导体器件，还包括半导体衬底上的层间介质，并且其中导电线条图形布置在层间介质中的凹槽中。7.如权利要求6的半导体器件，其中层间介质包括第二凹槽，以及其中该器件还包括使半导体器件中的源/漏区与相邻的半导体器件的源/漏区电连接的栓塞线。8.如权利要求1的半导体器件，还包括半导体衬底上的平整的层间介质，其中在半导体衬底上平整的层间介质的顶面和栅电极的顶面基本上在同一高度。9.如权利要求1的半导体器件，还包括半导体衬底中的第二有源基本上在同一高度其上具有第二栅电极，其中第二栅电极包括多晶硅层上的金属硅化物层，其中导电层是电连接栅电极和第二栅电极的导电线条图形。10.如权利要求9的半导体器件，其中导电线条图形直接在栅电极第二栅电极上。11.如权利要求1的半导体器件，其中导电层减小电极的电阻。12.一种半导体器件，包括包括在半导体衬底上顺序地层叠的栅绝绿图形和栅电极的栅极半导体衬底在栅极线的侧壁上形成的隔片；以及布置在栅极线上的导电线条图形，以及其中导电线条图形平行于栅极线并且电连接到栅电极。13.如权利要求12的半导体器件，其中栅电极包括掺杂的多晶硅层。14.如权利要求13的半导体器件，还包括金属硅化物层，其中金属硅化物层在掺杂的多晶硅层上。15.如权利要求14的半导体器件，还包括半导体衬底上的层间介质，层间介质包括露出栅极线的顶面的凹槽，以及其中在凹槽中提供导电线条图形。16.如权利要求15的半导体器件，还包括在半导体衬底和层间介质之间的刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率。17.如权利要求12的半导体器件，还包括在半导体衬底上形成的层间介质，层间介质被平整到栅极线的顶面。18.如权利要求12的半导体器件，其中导电线条图形至少具有与栅极线相同的长度。19.如权利要求12的半导体器件，其中导电线条图形由金属构成。20.如权利要求14的半导体器件，其中在金属硅化物层中导电层至少桥接一个间隙。21.如权利要求12的半导体器件，其中导电层减小栅电极的电阻。22.一种半导体器件，包括：半导体衬底在半导体衬底上且彼此隔开的第一栅极线和第二栅极线，第一榀极线包括在第一栅绝缘图形上层叠的第一栅电极，第二栅极线包括在第二栅绝缘图形上层叠的第二栅电极；以及第一和第二栅极线上的导电线条图形，其中导电线条图形具有平行于第一栅极线的第一部分和平行于第二栅极线的第二部分，以及其中导电线条图形将第一和第二栅电极彼此电连接。23.如权利要求22的半导体器件，其中第一和第二栅极线包括掺杂的多晶硅层。24.如权利要求23的半导体器件，其中第一和第二栅极线还包括掺杂的多晶硅层上的金属硅化物层。25.如权利要求22的半导体器件，还包括布置在第一和第二栅极线的侧壁上的隔片和覆盖包括露出第一和第二栅极线的顶面的凹槽的半导体衬底的层间介质：以及其中导电线条图形布置在层间介质中的凹槽中。26.如权利要求25的半导体器件，还包括在半导体树底和层间介质之间的刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率。27.如权利要求22的半导体器件，还包括半导体衬底上的层间介质，层间介质被平整到第一和第二栅极线的高度。28.如权利要求22的半导体器件，其中导电线条图形的第一部分至少是与第一栅极线相同的长度，以及导电线条图形的第二部分至少是与第二栅极线相同的长度。29.如权利要求22的半导体器件，其中导电线条图形由金属构成。30.如权利要求24的半导体器件，其中在金属硅化物层中导电层至少桥接一个间隙。31.如权利要求22的半导体器件，其中导电层减小栅电极的电阻。32.一种形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成包括至少一个绝缘图形和电极的栅极线；在栅极线的侧壁上形成的隔片；在半导体衬底、隔片和栅极线上形成层间介质露出栅极线的顶面；以及在露出的栅极线上形成平行于栅极线的导电线条图形。33.如权利要求32的方法，其中栅电极至少包括排杂的多晶硅。34.如权利要求33的方法，其中栅电极还包括金属硅化物层，以及其中金属硅化物层形成在排杂的多晶硅层上。35.如权利要求32的方法，其中露出栅极线的顶面包括构图层间介质以形成露出栅极线的顶面的凹槽，以及其中形成导电线条图形包括在半导体衬底的整个表面上形成导电层以填充凹槽，然后平整化导电层直到层间介质的顶面，以在凹槽中形成导电线条图形。36.如权利要求35的方法，其中该方法还包括：在形成层间介质之前，在包括隔片的半导体衬底的整个表面上形成刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率；在构图层间介质之后，构图栅极线上的刻蚀停止层以露出栅极线的顶面。37.如权利要求32的方法，其中露出栅极线的顶面包括平整化层间介质直到栅极线的顶面露出，以及其中形成导电线条图形包括在半导体衬底上和露出的栅极线上形成导电层，然后构图导电层以在栅极线上形成导电线条图形。38.如权利要求32的方法，其中导电线条图形由金属构成。39.一种形成半导体器件的方法，包括在举导体衬底上形成第一栅极线和与第一栅极线隔开的第二栅极，第一栅极线包括在第一栅绝缘图形上层叠的第一栅电极，并且第二极线包括在第二栅绝缘图形上层叠的第二栅电极1在第一和第二栅极线的侧壁上形成的隔片在半导体衬底和隔片上形成层间介质露出第一栅极线的顶面和第二棚极线的顶面；以及在第一和第二栅极线露出的顶面上形成导电线条图形，其中导电线条图形电连接第一和第二栅电极。40.如权利要求39的方法，其中第一和第二栅电极每个至少包括渗杂的多晶硅层。41.如权利要求40的方法，其中第一和第二栅电极每个还包括在掺杂多晶硅层上的金属硅化物层。42.如权利要求39的方法，其中露出栅极线的顶面和形成导电线条图形包括：构图层间介质以形成露出第一和第二栅极线的顶面的凹槽在半导体衬底的表面上形成导电层以填充凹槽；以及平整化导电层直到层间介质的顶面，以在凹槽中形成导电线条图。43.如权利要求42的方法，其中该方法还包括：在形成层间介质之前，在包括隔片的半导体衬底的整个表面上形成刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率；以及在构图层间介质之后构图刻蚀停止层，以露出栅极线的顶面。44.如权利要求39的方法，其中露出栅极线的顶面包括平整化层间介质直到第一和第二栅极线的顶面露出，以及其中形成导电线条图形包括在半导体树底上和露出的第一和第二栅极线上形成导电层，然后构图导电层以在第一和第二栅极线的顶面上形成导电线条图形。45.如权利要求39的方法，其中导电线条图形由金属构成。证据3为《半导体器件物理与工艺（第二版）》（180页）及《半导体制造工艺基础》（173页），第三人提交该证据证明MOS晶体管的基本结构包括：栅极、栅氧化层、源极、漏极、有源区、衬底。MOS晶体管具有沿源极漏极连线的AA’方向，以及沿垂直于栅极的BB’方向，这是两个完全不同、彼此垂直的方向。证据4《微电子制造中Ti的湿法刻蚀》（选自《工艺技术与材料》，半导体技术第32卷第2期）与《硅微机械加工技术》第256页。，第三人提交该证据证明蚀刻停止层包括Ti。证据5为《硅微机械加工技术》第255页，第三人提交该证据证明进行蚀刻过程中需要考虑被相同蚀刻剂刻蚀的材料的刻蚀率之比。证据6为《芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第四版）》第173页，第三人提交该份证据证明本领域公知执行部分过刻蚀可以使得沉积的金属栅极中从而增大接触面积。证据7为无效宣告口头审理记录表，第三人提交该证据用以证明专利口审过程中当庭各方发表的意见。针对上述庭审中思特威公司提交的补充证据，豪威公司认为，思特威公司提交的证据真实性无异议。本案证据交换已经结束，现提交的证据不符合规定，不能作为本案认定依据。全文没有提到蚀刻停止层包含钛。庭审中，豪威公司表示，现有技术偏离了130，很容易把栅极绝缘层击穿，本专利方案把金属插栅做再栅极绝缘层的正上方，体积更小、响应速度更快。现有技术做不到。现有技术需要先打孔，很容易把氧化层击穿，本专利能够精准的控制，能够把金属插栅做到栅极绝缘层的正上方。上述事实，有经庭审质证的本专利授权公告文本及各方当事人陈述等证据在案佐证。本院认为：授予专利权的发明和实用新型，应当具备新颖性、创造性和实用性。其中，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。本案争议焦点为涉案专利是否具备创造性。在判断要求保护的发明相对于现有技术是否显而易见，通常按照三个步骤来进行。（1）确定最接近的现有技术；（2）确定发明的区别特征和发明实际解决的技术问题；（3）判断发明要求保护的发明对本领域的技术人员来说是否显而易见。如果所述技术区别技术特征为另一份对比文件中披露的相关技术手段，该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别特征在要求保护的发明中为解决该重新确定的技术问题所起的作用相同，通常认为现有技术中存在上述技术启示。本发明专利的技术区别于对比文件1的区别特征包括：形成金属插塞（270），其垂直延伸穿过所述绝缘体区域（260）以提供与所述晶体管栅极（250）的电接触，为防止蚀刻时穿透栅极氧导致短路，在晶体管栅极（250）与绝缘体区域（260）之间配置一层金属钛（Ti）合金，配置于所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。豪威公司称，在将对比文件1余本专利进行比对时，被诉决定错误地将对比文件1的中间产品与本专利的最终形态产品进行比对，导致得出了错误的结论。另外，基于本专利的晶体管结构，能够采用前述技术方案介绍中本专利的工艺进行制备。相对于对比文件1的制备工艺，本专利的工艺步骤减少，能够有效减少工艺流程，而且本专利中蚀刻的次数和面积同样大大减小，从而极大地降低成本。基于本专利的方案，金属触点插塞和栅极之间可以实现直接电接触，而无需必须通过停止刻蚀层接触，因此能够提高导电率。综合涉案证据来看，国知局在进行比对时，系将本专利与对比文件1的技术方案进行比对，而非对双方产品进行比对，豪威公司该项辩称缺乏依据本院不予采信。对于豪威公司主张的本专利的晶体管结构，工艺步骤减少，把金属插栅做再栅极绝缘层的正上方，体积更小，响应速度更快。在对比文件1中亦采用了将金属插塞至于栅极、绝缘层正上方，该技术不具有显著的技术进步的特点。一般而言，MOSFET结构均包含了底衬、源区、漏区、栅极、金属触点及绝缘层等，在对比文件1、2已经公开了采取蚀刻停止层来防止金属触点过蚀刻导致短路，本专利技术要求1的技术方案是金属触点插塞与晶体管栅极形成电接触，同时，该蚀刻停止层的厚度为栅极的1/4。豪威公司认为该技术方案能够防止过蚀刻，同时扩大金属插塞与栅极接触面，从而稳定、高效传输电流，在源区域漏区之间形成连接或断开，从而处理信号。但是，每个结构体之间是单独的断开状态，故需要对蚀刻停止层进行断路处理。相对于对比文件1、2，豪威公司认为本专利的金属插塞穿透蚀刻停止层，与晶体管栅极直接接触，但从本专利权利要求来看，权利要求表述为形成电接触，而蚀刻停止层采用的包含Ti等，其本身即可导电，在不穿透蚀刻停止层时亦能实现权利要求中的电接触，故对比文件2亦采用了蚀刻停止层实现电接触，本专利该项技术特征相较于对比文件2不具有创新。对于蚀刻停止层为1/4是否为区别技术特征，本专利中权利要求中对蚀刻停止层为1/4所能达到的效果及采用1/4的原因未进行阐述，亦未有实验数据证实蚀刻层设置为1/4的技术优势。故本院难以认定本专利设置蚀刻停止层的1/4的厚度，系在先技术的实质性改进，亦不能作为区别技术特征。采用Ti合金在内的硬质金属导电材料，在先的技术文献中亦被广泛论证和提及，即便豪威公司在本案中使用了该金属材料，在功能上并不具备创新，相对于其他金属而言，未取得实质性技术创新。权利要求2-8是基于权利要求1的从属权利要求，由于权利要求1不具备创造性，因此，其从属权利要求2-8也不具备创造性。权利要求9的区别技术特征：9-1形成金属插塞，其垂直延伸穿过所述绝缘体区域以提供与所述晶体管栅极的电接触。9-2在所述晶体管栅极上提供触点蚀刻停止层。9-3其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极厚度的四分之一的厚度。结合本案中相应的技术文献资料，该区别特征不具备创造性。权利要求10引用权利要求9，权利要求10也不具备创造性。权利要求11的区别技术特征包括：11-1所述金属触点插塞提供与所述晶体管栅极的电接触；11-2在所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的界面上的蚀刻停止层；11-3其中所述蚀刻停止层包括Ti，且所述晶体管栅极厚度的1/4厚度。结合本案中相应的技术文献资料，该区别特征亦不具创造性。权利要求12-15是从属权利要求，因此从属权利要求12-15也不具备创造性。综上，被诉决定证据确凿，适用法律、法规正确，符合法定程序。原告的诉讼请求缺乏事实与法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告豪威科技股份有限公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告豪威科技股份有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，豪威科技股份有限公司可在本判决书送达之日起三十日内向本院提交上诉状及副本，其余各方当事人可在本判决书送达之日起十五日内向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  郭振华人民陪审员  周 华人民陪审员  李淑云二〇一九年九月十六日法官 助理  孟 磊书 记 员  刘海璇