中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2019）京73行初3999号原告：比勒阿尔策瑙有限公司，住所地：德意志联邦共和国阿尔策瑙。法定代表人：亚历山大·巴特尔斯，首席财务官。法定代表人：斯蒂芬·塔勒，经理。委托诉讼代理人：王博，男，北京泛华伟业知识产权代理有限公司专利代理人。委托诉讼代理人：刘霞，女，北京泛华伟业知识产权代理有限公司专利代理人。被告：中华人民共和国国家知识产权局，住所地：中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：杨燕，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：袁丽颖，中华人民共和国国家知识产权局审查员。原告比勒阿尔策瑙有限公司因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（以下简称原专利复审委员会）于2018年9月4日作出的第161089号复审请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2019年4月11日受理后依法组成合议庭，于2020年2月24日公开开庭进行了审理。原告比勒阿尔策瑙有限公司的委托诉讼代理人王博、刘霞，被告中华人民共和国国家知识产权局的委托诉讼代理人杨燕、袁丽颖到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系原专利复审委员会就莱博德光学有限责任公司（现已更名为比勒阿尔策瑙有限公司，即本案原告）提出的专利申请号为201280058453．9、名称为“用于在基地上制造减反射层的方法和设备”发明专利申请（简称涉案专利申请），不服中华人民共和国国家知识产权局实审部门作出的驳回决定提出复审请求而作出的。被诉决定认为：权利要求1与对比文件2的区别技术特征是：（1）在塑料基底表面制造减反射层的设备不同，权利要求1中的设备包括其中配置了用于制造减反射层的各加工装置的真空室，以及传送设备，其用于在真空室的内部中在所述加工装置之间移动基底；（2）等离子体源适用操作以用于基底温度对于区别技术特征（1），对比文件1公开了一种用于在基底上制造具有低光学损失的多层涂覆层的设备（参见说明书第[0037]-[0047]段，附图1），并具体公开了以下技术特征：其包括真空腔10，其被分为几个区域A、B和C；区域A中第一阴极溅射源用作溅射系统3，通过反应溅射将溅射材料从溅射靶材中溅射出来，溅射材料和氧的混合物以一定溅射速率沉积在基底2上；区域B中的等离子体源5，等离子体源产生的等离子体包括激发离子和剩余气体中反应性组份的自由基，反应性粒子作用在沉积的涂覆层上且进一步将其氧化；区域C中优选与第一溅射源同样配置的第二阴极溅射源7；每个区域A、B和C都具有自身的气体输送和泵供应装置；平面传输装置6在第一阴极溅射源、等离子体源5和第二阴极溅射源7之间移动基底2。由此可见，对比文件1给出了将实现各个工艺步骤的对应装置都设置于同一真空室内而进行批量生产和自动加工的启示，故为了实现对比文件2中在塑料基底上高质批量、自动加工减反射层，本领域技术人员有动机采用对比文件1所公开的方式将溅射装置、等离子蚀刻装置以及形成保护层的装置都设置于同一真空室中；此外，采用溅射法（必然对应一溅射装置）形成保护层是本领域为了形成材料层的常用技术手段。对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种用于产生等离子射束的方法以及等离子体源（参见说明书第10页第4段），并具体公开了以下技术特征：激励电极以及激励面可由可良好导热的材料如铝、铜或类似物制成。特别有利的是，对具有至少部分焊接的激励面的激励电极实时水冷，用于使等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小。本领域技术人员知晓，塑料基底本身一般不能承受高温，故当对塑料基底进行等离子体处理时，本领域技术人员有动机采用对比文件3所公开的能够使得塑料基底的热负荷保持很小的等离子体源，而热负荷保持很小的基底温度例如对于区别技术特征（3）-（4），等离子体源的格栅和基底表面之间的距离、等离子体源的等离子体功率或者等离子体源相对于引出电极区域的功率密度是本领域技术人员根据实际需求，如为了低损伤、高效蚀刻所作出的常规选择。在对比文件2的基础上结合对比文件1、3以及本领域的公知常识所获得的权利要求1的技术方案，相对于本领域技术人员而言是显而易见的，其不具有突出的实质性特点，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求2是权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开了以下技术特征（参见说明书第[0045]-[0047]段，附图1）：传输装置6为转盘（相当于旋转板）；此外，滚筒也是本领域技术人员所常采用的传送设备。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求3是权利要求1或2的从属权利要求，该附加技术特征已被对比文件3所公开（参见说明书第6页倒数第1段-第7页第1段、第13页倒数第2段-第14页第2段，附图1a-1b）：高频等离子体源1具有等离子体容器2、激励电极6（相当于激发电极），在激励面6a和板状元件5的背面上设置有具有磁铁9a、9b、9c以及具有极靴9d的磁装置8，磁铁9a、9b、9c分别包括一个磁性北极和一个磁性南极（相当于具有磁北极和磁南极的磁体设备），磁性北极和磁性南极分别被设置在激励电极6后面的背离该等离子体的侧上并且指向等离子体腔室的内部，使得形成一个弯曲地伸入到等离子体腔室内部中的磁场，其中北极或南极中的至少一个被长形地构造，使得可形成一个隧道状区域，加载的粒子可被保持在该区域中并且它们可沿着该区域扩散。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求3也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求4是权利要求3的从属权利要求，该附加技术特征已被对比文件3所公开（参见说明书第6页第3段）：等离子体源具有一个带有引出电极和带有具有激励面的激励电极的高频电极装置的等离子体容器，该激励面通过一个适配网络与一个高频振荡器可连接或与其连通，其中，在激励面与引出电极之间存在一个等离子体腔室，在该腔室中可激发一个等离子体及其中引出电极和激励面的面积大小被这样地选择，使得几乎全部高频电压在引出电极处下降，并且具有一个用于产生磁场的磁装置，该磁装置具有至少一个磁性北极和一个磁性南极（相当于磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管），它们分别被设置在激励电极后面的背离等离子体腔室的一侧上并且指向等离子体腔室内部；此外，RF是本领域所常采用的高频电流。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求4不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求5是权利要求3或4的从属权利要求，激发电极在何种温度下操作是本领域技术人员根据等离子源以及激发电极的工作需求所作出的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求5不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求6是权利要求1-5中任一项的从属权利要求，该附加技术特征已被对比文件1所公开（参见说明书第[0044]段，附图1）：在区域A和C之间布置了用于光学监测的光学测量装置8，通过光学测量装置可以获取沉积的层的光学性质，涂层的透射率和/或反射率能够被测量。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求6不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求7与对比文件2的区别技术特征是：（1）塑料基底通过传送设备在布置在同一真空室的加工装置之间移动而在其上制造减反射层的；（2）等离子体源适于使得方法步骤对于区别技术特征（1），对比文件1公开了一种用于在基底上制造具有低光学损失的多层涂覆层的设备（参见说明书第[0037]-[0047]段，附图1），并具体公开了以下技术特征：其包括真空腔10，其被分为几个区域A、B和C；区域A中第一阴极溅射源用作溅射系统3，通过反应溅射将溅射材料从溅射靶材中溅射出来，溅射材料和氧的混合物以一定溅射速率沉积在基底2上；区域B中的等离子体源5，等离子体源产生的等离子体包括激发离子和剩余气体中反应性组份的自由基，反应性粒子作用在沉积的涂覆层上且进一步将其氧化；区域C中优选与第一溅射源同样配置的第二阴极溅射源7；每个区域A、B和C都具有自身的气体输送和泵供应装置；平面传输装置6在第一阴极溅射源、等离子体源5和第二阴极溅射源7之间移动基底2。由此可见，对比文件1给出了将实现各个工艺步骤的对应装置都设置于同一真空室内而进行批量生产和自动加工的启示，故为了实现对比文件2中在塑料基底上高质批量、自动加工减反射层，本领域技术人员有动机采用对比文件1所公开的方式将溅射装置、等离子蚀刻装置以及形成保护层的装置都设置于同一真空室中；此外，采用溅射法（必然对应一溅射装置）形成保护层是本领域为了形成材料层的常用技术手段。对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种用于产生等离子射束的方法以及等离子体源（参见说明书第10页第4段），并具体公开了以下技术特征：激励电极以及激励面可由可良好导热的材料如铝、铜或类似物制成。特别有利的是，对具有至少部分焊接的激励面的激励电极实时水冷，用于使等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小。本领域技术人员知晓，由于塑料基底本身一般不能承受高温，故当对塑料基底进行等离子处理时，本领域技术人员有动机采用对比文件3所公开的能够使得塑料基底的热负荷保持很小的等离子体源，而热负荷保持很小的基底温度例如对于区别技术特征（3）-（4），等离子体源的格栅和基底表面之间的距离、等离子体源的等离子体功率或者等离子体源相对于引出电极区域的功率密度是本领域技术人员根据实际需求如为了低损伤、高效蚀刻所作出的常规选择。在对比文件2的基础上结合对比文件1、3以及本领域公知常识所获得的权利要求7的技术方案，相对于本领域技术人员而言是显而易见的，其不具有突出的实质性特点，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求8是权利要求7的从属权利要求，对比文件2还公开了以下内容（参见说明书第3页倒数第2段、第4页第3段、第5页第4段）：薄层2特别是通过溅射如通过反应性磁控管溅射的施加，薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；保护层优选为SiO2层。在对比文件2公开了通过反应性磁控管溅射的方法施加SiO2薄层的基础上，本领域技术人员有动机通过同样的方法形成SiO2保护层；此外，对于本领域技术人员而言，等离子体增强的反应溅射方法是其所常采用的反应溅射方法。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求8不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求9是权利要求7或8的从属权利要求，对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第2页第3段、第3页倒数第2段）：薄层2厚度优选为2nm或更小；薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；此外，其他材料是本领域技术人员所常采用的氧化物、氮化物或氟化物基部材料。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求9不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求10是权利要求7-9中任一项的从属权利要求，对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第4页4段）：实施等离子体蚀刻以在塑料基材1表面上产生纳米结构。为产生等离子体例如使用等离子体源4。该等离子体特别可以是其中导入氧的氩等离子体；此外，反应等离子体蚀刻是本领域技术人员常采用的等离子体蚀刻方法。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求10不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求11是权利要求7-10中任一项的从属权利要求，对比文件2还公开了以下内容（参见说明书第3页倒数第2段、第4页第3段、第5页第4段）：薄层2特别是通过溅射如通过反应性磁控管溅射的施加，薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；保护层优选为SiO2层。在对比文件2公开了通过反应性磁控管溅射的方法施加SiO2薄层的基础上，本领域技术人员有动机通过同样的方法形成SiO2保护层；此外，对于本领域技术人员而言，等离子体增强的反应溅射方法是其所常采用的反应溅射方法。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求11不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求12是权利要求7-11中任一项的从属权利要求，对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第5页第2-4段）：透明保护层7的厚度为10-50nm，优选为SiO2。此外，其他材料是本领域技术人员常采用的保护层材料。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求12不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求13是权利要求7-12中任一项的从属权利要求，在保护层以外还施加另外的疏水层是本领域技术人员为了防水等所常采用的技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求13不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求14是权利要求13的从属权利要求，另外的疏水层的厚度是本领域技术人员根据实际需求所做出的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求14不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求15是权利要求7的从属权利要求，激发电极在何种温度下操作是本领域技术人员根据等离子源以及激发电极的工作需求所作出的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求15不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求16请求保护根据权利要求1-15中任一项能够制造或制造的塑料基底的表面上的减反射层，对比文件2公开了一种在塑料表面上产生纳米结构的方法（参见说明书第1页倒数第4段-第3页第5段、第3页倒数第2段-第5页第4段，附图1-2），即公开了一种塑料基底表面上制造的减反射层，由于权利要求1-15不具备创造性，权利要求16也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。对于复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，复审请求人所认为的“权利要求1的技术方案提供了如下的技术效果：等离子体处理的样品具有高透射率”与本申请说明书的记载并不一致。本申请说明书第9页第5段记载了：“等离子体蚀刻时间的减少可以通过增加等离子体功率来实现。然而，增大等离子体功率至200W之上导致所处理的基底的透射率的减小。从图4可以看出，增大离子能量也导致等离子体蚀刻时间的减少，但这也导致以这种方式处理的基底的透射率的减小”。此外，本申请说明书第2页倒数第3段-第3页第1段记载了：“根据本发明的用于塑料基底的表面处理的设备包括真空室，其中，针对所述表面处理所需要的这些加工站被共同容纳。与在批量模式下操作的传统涂布设备相比，根据本发明的设备实现了塑料基底的高质量、有效和节省成本的表面处理”。由此可见，本申请基于区别技术特征（1）实现的是塑料基底的高质量批量生产、自动加工；本申请说明书第3页第2段、第4页第5段记载了：“该等离子体源的特点是特别低的热发射，这对于塑料基底的等离子体处理是极为重要的。结果，在基部层和保护层的反应等离子体增强施加期间以及反应等离子蚀刻加工期间，可以获得远小于100℃的基底的低温；为了保护塑料基底，方法步骤优选在对比文件3明确公开了等离子体源，则其显然能够应用于需要等离子体源的情况下，并且对比文件3明确公开了该等离子体源能够使等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小，且塑料基底本身一般不能承受高温，故当对塑料基底进行等离子体处理时，本领域技术人员有动机采用对比文件3所公开的等离子体源，而热负荷保持很小的基底温度例如依据中国专利法独立进行审查，本申请对应的日本申请不作为审查的依据。本申请的权利要求1-16相对于现有技术不具备创造性。专利复审委员会基于上述理由，决定维持中华人民共和国国家知识产权局对涉案专利申请作出的驳回决定。比勒阿尔策瑙有限公司不服该决定，在法定期限内向本院提起诉讼，其诉称：第一，本领域技术人员基于对比文件2和对比文件3的教导，无法获得本申请权利要求1的区别技术特征（2）。首先，对比文件3并没有教导或暗示其中公开的等离子体源适用于处理塑料基底，特别是在基底温度第二，本领域技术人员在现有技术没有提供教导的情况下无法获得本申请权利要求1的上述区别技术特征（3）和（4）。本申请相比于对比文件1-3特别设计了用于等离子体蚀刻的等离子体源的格栅相对于基底表面的距离、等离子体源的操作功率以及等离子体源相对于引出电极的区域的功率密度，由此提供了一种改进的用于在塑料基底的表面上制造减反射层的设备，尤其使得等离子体处理的样品具有高透射率。对比文件1-3并没有公开上述区别技术特征，当然也没有给出将上述区别技术特征结合到对比文件1-3中以解决上述技术问题的启示。因此，本申请权利要求1的技术方案并不是显而易见的，除非审查员能够提供确凿的证据。与对比文件1-3相比，本申请的权利要求1符合专利法第二十二条第三款的规定。所有从属于权利要求1的从属权利要求因为权利要求1符合专利法第二十二条第三款的规定而同样具有创造性。第三，本申请独立权利要求7具有创造性，符合专利法第二十二条第三款的规定。独立权利要求7限定了一种用于在塑料基底的表面上制造减反射层的方法。基于与权利要求1类似的理由，本申请的权利要求7相比于对比文件1-3也不是显而易见的，符合专利法第二十二条第三款的规定。所有从属于权利要求7的从属权利要求因为权利要求7符合专利法第二十二条第三款的规定而同样具有创造性。独立权利要求16限定了根据权利要求1-15中任一项能够制造或制造的塑料基底的表面上的减反射层。如上所述，权利要求1-15相比于对比文件1-3并不是显而易见的。因此，独立权利要求16相比于对比文件1-3也符合专利法第二十二条第三款的规定。综上，请求撤销被诉决定，并责令被告重新作出复审请求审查决定。中华人民共和国国家知识产权局辩称：首先，坚持被诉决定意见。其次，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，原告的诉讼请求不能成立，请求驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：涉案专利申请为第201280058453．9号“用于在基底上制造减反射层的方法和设备”发明专利，申请人为莱博德光学有限责任公司，优先权日为2011年9月28日，申请日为2012年9月28日，公开日为2014年7月30日。中华人民共和国国家知识产权局经实质审查，于2016年11月4日作出决定，以涉案申请权利要求1-19不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性为由驳回申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于2014年5月28日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-10页、说明书附图第1-5页；2016年3月21日提交的权利要求第1-19项驳回决定所针对的权利要求书如下：“1．一种意欲并设置用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)，-包括第一溅射装置(3)，用于将基部层(22)施加至所述塑料基底(20)的表面(21)，-包括等离子体源(4)，意欲并设置用于涂布后的基底表面(21)的等离子体蚀刻处理，-优选地包括第二溅射装置(5)，用于将保护层(24)施加至所述基底表面(21)，-包括用于至少一种加工气体的至少一个入口(8)，其特征在于-所述设备(1)包括真空室(2)，其中配置了加工装置(3，4，5)，以及-所述设备(1)包括传送设备(10)，用于在所述真空室(2)的内部中在所述加工装置(3，4，5)之间移动所述基底(20)，并且其中，所述等离子体源(4)适于操作以用于基底温度2．根据权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述传送设备(10)是旋转板(11)或滚筒。3．根据权利要求1或2所述的设备(1)，其特征在于，所述等离子体源(4)包含等离子体空间、激发电极以及具有磁北极和磁南极的磁体设备，其中，两个磁极在各情况下配置在所述激发电极之后远离等离子体的一侧并指向所述等离子体空间的内部，由此导致形成伸入至所述等离子体空间的内部中的弯曲磁场以及隧道状区域，充电粒子能够被保持在所述隧道状区域中并且能够沿着所述隧道状区域传播。4．根据权利要求3所述的设备(1)，其特征在于，具有激发区域的激发电极经由匹配网络能够连接或连接至RF发生器，其中，其中能够激发等离子体的等离子体空间位于激发区域和引出电极之间，以及其中，所述引出电极的区域和所述激发区域的大小被选择以使得实际上整个射频电压在所述引出电极处降低，其中磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管，所述至少一个磁北极和一个磁南极在各情况下被配置在所述激发电极之后远离所述等离子体空间的一侧并指向所述等离子体空间的内部。5．根据权利要求3或4所述的设备，其特征在于，所述激发电极在15℃至45℃之间的温度下操作。6．根据权利要求1-5中任一项所述的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)包括测量装置(8)，用于所述塑料基底(20)的表面(21)的透射率和/或反射率的现场测量。7．根据权利要求1-5中任一项所述的设备(1)，其特征在于，所述等离子体源(4)被设置来以200瓦特至400瓦特之间的等离子体功率操作，或者所述等离子体源相对于所述引出电极的区域的功率密度是0．5-1．5W/cm2。8．一种用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的方法，包括以下方法步骤：在第一溅射装置(3)中将介电基部层(22)施加至所述基底(20)的表面(21)；通过等离子体源(4)利用等离子体蚀刻处理涂布表面(21)；在第二溅射装置(5)中将保护层(24)施加至处理后的表面(21)，其特征在于，所述塑料基底(20)通过传送设备(10)在布置在同一真空室(2)中的加工装置(3，4，5)之间移动，并且其中，所述等离子体源适于使得方法步骤在9．根据权利要求8所述的方法，其特征在于，施加所述基部层(22)和/或所述保护层(24)通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。10．根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述基部层(22)由元素Ti、Zr、Cr、Si、Al、Ta、Nb和/或Hf的氧化物、氮化物或氟化物组成并且具有1nm至5nm之间的层厚度。11．根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其特征在于，修改所述涂布表面(21)通过反应等离子体蚀刻特别地在包含氧气的氛围中实现。12．根据权利要求8-11中任一项所述的方法，其特征在于，施加所述保护层(24)同样通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。13．根据权利要求8-12中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护层(24)由元素Si和/或Al的氧化物、氮化物或氟化物组成并且具有5nm至50nm之间的层厚度。14．根据权利要求8-13中任一项所述的方法，其特征在于，除了所述保护层(24)以外还施加另外的疏水层(25)。15．根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述另外的疏水层(25)具有1nm至20nm之间的层厚度。16．根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激发电极在15℃至45℃之间的温度下操作。17．根据权利要求15和16中任一项所述的方法，其特征在于，该方法在所述等离子体源的格栅和所述基底表面之间的距离是50-100mm的情况下进行。18．根据权利要求8-17中任一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体源(4)的等离子体功率在200瓦特至400瓦特之间，或者所述等离子体源相对于所述引出电极的区域的功率密度是0．5-1．5W/cm2。19．根据权利要求1-18中任一项能够制造或制造的塑料基底(20)的表面(21)上的减反射层。”驳回决定引用的对比文件为：对比文件1：US2006/0151312A1，公开日：2006年7月13日。对比文件1公开了一种用于在基底上制造具有低光学损失的多层涂覆层的设备，并具体公开了以下技术特征：其包括真空腔10，其被分为几个区域A、B和C；区域A中第一阴极溅射源用作溅射系统3，通过反应溅射将溅射材料从溅射靶材中溅射出来，溅射材料和氧的混合物以一定溅射速率沉积在基底2上；区域B中的等离子体源5，等离子体源产生的等离子体包括激发离子和剩余气体中反应性组份的自由基，反应性粒子作用在沉积的涂覆层上且进一步将其氧化；区域C中优选与第一溅射源同样配置的第二阴极溅射源7；每个区域A、B和C都具有自身的气体输送和泵供应装置；平面传输装置6在第一阴极溅射源、等离子体源5和第二阴极溅射源7之间移动基底2……传输装置6为转盘（相当于旋转板）……在区域A和C之间布置了用于光学监测的光学测量装置8，通过光学测量装置可以获取沉积的层的光学性质，涂层的透射率和/或反射率能够被测量。对比文件2：CN101588912A，公开日：2009年11月25日。对比文件2中公开了一种在塑料表面上产生纳米结构（相当于减反射层）的方法，并具体公开了以下技术特征：在塑料基材1上施加薄层2（相当于基部层），例如可通过来自蒸发源3的真空蒸发进行，特别通过溅射如通过反应性磁控管溅射（必然对应一溅射装置，其具有用于加工气体的入口）的施加是合适的，施加在塑料基材1上的薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；在塑料基材1上施加薄层2后，实施等离子蚀刻工艺以在塑料基材1表面上产生纳米结构，为产生等离子体例如使用等离子体离子源4（必然具有用于加工气体的入口）；在塑料基材1的表面上产生纳米结构6后，在该纳米结构6上施加透明的保护层7（必然对应一形成该保护层的装置），由于该纳米结构6的降低反射的作用，所以本方法特别适于不希望有入射辐射的反射的塑料基材1……薄层2特别是通过溅射如通过反应性磁控管溅射的施加……薄层2厚度优选为2nm或更小……薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；透明保护层7的厚度为10-50nm，优选为SiO2……实施等离子体蚀刻以在塑料基材1表面上产生纳米结构。为产生等离子体例如使用等离子体源4。该等离子体特别可以是其中导入氧的氩等离子体。对比文件3：WO2010/124836A1，公开日：2010年11月4日。对比文件3公开了一种用于产生等离子射束的方法以及等离子体源，并具体公开了以下技术特征：激励电极以及激励面可由可良好导热的材料如铝、铜或类似物制成。特别有利的是，对具有至少部分焊接的激励面的激励电极实时水冷，用于使等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小……高频等离子体源1具有等离子体容器2、激励电极6（相当于激发电极），在激励面6a和板状元件5的背面上设置有具有磁铁9a、9b、9c以及具有极靴9d的磁装置8，磁铁9a、9b、9c分别包括一个磁性北极和一个磁性南极（相当于具有磁北极和磁南极的磁体设备），磁性北极和磁性南极分别被设置在激励电极6后面的背离该等离子体的侧上并且指向等离子体腔室的内部，使得形成一个弯曲地伸入到等离子体腔室内部中的磁场，其中北极或南极中的至少一个被长形地构造，使得可形成一个隧道状区域，加载的粒子可被保持在该区域中，并且它们可沿着该区域扩散……等离子体源具有一个带有引出电极和带有具有激励面的激励电极的高频电极装置的等离子体容器，该激励面通过一个适配网络与一个高频振荡器可连接或与其连通，其中，在激励面与引出电极之间存在一个等离子体腔室，在该腔室中可激发一个等离子体及其中引出电极和激励面的面积大小被这样地选择，使得几乎全部高频电压在引出电极处下降，并且具有一个用于产生磁场的磁装置，该磁装置具有至少一个磁性北极和一个磁性南极（相当于磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管），它们分别被设置在激励电极后面的背离等离子体腔室的一侧上并且指向等离子体腔室内部；此外，RF是本领域所常采用的高频电流。中华人民共和国国家知识产权局实质审查部门在驳回理由中认为：第一，独立权利要求1与对比文件1的区别特征为：（1）基底为塑料基底，第二溅射装置用于将保护层施加至基底表面，该设备用于在塑料基底表面上制造减反射层；（2）等离子体源适于操作以用于基底温度第二，从属权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件1-3公开，或属于本领域公知常识。因此，从属权利要求2-7也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。第三，独立权利要求8与对比文件2的区别技术特征是：（1）在第一溅射装置中将介电基部层施加至所述基底的表面，在第二溅射装置中将保护层施加至处理后的表面，所述塑料基底通过传送设备在布置在同一真空室中的加工装置之间移动；（2）等离子体源适于使得方法步骤在第四，从属权利要求9-18的附加技术特征或被对比文件1-2公开，或属于本领域公知常识。因此，从属权利要求9-18不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。第五，独立权利要求19请求保护一种根据权利要求1-18中任一项能够制造或制造的塑料基底的表面上的减反射层，对比文件2公开了在塑料表面上产生纳米结构（相当于在塑料基底的表面上制造的减反射层）的方法。由于其所引用的权利要求不具备创造性，因此权利要求19也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。莱博德光学有限责任公司不服上述驳回决定，向原专利复审委员会提出复审请求，但没有修改申请文件。其认为：第一，对比文件1并没有公开本申请权利要求1的如下技术特征：基底为塑料基底，第二溅射装置用于将保护层施加至基底表面，该设备用于在塑料基底表面上制造减反射层；等离子源适于操作以用于基底温度＜100℃的等离子体蚀刻处理。对比文件2公开了基底为塑料基底，将保护层施加至基底表面以及在塑料基底表面上制造减反射层的技术特征，但复审请求人认为没有动机将对比文件2结合至对比文件1中。第二，对比文件3记载的“该等离子体源”指的是在本申请中使用的等离子体源，并不是指从对比文件3本身得知的等离子体源。对比文件3没有公开能够实现“特别低的热发射”，也没有公开温度数据指示能够使等离子源在远小于100℃的温度下工作。因此，权利要求具备创造性。原专利复审委员会依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门经审查后坚持原驳回决定。原专利复审委员会随后成立合议组进行审理,并发出复审通知书，指出：第一，权利要求1-19相对于对比文件1-3和本领域公知常识的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。第二，权利要求1与作为最接近的现有技术即对比文件2的区别仅在于在塑料基材上制作减反射层的装置不同，而对比文件1明确公开了一种能够高批量生产且自动化的装置，故为了实现塑料基材上的减反射层的批量且自动化的生产，本领域技术人员显然有动机采用对比文件1所公开的构造方式来构造用于对比文件2的减反射层的制作装置。对比文件3明确公开了用于使等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小的等离子体源（参见说明书第10页第4段）；由于塑料基底本身一般不能承受高温，故当对塑料基底进行等离子处理时，本领域技术人员显然有动机采用对比文件3所公开的能够使得等离子源和/或衬底的热负荷保持很小的等离子体源，从而保护塑料基底，而具体的温度范围如基底温度＜100℃显然是本领域技术根据实际的需求所作出的常规选择。综上，对复审请求人的上述意见不予接受。莱博德光学有限责任公司于2018年6月15日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文替换页（共包括第1-16项权利要求），所作的修改是：基于复审通知书所针对的权利要求书，将从属权利要求17-18的附加技术特征补入到独立权利要求1和8，删除从属权利要求7、17-18，并对于权利要求序号以及引用关系进行适应性修改。修改后的权利要求1、7的内容如下：“1．一种意欲并设置用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)，包括第一溅射装置(3)，用于将基部层(22)施加至所述塑料基底(20)的表面(21)，包括等离子体源(4)，意欲并设置用于涂布后的基底表面(21)的等离子体蚀刻处理，优选地包括第二溅射装置(5)，用于将保护层(24)施加至所述基底表面(21)，包括用于至少一种加工气体的至少一个入口(8)，其特征在于：所述设备(1)包括真空室(2)，其中配置了加工装置(3，4，5)，所述设备(1)包括传送设备(10)，用于在所述真空室(2)的内部中在所述加工装置(3，4，5)之间移动所述基底(20)，并且其中，所述等离子体源(4)适于操作以用于基底温度“7．一种用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的方法，包括以下方法步骤：在第一溅射装置(3)中将介电基部层(22)施加至所述基底(20)的表面(21)；通过等离子体源(4)利用等离子体蚀刻处理涂布表面(21)；在第二溅射装置(5)中将保护层(24)施加至处理后的表面(21)，其特征在于，所述塑料基底(20)通过传送设备(10)在布置在同一真空室(2)中的加工装置(3，4，5)之间移动，并且其中，所述等离子体源适于使得方法步骤在莱博德光学有限责任公司于2018年6月20日再次提交了意见陈述书，以替换2018年6月15日提交的意见陈述书。其认为：第一，权利要求1相对于对比文件2具有如下区别技术特征：（1）所述设备包括真空室，其中配置了加工装置，所述设备包括传送设备，用于在所述真空室的内部中在所述加工装置之间移动所述基底；（2）所述等离子体源适于操作以用于基底温度＜100℃的等离子蚀刻处理；（3）所述等离子体源的格栅和所述基底表面之间的距离是50-100nm；（4）所述等离子体源被设置来以200瓦特至400瓦特之间的等离子体功率操作，或者所述等离子体源相对于所述引出电极的区域的功率密度是0．5-1．5W/cm2。基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案提供了如下的技术效果：等离子体处理的样品具有高透射率。第二，对比文件3并没有提及用于等离子体蚀刻的源的可能使用，也没有公开指示能够使等离子体源在远小于100℃的温度下工作的温度数据，其并未公开任何温度数据，仅提到了与离子能量和射频功率有关的数据，100℃的基底温度远小于塑料基底的软化温度（通常大约125℃），故高温度处理的基底的较低透射率不是基底软化的结果。此外，对比文件1和3都未公开上述区别技术特征（2）-（4）。因此，本申请的权利要求具备创造性。第三，本申请的对应日本申请已经被授权。原专利复审委会在上述程序基础上作出被诉决定。另查，根据中央机构改革部署，原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会的相关职责由中华人民共和国国家知识产权局统一行使。上述事实，有被诉决定、涉案专利申请文本、修改文本、对比文件1、2、3以及当事人的陈述等在案佐证。本院认为：2008年12月27日修改的《中华人民共和国专利法》已于2009年10月1日起施行。因此，本案审理涉及2001年专利法与2009年专利法之间的选择适用问题。《中华人民共和国立法法》第八十四条规定，法律、行政法规、地方性法规、自治条例和单行条例、规章不溯及既往，但为了更好地保护公民、法人和其他组织的权利和利益而作的特别规定除外。中华人民共和国国家知识产权局据此制定了《施行修改后的专利法的过渡办法》，并于2009年10月1日起施行。根据该过渡办法，申请日在2009年10月1日前的专利申请以及根据该专利申请授予的专利权适用2001年专利法的规定；申请日在2009年10月1日以后（含该日）的专利申请以及根据该专利申请授予的专利权适用2009年专利法的规定。鉴于涉案专利申请的申请日在2009年10月1日以后，依据《中华人民共和国立法法》第八十四条之规定，并参照上述过渡办法的相关规定，本案应适用2009年《专利法》进行审理。2009年专利法二十二条第三款规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。被诉决定引用的对比文件1、2、3的公开日早于涉案专利申请的优先权日，属于上述法律规定的现有技术，可以用于评价涉案专利申请的创造性。判定涉案专利申请是否具备我国专利法规定的创造性，首先，需要确定与涉案专利申请独立权利要求最接近的现有技术。涉案专利权利要求1、7系独立权利要求。对比文件2公开了一种在塑料表面上产生纳米结构（相当于减反射层）的方法，由于为实现该方法，必然会有对应于在塑料表面上产生纳米结构的设备，且对比文件2技术方案公开了涉案专利权利要求1、7的相关部分的技术特征，加之原告对于对比文件2构成上述两项独立权利要求最接近的现有技术无异议，本院予以确认。其次，需要确定涉案专利申请权利要求1、7与对比文件2之间的区别特征和权利要求1、7技术方案要实际解决的技术问题。原告对于被诉决定认定的涉案专利申请权利要求7与对比文件2之间存在的区别特征，以及该项独立权利要求技术方案要实际解决的技术问题的认定没有异议；对于被诉决定认定的涉案专利申请权利要求1与对比文件2之间存在的区别特征，以及该项独立权利要求技术方案要实际解决的技术问题的认定没有异议，但质疑对区别特征（2）、（3）、（4）的认定没有证据支持。对此，本院认为，根据涉案申请说明书的相关记载，区别技术特征（2）所要解决的问题是对于塑料基底的保护；由于权利要求1中对于等离子源的具体参数的限定并非单纯是为了获得高透射率，其是为了实现透射率与蚀刻时间即与蚀刻的速度、蚀刻的损伤等因素之间的平衡，故区别特征（3）、（4）所要解决的问题是低损伤以及高效蚀刻。故被诉决定对区别特征（2）、（3）、（4）的认定有事实依据，本院予以认可。再者，需要判断区别特征对于本领域技术人员来说是否是显而易见的。关于区别特征（2）、（3）、（4），本院在对被诉决定的评述理由予以认可的前提下，针对原告的起诉理由补充认为，在对比文件2中明确公开了“实施等离子蚀刻工艺以在塑料基材1表面上产生纳米结构，为产生等离子体例如使用等离子体源4”；对比文件3明确公开的是一种等离子体源，且该等离子体源能够使得等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小。此外，对于本领域技术人员而言，塑料基底本身一般不能承受高温，故当对对比文件1的塑料基底进行等离子处理时，本领域技术人员显然有动机选择对比文件3所公开的能够使得衬底的热负荷保持很小的等离子源，而热负荷能够保持很小的基底温度例如＜100℃，本院也认为是本领域技术人员为了保护塑料基底所作出的常规选择，被告无需对此举证。对比文件1中进行等离子蚀刻而获得的纳米结，是为了降低反射，则其显然是有较高透射率，且对于本领域技术人员而言，等离子体源的格栅和基底表面之间的距离、等离子体源功率，以及等离子体源相对于引出电极区域的功率密度等，是影响等离子体蚀刻的重要因素，同时也影响通过其所获得的纳米结构，故本院也认为本领域技术人员有动机在考虑透射率的情况下，兼顾低损伤以及高效蚀刻的考虑因素，经过一定的试验能够确定上述等离子体源的相关参数。因此，在对比文件2的基础上，结合对比文件1、3以及本领域的公知常识，获得权利要求1的技术方案，相对于本领域技术人员而言是显而易见的。对于原告坚持认为面对区别特征（2）、（3）、（4），得出涉案专利申请权利要求1技术方案非显而易见，本领域技术人员没有动机作出常规选择，属于“事后诸葛亮”，以及公知常识没有证据支持的理由不成立。涉案专利权利要求1不具有突出的实质性特点，同理，权利要求7亦不具有突出的实质性特点，上述两项独立权利要求不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定认定正确。原告在庭审中主要围绕涉案专利的两项独立权利要求的创造性问题进行阐述，对于其他从属权利要求项的创造性问题未作进一步阐述，但其明确表示在独立权利要求有创造性的前提下，其他从属权利要求项亦具备创造性。据此，本院经审查后，对被诉决定关于各项从属权利要求的评述理由予以认可，即权利要求2-6、8-16中的附加技术特征已被对比文件公开，其他特征部分或是本领域技术人员根据公开的内容得到技术启示作出的常规技术选择，或属于公知常识，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，其本身也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。被诉决定认定正确。另外，本院对被诉决定关于原告的意见陈述的评述予以认可。综上，原专利复审委员会作出的被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，作出程序合法。原告起诉的理由不成立，本院对其诉讼请求不予以支持。本院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九之规定，判决如下：驳回比勒阿尔策瑙有限公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由比勒阿尔策瑙有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，比勒阿尔策瑙有限公司可于本判决送达之日起三十日内，中华人民共和国国家知识产权局可于本判决送达之日起十五日内向本院提交上诉状，并按对方当事人的人数提出副本，同时交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  何 暄审 判 员  章坚强审 判 员  宋 堃二〇二〇年四月二十六日法官助理  张凌博书 记 员  邢 芮