中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书(2016)京73行初670号原告卡尔蔡司SMT有限责任公司，住所地德意志联邦共和国上科亨73447鲁道夫-埃伯街2号。法定代表人约尔格·舒尔茨、托马斯·奥科恩，授权代表。委托代理人邱军，北京柳沈（上海）律师事务所律师。委托代理人陈金林，北京市柳沈律师事务所律师。被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦。法定代表人葛树，副主任。委托代理人谭颖，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。委托代理人张瑜，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。原告卡尔蔡司SMT有限责任公司（简称卡尔蔡司公司）不服被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2015年9月15日作出的第97243号复审请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2016年2月5日受理后，依法组成合议庭，并指派技术调查官郭强参与诉讼，于2018年3月1日对本案公开开庭进行了审理。原告卡尔蔡司公司的委托代理人邱军、陈金林，被告专利复审委员会的委托代理人谭颖、张瑜到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会针对卡尔蔡司公司就其名称为“成像光学系统”的第200810003654.4号发明专利申请（简称本申请）所提复审请求而作出。该决定中认定，权利要求1-38不具有创造性，不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款的规定。因此，专利复审委员会作出被诉决定,维持国家知识产权局的驳回决定。被诉决定引用的对比文件为：对比文件1：US2006/0232867A1美国专利文献，公开日为2006年10月19日。对比文件2：US7114818B2美国专利文献，公开日为2006年10月3日。被诉决定作出的理由：1.权利要求1不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求1要求保护一种EUV投影曝光装置中包括至少四个反射镜的成像光学系统，对比文件1实际上也公开了一种EUV投影曝光装置中包括至少四个反射镜的成像光学系统，并且公开了权利要求1中的大部分技术特征，权利要求1相对于对比文件1的区别仅在于：至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是校正成像光学系统的像差。对比文件2公开了一种光学系统及具有该光学系统的电子设备，对比文件2中的光学系统是成像光学系统，反射面22和23为旋转非对称非球面的自由形式表面，旋转非对称非球面的自由表面形式是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。相对于旋转对称的反射面来说，旋转非对称非球面的反射面能校正光学系统的像差属于本领域的公知常识。如上所述，电子校正是校正光学校正留下的部分像差，光学元件20本身也校正像差，如果仅仅是为了反射光线，反射面22和23可以设置成平面形状，如果将反射面22和23设置成旋转非对称非球面形状，使得它们既能反射光线，又能校正像差。而且，对比文件2也属于成像光学领域，在对比文件1的基础上，面对本申请要解决的技术问题时，对比文件2给出了通过采用旋转非对称非球面的反射面来校正光学系统像差的技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件1与对比文件2结合，从而得到权利要求1的技术方案。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。2.权利要求2-38不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开。因此，当权利要求2引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求3-5在权利要求1的基础上作了进一步限定。因此，对比文件1公开了权利要求3-5的附加技术特征，在权利要求3-5引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3-5也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求6在权利要求3的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求6的附加技术特征。因此，在权利要求6引用的权利要求3不具备创造性时，权利要求6也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求7在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求7的附加技术特征。因此，当权利要求7引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求7也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求8在权利要求1的基础上对反射镜的数量作出了限定，由于对比文件1公开了具有6个反射镜的系统（参见图27）。因此，当权利要求8引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求8也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求9在权利要求1的基础上作出了限定，对比文件1公开了权利要求9的附加技术特征，当权利要求9引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求9也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求10在权利要求9的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求10的附加技术特征，当权利要求10引用的权利要求9不具备创造性时，权利要求10也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求11在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到权利要求11是显而易见的。因此，权利要求11不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求12在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求12的附加技术特征，当权利要求12引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求12也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求13-14在权利要求1的基础上作了进一步的限定，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常用技术手段得到权利要求13-14是显而易见，权利要求13-14不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求15-17在权利要求13的基础上作出了进一步的限定，当权利要求15-17引用的权利要求13不具备创造性时，权利要求15-17也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求18在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，进一步限定了照明的像方视场大于1mm2。但是，对比文件1在第0161段记载了所述的成像系统在像平面上具有大于1mm维度的区域，也就是说，成像光学系统在像平面上具有大于1mm2的像方视场。因此，当权利要求18引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求18不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求19-25在权利要求1的基础上对像侧的数值孔径的大小作出了限定，对比文件1实际上公开了权利要求19-25的附加技术特征，当权利要求19-25引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求19-25也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求26在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，进一步限定像侧设计成远心。对比文件1第0048段公开了投影物镜在像平面是远心的。因此，在权利要求26引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求26不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求27-29在权利要求1的基础上对物像偏移的大小进行了限定。在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到权利要求27-29是显而易见的，权利要求27-29不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求30在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，但是由于对比文件1公开了所述的成像系统的反射镜的最大反射角是12度的技术特征。因此，本领域技术人员在设计成像光学系统时会基于反射镜的最大反射角对相临反射镜之间的间距进行调整，从而通过有限次实验，即可得到“相邻反射镜中的至少一对之间的距离垂直于所述物平面和所述像平面中的至少一个，并且大于所述物方视场和所述像视场之间的距离的40％”的技术特征。因此，当权利要求30引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求30也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求31在权利要求1的基础上对反射镜的反射面与不作用于其上的最近成像光路之间的最小距离作了进一步限定。为了使成像系统的反射镜结构不会过大，入射角尽可能地小，同时又保证反射镜在光路上不会遮挡有用的光线，将该距离设定在一个合适的距离（例如，在本申请中是小于25mm）是本领域的常规选择。因此，当权利要求31引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求31也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求32在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了成像光被反射镜SK2反射到像方视场，所述反射镜SK2具有使成像光通过的通孔，并且是成像光路上的最后一个反射镜（参见附图10）。由此可见，当权利要求32引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求32也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求33涉及一种包括根据权利要求1所述的成像光学系统的用于微光刻的投影曝光装置。如前所述，权利要求1所述的成像光学系统不具备创造性。另外，对比文件1也公开了一种投影曝光装置，包括对比文件1所述的成像光学系统，并且包括用于照明光和成像光的光源110，照明系统120。照明系统120包括准直光束的光学元件，并且将光束122导向分划板140，而用于准直的光学元件必定包括透镜。因此，权利要求33不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求34在权利要求33的基础上对照明光的波长作出了进一步的限定，其中光源的波长单位有误，“mm”应为“nm”。对比文件1公开了照明光的波长可以是5nm或10nm或30nm。因此，当权利要求34引用的权利要求33不具备创造性时，权利要求34也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求35涉及一种用于制造微结构元件的方法，对比文件1也公开了一种制造微结构的方法，包括提供分划板140和基片150，通过投影曝光装置，将分划板上的刻线投影到基片上，在所述基片150上形成微结构，而用于制造微结构的基片必定包括光敏层。由于权利要求35所采用的权利要求33的投影曝光装置不具备创造性，并且用晶片作为微光刻的基片属于本领域的公知常识。因此，权利要求35不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求36涉及一种根据权利要求35所述的方法制造的微结构元件，由于权利要求35所述的制造微结构元件的方法不具备创造性。因此，采用该方法制造的微结构元件不具有创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求37涉及一种显微透镜，对于本领域技术人员而言，在显微镜中包括成像光学系统这是本领域的公知常识，由于对比文件1中的成像系统用于将像缩小。因此，本领域技术人员容易想到交换对比文件1中的像平面和物平面，从而实现放大图像的功能。因此，对于本领域技术人员而言，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常用技术手段得到权利要求37是显而易见的。因此，权利要求37不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。权利要求38涉及一种采用根据权利要求37所述的显微透镜检查基片的方法，但是采用显微透镜检查将要通过光刻投影曝光装置被曝光或已经曝光的基片，这是本领域的常用技术手段。因此，当权利要求37所述的显微透镜不具备创造性时，权利要求38也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。因此，本申请权利要求1-38不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。综上所述，专利复审委员会作出被诉决定，维持国家知识产权局对本申请作出的驳回决定。原告卡尔蔡司公司不服被诉决定，于法定期限内向本院提起行政诉讼，其诉称：1、被诉决定认为权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征“至少反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面”所要解决的技术问题是校正成像光学系统的相差，这是不正确的。本专利权利要求1所需要解决的技术问题是如何同时保持高的光通量和低的成像误差。2、对比文件2不是合适的对比文件，被诉决定认为有启示的认定错误；由于对比文件2的折叠表面的入射角甚至比对比文件1的实施例中没有通孔的反射镜上的入射角还要大，因而对比文件2不可能提供解决“该大入射角”问题的技术启示。而且对比文件2也没有提供改善像场相对于最接近反射镜的中心的对准问题。因此，对比文件2没有提供解决像场对准问题的技术启示。由此可见，对比文件2中的旋转非对称非球面在对比文件2中所起的作用与上述区别技术特征在本申请所要解决的技术问题中的作用不同，本领域技术人员没有动机将对比文件1和对比文件2相结合。即便将本申请要解决的技术问题简化为“校正成像光学系统的像差”，对比文件2也没有提供利用自由形态表面来减少像差的技术启示。而且，对比文件2所示的系统设计与对比文件1的系统设计在理论基础上显著不同，其结合对本领域技术人员而言存在着障碍。在对比文件2的光学系统中，相当一部分的成像光路在材料内，即在用于折叠成像光束的单体的棱镜原件内。这样的光学材料内的光束的引导对于本领域技术人员而言是不可能用于EUV的波长。因为，EUV波长的光不能被通常所使用的光学材料所投射。3、被诉决定认定采用旋转非对称非球面的反射面能够校正光学系统的相差属于本领域的公知常识没有事实支持。对比文件2是在非常特别的环境中使用自由成形表面，即在具有非常有限的空间要求的环境中作为光束成形原件。对比文件2并没有给出在所有的应用环境下均可以使用自由成形表面作为像差校正装置。4、另外，对于权利要求13、14、27、28、29的公知常识认定没有证据支持。综上，被告专利复审委员会作出的被诉决定认定事实错误，故诉请法院撤销被诉决定。被告专利复审委员会辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确。原告卡尔蔡司公司的诉讼理由不能成立，请求法院驳回卡尔蔡司公司的诉讼请求，维持被诉决定。本院经审理查明：本申请是申请号为200810003654.4，名称为“成像光学系统”的发明专利申请，本申请的申请日为2008年1月17日，优先权日为2007年1月17日，公开日为2008年7月23日，申请人原为卡尔蔡司SMT股份有限公司，后于2009年6月5日改为卡尔蔡司SMT股份公司，再后于2011年2月14日改为卡尔蔡司SMT有限责任公司。经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2012年11月5日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-30、32-38不符合专利法第二十二条第三款关于创造性的规定。驳回决定引用2篇对比文件：对比文件1：US2006/0232867A1美国专利文献，公开日为2006年10月19日；对比文件1公开了一种反射物镜及其利用该反射物镜的系统（参见说明书第0171-0198、0428-0452段，附图10、附图28），该反射物镜是微光刻投影曝光装置的投影物镜，微光刻投影曝光装置的工作波长位于紫外线区或超紫外线（EUV）区中（具体参见说明书第0003、0053段）。该投影物镜包括八个反射镜S1-S6、SK1和SK2，所述八个反射镜将位于物平面103上的物方视场成像在位于像平面102的像方视场上（具体参见说明书第0171-0173段）。反射镜S1、S2、S5和S6形成第一部分物镜，都是没有小孔的反射镜；反射镜S3和S4形成第二部分物镜，反射镜SK1和SK2形成第三部分物镜。反射镜S3、S4、SK1和SK2具有小孔，成像光通过这些小孔（具体参见说明书第0174、0179-0181段）。此外，对比文件1在第0176段公开了所述反射镜的最大入射角是12度，实际上也公开了反射镜的最大反射角是12度；对比文件1第0171段公开了所述的成像系统在像侧的数值孔径为0.54；对比文件1在图10和说明书第0178-0181段中公开了：进入第三部分反射镜1030之前具有在中间像平面的中间像，第一部分反射镜1010的缩小率为1.77，第二部分反射镜1020的缩小率为1.18，在第三部分反射镜1030之前的中间像的缩小率为1.77×1.18=2.08；对比文件1在第0426段，表19A中还公开了倒数第二个反射镜S500的曲率半径为9383.676mm；对比文件1在第0161段记载了所述的成像系统在像平面上具有大于1mm维度的区域；对比文件1在第0111段公开了像侧的数值孔径最大可以大于0.9；对比文件1在第0102-0125段，附图1和2中也公开了一种投影曝光装置，包括对比文件1所述的成像光学系统，并且包括用于照明光和成像光的光源110，照明系统120。照明系统120包括准直光束的光学元件，并且将光束122导向分划板140，而用于准直的光学元件必定包括透镜；对比文件1在第0105段中公开了照明光的波长可以是5nm或10nm或30nm；对比文件1在第0102-0116段、附图1和2中也公开了一种制造微结构的方法，包括提供分划板140和基片150，通过投影曝光装置，将分划板上的刻线投影到基片上，在所述基片150上形成微结构，而用于制造微结构的基片必定包括光敏层。对比文件2公开了一种光学系统及具有该光学系统的电子设备，该光学系统（参见说明书第1栏，第17-22栏，说明书摘要，附图2a和2b）包括前光学元件10和后光学元件20，通过这两个光学元件将物体成像在像平面3上，光学元件10和20都是偏轴棱镜（具体参见说明书第20栏第24-28、33-34、38-41行）。通过这两个棱镜实现入射光的三维反射，可以减小电子设备的厚度（具体参见说明书第1栏第34-38行）。光学元件20包括入射面21、反射面22和23、以及出射面24。反射面22和23为自由形式表面，具有旋转非对称非球面（具体参见说明书第20栏第38-40、55-59行，说明书摘要）。由光学系统校正留下的部分畸变和色差被电子校正（具体参见说明书第18栏第4-8、13-18行）。驳回决定所针对的权利要求书为：“1.一种EUV投影曝光装置中包括至少四个反射镜(M1至M6；59至62)的成像光学系统(6；35；42；49；56；63；64；65；66)，其采用EUV成像光(3)，所述反射镜将位于物平面(4；58)上的物方视场成像在位于像平面(8，57)的像方视场(7)上，所述反射镜中的至少一个(M6；62)具有用于使该成像光(3)通过的通孔(23)，该成像光学系统的特征在于：至少一个反射镜(M1至M6；59至62)的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面(27)。2.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述像平面(8，57)与所述物平面(4；58)平行地布置。3.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)以25°的最大反射角被所述反射镜(M1至M6；59至62)反射。4.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)以20°的最大反射角被所述反射镜(M1至M6；59至62)反射。5.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)以16°的最大反射角被所述反射镜(M1至M6；59至62)反射。6.根据权利要求3所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)在所述成像光学系统(6；35；42；49；56；)内的最大反射角(α)与其在所述像侧的数值孔径的商至多为40°。7.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被布置在瞳孔平面(21)的区域中的成像光路上的最后一个反射镜(M6；62)之前的反射镜(M3；59)具有凸形的基本形状。8.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于六个反射镜(M1至M6)。9.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述反射镜中的至少两个(M1，M3；M1，M2，M3)具有负的主光线角度放大率。10.根据权利要求9所述的成像光学系统，其特征在于：具有正的主光线角度放大率的反射镜(M2)被布置在具有负的主光线角度放大率的两个反射镜(M1，M3)之间。11.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被引导通过所述最后一个反射镜(M6；62)且居中地通过瞳孔的中心物方点的中心成像光束包围相对于所述像平面(8；57)的大于85°的角度。12.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被引导通过所述最后一个反射镜(M6；62)的成像光路在所述反射镜中的通孔(23)的区域内具有在中间像平面(22)中的中间像，在所述物平面(4；58)和中间像平面(22)之间的所述光学系统(M1至M4；59，60)的一部分具有至少2倍的缩小率。13.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被布置成成像光路中的倒数第二个反射镜且将所述成像光反射到所述最后一个反射镜(M6；62)的反射镜(M5；61)具有用于使成像光通过的通孔(24)，所述像平面(7)被布置在所述倒数第二个反射镜(M5)的后面，以偏心不超过所述倒数第二个反射镜(M5)的直径的五分之一。14.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被布置成成像光路中的倒数第二个反射镜且将所述成像光反射到所述最后一个反射镜(M6；62)的反射镜(M5；61)具有用于使成像光通过的通孔(24)，所述像平面(7)被布置在所述倒数第二个反射镜(M5)的后面，以相对于所述倒数第二个反射镜(M5)居中。15.根据权利要求13所述的成像光学系统，其特征在于：在所述成像光路上的所述倒数第二个反射镜(M5；61)的曲率半径大于500mm。16.根据权利要求13所述的成像光学系统，其特征在于：在所述成像光路上的所述倒数第二个反射镜(M5；61)的曲率半径大于1000mm。17.根据权利要求13所述的成像光学系统，其特征在于：在所述成像光路上的所述倒数第二个反射镜(M5；61)的曲率半径大于1500mm。18.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光学系统照明大于1mm2的像方视场(7)。19.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.4。20.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.45。21.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.5。22.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.55。23.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.6。24.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.65。25.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.7。26.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：其在像侧上是远心的。27.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：物像偏移(dois)小于100mm。28.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：物像偏移(dois)小于10mm。29.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：物像偏移(dois)小于1mm。30.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述相邻反射镜(M2，M3；M3，M4；M4，M5；M5，M6)中的至少一对之间的距离垂直于所述物平面(4；58)和所述像平面(8；57)中的至少一个，并且大于所述物方视场和所述像视场之间的距离的40％。31.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：至少一个反射镜(M1至M4；M1，M4)的所使用的反射面具有离不作用于所述反射镜上的最近成像光路的小于25mm的最小距离。32.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)被所述反射镜(M6；62)反射到所述像方视场(7)，所述反射镜(M6；62)具有用于使所述成像光(3)通过的通孔(23)，并且是所述成像光路上的最后一个反射镜。33.一种用于微光刻的投影曝光装置包括根据权利要求1所述的成像光学系统(6；35；42；49)；包括用于照明光和成像光(3)的光源(2)；包括用于将所述照明光(3)导向所述成像光学系统(6；35；42；49)的物方视场的透镜系统(5)。34.根据权利要求33所述的投影曝光装置，其特征在于：用于产生所述照明光(3)的光源(2)形成有在10和30mm的波长。35.一种用于制造微结构元件的方法，包括下述步骤：提供刻线(9)和晶片(10)，通过使用根据权利要求33所述的投影曝光装置，将所述刻线(9)上的结构投影到所述晶片(10)的光敏层上，在所述晶片(10)上制造微结构。36.一种微结构元件，其根据权利要求35所述的方法制造。37.包括权利要求1所述的成像光学系统的显微透镜(56)，其条件是，物平面和像平面交换。38.采用根据权利要求37所述的显微透镜检查基片(10)的方法，所述基片将要通过光刻投影曝光装置被曝光或者已经被曝光。”驳回决定认为：权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征在于：（1）至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面；（2）所述投影装置为EUV投影曝光装置。区别技术特征（1）被对比文件2公开，区别技术特征（2）属于本领域的常规选择。因此，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-30、32-38的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域的常规技术手段。因而也不具备创造性。卡尔蔡司公司对上述驳回决定不服，于2013年2月5日向专利复审委员会提出了复审请求，但没有提交修改的申请文件。卡尔蔡司公司认为：（1）用对比文件1来获得本申请的技术方案存在两个主要问题。第一，对比文件1中部分反射镜没有通孔，入射角大导致像差；第二，对比文件1中部分反射镜具有通孔，反射镜的像场中心难以对准；（2）基于对比文件1存在的上述两个技术问题，对比文件2没有给出技术启示；（3）对比文件2没有提供利用自由形态表面来减小像差的技术启示；（4）对比文件2是棱镜，这种光学材料内的光束的引导不能用于EUV的波长；（5）对比文件2的系统设计与对比文件1的系统设计理论基础显著不同。经形式审查合格，专利复审委员会于2013年2月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中仍然认为本申请不具备创造性，因而坚持原驳回决定。随后，专利复审委员会依法成立合议组对本案进行审理。专利复审委员会于2015年2月17日向卡尔蔡司公司发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1的区别仅在于：至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。而该区别技术特征被对比文件2公开，其解决的技术问题与本申请相同，因而给出了通过采用旋转非对称非球面的反射面来校正光学系统像差的技术启示。因此，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-38的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域的常规技术手段，因此，也不具备创造性。卡尔蔡司公司于2015年6月4日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。卡尔蔡司公司认为：（1）旋转非对称非球面的反射面能够校正光学系统像差属于本领域的公知常识缺乏事实支持，实际上，对比文件2并不提供这种支持。对比文件2在特别环境（3D折叠光束光路）中使用自由成形表面校正像差，并没有给出在所用的应用环境下均可以使用自由成形表面校正像差。对比文件1属于二维折叠的光束光路，在对比文件2中出现的像差在对比文件1中不会出现。因此，对比文件2没有给出与对比文件1结合的启示。（2）在完全不同的光学系统中，像差产生的类型和原因存在很大的不同，对比文件2的应用技术领域与本申请的应用技术领域存在巨大差异，对比文件2中的技术特征不能解决对比文件1中的技术问题。本申请和对比文件1的EUV系统的光学系统非常复杂，而对比文件2则是使用棱镜的家用光学元件的光学系统，对比文件2与对比文件1的结合存在技术障碍。另外，卡尔蔡司公司在专利复审委员会坚持本申请不具备创造性的情况下，要求能给予一次口审的机会。在上述程序的基础上，专利复审委员会认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。在庭审过程中，卡尔蔡司公司明确表示其对被诉决定中的案由、审查文本的认定部分，以及本申请权利要求1与对比文件1的区别技术特征的认定没有异议。同时，卡尔蔡司公司表示在独立权利要求1不具备创造性的前提下，其不再坚持从属权利要求2-12、15-26、30-38具备创造性。上述事实，有被诉决定、当事人提交的证据以及本院庭审笔录等证据在案佐证。本院认为：2008年12月27日修改的《中华人民共和国专利法》（简称2009年专利法）已于2009年10月1日起施行，因此，本案审理涉及2001年专利法与2009年专利法之间的选择适用问题。《中华人民共和国立法法》第八十四条规定，法律、行政法规、地方性法规、自治条例和单行条例、规章不溯及既往，但为了更好地保护公民、法人和其他组织的权利和利益而作的特别规定除外。国家知识产权局据此制定了《施行修改后的专利法的过渡办法》，并于2009年10月1日起施行。对于专利权是否有效的审查，根据该过渡办法，申请日在2009年10月1日前的专利申请以及根据该专利申请授予的专利权适用2001年专利法的规定；申请日在2009年10月1日以后（含该日）的专利申请以及根据该专利申请授予的专利权适用2009年专利法的规定。本案属于专利确权行政纠纷，本专利的申请日在2009年10月1日前，因此，依据《中华人民共和国立法法》第八十四条之规定，并参照上述过渡办法的相关规定，本案应适用2001年专利法进行审理。2001年专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。”如果权利要求保护的技术方案与最接近的现有技术存在区别技术特征，但该区别技术特征被其它现有技术所公开或为本领域公知常识，将所述现有技术及公知常识结合起来获得该权利要求的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，或者其他现有技术给出了将该区别技术特征应用于最接近现有技术以解决其存在的技术问题的启示，则该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，不具备创造性。一、权利要求1是否具备创造性本案中，对比文件1与本专利申请技术领域相同，所要解决的技术问题、技术效果或用途较为接近，可以作为判断本专利创造性的最接近现有技术。在将对比文件1作为最接近的现有技术的前提下，被诉决定认定，本专利独立权利要求1与对比文件1存在如下区别技术特征：至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是校正成像光学系统的像差。本案中，原告对被诉决定关于本专利权利要求1与对比文件1的区别技术特征的认定不持异议，但主张，基于以上区别技术特征，本专利权利要求1所需要解决的技术问题是如何同时保持高的光通量和低的成像误差。就此，被告专利复审委员会认为，前述区别技术特征“自由形态表面”本身仅仅解决像差问题，在结合“通孔”等其他技术特征时，才能实现保持高的光通量的技术效果。因而对比文件1也公开了大的数值孔径，实际上也能实现大孔径光通量，高的光通量的技术效果并不是前述区别技术特征所带来的。对此，本院认为，发明实际解决的技术问题应当基于本申请权利要求与最接近的现有技术相比的区别特征所能达到的技术效果确定。从这个意义上说，发明实际解决的技术问题是指为获得更好的技术效果而需对最接近的现有技术进行改进的技术任务。本案中，由于对比文件1公开了一种反射物镜及其利用该反射物镜的系统，该反射物镜是微光刻投影曝光装置的投影物镜，微光刻投影曝光装置的工作波长位于紫外线区或超紫外线（EUV）区中。该投影物镜包括八个反射镜S1-S6、SK1和SK2，所述八个反射镜将位于物平面103上的物方视场成像在位于像平面102的像方视场上。反射镜S1、S2、S5和S6形成第一部分物镜，都是没有小孔的反射镜；反射镜S3和S4形成第二部分物镜，反射镜SK1和SK2形成第三部分物镜。反射镜S3、S4、SK1和SK2具有小孔，成像光通过这些小孔。由对比文件1前述公开的内容可知，因为反射镜S3、S4、SK1和SK2具有小孔，本领域技术人员可知，成像光通过这些小孔可以实现高的光通量，也即是说，对比文件1已经通过“反射镜S3、S4、SK1和SK2具有小孔”解决了“高的光通量”问题，对比文件1并不存在需要进一步解决高的光通量的问题，因此，基于对比文件1，本申请权利要求1相对于对比文件1所存在的前述区别技术特征，需要进一步解决的技术问题就是为了获得低的成像误差，也即是校正成像光学系统的像差。尽管基于前述区别技术特征，结合“通孔”等技术特征，本申请权利要求1也更好的解决了高的光通量问题，但是，正如对比文件1中“小孔”一样，本申请权利要求1所存在的“通孔”这一技术特征是解决高的光通量问题的根本。也即正如前所述，本申请权利要求1相对于对比文件1，获得更好的技术效果而需对对比文件1进行改进的技术任务是实现校正成像光学系统的像差，也即是获得低的成像误差的技术效果。即便是本申请权利要求1，基于前述区别技术特征结合其他技术特征带来相应的技术效果，但是，因为在对比文件1的技术方案之中本身就已经存在这样的技术效果，而且，该技术效果的取得还是根源于其所结合其他技术特征，并非由于前述区别技术特征本身所带来。因此，本申请权利要求1所要解决的技术问题还应当是基于前述区别技术特征本身所带来的技术效果。故此，本院认为，被诉决定认定“基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是校正成像光学系统的像差”是正确的，本院予以确认。通过查明的事实可知，对比文件2公开了一种光学系统及具有该光学系统的电子设备，该光学系统包括前光学元件10和后光学元件20，通过这两个光学元件将物体成像在像平面3上，光学元件10和20都是偏轴棱镜。通过这两个棱镜实现入射光的三维反射，可以减小电子设备的厚度。光学元件20包括入射面21、反射面22和23、以及出射面24。反射面22和23为自由形式表面，具有旋转非对称非球面。由光学系统校正留下的部分畸变和色差被电子校正。基于对比文件2公开的前述内容，因为在光学成像领域，本领域技术人员公知的是，采用非球面设计的光学系统，可以消除球差、慧差、像散、场曲，从而获得高质量的图像效果和高品质的光学特性，因而旋转非对称非球面的反射面能校正光学系统像差属于本领域的公知常识。而对比文件2中的光学系统是成像光学系统，反射面22和23为旋转非对称非球面的自由形式表面，旋转非对称非球面的自由表面形式是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。相对于旋转对称的反射面来说，旋转非对称非球面的反射面能校正光学系统的像差属于本领域的公知常识。如上所述，电子校正是校正光学校正留下的部分像差，光学元件20本身也校正像差，如果仅仅是为了反射光线，反射面22和23可以设置成平面形状，如果将反射面22和23设置成旋转非对称非球面形状，使得它们既能反射光线，又能校正像差。所以，对比文件2公开了利用旋转非对称非球面的反射面来校正成像光学系统的畸变和色差。对比文件2中的光学元件20是棱镜，光束在棱镜中经过两次反射，即，三维折叠，而无需两个光学元件来实现两次反射，从而使结构小型化，对比文件2能校正像差是因为棱镜的反射面22和23为旋转非对称非球面。对比文件1是二维折叠（一次反射）的光束光路。无论是三维折叠还是二维折叠，两者都是进行光束反射，在面临需要校正像差的情况下，对比文件2给出了通过采用旋转非对称非球面的反射面来校正光学系统像差的技术启示。因而，虽然对比文件1和对比文件2存在不同，即，对比文件1是用于微光刻的成像光学系统，该光学系统尺寸庞大，成像光学系统复杂，光波的波长在EUV区域，而对比文件2主要是用于照相的成像光学系统，光学系统尺寸紧凑，光波的波长在可见光区域，但是，无论光学系统的大小，光波波长的长短，其光学成像原理是相同的。对比文件2中的技术特征可以用于解决对比文件1的技术问题，两者的结合并不存在技术障碍。对于不同的成像光学系统，可以选用不同的非对称非球面方程。本申请权利要求1并没有限定具体的非对称非球面方程，只是限定“至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面”，即，非对称非球面的反射面，对比文件2公开了非对称非球面。因此，在对比文件1的基础上，面对本申请要解决的技术问题时，本领域技术人员有动机将对比文件1与对比文件2结合，从而得到权利要求1的技术方案。综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到本申请权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。二、权利要求2-38是否具备创造性鉴于卡尔蔡司公司表示其在独立权利要求1不具备创造性的前提下，其不再坚持从属权利要求2-12、15-26、30-38具备创造性。因而，关于从属权利要求2-12、15-26、30-38不具备创造性的理由，本院不再赘述。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。关于从属权利要求13、14、27、28、29的创造性问题。权利要求13-14在权利要求1的基础上作了进一步的限定，进一步限定了像平面与倒数第二个反射镜之间的偏心量。对比文件1中SK2是最后一个反射镜，SK1是倒数第二个反射镜并且具有通孔，像平面102在SK2的后面。虽然对比文件1并没有公开所述像平面的偏心程度在不超过反射镜SK1的直径的五分之一，但是本领域技术人员为了使得所述的像平面能够与所述的反射镜SK1对准，通过计算可以得到一定的偏心量。而该偏心量与整个光学系统的反射镜参数有关，至于是像平面与倒数第二个反射镜的偏心为第二反射镜直径的五分之一还是相对第二个反射镜居中，是本领域技术人员不需要付出创造性劳动可以得到的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常用技术手段得到权利要求13-14是显而易见，权利要求13-14不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。权利要求27-29在权利要求1的基础上对物像偏移的大小进行了限定。物像偏移与光学系统的参数有关，尤其与反射镜的直径大小有关，本领域技术人员根据参数可以计算该偏移量，对于本领域技术人员来说，属于本领域的常用技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到权利要求27-29是显而易见的，权利要求27-29不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。综上，被告专利复审委员会作出的被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，符合法定程序，本院予以维持。原告卡尔蔡司公司的诉讼请求及理由，缺乏事实和法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告卡尔蔡司SMT有限责任公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告卡尔蔡司SMT有限责任公司负担（已交纳）。如不服本判决，卡尔蔡司SMT有限责任公司可在本判决书送达之日起三十日内，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会可在本判决书送达之日起十五日内向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国北京市高级人民法院。审 判 长  邓 卓审 判 员  宋 鹏审 判 员  李志峰二〇一八年八月十五日法官助理  罗素云书 记 员  任 燕