中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2015）京知行初字第4002号原告李甜甜，女，1989年8月3日出生，汉族，住中华人民共和国北京市昌平区。委托代理人徐静，北京市金杜律师事务所律师。委托代理人王军，北京市金杜律师事务所律师。被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10-12层。法定代表人葛树，副主任。委托代理人孙学锋，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。委托代理人谭颖，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。第三人法国圣戈班玻璃厂，住所地法兰西共和国库尔布瓦市阿尔萨斯大街**号。法定代表人帕特里克·杜平，总经理。委托代理人刘鹏，中国专利代理（香港）有限公司专利代理人。委托代理人董均华，中国专利代理（香港）有限公司专利代理人。原告李甜甜因发明专利权无效行政纠纷一案，不服被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）作出的第25568号无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起诉讼。本院受理后，依法组成合议庭，并通知法国圣戈班玻璃厂（简称圣戈班玻璃厂）作为本案的第三人参加诉讼。2017年9月14日，本院依法公开开庭审理了本案。原告李甜甜的委托代理人徐静、王军，被告专利复审委员会的委托代理人孙学锋、谭颖，第三人圣戈班玻璃厂的委托代理人刘鹏、董均华到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系被告专利复审委员会针对原告李甜甜就第三人圣戈班玻璃厂拥有的专利号为02805525．X，名称为“装备有电极的透明基片”的发明专利（简称本专利）所提无效请求作出的。专利复审委员会在该决定中认定：1、关于2001年《中华人民共和国专利法实施细则》（简称专利法实施细则）第二十条第一款权利要求1请求保护一种透明基片，其对透明基片的构造、构成基片的相关层之间的位置关系、相应的材料选择和材料的厚度范围进行了限定，权利要求1的技术方案中各技术特征表述清楚，技术特征之间的关系明确，本领域技术人员可以清楚地判断权利要求1的保护范围。具体地，“装备有一电极”中本领域技术人员可以理解“一”为泛指，并非限定电极的数量；钼基导电层的厚度范围以及电介质的含量，本领域技术人员可以理解为能够实现相应功能的数值选择，权利要求中的限定是清楚的；“被插入”限定了基片、阻挡层和电极之间依次排列的关系，其含义是清楚的；电介质的材料选择权利要求1中已经明确限定为六种材料中的至少之一，阻挡层的厚度必然不会属于材料的备选；本专利中Mob即为钼基的导电层，“电极包括一个钼基的导电层”表明钼基的导电层是电极的一部分，其限定也是清楚的。权利要求10中的“不同于”，根据说明书的记载，本领域技术人员可以理解为其是指“组成材料”的不同，不会导致不清楚；权利要求14、16、19中“以……为基”本领域技术人员可以理解是指以其所限定的材料为基础的含义，不会导致不清楚；权利要求15、30中的“上面”、“下面”的含义本领域技术人员可以理解为处于相关层的某个方向上，基于本专利的技术方案不会理解为在表面。因此，上述权利要求的保护范围清楚，李甜甜的相应理由不成立。基于此，所有其他权利要求也不存在保护范围不清楚的情况。2、关于2001年《中国人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款本领域技术人员从对比文件1中得到的教导是：为了生长出较好性能的薄膜太阳能电池，应当通过钠钙玻璃基底或者其他方式对吸收层进行钠的补给，在钠钙玻璃上使用钠扩散阻挡层是应当避免使用的方式。而且，虽然对比文件1提及Na穿过钼电极层，但其并未对Na对钼电极是否存在影响有任何揭示。对比文件2公开了一种无定形太阳能电池，其指出从电极泄露出来的碱金属离子可能会扩散至无定形硅中，从而降低转化效率。为了解决该问题。对比文件2采用在钠钙玻璃表面上形成氧化硅层薄膜用以阻止碱金属离子扩散。对比文件1倾向于促使碱金属由玻璃基板通过电极层（即钼层）到达吸收层（即CIGS层）中，本领域技术人员不可能将对比文件2公开的碱金属阻挡层应用到对比文件1中。对权利要求1而言，对比文件1给出了相反的教导。因此，对本领域技术人员来说，权利要求1的技术方案在对比文件1和2的基础上不是显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。对比文件4未公开在基片和电极层之间配备阻挡层用于阻挡碱金属元素，未公开阻挡层插入到基片和电极之间，也未公开阻挡层的材料选择及其厚度范围。对比文件2公开了在玻璃基板上形成氧化硅薄膜以阻止碱金属离子扩散的技术手段。但是，对比文件2是涉及一种无定形硅太阳能电池，其氧化硅薄膜阻挡碱金属离子的目的是防止对无定形硅的转化效率造成影响。而对比文件4是CIS类型的太阳能电池，本领域技术人员并不明了这种太阳能电池中玻璃基底中的碱金属离子是否会对其性能造成影响，是否需要阻止其扩散。因此，本领域技术人员不可能将对比文件2中用来阻挡碱金属离子向无定形硅扩散的阻挡层应用在CIS类型的太阳能电池中，更不可能确定将该阻挡层设置在CIS类型的太阳能电池中的哪个部位上。因此，对本领域技术人员来说，权利要求1的技术方案在对比文件4结合对比文件2的基础上不是显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。基于相同的理由，李甜甜提出的权利要求2-33不具备创造性的理由也不成立。3、关于专利法实施细则第二十一条第二款权利要求1要解决的技术问题是通过插入适当厚度的电介质层从而降低钼层的厚度同时不影响其性能。因此，对于钼基导电层厚度的下限，本领域技术人员可以明了在保证性能的范围内倾向于采用较薄的厚度，权利要求1中已经限定了钼层的厚度上限，解决了降低钼层厚度的问题，权利要求1不缺少必要技术特征。此外，对于李甜甜认为的从实施例1-7可以看出钼层厚度低于500nm时需要使用多层电极结构的观点，实施例1a中明显单层钼层的厚度为200nm，远小于500nm。李甜甜关于权利要求1缺少必要技术特征的理由不成立。基于相同理由，李甜甜关于权利要求31-33缺少必要技术特征的理由也不成立。综上，专利复审委员会作出被诉决定，维持本专利有效。原告李甜甜不服被诉决定，于法定期限内向本院提起诉讼，其诉称：一、被诉决定对于本专利权利要求16、18、28中的“化学计量配比”是否清楚，是否符合专利法实施细则第二十条第一款的规定未予评述，存在漏审情形。二、本专利全部权利要求不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定1、权利要求1相对于对比文件1与2的结合不具备创造性。创造性的判断应采用三步法，被诉决定中并未采用该方法即得出权利要求1具备创造性的结论，这一作法有误。依据三步法，本专利权利要求1与最接近的现有技术（即对比文件1）相比，其区别仅在于构成阻挡层的材料有所不同。在对比文件2中已公开了这一材料的情况下，本领域技术人员容易想到将二者相结合可以得到本专利权利要求1。此外，本专利之所以会设置钠扩散阻挡层，原因在于钠会对于钼基导电层产生破坏作用，而对比文件1中亦可读出同样的技术教导，本专利与对比文件1并不存在相反的技术教导，被诉决定中的相关认定有误。2、本专利权利要求1相较于对比文件4与2的结合不具备创造性。权利要求1相对于对比文件4所存在的区别技术特征，即“对比文件4未公开在基片和电极层之间配备阻挡层用于阻挡碱金属，未公开阻挡层插入到基片和电极之间，未公开的材料选择及其厚度范围”，对比文件2中已给出技术启示，本领域技术人员容易想到将二者相结合从而得到权利要求1，被诉决定中的相关认定有误。基于与权利要求1相同的理由，其他权利要求亦均不具备创造性，被诉决定中的相关认定亦同样有误。三、权利要求1、31、32、33缺少必要技术特征。权利要求1中记载了钼基导电层厚度至多为500nm，但对于该导电层厚度的下限并未限定，而当该下限过小时，并无法实现本发明的发明目的，因此，权利要求1缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定。基于同样的理由，权利要求31、32、33亦不符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定。据此，原告李甜甜请求法院撤销被诉决定，并判令被告重新作出决定。被告专利复审委员会认为被诉决定认定事实清楚、适用法律正确、审理程序合法，请求法院驳回原告的诉讼请求。第三人圣戈班玻璃厂认为被诉决定认定事实清楚、适用法律正确、审理程序合法，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本专利系名称为“装备有电极的透明基片”的第02805525．X号发明专利，申请日为2002年1月23日，优先权日为2001年1月31日，授权公告日为2007年7月18日，专利权人为圣戈班玻璃厂。本专利授权公告时的权利要求书如下：“1．一种透明基片，它装备有一电极并且包括一个钼基的导电层Mob，该钼基的导电层的厚度至多为500nm，其特征在于，所述基片配备有至少一个阻挡层用于阻挡碱金属元素，该阻挡层被插入到所述基片和所述电极之间，该阻挡层基于电介质材料，该电介质材料选自至少一种下述化合物：氮化硅或者氮氧化硅，氮化铝或者氮氧化铝，氧化硅或者碳氧化硅，并且该阻挡层的厚度至少为120nm并且至多为300nm。2．如权利要求1所述的基片，其特征在于，所述基片是玻璃材质的。3．如权利要求1所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至多为400nm。4．如权利要求3所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至多为200nm。5．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至少为20nm。6．如权利要求5所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至少为50nm。7．如权利要求6所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至少为80nm。8．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述阻挡层的厚度至少为150nm。9．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述阻挡层的厚度至多为200nm。10．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述电极包括至少一个不同于所述钼基的导电层的“补偿”型导电层。11．如权利要求10所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层层中的至少一层的厚度至少为10nm并且最多为300nm。12．如权利要求11所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层中的至少一层的厚度至少为40nm。13．如权利要求11所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层中的至少一层的厚度在50-200nm之间。14．如权利要求10所述的基片，其特征在于，该“补偿”型导电层包括至少一个以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M，所述金属或金属合金选自下述之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NiCr，钢。15．如权利要求14所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层M在所述钼基的导电层Mob的下面。16．如权利要求10所述的基片，其特征在于，该“补偿”型导电层包括至少一个以至少一个下述金属：Ta，Zr，Nb，Ti，Mo，Hf的氮化物为基的“补偿”型导电层M'N，所述氮化物在氮含量方面可以低于化学计量配比，等于化学计量配比或者高于化学计量配比。17．如权利要求16所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层M’N在所述钼基的导电层Mob的下面和/或上面。18．如权利要求16所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层包括至少一个以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M，所述金属或金属合金选自下述之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NiCr，钢，并且所述以氮化物为基的“补偿”型导电层M’N位于所述的以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M和所述钼基的导电层Mob之间。19．如权利要求10所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层包括：至少一个以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M，所述金属或金属合金选自下述之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NiCr，钢，和/或至少一个以至少一个下述金属：Ta，Zr，Nb，Ti，Mo，Hf的氮化物为基的“补偿”型导电层M’N，并且所述电极包括下述层顺序之一：M/Mob/M’N；M/M’N/Mob；M/Mob；M’N/Mob；Mob/M’N。20．如权利要求10所述的基片，其特征在于，所述电极的导电层的总厚度小于或者等于600nm。21．如权利要求20所述的基片，其特征在于，所述总厚度小于或者等于500nm。22．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，该电极的每平方的电阻Rr小于或者等于2Ω/r。23．如权利要求22所述的基片，其特征在于，该电极的每平方的电阻Rr小于或者等于0．45Ω/r。24．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，该阻挡层形成用于光学目的的多层涂镀层的一部分，该多层涂镀层包括至少两层具有不同折射率的介电物质层。25．如权利要求24所述的基片，其特征在于，它包括具有1．9至2．3之间高折射率的层和1．4至1．7的低折射率的层的交迭。26．如权利要求25所述的基片，其特征在于，所述层的交迭按照如下顺序：Si3N4/SiO2或者Si3N4/SiO2/Si3N4。27．如权利要求24所述的基片，其特征在于，在蓝-绿色的或者粉红色的反射中，用于光学目的的所述多层的成分组成至少部分控制该基片在反射中的比色反应。28．如权利要求16所述的基片，其特征在于，在蓝-绿色的或者粉红色的反射中，所述以氮化物为基的“补偿”型导电层M’N的氮的化学计量配比至少部分控制该基片在反射中的比色反应。29．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，厚度为2至15nm的可见的TiN吸附薄层介于所述阻挡层和所述电极之间，因此在蓝-绿色的或粉红色的反射中，可以控制该基片在反射中的比色反应。30．根据权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，它包含一层黄铜矿吸附在该电极上面。31．一种将根据权利要求1至29中任一项所述的基片用作太阳能电池的电极的应用。32．一种将根据权利要求30所述的基片用作制造太阳能电池的应用。33．一种太阳能电池，其特征在于，它包括如权利要求30所述的基片。”本专利说明书第2页第5段中有如下记载，“根据本发明，在基片和电极之间介入一个称作阻挡层的层。该层的主要作用是阻碍基片中的物质向电极、远至吸收剂层（也可能是相反情况，即物质由电极向基片扩散）中扩散。”针对本专利，李甜甜于2014年8月20日向专利复审委员会提出无效宣告请求，同时提交了相关证据，其中：对比文件1：名称为“TheInfluenceofNaOntheGrowthofGu(In,Ga)Se2LayersforThinFilmSolarCells”的学术论文，公开时间为1999年。对比文件1公开的内容包括：钠可对CIGS基底吸收层的结构特性产生有益效果，可以增大晶粒，平整表面，并对电学特性产生有益影响。具体地，向CIGS层补给钠有两种方式：一是从钠钙玻璃基底使钠穿过钼薄膜补给，或者通过钠前驱体在钼薄膜上沉积后再向沉积在钠前驱体上的CIGS层补给（参见对比文件1中文译文第4页第20-31行）。为了研究NaF前驱体对钠补给的影响，对比文件1采用了多种薄膜太阳能电池的构造方式（对比文件1中文译文第25页第2段给出了a、b、c、d四种结构）。在d结构中，即采用钠扩散阻挡层形成无钠衬底的结构中，以Al2O3作为钠扩散阻挡层覆盖在钠钙玻璃上形成基底，电池的结构为基底/钼/CIGS层……（对比文件1中文译文第17页倒数第1段至18页第1段，以及第24页、25页）。对比文件1记载，采用Na扩散阻挡层，不采用NaF时，钠钙玻璃上的CIGS沉积层没有发现任何晶体结构；同时，直接在钠钙玻璃上沉积CIGS薄膜的晶体取向度也较高（对比文件1中文译文第24页、25页，表III）。亦即，根据对比文件1的记载，如果上述对CIGS层进行钠补给的两个渠道都被阻断，则无法形成有效的CIGS结晶层，而只要向CIGS层补给钠，则其生长效果均会变优。对比文件2：美国专利文献US4485146A，公开日为1984年11月27日。对比文件2公开了一种无定形太阳能电池，其指出从电极泄露出来的碱金属离子可能会扩散至无定形硅中，从而降低转化效率。为了解决该问题，对比文件2采用在钠钙玻璃表面上形成氧化硅层薄膜用以阻止碱金属离子扩散。对比文件4：美国专利文献US4798660A，公开日为1989年1月17日。对比文件4（中文译文第4页18-20行）公开了一种光伏电池10，其使用钠钙玻璃作为基片，后部触点由一个沉淀在基片12上的金属层14组成，金属层14为钼薄膜，厚度为0．2-2．0微米（200-2000nm）。李甜甜认为本专利权利要求1-33不符合专利法实施细则第二十条第一款的规定，其中本专利权利要求16中除了“为基”含义不清楚之外，“化学计量配比”也不清楚。在此基础上，专利复审委员会于2015年2月4日举行了口头审理，并于2015年3月19日作出被诉决定。上述事实，有被诉决定、本专利授权公告文本、对比文件1、对比文件2、对比文件4及庭审笔录在案佐证。本院认为：一、被诉决定是否存在漏审情形本案中，原告所提无效理由中包括专利法实施细则第二十条第一款，而在针对该条款的具体理由中，原告明确提出权利要求16、18、28中“化学计量配比”的限定不清楚。但被诉决定在对该条款进行审理时，未对“化学计量配比”是否清楚进行评述，该作法已构成漏审，属于程序违法。原告的相关理由成立，本院予以支持。二、本专利是否符合专利法第二十二条第三款的规定1、权利要求1相对于对比文件1与2的结合是否具备创造性原告认为被诉决定有关权利要求1具备创造性的认定有误的理由之一是被诉决定在创造性判断时未采用三步法。亦即被诉决定既未认定权利要求1相对于最接近现有技术（即对比文件1）所具有的区别技术特征，也未确定区别技术特征实际解决的技术问题，相应地，亦未在上述两环节的基础上对权利要求1相对于对比文件1与2的结合是否显而易见作出认定。因其判断方法有误，故得出的结论亦不正确。判断原告该主张是否成立的关键在于如何合理看待三步法在创造性判断中的作用，以及三步法是否为创造性判断的唯一方法。对此，本院认为，虽然三步法较为符合发明创造产生的客观特点，从而成为创造性判断的基本方法。但需要注意的是，其仅是方法之一，而非唯一方法。专利法中创造性条款需要判断的是本领域技术人员在现在技术的基础上获得本专利是否显而易见，因此，如果在具体案件中无需运用三步法便可对是否具有显而易见性得出结论，则三步法不具有适用的必要性。对于三步法在何种情形下无需适用虽难以一一列举，但最接近现有技术与涉案专利具有相反技术教导的情形显然属于此种情形之一。在非显而易见性的认定中，本领域技术人员是否有动机在现有技术的基础上进行改进以得到本专利是必要考虑因素，而在技术教导相反的情况下，本领域技术人员通常不会想到采用涉案专利的技术构思对现有技术进行改进，而在不具有改进动机的情况下，涉案专利的获得通常为非显而易见，故此种情况下无需适用三步法。本案中，本专利与对比文件1中存在相反技术教导，具体体现在对于钠的不同态度。本专利之所以在钼基导电层与透明基片之间设置阻挡层，其目的在于阻挡钠进入钼基导电层及吸收剂层，从而避免钠对于上述两层产生侵蚀作用（见本专利说明书第2页第5段）。但对比文件1作为一篇学术论文所得出的结论则在于钠对于吸收剂层的生长具有有益作用，因此，不应阻挡纳进入该层。相应地，其给出的技术方案是在吸收剂层下增加钠前驱层以提供更多的钠。至于钠对于钼基电极层是否具有损坏作用，在对比文件1中并未涉及。基于上述分析可知，本专利强调减少钠，对比文件1强调增加钠，二者显然具有相反的技术教导。对于本领域技术人员而言，其在对比文件1所给出技术教导的基础上，如果不付出创造性劳动，通常会沿着该技术教导，按照增加钠的角度进行思考，而不会采用本专利减少钠这一技术构思。可见，本领域技术人员想到本专利的技术构思已需付出创造性劳动。在此情况下，本专利整体技术方案的获得必然具有创造性。因此，无论对比文件2是否公开了阻挡层的材料，相对于对比文件1与2的结合，权利要求1均具备创造性。据此，被诉决定中认定本专利权利要求1相对于对比文件1与2的结合具备创造性的认定方法及认定结论均无误，原告的相关主张不能成立，本院不予支持。三、本专利权利要求1相对于对比文件4与2的结合是否具备创造性权利要求1相对于对比文件4的区别技术特征为，“对比文件4未公开在基片和电极层之间配备阻挡层用于阻挡碱金属，未公开阻挡层插入到基片和电极之间，也未公开阻挡层的材料选择及其厚度范围”。该特征在本专利中的作用为阻挡基片中的碱金属元素向钼基导电层及吸收剂层（即CIS层）扩散，防止对钼基导电层及吸收剂层（即CIS层）的侵蚀。对比文件2中虽然也公开了在玻璃基板上形成氧化硅薄膜以阻止碱金属元素扩散的技术手段，但其在对比文件2中的作用在于防止碱金属元素对于无定形硅的转化效率产生影响。可见，两技术手段在各自技术方案中所起作用并不相同。基于此，在无其他证据佐证的情况下，无法认定本领域技术人员有启示将对比文件2中的上述技术手段结合到对比文件4中以获得本专利权利要求1的技术方案。原告虽指出在对比文件2的其他部分已明确记载碱金属元素会对电极层具有侵蚀作用，但因该部分内容原告在无效阶段并未提及，其实质上并非本案的对比文件，不属于本案的审理范围，故本院对此不予考虑。综上，原告认为本专利权利要求1相对于对比文件4与2的结合不具备创造性的主张不能成立，本院不予支持。在原告有关本专利权利要求1不具备创造性的理由不能成立的基础上，基于相同的理由，原告认为其他权利要求不具备创造性的主张亦不能成立，本院不予支持。四、权利要求1、31、32、33是否符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定专利法实施细则第二十一条第二款规定，“独立权利要求应当从整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征”。对于该规定的理解，既需着眼于发明所声称解决的技术问题，亦不能忽视发明的基本技术效果，前者是在后者基础上的进一步改进。在基本技术效果无法获得的情况下，发明所声称解决的技术问题亦难以实现。本案中，原告认为权利要求1不符合上述规定的理由在于，权利要求1中钼基导电层的厚度应同时有上限及下限，但权利要求1中仅记载了上限500nm，对于下限并未涉及，因此缺少必要技术特征。本院认为，本专利属于改进型发明，虽然其声称现有技术存在的问题在于“材料成本太高，……钼钯比较昂贵（见本专利说明书第1页第4段）”，从而有必要对钼基层的上限进行限定，但本专利在解决前述技术问题的同时，必然需要考虑钼基层在该技术方案中的基本导电功能，即“确保较薄的钼层保留了其所有的效果（见本专利说明书第2页第5段）”。在本专利对钼基导电层的厚度仅限定了上限，未设定下限的情况下，其下限的数值存在多种可能性，包括厚度过薄的情形。因在厚度过薄的情况下将无法实现基本的导电功能，相应地，亦无法解决本专利所欲解决的钼基层过厚，成本过高的问题，故钼基层的下限属于本专利的必要技术特征，本专利权利要求1未对其进行限定，缺少必要技术特征。基于相同的理由，权利要求31、32、33亦缺少该必要技术特征。原告的相关主张成立，本院予以支持。被诉决定中认为本领域技术人员基于对导电功能的需求，其应知晓钼基导电层的合理厚度，因此本专利未缺少必要技术特征。但本院则认为，在本院及被告均已认定本专利权利要求1具备创造性，而减少钼基层的厚度属于本专利的发明点的情况下，对于钼基层厚度上下限的选择均应推定为原告付出创造性劳动方可获得，而不能当然地认定属于本领域技术人员容易想到的技术特征。不仅如此，任何一个技术方案均应有清楚的保护范围，在技术方案涉及数值范围的情况下，如果未设定明确的下限，即便本领域技术人员基于对该技术特征相关功能的考虑可以预估该下限的大致范围，但不同技术人员所确定的范围亦可能有所不同，这一情形必然使得本专利上述权利要求的保护范围不清楚，亦会对后续的侵权认定产生直接影响。需要指出的是，缺少必要技术特征的认定与权利要求保护范围是否清楚无法截然分开，如果因某技术特征的缺少而使得该权利要求范围不清楚，同样可以认定该权利要求违反专利法实施细则第二十一条第二款的规定。被诉决定基于此作出的本专利权利要求1、31、32、33不缺少必要技术特征的认定有误，本院予以纠正。综上，原告的部分起诉理由成立，本院予以支持。被诉决定部分认定有误，本院予以纠正。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第二项之规定，本院判决如下：一、撤销被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会作出的第25568号无效宣告请求审查决定；二、被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会重新作出无效宣告请求审查决定。案件受理费人民币一百元，由被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会负担（于本判决生效之日起七日内交纳）。如不服本判决，原告李甜甜、被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会可于本判决书送达之日起十五日内，第三人法国圣戈班玻璃厂可于本判决书送达之日起三十日内，向本院提交上诉状，并按对方当事人人数提交副本，同时交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国北京市高级人民法院。审 判 长  芮松艳人民陪审员  陶 轩人民陪审员  姚文斌二〇一八年三月二十三日法官 助理  段重合书 记 员  刘海璇